JPS59169160A - 電子装置 - Google Patents
電子装置Info
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- JPS59169160A JPS59169160A JP58042191A JP4219183A JPS59169160A JP S59169160 A JPS59169160 A JP S59169160A JP 58042191 A JP58042191 A JP 58042191A JP 4219183 A JP4219183 A JP 4219183A JP S59169160 A JPS59169160 A JP S59169160A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は電子装置に関し、主として樹脂封止形″Ｐ導導
体集画回路装置ＩＣ，ＬＳＩ等）を対象とする。
体集画回路装置ＩＣ，ＬＳＩ等）を対象とする。
樹脂封止形半導体集積回路装置は第１図に示すように半
導体素子となるべＶブト１と、ペレット１が取付けられ
る金属タブ２と、タブ２に一体に連設しタブを支持する
タブリード３と、タブと同一平面でタブ１に辺に配置さ
れタブリードとも周囲で連結してリードフレームを形成
する作数のり一ド４と、ペレット１上の！極とリード４
との間を接続（ボンディング）する金属ワイヤ５及びペ
レット、複数のリードを包囲する樹脂封止体６から構成
され１俵数のリードの外端部７は樹脂体から露出させ端
子として使用する。
導体素子となるべＶブト１と、ペレット１が取付けられ
る金属タブ２と、タブ２に一体に連設しタブを支持する
タブリード３と、タブと同一平面でタブ１に辺に配置さ
れタブリードとも周囲で連結してリードフレームを形成
する作数のり一ド４と、ペレット１上の！極とリード４
との間を接続（ボンディング）する金属ワイヤ５及びペ
レット、複数のリードを包囲する樹脂封止体６から構成
され１俵数のリードの外端部７は樹脂体から露出させ端
子として使用する。
かかる半導体装置において、樹脂封止体６はそれ自体水
分を透過するものであるが、外部からも水分８がリード
と樹脂体との隙間に伝わりやすく、特にペレット１が取
り付けられたタブ２に連結するタブリード３を伝わって
ペレット１に到達し、 ゛ペレット１表面に形成さ
れた電極（配線）であるＡｐ（アルミニウム）を腐食さ
せ断線不良の原因となっている。
分を透過するものであるが、外部からも水分８がリード
と樹脂体との隙間に伝わりやすく、特にペレット１が取
り付けられたタブ２に連結するタブリード３を伝わって
ペレット１に到達し、 ゛ペレット１表面に形成さ
れた電極（配線）であるＡｐ（アルミニウム）を腐食さ
せ断線不良の原因となっている。
このようなベレットの水分の侵入を防止する手段として
、本出願人においては第１図に示すようにｆｉｌタブの
リードの一部を加工して曲折部９な設ける、（２）リー
ドに透孔１０をあけることにより。
、本出願人においては第１図に示すようにｆｉｌタブの
リードの一部を加工して曲折部９な設ける、（２）リー
ドに透孔１０をあけることにより。
水分の伝達を遅らせる技術が提案されている。しかしこ
れらの技術ｍ、 １２１はベレットから遠い位置で加工
されているため充分な効果が得られない欠点があった。
れらの技術ｍ、 １２１はベレットから遠い位置で加工
されているため充分な効果が得られない欠点があった。
すなわち、タブリードに伝わってきた水分量が分散され
ず、タブリード延長線上のベレット端部に位置するアル
ミニウムよりなるポンディングパッドや配線が最も早く
腐食してしまう。
ず、タブリード延長線上のベレット端部に位置するアル
ミニウムよりなるポンディングパッドや配線が最も早く
腐食してしまう。
本発明は上述した問題を解決するために、なされたもの
で、ベレットに近接して水分侵入防止手段を設けること
により耐湿性を向上し、もって半導体装置の信頼度な向
上することを目的とする。
で、ベレットに近接して水分侵入防止手段を設けること
により耐湿性を向上し、もって半導体装置の信頼度な向
上することを目的とする。
本願において開示された発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば下記のとおりである□。
を簡単に説明すれば下記のとおりである□。
ベレットを取付けたタブにおいて、ベレット取付部とタ
ブリードとの間を隔てろ長細形の透孔をあけることによ
り、この透孔により外部からタブリードを伝ってくる水
分のペンノドへの到着を遅らせ、もって耐湿性を向上す
るという目的を達成するものである。
ブリードとの間を隔てろ長細形の透孔をあけることによ
り、この透孔により外部からタブリードを伝ってくる水
分のペンノドへの到着を遅らせ、もって耐湿性を向上す
るという目的を達成するものである。
〔実施例１〕
第２図は本発明による半導体装置の一実施例ケ示す平面
図であり、第３図レエ第２図におけるＡ −Ａ断面図で
ある。
図であり、第３図レエ第２図におけるＡ −Ａ断面図で
ある。
同図に示すようにベレットの取付けられる金属タブ２に
おいて、ペレット取付部ｌと両側のタブリード３０間に
これらを隔てる長細形の孔又は切り込み（透孔）１２を
あげる。同図において４はリード、５はワイヤ、６は樹
脂封止体である。
おいて、ペレット取付部ｌと両側のタブリード３０間に
これらを隔てる長細形の孔又は切り込み（透孔）１２を
あげる。同図において４はリード、５はワイヤ、６は樹
脂封止体である。
〔実施例２〕
第４図は本発明による半導体装置の池の実施例を示す断
面図である。この実施例では実施例１の場合と同様にタ
ブ２においてペレット取付部（第４図１′）とタブリー
ド３との間に細長形透孔１２を設げるとともに、タブリ
ードの一部１１を段状に曲げてタブがタブリード及び池
のリードよりも一段と下になるようにするタブ下げを行
なった例である。
面図である。この実施例では実施例１の場合と同様にタ
