JPS59168414A - 反射形多チヤンネル光スイツチ - Google Patents
反射形多チヤンネル光スイツチInfo
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- JPS59168414A JPS59168414A JP4348183A JP4348183A JPS59168414A JP S59168414 A JPS59168414 A JP S59168414A JP 4348183 A JP4348183 A JP 4348183A JP 4348183 A JP4348183 A JP 4348183A JP S59168414 A JPS59168414 A JP S59168414A
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- Japan
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- optical
- optical switch
- substrate
- optical waveguides
- waveguides
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Use Of Switch Circuits For Exchanges And Methods Of Control Of Multiplex Exchanges (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基板上に設置した光導波路を用いて光波を制御
する導波形の光制御テバイスｔこ関し、特に基板上に複
数個の光スイツチエレメントを設置して構成される多チ
ャンネル光スィッチに関する。
する導波形の光制御テバイスｔこ関し、特に基板上に複
数個の光スイツチエレメントを設置して構成される多チ
ャンネル光スィッチに関する。
光ファイバ、半導体レーザ、光検出器等の光デバイスの
進歩番こより、光通信システムや光センサ−、光情報処
理システム等の光応用システムの開発、実用化が進めら
れている。さらにこれらのシステムでは情報型、伝送速
度、システム機能前を拡大し、さらに高度のシステムへ
と開発が進められている。光伝送路網の交換機能、光デ
ータバスにおける端末間の高速接続、切換え等の新たな
機能が求められており、それらを可能にする光スイツチ
ングネットワークの必要性が高まっている。
進歩番こより、光通信システムや光センサ−、光情報処
理システム等の光応用システムの開発、実用化が進めら
れている。さらにこれらのシステムでは情報型、伝送速
度、システム機能前を拡大し、さらに高度のシステムへ
と開発が進められている。光伝送路網の交換機能、光デ
ータバスにおける端末間の高速接続、切換え等の新たな
機能が求められており、それらを可能にする光スイツチ
ングネットワークの必要性が高まっている。
光スィッチとしては、現在電磁石等による機械的移動を
用いた光スイッチｆＪｓ芙用化されているが、元スイッ
チングネットワーク構成に必要である高速性、多点間の
切換え、信頼性等の性能に関しては十分な特性は得られ
ない。上記の必要性能をすへて満たし、さらに高効率、
小形で単一モードファイバ系への適応性を備えた導波形
の光スィッチの開発が進められている。光スイツチング
ネットワークを構成するためには特に複数の光伝送路間
を任意に接続できる多チヤンネル入出力形の光スィッチ
が必要である。導波形光スイッチは基板上に設置した光
導波路を用いて構成されるので、１つの基板上に複数の
光スイツチエレメントを集積化できるという特長があり
、比較的容易に多チャンネル光スィッチを得ることかで
さる。導波形の光スィッチには方向性結合形、全反射形
、バランスドブリッチ形、Ｙ分岐形等の方式があるが、
光スィッチにおいて特に重要なパラメータであるクロス
トークを比較的容易に低くでき、また構成が簡単で多チ
ャンネル化し易いものは方向性結合形と全反射形の光ス
ィッチである。方向性結合形光スイッチは幅数μｍ〜数
十μｍの光導波路２本を数μｍの間隔で互いに近接させ
て光方向性結合器を構成し、先導波路近傍に設けた制御
電極に電圧を印加することにより上記２本の光導波路間
の結合度を制御するものである。−万全反射形光スイッ
チは２本の光導波路を数度の角度で交差させ、その交差
部に制御電極を設置して交差部における光の反射率を制
御するものである。上記両党スイッチエレメントではス
イッチング電圧は電極が設置される制御部分の長さに依
