JPS59171118A - 重ね合わせ基準マ−ク - Google Patents
重ね合わせ基準マ−クInfo
- Publication number
- JPS59171118A JPS59171118A JP58044176A JP4417683A JPS59171118A JP S59171118 A JPS59171118 A JP S59171118A JP 58044176 A JP58044176 A JP 58044176A JP 4417683 A JP4417683 A JP 4417683A JP S59171118 A JPS59171118 A JP S59171118A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- interlayer insulating
- plateau
- insulating film
- reference mark
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は電子？ＩＭ＠接描画接金画法る際の重ね合わせ
基準マーク、特に多層配線工程のＮ間絶縁膜としてね英
バイアススパッタ膜を用いた時に好適な重ね合わせ基準
マークに関するものである。
基準マーク、特に多層配線工程のＮ間絶縁膜としてね英
バイアススパッタ膜を用いた時に好適な重ね合わせ基準
マークに関するものである。
半導体素子製造工程で電子線直接描画法を用いる際に使
用する重ね合わせ基準用マークとしては段差形のマーク
と重金属形のマークとがある。従来はこれらのマーク形
成後のプロセスによつでマーク検出の信号波形が大きく
変化することがなかったので、特にマーク形成後のプロ
セスを考慮してマークの選択をする必要がなかった。半
導体素子の集積化が進むとともに形成層表面の平坦化が
要求され電子線の反射が良好な本金属形のマークが用い
られる傾向にある。さらに多層膜配線に層間絶縁膜とし
て被着した膜上の凹凸が平坦化をれる石英バイアススパ
ッタ族の便用が検討されているが、石英バイアススパッ
タ膜は被層膜上の凹凸全平坦化するため被層膜下の凹凸
によって層間絶縁膜の厚さが変化することになる。第１
図は重金属形マークを用いた場合の石英バイアススパッ
タ膜による層間絶縁膜の厚さと上記マーク金検出する信
号の強度との関係を示す睨明図で、（ａ）は基板１」二
のマーク４を覆う層間絶縁膜３の厚さが薄い状態の断面
図を示しくｂ）は上記状態におけるマーク検出の信号の
強度を示す。また（Ｃ）は上記層間絶縁膜３の厚さが厚
い状態の断面図金示しくｄ）は上記状態におけるマーク
検出の信号の強度を示している。
用する重ね合わせ基準用マークとしては段差形のマーク
と重金属形のマークとがある。従来はこれらのマーク形
成後のプロセスによつでマーク検出の信号波形が大きく
変化することがなかったので、特にマーク形成後のプロ
セスを考慮してマークの選択をする必要がなかった。半
導体素子の集積化が進むとともに形成層表面の平坦化が
要求され電子線の反射が良好な本金属形のマークが用い
られる傾向にある。さらに多層膜配線に層間絶縁膜とし
て被着した膜上の凹凸が平坦化をれる石英バイアススパ
ッタ族の便用が検討されているが、石英バイアススパッ
タ膜は被層膜上の凹凸全平坦化するため被層膜下の凹凸
によって層間絶縁膜の厚さが変化することになる。第１
図は重金属形マークを用いた場合の石英バイアススパッ
タ膜による層間絶縁膜の厚さと上記マーク金検出する信
号の強度との関係を示す睨明図で、（ａ）は基板１」二
のマーク４を覆う層間絶縁膜３の厚さが薄い状態の断面
図を示しくｂ）は上記状態におけるマーク検出の信号の
強度を示す。また（Ｃ）は上記層間絶縁膜３の厚さが厚
い状態の断面図金示しくｄ）は上記状態におけるマーク
検出の信号の強度を示している。
すなわちマーク検出のだめの信号強度は基準マーク４上