ブ２においてペレット取付部（第４図１′）とタブリー
ド３との間に細長形透孔１２を設げるとともに、タブリ
ードの一部１１を段状に曲げてタブがタブリード及び池
のリードよりも一段と下になるようにするタブ下げを行
なった例である。
〔実施例３〕
第５図〜＠７図はタブ２にあげる透孔１２の形状数を種
々に変形した場合で、いずれの場合もタブにおけるぺＶ
ブト取付部１′とタブリードとの間を隔てるように長細
形孔、孔列があけられる。
々に変形した場合で、いずれの場合もタブにおけるぺＶ
ブト取付部１′とタブリードとの間を隔てるように長細
形孔、孔列があけられる。
本発明の実施例によればタブリードの線上においてその
タブリードの幅よりも大きく分岐し、孔を形成している
ために５第２図に示すようにタブリード３を伝わって入
ってきた水分（８）は直接にベレット（１）に到達する
ことなく、タブ２の透孔部分１２で矢印にて示すように
水分量が分散され、しかも一度外側にう回してからベレ
ットに到達する、 ため、耐湿性が劣化するまでの時
間が従来より長くかかり、結果として信頼度が向上する
という効果が得られる。また、孔を多く設けであるため
レジンのくいつきがよい、さらに１ワイヤーが面過する
部分に孔が設けられているためモールド時にレジンがそ
の孔から入り込んでワイヤーを押し上げるように働く（
第４図矢印参照）ためワイヤーのタブシタートも防止で
きる。この効果は、特に第２図に示したようなタブリー
ド方向に長い辺をもつタブにおいて有効である。すなわ
ち、ベンノド端部Ａとタブ端部Ｂとの距離が長いとワイ
ヤがタブにシコートする可能性が大きくなるためである
。
タブリードの幅よりも大きく分岐し、孔を形成している
ために５第２図に示すようにタブリード３を伝わって入
ってきた水分（８）は直接にベレット（１）に到達する
ことなく、タブ２の透孔部分１２で矢印にて示すように
水分量が分散され、しかも一度外側にう回してからベレ
ットに到達する、 ため、耐湿性が劣化するまでの時
間が従来より長くかかり、結果として信頼度が向上する
という効果が得られる。また、孔を多く設けであるため
レジンのくいつきがよい、さらに１ワイヤーが面過する
部分に孔が設けられているためモールド時にレジンがそ
の孔から入り込んでワイヤーを押し上げるように働く（
第４図矢印参照）ためワイヤーのタブシタートも防止で
きる。この効果は、特に第２図に示したようなタブリー
ド方向に長い辺をもつタブにおいて有効である。すなわ
ち、ベンノド端部Ａとタブ端部Ｂとの距離が長いとワイ
ヤがタブにシコートする可能性が大きくなるためである
。
実施例２で述べたようなタブ下げな併用した構泄によれ
ばタブ下げによる水分の伝わりを遅らせる相乗効果が得
られることになる。
ばタブ下げによる水分の伝わりを遅らせる相乗効果が得
られることになる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとずき
具体的に説明したが本発明は上記実施例に限定されるも
のでなく、その要旨を逸脱しない範囲で棹々に変更可能
であることはいうまでもなり・０たとえば、リードの一
部にも切り込み孔等をあけろことを併用してもよい。
具体的に説明したが本発明は上記実施例に限定されるも
のでなく、その要旨を逸脱しない範囲で棹々に変更可能
であることはいうまでもなり・０たとえば、リードの一
部にも切り込み孔等をあけろことを併用してもよい。
本発明はバイポーラＩＣ，ＭＯ８ＩＣ等、リードフレー
ムを用いる樹脂封止半導体装置一般に適用できるもので
ある。
ムを用いる樹脂封止半導体装置一般に適用できるもので
ある。
第１図は樹脂封止半導体装置の一つの例におけるリード
フレームの形態を示す平面図である。 第２図は本発明の実施例１で説明した樹脂封止半導体装
置のリードフレームの形態な示す平面図、第３図は第２
図におけるＡ、 −Ａ断面に対応する断面図である。 第４図は本発明の実施例２で説明した樹脂封止半導体装
置の断面図である。 第５図〜第７図は本発明の実施例３で説明した半導体装
置のタブの各種形状？示す平面図である。 １・・・ペレット（シリコンＩ板）、１’・・・ペレッ
ト取付部、２・・・タブ（金属板）、３・・タブリード
（金属板）、４・・・リード（金渓板）、５・・・ワイ
ヤ（金線）、６・・・樹脂封止体、７・・・外端子、８
・・・水分、９・・曲折部、１０・・・透孔、１１・・
・段部、１２・・・長細形孔。 筆１図 ／ を 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ 図 第 ６ 図 第 ７ 図
フレームの形態を示す平面図である。 第２図は本発明の実施例１で説明した樹脂封止半導体装
置のリードフレームの形態な示す平面図、第３図は第２
図におけるＡ、 −Ａ断面に対応する断面図である。 第４図は本発明の実施例２で説明した樹脂封止半導体装
置の断面図である。 第５図〜第７図は本発明の実施例３で説明した半導体装
置のタブの各種形状？示す平面図である。 １・・・ペレット（シリコンＩ板）、１’・・・ペレッ
ト取付部、２・・・タブ（金属板）、３・・タブリード
（金属板）、４・・・リード（金渓板）、５・・・ワイ
ヤ（金線）、６・・・樹脂封止体、７・・・外端子、８
・・・水分、９・・曲折部、１０・・・透孔、１１・・
・段部、１２・・・長細形孔。 筆１図 ／ を 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ 図 第 ６ 図 第 ７ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 タブリード付き金属タブと、タブ周辺に配設され
た複数の金属リードと、上記金属タブに取付げられたペ
レットと、上記金属タグ、複数のリードおよびペレット
を包囲する樹脂封止体とから成る半導体装置であって、
上記金属タブにはペレット取付部とタブリードの線上に
おいて孔があけられていることｆｆ：％徴とする電、子
装置。 ２、上記孔は長細形の切り込み孔である％許請求の範囲