存する。全反射形光スイッチでは交差角を小さくし、交
差部分の長さを大きくした方がスイッチング電圧は小さ
い。全反射形光スイッチよりも低電圧動作が容易な方向
性結合形光スイッチではスイッチング電圧は素子長にほ
ぼ反比例する。一方、高速のスイッチングを行なう場合
、駆動回路を簡易化し、消費電力を小さくするためには
スイッチング電圧は出来るたけ小さいことが望ましい。
用いた光スイッチｆＪｓ芙用化されているが、元スイッ
チングネットワーク構成に必要である高速性、多点間の
切換え、信頼性等の性能に関しては十分な特性は得られ
ない。上記の必要性能をすへて満たし、さらに高効率、
小形で単一モードファイバ系への適応性を備えた導波形
の光スィッチの開発が進められている。光スイツチング
ネットワークを構成するためには特に複数の光伝送路間
を任意に接続できる多チヤンネル入出力形の光スィッチ
が必要である。導波形光スイッチは基板上に設置した光
導波路を用いて構成されるので、１つの基板上に複数の
光スイツチエレメントを集積化できるという特長があり
、比較的容易に多チャンネル光スィッチを得ることかで
さる。導波形の光スィッチには方向性結合形、全反射形
、バランスドブリッチ形、Ｙ分岐形等の方式があるが、
光スィッチにおいて特に重要なパラメータであるクロス
トークを比較的容易に低くでき、また構成が簡単で多チ
ャンネル化し易いものは方向性結合形と全反射形の光ス
ィッチである。方向性結合形光スイッチは幅数μｍ〜数
十μｍの光導波路２本を数μｍの間隔で互いに近接させ
て光方向性結合器を構成し、先導波路近傍に設けた制御
電極に電圧を印加することにより上記２本の光導波路間
の結合度を制御するものである。−万全反射形光スイッ
チは２本の光導波路を数度の角度で交差させ、その交差
部に制御電極を設置して交差部における光の反射率を制
御するものである。上記両党スイッチエレメントではス
イッチング電圧は電極が設置される制御部分の長さに依
存する。全反射形光スイッチでは交差角を小さくし、交
差部分の長さを大きくした方がスイッチング電圧は小さ
い。全反射形光スイッチよりも低電圧動作が容易な方向
性結合形光スイッチではスイッチング電圧は素子長にほ
ぼ反比例する。一方、高速のスイッチングを行なう場合
、駆動回路を簡易化し、消費電力を小さくするためには
スイッチング電圧は出来るたけ小さいことが望ましい。
しかし、光スィッチを多チャンネル化するときには多く
の元スイッチエレメントを光透過方向に多段に配置する
必要かあるので、限定された大きさの一枚の基板上に多
チャンネル光スィッチを構成する場合、光スイツチエレ
メントの長さはチャンネル数の増加にほば反比ｖすして
短かくなってしまう。そこで従来は低電圧で動作する多
チャンネル光スィッチは得られていない。
の元スイッチエレメントを光透過方向に多段に配置する
必要かあるので、限定された大きさの一枚の基板上に多
チャンネル光スィッチを構成する場合、光スイツチエレ
メントの長さはチャンネル数の増加にほば反比ｖすして
短かくなってしまう。そこで従来は低電圧で動作する多
チャンネル光スィッチは得られていない。
また、従来の多チャンネル光スィッチでは、入射光導波
路端と出射光導波路端ば基板上の相対向する側にあるの
で、光ファイバと接続するためには２つの端面を研磨す
る必要があった。また、入射側の光フアイバアレイと出
射側のファイバアレイはそれぞれ独立に製作し、それぞ
れ独立に入射及び出射導波路端に位置調整して接続する
必要があるため、ファイバとの接続には多くの工数を必
要とする等の欠点を有していた。
路端と出射光導波路端ば基板上の相対向する側にあるの
で、光ファイバと接続するためには２つの端面を研磨す
る必要があった。また、入射側の光フアイバアレイと出
射側のファイバアレイはそれぞれ独立に製作し、それぞ
れ独立に入射及び出射導波路端に位置調整して接続する
必要があるため、ファイバとの接続には多くの工数を必
要とする等の欠点を有していた。
本発明の目的は上記の従来の多チャンネル光スィッチの
欠点を除き、低電圧で動作可能で、しかも、光ファイバ
とは従来よりも大幅に少ない工数で接続可能な多チャン
ネル光スィッチを提供することにある。
欠点を除き、低電圧で動作可能で、しかも、光ファイバ
とは従来よりも大幅に少ない工数で接続可能な多チャン
ネル光スィッチを提供することにある。
本発明によれば、光導波路と該光導波路近傍に設置ＬＬ
、た制御電極からなる光スイツチエレメントを袂数個基
板上に設置して構成される多チャンネル光スィッチにお
いて、前記光スイツチエレメント間を接続する少なくと
も１本の光導波路中に光反射器を設置することによって
