JPH0677227A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH0677227A JPH0677227A JP22962392A JP22962392A JPH0677227A JP H0677227 A JPH0677227 A JP H0677227A JP 22962392 A JP22962392 A JP 22962392A JP 22962392 A JP22962392 A JP 22962392A JP H0677227 A JPH0677227 A JP H0677227A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring layer
- insulating film
- lower wiring
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 下層配線層の信号の観測を精度良く、しかも
容易に行うことができる構成の半導体集積回路を提供す
る。 【構成】 下層配線層の所定部分の下方位置に台座が設
けられ、その台座上方の凸状に形成されている下層配線
層の上方の上層配線層が除去された状態で、その開口部
および残存する上層配線層上に絶縁膜が形成されている
とともに、開口部下方の下層配線層直上に形成されてい
る絶縁膜の厚みが、開口部を除く部分に形成されている
絶縁膜の厚みより小さく形成されている。
容易に行うことができる構成の半導体集積回路を提供す
る。 【構成】 下層配線層の所定部分の下方位置に台座が設
けられ、その台座上方の凸状に形成されている下層配線
層の上方の上層配線層が除去された状態で、その開口部
および残存する上層配線層上に絶縁膜が形成されている
とともに、開口部下方の下層配線層直上に形成されてい
る絶縁膜の厚みが、開口部を除く部分に形成されている
絶縁膜の厚みより小さく形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路に関し、
更に詳しくは複数の配線層を有する半導体集積回路にお
いて、特に下層配線層に流れる信号を高精度に観測する
ことのできる半導体集積回路に関する。
更に詳しくは複数の配線層を有する半導体集積回路にお
いて、特に下層配線層に流れる信号を高精度に観測する
ことのできる半導体集積回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、複数の配線層が形成されている半
導体集積回路は、例えば図４に示すように、半導体基板
上に形成された下層配線層１２上に絶縁膜１３が形成さ
れ、その絶縁膜１３上に上層配線層１１が形成された構
成となっている。この種の半導体集積回路の下層配線層
１２上を流れる信号を観測するには、上層配線層１１間
に形成されているわずかな隙間部１４に現れる下層配線
層１２を探し、観測が行われている。例えば、図５に示
すように、Ｆ．Ｉ．Ｂ(Focused Ion Beam)等の加工技術
により、隙間部１４から上層配線層１１および下層配線
層１２との間の層間膜１３に穴１５を明けることによ
り、下層配線層１２を露出させて観測することが行われ
ている。
導体集積回路は、例えば図４に示すように、半導体基板
上に形成された下層配線層１２上に絶縁膜１３が形成さ
れ、その絶縁膜１３上に上層配線層１１が形成された構
成となっている。この種の半導体集積回路の下層配線層
１２上を流れる信号を観測するには、上層配線層１１間
に形成されているわずかな隙間部１４に現れる下層配線
層１２を探し、観測が行われている。例えば、図５に示
すように、Ｆ．Ｉ．Ｂ(Focused Ion Beam)等の加工技術
により、隙間部１４から上層配線層１１および下層配線
層１２との間の層間膜１３に穴１５を明けることによ
り、下層配線層１２を露出させて観測することが行われ
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うに従来の構成の半導体集積回路では、この僅かな隙間
部１４から下層配線層１２に達する穴１５を明ける場
合、非常に高い精度が要求される上、実際には、下層配
線層１２を破損する等の失敗が起こりやすく、また、成