の層間絶縁膜３の厚さが厚い程弱くなる。
の層間絶縁膜３の厚さが厚い程弱くなる。
このため重金属をマークとして用いる場合は基板上の段
差の画部分に上記重金属またはこれらの化合物よりなる
マークを設ける。
差の画部分に上記重金属またはこれらの化合物よりなる
マークを設ける。
しかし石英バイアススパッタ膜を被着した場合の表面形
状は基板上の段差の大きさや被着膜の厚さによって変化
する。第２図は基板１上の段差を有する台地２を越えて
石英バイアススパッタ膜３全被看するときに、上記台地
２の幅によって石英バイアススパッタ膜３の表面が変化
する状態を示した図で、図の（ａ） 、 （ｂ） 、
（Ｃ）の順で上記台地２の幅が小さくなっている。（Ｃ
）に示すように台地２の幅が小さい時は石英バイアスス
パッタ膜３の表面は平坦であるが、（ａ）あるいは（ｂ
）に示すように台地２の幅が大きくなると段差を有する
台地２の１〕に突起５を生じる。この現象は石英ベイア
ススバッタによる層間絶縁膜３が層表面金平坦化すると
いっても、実際にノー間絶縁膜３上の段差ケ光全に平坦
にするのではなく、段差を有する台地２上に被着した石
英バイアススパッタ膜３が破着と同時にスパッタエツチ
ングされ上記石英バイアススパッタ膜３の表面に生じる
段差部分が台地２上で後退するため、台地２の幅が小さ
い場合は第２図（Ｃ）に示すように平坦化されるが、第
２図（ａ）または（ｂ）に示すように台地２の幅が大き
い場合には石英バイアススパッタ膜３は平坦化されない
で、段差部分の表面が突起５として残るのである。石英
バイアススパッタ膜３の段差部分が台地２の上でスパッ
タエツチングによって後退する速度は、入射イオンビー
ムと基板面とのなす角度によって変化することか Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｃｆ ｔｈｅ Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ 誌 １２３巻、１２号、
１８９３〜１８９８頁（１９７４年）に示されている。
状は基板上の段差の大きさや被着膜の厚さによって変化
する。第２図は基板１上の段差を有する台地２を越えて
石英バイアススパッタ膜３全被看するときに、上記台地
２の幅によって石英バイアススパッタ膜３の表面が変化
する状態を示した図で、図の（ａ） 、 （ｂ） 、
（Ｃ）の順で上記台地２の幅が小さくなっている。（Ｃ
）に示すように台地２の幅が小さい時は石英バイアスス
パッタ膜３の表面は平坦であるが、（ａ）あるいは（ｂ
）に示すように台地２の幅が大きくなると段差を有する
台地２の１〕に突起５を生じる。この現象は石英ベイア
ススバッタによる層間絶縁膜３が層表面金平坦化すると
いっても、実際にノー間絶縁膜３上の段差ケ光全に平坦
にするのではなく、段差を有する台地２上に被着した石
英バイアススパッタ膜３が破着と同時にスパッタエツチ
ングされ上記石英バイアススパッタ膜３の表面に生じる
段差部分が台地２上で後退するため、台地２の幅が小さ
い場合は第２図（Ｃ）に示すように平坦化されるが、第
２図（ａ）または（ｂ）に示すように台地２の幅が大き
い場合には石英バイアススパッタ膜３は平坦化されない
で、段差部分の表面が突起５として残るのである。石英
バイアススパッタ膜３の段差部分が台地２の上でスパッ
タエツチングによって後退する速度は、入射イオンビー
ムと基板面とのなす角度によって変化することか Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｃｆ ｔｈｅ Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ 誌 １２３巻、１２号、
１８９３〜１８９８頁（１９７４年）に示されている。
本文献によると入射イオンビームが基板に垂直に入射す
る場合の基板平面のエツチング速度を１とした場合、入