低電圧で動作可能な反射形多チャンネル光スイッチが得
られる。
、た制御電極からなる光スイツチエレメントを袂数個基
板上に設置して構成される多チャンネル光スィッチにお
いて、前記光スイツチエレメント間を接続する少なくと
も１本の光導波路中に光反射器を設置することによって
低電圧で動作可能な反射形多チャンネル光スイッチが得
られる。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明による反射形多チャンネル光スイッチの
一実施例である反射形２×４光スイッチを示す平面図で
ある。第１図においてニオブ酸リチウム結晶（ＬｉＮｂ
０３） 基板１０上にＴｉ拡散法（こより製作した光
導波路１２ 、１３ 、１４ 、１５ 、１６ 、１７
が設置されており、光導波路１２と１３ 、１４と１．
５ 、１６と１７がそれぞれ互いに数μｍ程度まで近接
して光方向性結合器を形成し、該光方向性結合器を構成
する光導波路上に制御・電極を設置して方向性結合形の
光スイツチエレメント２１ 、２２ 、２３が形成され
ている。光導波路１２ 、１３は光スイツチエレメント
２１を通過後ＬｉＮｂＯ３基板１０中に溝を堀って形成
した反射器２４によって直角に曲げられ、それぞれ、光
導波路１．８ 、１９に接続される。光導波路１８ 、
１９はそれぞれ反射器２５ 、 ’２６によって直角に
曲げられ光導波路１５ 、 Ｌ７に接続されている。反
射器２５ 、２６は反射器２４と同様にＬｉＮｂ０．基
板１０中ｔこＬｉＮｂＯ３基板１０の表面に対して垂直
な側面をもち、光導波路１８゜１９に対して４５°傾い
た数μｍ〜数十μｆ７Ｚの幅の細い溝によって形成され
ている。なお、上記酵の深さは光導波路の深さと同程度
かやや浅い程度、すなわち、数μｍ〜士数μｍである。
一実施例である反射形２×４光スイッチを示す平面図で
ある。第１図においてニオブ酸リチウム結晶（ＬｉＮｂ
０３） 基板１０上にＴｉ拡散法（こより製作した光
導波路１２ 、１３ 、１４ 、１５ 、１６ 、１７
が設置されており、光導波路１２と１３ 、１４と１．
５ 、１６と１７がそれぞれ互いに数μｍ程度まで近接
して光方向性結合器を形成し、該光方向性結合器を構成
する光導波路上に制御・電極を設置して方向性結合形の
光スイツチエレメント２１ 、２２ 、２３が形成され
ている。光導波路１２ 、１３は光スイツチエレメント
２１を通過後ＬｉＮｂＯ３基板１０中に溝を堀って形成
した反射器２４によって直角に曲げられ、それぞれ、光
導波路１．８ 、１９に接続される。光導波路１８ 、
１９はそれぞれ反射器２５ 、 ’２６によって直角に
曲げられ光導波路１５ 、 Ｌ７に接続されている。反
射器２５ 、２６は反射器２４と同様にＬｉＮｂ０．基
板１０中ｔこＬｉＮｂＯ３基板１０の表面に対して垂直
な側面をもち、光導波路１８゜１９に対して４５°傾い
た数μｍ〜数十μｆ７Ｚの幅の細い溝によって形成され
ている。なお、上記酵の深さは光導波路の深さと同程度
かやや浅い程度、すなわち、数μｍ〜士数μｍである。
このような溝はイオンビームや反応性ガスプラズマを用
いた微細加工技術によって容易に形成できる。
いた微細加工技術によって容易に形成できる。
本実施例において、光スイツチエレメント２１゜２２
、２３は制御電極への印加電圧を便化させることにより
入射光を一方の光導波路から近接した他方の光導波路へ
と切換凡ることができる。例えば、光導波路１２への入
射光３０は光スイツチエレメント２１において印加電圧
が０のときは光導波路１３に工不ルキーが後行し、印加
電圧がある値Ｖのときは光導波路１２中をそのまま進行
するように構成することができる。光スイツチエレメン
ト２２ 、２３も上記と同様に印加電圧０と■の間でス
イッチングを行なうように構成されているものとすれば
、光スイッチニレメン１−２１ 、２２ 、２３の印加
電圧７）５すべて■のとき光導波路１２への入射光３０
は光導波路１２゜１８ 、１５を通って出射光３３とな
り、光導波路１３への入射光３１は光導波路１３ 、１
９ 、１７を通って出射光３５となる。光スイツチエレ
メント２２の印加電圧だけ０に切換えると入射光３０は
光導波路１２ 、１８ 、１４を通って出射光３２とな
る。以上のように各党スイッチエレメントへの印加電圧
値により入射光３０ 、３１は光導波路１４ 、１５
、１６ 、１７のいずれかから出射するように切換える
ことができる。なお、光導波路１４ 、１６の一端には
光吸収領域２０が設置されている。
、２３は制御電極への印加電圧を便化させることにより
入射光を一方の光導波路から近接した他方の光導波路へ