功した場合にも、非常に時間がかかるという問題があっ
た。
うに従来の構成の半導体集積回路では、この僅かな隙間
部１４から下層配線層１２に達する穴１５を明ける場
合、非常に高い精度が要求される上、実際には、下層配
線層１２を破損する等の失敗が起こりやすく、また、成
功した場合にも、非常に時間がかかるという問題があっ
た。
【０００４】本発明は上記の問題点を解決するためにな
されたものであり、下層配線層の信号の観測を精度良
く、しかも容易に行うことができる構成の半導体集積回
路を提供することを目的とする。
されたものであり、下層配線層の信号の観測を精度良
く、しかも容易に行うことができる構成の半導体集積回
路を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の半導体集積回路は、半導体基板上に形成
された下層配線層上に第１の絶縁膜が形成され、その第
１の絶縁膜上に上層配線層が形成され、その上層配線層
上に第２の絶縁膜が形成されてなる半導体集積回路にお
いて、上記下層配線層の所定部分の下方位置に台座が設
けられ、かつ、その台座上方の下層配線層が凸状に形成
され、かつ、その凸状に形成されている下層配線層上方
の上記上層配線層が除去された状態で、その除去された
開口部および残存する上記上層配線層上に上記第２の絶
縁膜が形成されているとともに、上記開口部下方の下層
配線層直上に形成されている上記第１の絶縁膜および第
２の絶縁膜の合計の厚みが、上記開口部を除く部分に形
成されている上記第１の絶縁膜および第２の絶縁膜の合
計の厚みより小さいことによって特徴付けられる。
めに、本発明の半導体集積回路は、半導体基板上に形成
された下層配線層上に第１の絶縁膜が形成され、その第
１の絶縁膜上に上層配線層が形成され、その上層配線層
上に第２の絶縁膜が形成されてなる半導体集積回路にお
いて、上記下層配線層の所定部分の下方位置に台座が設
けられ、かつ、その台座上方の下層配線層が凸状に形成
され、かつ、その凸状に形成されている下層配線層上方
の上記上層配線層が除去された状態で、その除去された
開口部および残存する上記上層配線層上に上記第２の絶
縁膜が形成されているとともに、上記開口部下方の下層
配線層直上に形成されている上記第１の絶縁膜および第
２の絶縁膜の合計の厚みが、上記開口部を除く部分に形
成されている上記第１の絶縁膜および第２の絶縁膜の合
計の厚みより小さいことによって特徴付けられる。
【０００６】
【作用】盛り上げて形成された下層配線層直上の絶縁膜
の厚みは、他の下層配線層上の絶縁膜の厚みより薄く形
成されており、電子ビームを信号の観測に用いた場合、
その電子ビームが透過し易い膜厚となっている。また、
薄い絶縁膜上方の上層配線層は予め除去されているの
で、観測のために穴をあける等の新たな工程を必要とせ
ず、信号の観測が容易である。
の厚みは、他の下層配線層上の絶縁膜の厚みより薄く形
成されており、電子ビームを信号の観測に用いた場合、
その電子ビームが透過し易い膜厚となっている。また、
薄い絶縁膜上方の上層配線層は予め除去されているの
で、観測のために穴をあける等の新たな工程を必要とせ
ず、信号の観測が容易である。
【０００７】
【実施例】図２は本発明実施例を半導体チップ表面に対
し垂直な方向からみた平面図であり、図１は図２におい
てＸ−Ｘ方向に切断した縦断面図である。以下にこれら
の図面を参照しながら、本発明実施例を説明する。
し垂直な方向からみた平面図であり、図１は図２におい
てＸ−Ｘ方向に切断した縦断面図である。以下にこれら
の図面を参照しながら、本発明実施例を説明する。
【０００８】半導体基板Ｓ上に、台座４が形成されてお
り、この台座４が形成される箇所は信号を観測すべき下
層配線層２の下方であり、予め設定されている。この台
座４には、材料として例えばポリシリコンが用いられて
いる。また、この台座４および半導体基板Ｓ上には絶縁
膜１ａが形成され、その絶縁膜１ａ上に下層配線層２が
形成されている。さらに、この下層配線層２上には絶縁
膜１ｂが形成され、この絶縁膜１ｂに上層配線層３が形
成されている。この上層配線層３のうち、台座４の上方
およびその近傍部分は除去されており、さらにその除去
