JPH0447804B2 - - Google Patents
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- JPH0447804B2 JPH0447804B2 JP58043481A JP4348183A JPH0447804B2 JP H0447804 B2 JPH0447804 B2 JP H0447804B2 JP 58043481 A JP58043481 A JP 58043481A JP 4348183 A JP4348183 A JP 4348183A JP H0447804 B2 JPH0447804 B2 JP H0447804B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Use Of Switch Circuits For Exchanges And Methods Of Control Of Multiplex Exchanges (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基板上に設置した光導波路を用いて光
波を制御する導波形の光制御デバイスに関し、特
に基板上に複数個の光スイツチエレメントを設置
して構成される多チヤンネル光スイツチに関す
る。
波を制御する導波形の光制御デバイスに関し、特
に基板上に複数個の光スイツチエレメントを設置
して構成される多チヤンネル光スイツチに関す
る。
光フアイバ、半導体レーザ、光検出器等の光デ
バイスの進歩により、光通信システムや光センサ
ー、光情報処理システム等の光応用システムの開
発、実用化が進められている。さらにこれらのシ
ステムでは情報量、伝送速度、システム機能等を
拡大し、さらに高度のシステムへと開発が進めら
れている。光伝送路網の交換機能、光データバス
における端末間の高速接続、切換え等の新たな機
能が求められており、それらを可能にする光スイ
ツチングネツトワークの必要性が高まつている。
光スイツチとしては、現在電磁石等による機械的
移動を用いた光スイツチが実用化されているが、
光スイツチングネツトワーク構成に必要である高
速性、多点間の切換え、信頼性等の性能に関して
は十分な特性は得られない。上記の必要性能をす
べて満たし、さらに高効率、小形で単一モードフ
アイバ系への適応性を備えた導波形の光スイツチ
の開発が進められている。光スイツチングネツト
ワークを構成するためには特に複数の光伝送路間
を任意に接続できる多チヤンネル入出力形の光ス
イツチが必要である。導波形光スイツチは基板上
に設置した光導波路を用いて構成されるので、1
つの基板上に複数の光スイツチエレメントを集積
化できるという特長があり、比較的容易に多チヤ
ンネル光スイツチを得ることができる。導波形の
光スイツチには方向性結合形、全反射形、バラン
ストブリツヂ形、Y分岐形等の方式があるが、光
スイツチにおいて特に重要なパラメータであるク
ロストークを比較的容易に低くでき、また構成が
簡単で多チヤンネル化し易いものは方向性結合形
と全反射形の光スイツチである。方向性結合形光
スイツチは幅数μm〜数十μmの光導波路2本を
数μmの間隔で互いに近接させて光方向性結合器
を構成し、光導波路近傍に設けた制御電極に電圧
を印加することにより上記2本の光導波路間の結
合度を制御するものである。一方全反射形光スイ
ツチは2本の光導波路を数度の角度で交差させ、
その交差部に制御電極を設置して交差部における
光の反射率を制御するものである。上記両光スイ
ツチエレメントではスイツチング電圧は電極が設
置される制御部分の長さに依存する。全反射形光
スイツチでは交差角を小さくし、交差部分の長さ
を大きくした方がスイツチング電圧は小さい。全
反射形光スイツチよりも低電圧動作が容易な方向
性結合形光スイツチではスイツチング電圧は素子
長にほぼ反比例する。一方、高速のスイツチング
を行なう場合、駆動回路を簡易化し、消費電力を
小さくするためにはスイツチング電圧は出来るだ