第１項に記載の電子装置。 ３、タプリ〜ドを段状に曲げてタブ下げ状態とした特許
請求の範ｌ１１３第１項又は第２項に記載の電子装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58042191A JPS59169160A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58042191A JPS59169160A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 電子装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59169160A true JPS59169160A (ja) | 1984-09-25 |
Family
ID=12629112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58042191A Pending JPS59169160A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 電子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59169160A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61232643A (ja) * | 1985-04-09 | 1986-10-16 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPS63244658A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPS6473752A (en) * | 1987-09-16 | 1989-03-20 | Nec Corp | Lead frame |
| WO1994014194A1 (en) * | 1992-12-17 | 1994-06-23 | Vlsi Technology, Inc. | Void-free thermally enhanced plastic package |
| US5381037A (en) * | 1993-06-03 | 1995-01-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Lead frame with selected inner leads coupled to an inner frame member for an integrated circuit package assemblies |
| JPH08213538A (ja) * | 1995-02-07 | 1996-08-20 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH08255867A (ja) * | 1996-03-11 | 1996-10-01 | Hitachi Ltd | 面実装型ｉｃ |
| JP2010192930A (ja) * | 2010-04-30 | 2010-09-02 | Rohm Co Ltd | アイランド露出型半導体装置 |
| JP2013149718A (ja) * | 2012-01-18 | 2013-08-01 | Semiconductor Components Industries Llc | 回路装置 |
-
1983
- 1983-03-16 JP JP58042191A patent/JPS59169160A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61232643A (ja) * | 1985-04-09 | 1986-10-16 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPS63244658A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPS6473752A (en) * | 1987-09-16 | 1989-03-20 | Nec Corp | Lead frame |
| WO1994014194A1 (en) * | 1992-12-17 | 1994-06-23 | Vlsi Technology, Inc. | Void-free thermally enhanced plastic package |
| US5381037A (en) * | 1993-06-03 | 1995-01-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Lead frame with selected inner leads coupled to an inner frame member for an integrated circuit package assemblies |
| JPH08213538A (ja) * | 1995-02-07 | 1996-08-20 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH08255867A (ja) * | 1996-03-11 | 1996-10-01 | Hitachi Ltd | 面実装型ｉｃ |
| JP2010192930A (ja) * | 2010-04-30 | 2010-09-02 | Rohm Co Ltd | アイランド露出型半導体装置 |
| JP2013149718A (ja) * | 2012-01-18 | 2013-08-01 | Semiconductor Components Industries Llc | 回路装置 |
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