射イオンビームに対し約６０°の角ｉｋもつ而でエツチ
ング速度が最大に達しこの時の速度は２である。したが
って段差を有する台地２を越えて石英バイアススパッタ
膜３を被着する場合に、該被着膜表面に生じる段差部が
後退する量は被着膜厚Ｔの２倍以内であると推定される
。また第３図に示すように石英バイアススパッタ膜３表
面の段差の形状は緩和されてゆるやかな曲面になる。こ
のゆるやかな曲面をなす遷移領域６の長さはほぼ上記台
地２の段差の大きさＤに等しいため、実際に台地２上部
の平坦化された部分は石英バイアススパッタ膜３の厚さ
の２倍から台地２０段差の大きさＤ全差引いた値２Ｔ−
Ｄとなる。したがって弧立した幅Ｗなる台地２を越えて
石英バイアススパッタ膜３を被着するとき、２幅Ｗが２
（２Ｔ−Ｄ）より大きい場合には必ず弧立した台地２上
に石英バイアススパッタ膜３の突起５を生じる。第４図
（ａ）に示すように台地２上に重金属形マーク４を設は
上記台地２を越えて石英バイアススパッタ膜３全被看し
、該被着膜表面に突起５を南する場合は、第４図（ｂ）
に示すように車ね合わせ用の重金属形マ〜り４の検出信
号に上記突起５に起因する雑丘伯号が重畳され、マーク
検出精度の低下をもたらすことになる。
る場合の基板平面のエツチング速度を１とした場合、入
射イオンビームに対し約６０°の角ｉｋもつ而でエツチ
ング速度が最大に達しこの時の速度は２である。したが
って段差を有する台地２を越えて石英バイアススパッタ
膜３を被着する場合に、該被着膜表面に生じる段差部が
後退する量は被着膜厚Ｔの２倍以内であると推定される
。また第３図に示すように石英バイアススパッタ膜３表
面の段差の形状は緩和されてゆるやかな曲面になる。こ
のゆるやかな曲面をなす遷移領域６の長さはほぼ上記台
地２の段差の大きさＤに等しいため、実際に台地２上部
の平坦化された部分は石英バイアススパッタ膜３の厚さ
の２倍から台地２０段差の大きさＤ全差引いた値２Ｔ−
Ｄとなる。したがって弧立した幅Ｗなる台地２を越えて
石英バイアススパッタ膜３を被着するとき、２幅Ｗが２
（２Ｔ−Ｄ）より大きい場合には必ず弧立した台地２上
に石英バイアススパッタ膜３の突起５を生じる。第４図
（ａ）に示すように台地２上に重金属形マーク４を設は
上記台地２を越えて石英バイアススパッタ膜３全被看し
、該被着膜表面に突起５を南する場合は、第４図（ｂ）
に示すように車ね合わせ用の重金属形マ〜り４の検出信
号に上記突起５に起因する雑丘伯号が重畳され、マーク
検出精度の低下をもたらすことになる。
本発明は多層配線工程に電子線直接描画法を応用する場
合に用いる重ね合わせ精度が商く、かつ検出が容易な重
ね合わせ基準マークを得ること目的とする。
合に用いる重ね合わせ精度が商く、かつ検出が容易な重
ね合わせ基準マークを得ること目的とする。
〔発明の概要〕
上記の目的を達成するために本発明による車ね合わせ基
準マークは、層間絶縁膜として石英バイアススパッタ膜
を用いる多層配線工程に蜜子稼ＩＤ接描画扶を適用する
際に、上記層間絶縁膜−トの基板上に段差Ｄ１幅ＷＸ層
間絶縁膜の厚さゲＴとしたとき、Ｗ＜２ （２Ｔ −４
’） ）の関係を満足する台地をＳ ｉ＋ Ｓ ｉｏｚ
、８１３Ｎ４等のいずれか葦たけこれ等を組合せたも
ので形成し、上記台地上に重金属または重金属の化合物
からなる膜を設は爪ね合わせ基準マークとしたものであ
る。
準マークは、層間絶縁膜として石英バイアススパッタ膜
を用いる多層配線工程に蜜子稼ＩＤ接描画扶を適用する
際に、上記層間絶縁膜−トの基板上に段差Ｄ１幅ＷＸ層
間絶縁膜の厚さゲＴとしたとき、Ｗ＜２ （２Ｔ −４
’） ）の関係を満足する台地をＳ ｉ＋ Ｓ ｉｏｚ
、８１３Ｎ４等のいずれか葦たけこれ等を組合せたも
ので形成し、上記台地上に重金属または重金属の化合物
からなる膜を設は爪ね合わせ基準マークとしたものであ
る。
〔発明の実施例」
つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する。
第５図は本発明による１軍ね合わせ基準マークをバイポ
ーラ論理ＬＳＩの製造工程に適用した一実施例を乃くず
図で、（ａ）は第１のＡｔ配線の加工が終った状態を示
し、（ｂ）は石英バイアススパッタ膜被着後の状態を示
し７ている。第５図（ａ）に示すように第１のスルーホ
ールコンタクｌ用の重ね合わせ基準マークとして基板１
上に例えはポリシリコンで台地８を形成し、該台地８上
に白金シリサイド層を被着して重ね合わせ基準マーク９
にした。本実施例で用いた白金シリサイド以外の重金属
またはその化合物でもよいが、良好な検出ｆＭ号を得る
ためにはクロムよりも原子量が重い重金属またはその化
合物をマークの材村として用いる必要がある。
ーラ論理ＬＳＩの製造工程に適用した一実施例を乃くず
図で、（ａ）は第１のＡｔ配線の加工が終った状態を示
し、（ｂ）は石英バイアススパッタ膜被着後の状態を示
し７ている。第５図（ａ）に示すように第１のスルーホ
ールコンタクｌ用の重ね合わせ基準マークとして基板１
上に例えはポリシリコンで台地８を形成し、該台地８上
に白金シリサイド層を被着して重ね合わせ基準マーク９
にした。本実施例で用いた白金シリサイド以外の重金属
またはその化合物でもよいが、良好な検出ｆＭ号を得る
ためにはクロムよりも原子量が重い重金属またはその化
合物をマークの材村として用いる必要がある。
図において１０は基板１上に形成したＰＳＧ膜、１１は
拡散層、７はＡ７配線を示している。上記ポリシリコン
台地８の断面形状は幅２μｍ１高さ２μｍどした。つぎ
に石英バイアススパッタ膜３全３μｍ抜着して層間絶縁
膜としたが、上記のように台地８の段差Ｄ＝２μｍ１台
地の幅Ｗ ＝： ２ ｌｔｍ層間絶縁膜の厚さＴ＝３μ
ｍ″′ｃあるから、本実施例はＷ＜２（２Ｔ−Ｄ）の関
係を十分に省足するものである。石英バイアススパッタ
膜３ケ被篇した状態は第５図（ｂ）に示すように、上記
ポリシリコン台地８上の石英バイアススパッタ膜３は平
坦化され、膜厚は１μｍと通常の膜厚の３μＩｌｌに比
し１／３に減少しており、上記台地８上に石英バイアス
スパッタ膜３の段差または突起は生じなかった。この結
果重ね合わせ基剤マーク９の検出信刀の強さ−、ポリシ
リコン台地８を設けなかった場合に比し約９倍に増加し
、検出精度が者しく向上した。一方上記マーク検出時の
電子ビーム走査速度金９倍に増加した結果、従来の方法
と同様の検出精度を保ちなから上ｍｌマーク検出時間全
約１１５に短縮することが可能になった１、マーク検出
時１’ｔｉｊは全描画時間の１０〜３０％であるからス
ループットが９〜３２チ向上した。
拡散層、７はＡ７配線を示している。上記ポリシリコン
台地８の断面形状は幅２μｍ１高さ２μｍどした。つぎ
に石英バイアススパッタ膜３全３μｍ抜着して層間絶縁
膜としたが、上記のように台地８の段差Ｄ＝２μｍ１台
地の幅Ｗ ＝： ２ ｌｔｍ層間絶縁膜の厚さＴ＝３μ
ｍ″′ｃあるから、本実施例はＷ＜２（２Ｔ−Ｄ）の関
係を十分に省足するものである。石英バイアススパッタ
膜３ケ被篇した状態は第５図（ｂ）に示すように、上記
ポリシリコン台地８上の石英バイアススパッタ膜３は平
坦化され、膜厚は１μｍと通常の膜厚の３μＩｌｌに比
し１／３に減少しており、上記台地８上に石英バイアス
スパッタ膜３の段差または突起は生じなかった。この結
果重ね合わせ基剤マーク９の検出信刀の強さ−、ポリシ
リコン台地８を設けなかった場合に比し約９倍に増加し
、検出精度が者しく向上した。一方上記マーク検出時の
電子ビーム走査速度金９倍に増加した結果、従来の方法
と同様の検出精度を保ちなから上ｍｌマーク検出時間全
約１１５に短縮することが可能になった１、マーク検出
時１’ｔｉｊは全描画時間の１０〜３０％であるからス
ループットが９〜３２チ向上した。
本発明は上記のように多層膜配線工程において層間絶縁