部分から絶縁膜１ｂに達する開口部５が形成されてい
る。なお、台座４によって盛り上げられた下層配線層２
の凸状部分直上の絶縁膜１ｂは一部除去されて薄い膜厚
が残されている。さらに、この開口部５および上層配線
層３上には絶縁膜１ｃが全面に形成されている。
り、この台座４が形成される箇所は信号を観測すべき下
層配線層２の下方であり、予め設定されている。この台
座４には、材料として例えばポリシリコンが用いられて
いる。また、この台座４および半導体基板Ｓ上には絶縁
膜１ａが形成され、その絶縁膜１ａ上に下層配線層２が
形成されている。さらに、この下層配線層２上には絶縁
膜１ｂが形成され、この絶縁膜１ｂに上層配線層３が形
成されている。この上層配線層３のうち、台座４の上方
およびその近傍部分は除去されており、さらにその除去
部分から絶縁膜１ｂに達する開口部５が形成されてい
る。なお、台座４によって盛り上げられた下層配線層２
の凸状部分直上の絶縁膜１ｂは一部除去されて薄い膜厚
が残されている。さらに、この開口部５および上層配線
層３上には絶縁膜１ｃが全面に形成されている。
【０００９】以上の構成の半導体集積回路では、台座４
が設けられていることにより、観測すべき下層配線層２
が上方に突出して形成され、しかもその下層配線層２上
の絶縁膜が薄く形成されているので、容易に信号の観測
を行うことができる。例えば、この観測方法として、下
層配線層２の凸状部分直上に形成された絶縁膜１ｂ，１
ｃに電子ビームを当てることにより行われるが、この
際、これらの絶縁膜１ｂ，１ｃは電子ビームを容易に透
過できる膜厚に形成されているので、精度よく、しかも
容易に行うことができる。
が設けられていることにより、観測すべき下層配線層２
が上方に突出して形成され、しかもその下層配線層２上
の絶縁膜が薄く形成されているので、容易に信号の観測
を行うことができる。例えば、この観測方法として、下
層配線層２の凸状部分直上に形成された絶縁膜１ｂ，１
ｃに電子ビームを当てることにより行われるが、この
際、これらの絶縁膜１ｂ，１ｃは電子ビームを容易に透
過できる膜厚に形成されているので、精度よく、しかも
容易に行うことができる。
【００１０】次に、以上述べた本発明実施例の製造方法
を経時的に示す縦断面図である図３を参照しながら、以
下にその製造方法を説明する。まず、半導体基板Ｓ上に
台座４を形成する。この台座４を形成する部分は予め設
定されており、この台座形成のための情報は後述する工
程に示す開口部５を形成する工程において、開口部５の
マスク情報とともに、コンピュータに入力されており、
必要に応じて取り出される〔図３（ａ）〕。
を経時的に示す縦断面図である図３を参照しながら、以
下にその製造方法を説明する。まず、半導体基板Ｓ上に
台座４を形成する。この台座４を形成する部分は予め設
定されており、この台座形成のための情報は後述する工
程に示す開口部５を形成する工程において、開口部５の
マスク情報とともに、コンピュータに入力されており、
必要に応じて取り出される〔図３（ａ）〕。
【００１１】次に、台座４上とその側壁面、および半導
体基板Ｓ上に絶縁膜１ａを形成する〔図３（ｂ）〕。次
いで、絶縁膜１ａ上に下層配線層２を形成する。この工
程で形成される下層配線層２は台座４が形成されている
部分は凸状に盛り上がって形成される〔図３（ｃ）〕。
体基板Ｓ上に絶縁膜１ａを形成する〔図３（ｂ）〕。次
いで、絶縁膜１ａ上に下層配線層２を形成する。この工
程で形成される下層配線層２は台座４が形成されている
部分は凸状に盛り上がって形成される〔図３（ｃ）〕。
【００１２】次に、下層配線層２上に絶縁膜１ｂを形成
した後、上層配線層３を形成する。これらの絶縁膜１ｂ
および上層配線層３は、その下方の下層配線層２の形状
に沿った形状をなして形成される〔図３（ｄ）〕。
した後、上層配線層３を形成する。これらの絶縁膜１ｂ
および上層配線層３は、その下方の下層配線層２の形状
に沿った形状をなして形成される〔図３（ｄ）〕。
【００１３】次いで、台座４に対応する上層配線層３を
除去するためのマスク（図示せず）をセットして、台座
４の上方位置とその近傍部分の上層配線層３を除去す
る。この時、この上層配線層３とともにその直下の絶縁
膜１ｂを薄く残して除去し、開口部５を形成する〔図３