け小さいことが望ましい。しかし、光スイツチを
多チヤンネル化するときには多くの光スイツチエ
レメントを光透過方向に多段に配置する必要があ
るので、限定された大きさの一枚の基板上に多チ
ヤンネル光スイツチを構成する場合、光スイツチ
エレメントの長さはチヤンネル数の増加にほぼ反
比例して短かくなつてしまう。そこで従来は低電
圧で動作する多チヤンネル光スイツチは得られて
いない。
バイスの進歩により、光通信システムや光センサ
ー、光情報処理システム等の光応用システムの開
発、実用化が進められている。さらにこれらのシ
ステムでは情報量、伝送速度、システム機能等を
拡大し、さらに高度のシステムへと開発が進めら
れている。光伝送路網の交換機能、光データバス
における端末間の高速接続、切換え等の新たな機
能が求められており、それらを可能にする光スイ
ツチングネツトワークの必要性が高まつている。
光スイツチとしては、現在電磁石等による機械的
移動を用いた光スイツチが実用化されているが、
光スイツチングネツトワーク構成に必要である高
速性、多点間の切換え、信頼性等の性能に関して
は十分な特性は得られない。上記の必要性能をす
べて満たし、さらに高効率、小形で単一モードフ
アイバ系への適応性を備えた導波形の光スイツチ
の開発が進められている。光スイツチングネツト
ワークを構成するためには特に複数の光伝送路間
を任意に接続できる多チヤンネル入出力形の光ス
イツチが必要である。導波形光スイツチは基板上
に設置した光導波路を用いて構成されるので、1
つの基板上に複数の光スイツチエレメントを集積
化できるという特長があり、比較的容易に多チヤ
ンネル光スイツチを得ることができる。導波形の
光スイツチには方向性結合形、全反射形、バラン
ストブリツヂ形、Y分岐形等の方式があるが、光
スイツチにおいて特に重要なパラメータであるク
ロストークを比較的容易に低くでき、また構成が
簡単で多チヤンネル化し易いものは方向性結合形
と全反射形の光スイツチである。方向性結合形光
スイツチは幅数μm〜数十μmの光導波路2本を
数μmの間隔で互いに近接させて光方向性結合器
を構成し、光導波路近傍に設けた制御電極に電圧
を印加することにより上記2本の光導波路間の結
合度を制御するものである。一方全反射形光スイ
ツチは2本の光導波路を数度の角度で交差させ、
その交差部に制御電極を設置して交差部における
光の反射率を制御するものである。上記両光スイ
ツチエレメントではスイツチング電圧は電極が設
置される制御部分の長さに依存する。全反射形光
スイツチでは交差角を小さくし、交差部分の長さ
を大きくした方がスイツチング電圧は小さい。全
反射形光スイツチよりも低電圧動作が容易な方向
性結合形光スイツチではスイツチング電圧は素子
長にほぼ反比例する。一方、高速のスイツチング
を行なう場合、駆動回路を簡易化し、消費電力を
小さくするためにはスイツチング電圧は出来るだ
け小さいことが望ましい。しかし、光スイツチを
多チヤンネル化するときには多くの光スイツチエ
レメントを光透過方向に多段に配置する必要があ
るので、限定された大きさの一枚の基板上に多チ
ヤンネル光スイツチを構成する場合、光スイツチ
エレメントの長さはチヤンネル数の増加にほぼ反
比例して短かくなつてしまう。そこで従来は低電
圧で動作する多チヤンネル光スイツチは得られて
いない。
また、従来の多チヤンネル光スイツチでは、入
射光導波路端と出射光導波路端は基板上の相対向
する側にあるので、光フアイバと接続するために
は2つの端面を研磨する必要があつた。また、入
射側の光フアイバアレイと出射側のフアイバアレ
イはそれぞれ独立に製作し、それぞれ独立に入射
及び出射導波路端に位置調整して接続する必要が
あるため、フアイバとの接続には多くの工数を必
要とする等の欠点を有していた。
射光導波路端と出射光導波路端は基板上の相対向
する側にあるので、光フアイバと接続するために
は2つの端面を研磨する必要があつた。また、入
射側の光フアイバアレイと出射側のフアイバアレ