膜の一トに台地全形成し、台地の段差をＤ１台地の幅全
Ｗとし層間絶縁膜の厚さをＴとしたとき上記台地がＷ≦
２（２Ｔ−Ｄ）の関係を満足するようにし、１−記台地
の表面に原子量がクロムより重い垂金属筐たはこれら車
金層の化合物よりなる重ね合わせ基準マークを設けたか
ら、平坦な石英バイアススパッタ膜が層間絶縁膜として
形成され、該層間絶縁膜は膜厚が厚いにもかかわらず良
好な車ね合わせ基準マークの検出信号が得られ、１だ雑
刊となるような上記絶縁膜表面の形状の崩れを生じるこ
とがなく、車ね合わせ精度の向上およびスループットの
向上が得られる３、
膜の一トに台地全形成し、台地の段差をＤ１台地の幅全
Ｗとし層間絶縁膜の厚さをＴとしたとき上記台地がＷ≦
２（２Ｔ−Ｄ）の関係を満足するようにし、１−記台地
の表面に原子量がクロムより重い垂金属筐たはこれら車
金層の化合物よりなる重ね合わせ基準マークを設けたか
ら、平坦な石英バイアススパッタ膜が層間絶縁膜として
形成され、該層間絶縁膜は膜厚が厚いにもかかわらず良
好な車ね合わせ基準マークの検出信号が得られ、１だ雑
刊となるような上記絶縁膜表面の形状の崩れを生じるこ
とがなく、車ね合わせ精度の向上およびスループットの
向上が得られる３、
第１図は重金槁形マークを用いた場合の石英バイアスス
パッタ膜による層間絶縁膜の厚さと上記マークを検出す
る信号の強度との関係を示す説明図で、（ａ）は層間絶
縁膜が薄い状態のけ「面図、（ｂ）上記状態におけるマ
ーク検出信号の強度を示す図、（Ｃ）は層間絶縁膜が厚
い状態の断面図、（ｄ）は上記状態におけるマーク検出
信号の強度を示す図、第２図は基板１−ヒの段差を有す
る台地を越えて石英ノ・イアススバッタＭを被着すると
き、台地の幅（でより石英バイアススパッタ膜の表向が
変化する状態を示す図で、（ａ） 、 （ｂ） 、 （
Ｃ）はそれぞれ−に記台地の幅が犬、中、小である場合
を示す図、第３図は石英バイアススパッタ膜表面の段差
の後退税象を示す図で、（ａ）は段差の後退を示し、（
ｂ）は孤立した台地上に生じた突起を示す図、第４図は
石英バイアススパッタ膜表面に突起を生じた場合に重金
槙形マークを検出する信号の波形を示す図で、（ａ）は
突起を生じた石英バイアススパッタ膜の断面図、（ｂ）
ｒＪ上記信号波形図、第５図は本発明による爪ね合わ
せ基準マークの一実施例全バイポーラ論理ＬＳＩの製造
に適用した図で、（ａ）は第１０Ａ、を配線の加工が終
った状態を示す図、（ｂ）はイｊ英バイアススパッタ膜
被着後の状態を示す図である。 ３・・・層間絶縁膜（石英バイアススパッタ膜）、８菌
１７ どｔ船） ４２ 図 畝） Ｙ ３ 図 （ρ）
パッタ膜による層間絶縁膜の厚さと上記マークを検出す
る信号の強度との関係を示す説明図で、（ａ）は層間絶
縁膜が薄い状態のけ「面図、（ｂ）上記状態におけるマ
ーク検出信号の強度を示す図、（Ｃ）は層間絶縁膜が厚
い状態の断面図、（ｄ）は上記状態におけるマーク検出
信号の強度を示す図、第２図は基板１−ヒの段差を有す
る台地を越えて石英ノ・イアススバッタＭを被着すると
き、台地の幅（でより石英バイアススパッタ膜の表向が
変化する状態を示す図で、（ａ） 、 （ｂ） 、 （
Ｃ）はそれぞれ−に記台地の幅が犬、中、小である場合
を示す図、第３図は石英バイアススパッタ膜表面の段差
の後退税象を示す図で、（ａ）は段差の後退を示し、（
ｂ）は孤立した台地上に生じた突起を示す図、第４図は
石英バイアススパッタ膜表面に突起を生じた場合に重金
槙形マークを検出する信号の波形を示す図で、（ａ）は
突起を生じた石英バイアススパッタ膜の断面図、（ｂ）
ｒＪ上記信号波形図、第５図は本発明による爪ね合わ
せ基準マークの一実施例全バイポーラ論理ＬＳＩの製造
に適用した図で、（ａ）は第１０Ａ、を配線の加工が終
った状態を示す図、（ｂ）はイｊ英バイアススパッタ膜
被着後の状態を示す図である。 ３・・・層間絶縁膜（石英バイアススパッタ膜）、８菌