と切換凡ることができる。例えば、光導波路１２への入
射光３０は光スイツチエレメント２１において印加電圧
が０のときは光導波路１３に工不ルキーが後行し、印加
電圧がある値Ｖのときは光導波路１２中をそのまま進行
するように構成することができる。光スイツチエレメン
ト２２ 、２３も上記と同様に印加電圧０と■の間でス
イッチングを行なうように構成されているものとすれば
、光スイッチニレメン１−２１ 、２２ 、２３の印加
電圧７）５すべて■のとき光導波路１２への入射光３０
は光導波路１２゜１８ 、１５を通って出射光３３とな
り、光導波路１３への入射光３１は光導波路１３ 、１
９ 、１７を通って出射光３５となる。光スイツチエレ
メント２２の印加電圧だけ０に切換えると入射光３０は
光導波路１２ 、１８ 、１４を通って出射光３２とな
る。以上のように各党スイッチエレメントへの印加電圧
値により入射光３０ 、３１は光導波路１４ 、１５
、１６ 、１７のいずれかから出射するように切換える
ことができる。なお、光導波路１４ 、１６の一端には
光吸収領域２０が設置されている。
本実施例においては、光スイッチエレメントの長さはＪ
、１ＮｂＯ８基板１０の長さよりやや小さい程度の大き
さ、例えばＬｉＮｂＯ３基板１０の大きさを通常用いら
れる５０朋りとしたときには３０〜４０期程度の長さと
することができ、スイッチング電圧を数Ｖ以下にするこ
とが容易である。一方、従来の２×４光スイツチでは光
スイツチエレメント２１と２２ 、２３が光透過方向に
連続して多段に配置されていたので各スイッチエレメン
トの長さは上記値の半分であり、印加電圧値も２倍必要
であった。また、多チャンネル光スィッチの入出射部は
光ファイバと接続するため端面研磨をする必要があるが
、従来は、光導波路１２，１３の端面と光導波路１４
、１５ 、１６ 。
、１ＮｂＯ８基板１０の長さよりやや小さい程度の大き
さ、例えばＬｉＮｂＯ３基板１０の大きさを通常用いら
れる５０朋りとしたときには３０〜４０期程度の長さと
することができ、スイッチング電圧を数Ｖ以下にするこ
とが容易である。一方、従来の２×４光スイツチでは光
スイツチエレメント２１と２２ 、２３が光透過方向に
連続して多段に配置されていたので各スイッチエレメン
トの長さは上記値の半分であり、印加電圧値も２倍必要
であった。また、多チャンネル光スィッチの入出射部は
光ファイバと接続するため端面研磨をする必要があるが
、従来は、光導波路１２，１３の端面と光導波路１４
、１５ 、１６ 。
１７の端面がそれぞれ互いに基板１０の相対向する端面
にあったため、２回の端面研磨が必要であり、多くの工
数が必要であった。また光フアイバアレイも入射側と出
射側で分離されていたため２個必要であり、光フアイバ
アレイと光スィッチとの接続においてはそれぞれの側に
おいて多くの工数を要する光学調整や固定作業が必要で
あった。
にあったため、２回の端面研磨が必要であり、多くの工
数が必要であった。また光フアイバアレイも入射側と出
射側で分離されていたため２個必要であり、光フアイバ
アレイと光スィッチとの接続においてはそれぞれの側に
おいて多くの工数を要する光学調整や固定作業が必要で
あった。
一方、本実施例においては入射及び出射光導波路の端面
は、［，１ＮｂＯ，基板１０の１つの端面にあるため端
面研磨は１面で良い。また、光フアイバアレイも入射と
出射を合せたものを用いることができ、調整、固定作業
も１回でよいので従来に比べると大幅な工数の低減が容
易である。
は、［，１ＮｂＯ，基板１０の１つの端面にあるため端
面研磨は１面で良い。また、光フアイバアレイも入射と
出射を合せたものを用いることができ、調整、固定作業
も１回でよいので従来に比べると大幅な工数の低減が容
易である。
第２図（ａ） 、 （ｂ＞は従来の多チャンネル光スィ
ッチと本発明による反射形多チャンネル光スイッチを比
較して示すものである。
ッチと本発明による反射形多チャンネル光スイッチを比
較して示すものである。
第２図（ａ）は従来の８×８光スイツチ、第２図（ｂ）
は本発明による反射形８×８スイッチの一実施例をそれ
ぞれ示す平面図である。先ず第２図（ａ）＋こおいて、
ＬｉＮｂＯ３基板１０上にＴｉ拡散法により製作した８
本の光導波路をそれぞれ２本づつ近接させて第１図の２
１ 、２２ 、２３と同様な方向性結合形の光スイッチ
ニレメンｌ−４０，４１、４２、４３が形成され、さら
にそれらに接続して同様の光スイツチエレメント４４
、４５ 、４６が形成されている。さらに上記の光透過
方向に２段に接続された７つの光スイッチエレメント４