（ｅ）〕。
除去するためのマスク（図示せず）をセットして、台座
４の上方位置とその近傍部分の上層配線層３を除去す
る。この時、この上層配線層３とともにその直下の絶縁
膜１ｂを薄く残して除去し、開口部５を形成する〔図３
（ｅ）〕。
【００１４】そして、全面に絶縁膜１ｃを所定厚さ形成
し、半導体集積回路の形成は完了する〔図１〕。
し、半導体集積回路の形成は完了する〔図１〕。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体集
積回路によれば、信号を検出すべき下層配線層の下方位
置に台座が設けられ、その台座上方の凸状に形成されて
いる下層配線層の上方の上層配線層が除去された状態
で、その開口部および残存する上層配線層上に絶縁膜が
形成されているとともに、開口部下方の下層配線層直上
に形成されている絶縁膜の厚みが、開口部を除く部分に
形成されている絶縁膜の厚みより小さい構成としたの
で、台座上方の下層配線層上の信号を観測するための新
たな工程を必要とせず、その作業は容易となり、しか
も、高精度な観測を実現できる。
積回路によれば、信号を検出すべき下層配線層の下方位
置に台座が設けられ、その台座上方の凸状に形成されて
いる下層配線層の上方の上層配線層が除去された状態
で、その開口部および残存する上層配線層上に絶縁膜が
形成されているとともに、開口部下方の下層配線層直上
に形成されている絶縁膜の厚みが、開口部を除く部分に
形成されている絶縁膜の厚みより小さい構成としたの
で、台座上方の下層配線層上の信号を観測するための新
たな工程を必要とせず、その作業は容易となり、しか
も、高精度な観測を実現できる。
【図１】本発明実施例を模式的に示す縦断面図
【図２】本発明実施例の平面図
【図３】本発明実施例の製造方法を経時的に説明する模
式断面図
式断面図
【図４】従来例を説明する図
【図５】従来例の信号を観測する方法を説明する図
１ａ，１ｂ，１ｃ・・・・絶縁膜 ２・・・・下層配線層 ３・・・・上層配線層 ４・・・・台座 ５・・・・開口部
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成された下層配線層上
に第１の絶縁膜が形成され、その第１の絶縁膜上に上層
配線層が形成され、その上層配線層上に第２の絶縁膜が
形成されてなる半導体集積回路において、上記下層配線
層の所定部分の下方位置に台座が設けられ、かつ、その
台座上方の下層配線層が凸状に形成され、かつ、その凸
状に形成されている下層配線層上方およびその近傍の上
記上層配線層が除去され、その除去された開口部および
残存する上記上層配線層上に上記第２の絶縁膜が形成さ
れているとともに、上記開口部下方の下層配線層直上に
形成されている上記第１の絶縁膜および第２の絶縁膜の
合計の厚みが、上記開口部を除く部分に形成されている
上記第１の絶縁膜および第２の絶縁膜の合計の厚みより
小さいことを特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22962392A JPH0677227A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22962392A JPH0677227A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677227A true JPH0677227A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=16895097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22962392A Pending JPH0677227A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677227A (ja) |
-
1992
- 1992-08-28 JP JP22962392A patent/JPH0677227A/ja active Pending
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