１７ どｔ船） ４２ 図 畝） Ｙ ３ 図 （ρ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、層間絶縁膜として石英バイアススパッタ膜を用いる
多層膜配線工程に電子１ｆＭ＠接描画法を適用する際使
用する重ね合わせ基準マークにおいて、上記層間絶縁膜
下に台地を形成し、該台地の段差をＤ１台地の幅ｆ：Ｗ
Ｘ層間絶縁膜の厚さをＴとしたときＷく２ （２Ｔ−Ｄ
）の関係を満足する上記台地の上に、重金属または重金
属の化合物からなる膜を設けたことを特徴とする亀ね合
わせ基準マーク１． ２、上記重金属がクロムよりも原子量が重い元素である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１．項に記載した重
ね合わせ基準マーク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58044176A JPS59171118A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 重ね合わせ基準マ−ク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58044176A JPS59171118A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 重ね合わせ基準マ−ク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59171118A true JPS59171118A (ja) | 1984-09-27 |
Family
ID=12684268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58044176A Pending JPS59171118A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 重ね合わせ基準マ−ク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59171118A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60196940A (ja) * | 1984-03-21 | 1985-10-05 | Nec Corp | 半導体製造プロセス用目合わせマ−クの構造 |
| JP2007002480A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Hideo Fujita | 断熱外囲体 |
| JP2015070251A (ja) * | 2013-10-01 | 2015-04-13 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-03-18 JP JP58044176A patent/JPS59171118A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60196940A (ja) * | 1984-03-21 | 1985-10-05 | Nec Corp | 半導体製造プロセス用目合わせマ−クの構造 |
| JP2007002480A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Hideo Fujita | 断熱外囲体 |
| JP2015070251A (ja) * | 2013-10-01 | 2015-04-13 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
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