０ 、４１ 、４２ 、４３と４４ 、４５ 、４．６
からなる光スイツチエレメント群５０と同様な構成の光
スイツチエレメント群５１ 、５２ 、５３が順次光透
過方向（Ｘ方向）に多段に接続されている。本光スィッ
チでは入射端６０より８本の光導波路のいずれかに入射
した光は上記の各党スイッチエレメントへの印加電圧を
制御することζこより光路を切換えられ、出射端６１に
おいて８本の光導波路のいずれかより出射する。
は本発明による反射形８×８スイッチの一実施例をそれ
ぞれ示す平面図である。先ず第２図（ａ）＋こおいて、
ＬｉＮｂＯ３基板１０上にＴｉ拡散法により製作した８
本の光導波路をそれぞれ２本づつ近接させて第１図の２
１ 、２２ 、２３と同様な方向性結合形の光スイッチ
ニレメンｌ−４０，４１、４２、４３が形成され、さら
にそれらに接続して同様の光スイツチエレメント４４
、４５ 、４６が形成されている。さらに上記の光透過
方向に２段に接続された７つの光スイッチエレメント４
０ 、４１ 、４２ 、４３と４４ 、４５ 、４．６
からなる光スイツチエレメント群５０と同様な構成の光
スイツチエレメント群５１ 、５２ 、５３が順次光透
過方向（Ｘ方向）に多段に接続されている。本光スィッ
チでは入射端６０より８本の光導波路のいずれかに入射
した光は上記の各党スイッチエレメントへの印加電圧を
制御することζこより光路を切換えられ、出射端６１に
おいて８本の光導波路のいずれかより出射する。
第２図（ｂ）テハ、ＬｉＮｂＯ３基板１０Ｅに、第２図
（ａ）と同様に８本の光導波路が設置され、第３図（ａ
）と同様に光スイツチエレメント群５０ 、５１ 、５
２ 、５３が設置されているが、光スイツチエレメント
群５０と５１ 、５１と５２ 、５２と５３の間はそれ
ぞれ第１図実施例の反射器Ｕと同様な溝状の反射器７０
と７１ 、７２と７３゜７４と７５によって１８００
方向を曲げられた光導波路によって接続されている。す
なわち、光スイツチエレメント群５０ 、５１ 、５２
、５３はＹ方向に順次配置されている。本実施例の動
作は第２図（ａ）と同様であるが入射端と出射端は同一
の端面６２にある。
（ａ）と同様に８本の光導波路が設置され、第３図（ａ
）と同様に光スイツチエレメント群５０ 、５１ 、５
２ 、５３が設置されているが、光スイツチエレメント
群５０と５１ 、５１と５２ 、５２と５３の間はそれ
ぞれ第１図実施例の反射器Ｕと同様な溝状の反射器７０
と７１ 、７２と７３゜７４と７５によって１８００
方向を曲げられた光導波路によって接続されている。す
なわち、光スイツチエレメント群５０ 、５１ 、５２
、５３はＹ方向に順次配置されている。本実施例の動
作は第２図（ａ）と同様であるが入射端と出射端は同一
の端面６２にある。
本実施例の反射形８×８元スイッチは従来の第２図（ａ
）に示す８×８光スイツチに比べると１スイッチエレメ
ント当りの長さくＸ方向）が４倍程度に出来るためスイ
ッチング電圧が％程度となる。
）に示す８×８光スイツチに比べると１スイッチエレメ
ント当りの長さくＸ方向）が４倍程度に出来るためスイ
ッチング電圧が％程度となる。
なお、光スィッチの幅（Ｘ方向の大きさ）は、通常光導
波路を光フアイバ径程度のピッチで配列するｆこめ数百
μｍ〜数關程度である。そこでＹ方向には多数の光スイ
ツチエレメント群を配置することが可能である。
波路を光フアイバ径程度のピッチで配列するｆこめ数百
μｍ〜数關程度である。そこでＹ方向には多数の光スイ
ツチエレメント群を配置することが可能である。
また、従来の８×８元スイッチでは元ファイバアレイと
接続するために入射端６０と出射端６１の両方を研磨し
、両方独立に光フアイバアレイを調螢して接続する必要
があるが第２図（ｂ）の本発明の実施例では端面６２だ
けを研磨すればよく、また、接続する光ファイバは入出
射側両方をま♂めてアレイ化でき、光学調整も一回でよ
いので従来に比べて大幅に工数が低減できる。
接続するために入射端６０と出射端６１の両方を研磨し
、両方独立に光フアイバアレイを調螢して接続する必要
があるが第２図（ｂ）の本発明の実施例では端面６２だ
けを研磨すればよく、また、接続する光ファイバは入出
射側両方をま♂めてアレイ化でき、光学調整も一回でよ
いので従来に比べて大幅に工数が低減できる。
以上述べたように本発明によれば低電圧で動作可能でし
かも光ファイバと従来よりも大幅に少ない工数で接続可
能な多チャンネル光スィッチが得られる。
かも光ファイバと従来よりも大幅に少ない工数で接続可
能な多チャンネル光スィッチが得られる。
なお、本発明ｉこ使用する基板材料、スイッチエレメン
トの構成方法等は上記の実施例に限定されるものではな
い。例えば基板材料おしては、ＧａＡｓ 。
トの構成方法等は上記の実施例に限定されるものではな
い。例えば基板材料おしては、ＧａＡｓ 。
ＩｎＰ等の’ｌ −Ｖ族化合物半導体を用いることがで
き、光スイッチ構成方式としては、全反射形、Ｙ分岐形
等の構成も用いることかできる。
き、光スイッチ構成方式としては、全反射形、Ｙ分岐形
等の構成も用いることかできる。
第１図、第２図（ｂ）は本発明による反射形多チャンネ
ル光スイッチを示す平面図、第２図（ａ）は従来の多チ
ャンネル光スィッチを示す平面図である。 図において、１０はニオブ酸リチウム結晶基板、１２
、１３ 、１４ 、１５ 、１６ 、１７ 、１８ 、
１９は光導波路、２１ 、２２ 、２３ 、４０ 、４
１ 、４２ 、４３．４４ 、４５ 、４６は光スイツ
チエレメント、５０ 、５１． 、５２ 、５３は光ス
イツチエレメント群、２４１２５ 、２６ 、７０ 、
７１ 、７２ 、７３ 、７４゜７５は光反射器である
。 代理人ブｌ゛汀１．内原 晋 第１図
ル光スイッチを示す平面図、第２図（ａ）は従来の多チ
ャンネル光スィッチを示す平面図である。 図において、１０はニオブ酸リチウム結晶基板、１２
、１３ 、１４ 、１５ 、１６ 、１７ 、１８ 、
１９は光導波路、２１ 、２２ 、２３ 、４０ 、４
１ 、４２ 、４３．４４ 、４５ 、４６は光スイツ
チエレメント、５０ 、５１． 、５２ 、５３は光ス
イツチエレメント群、２４１２５ 、２６ 、７０ 、
７１ 、７２ 、７３ 、７４゜７５は光反射器である
。 代理人ブｌ゛汀１．内原 晋 第１図
Claims (1)
- 光導波路と該光導波路近傍に設置した制御電極とからな
る光スイツチエレメントを複数個多段に接続して基板上
ζこ設置して構成される多チャンネル光スィッチにおい
て、前記光スイ、 −１−Ｉ Ｌｚメ７トを、前記基板
の入射端面ｔこ平行な方向に配列し、前記光スイツチエ
レメント間を接続する少なくおも１本の光導波路中に光
反射器を設置して入射端と出射端を基板の同一面側に形
成したことを＃徴とする反射形多チャンネル光スイッチ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4348183A JPS59168414A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 反射形多チヤンネル光スイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4348183A JPS59168414A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 反射形多チヤンネル光スイツチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59168414A true JPS59168414A (ja) | 1984-09-22 |
| JPH0447804B2 JPH0447804B2 (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=12664909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4348183A Granted JPS59168414A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 反射形多チヤンネル光スイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59168414A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 1983-03-16 JP JP4348183A patent/JPS59168414A/ja active Granted
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| US8704447B2 (en) | 2009-05-28 | 2014-04-22 | Citizen Holdings Co., Ltd. | Light source device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0447804B2 (ja) | 1992-08-05 |
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