イはそれぞれ独立に製作し、それぞれ独立に入射
及び出射導波路端に位置調整して接続する必要が
あるため、フアイバとの接続には多くの工数を必
要とする等の欠点を有していた。
本発明の目的は上記の従来の多チヤンネル光ス
イツチの欠点を除き、低電圧で動作可能で、しか
も、光フアイバとは従来よりも大幅に少ない工数
で接続可能な多チヤンネル光スイツチを提供する
ことにある。
イツチの欠点を除き、低電圧で動作可能で、しか
も、光フアイバとは従来よりも大幅に少ない工数
で接続可能な多チヤンネル光スイツチを提供する
ことにある。
本発明によれば、光導波路と該光導波路近傍に
設置した制御電極からなる光スイツチエレメント
を複数個基板上に設置して構成される多チヤンネ
ル光スイツチにおいて、前記光スイツチエレメン
ト間を接続する少なくとも1本の光導波路中の前
記基板端面以外の部分に光反射器を設置すること
によつて低電圧で動作可能な反射形多チヤンネル
光スイツチが得られる。
設置した制御電極からなる光スイツチエレメント
を複数個基板上に設置して構成される多チヤンネ
ル光スイツチにおいて、前記光スイツチエレメン
ト間を接続する少なくとも1本の光導波路中の前
記基板端面以外の部分に光反射器を設置すること
によつて低電圧で動作可能な反射形多チヤンネル
光スイツチが得られる。
以下、図面を参照して本発明を詳細に説明す
る。
る。
第1図は本発明による反射形多チヤンネル光ス
イツチの一実施例である反射形2×4光スイツチ
を示す平面図である。第1図においてニオブ酸リ
チウム結晶(LiNbO3)基板10上にTi拡散法に
より製作した光導波路12,13,14,15,
16,17が設置されており、光導波路12と1
3,14と15,16と17がそれぞれ互いに数
μm程度まで近接して光方向性結合器を形成し、
該光方向性結合器を構成する光導波路上に制御電
極を設置して方向性結合形の光スイツチエレメン
ト21,22,23が形成されている。光導波路
12,13は光スイツチエレメント21を通過後
LiNbO3基板10中に溝を堀つて形成した反射器
24によつて直角に曲げられ、それぞれ、光導波
路18,19に接続される。光導波路18,19
はそれぞれ反射器25,26によつて直角に曲げ
られ光導波路15,17に接続されている。反射
器25,26は反射器24と同様にLiNbO3基板
10中にLiNbO3基板10の表面に対して垂直な
側面をもち、光導波路18,19に対して45°傾
いた数μm〜数十μmの幅の細い溝によつて形成
されている。なお、上記溝の深さは光導波路の深
さと同程度かやや浅い程度、すなわち、数μm〜
十数μmである。このような溝はイオンビームや
反応性ガスプラズマを用いた微細加工技術によつ
て容易に形成できる。
イツチの一実施例である反射形2×4光スイツチ
を示す平面図である。第1図においてニオブ酸リ
チウム結晶(LiNbO3)基板10上にTi拡散法に
より製作した光導波路12,13,14,15,
16,17が設置されており、光導波路12と1
3,14と15,16と17がそれぞれ互いに数
μm程度まで近接して光方向性結合器を形成し、
該光方向性結合器を構成する光導波路上に制御電
極を設置して方向性結合形の光スイツチエレメン
ト21,22,23が形成されている。光導波路
12,13は光スイツチエレメント21を通過後
LiNbO3基板10中に溝を堀つて形成した反射器
24によつて直角に曲げられ、それぞれ、光導波
路18,19に接続される。光導波路18,19
はそれぞれ反射器25,26によつて直角に曲げ
られ光導波路15,17に接続されている。反射
器25,26は反射器24と同様にLiNbO3基板
10中にLiNbO3基板10の表面に対して垂直な
側面をもち、光導波路18,19に対して45°傾
いた数μm〜数十μmの幅の細い溝によつて形成
されている。なお、上記溝の深さは光導波路の深
さと同程度かやや浅い程度、すなわち、数μm〜
十数μmである。このような溝はイオンビームや
反応性ガスプラズマを用いた微細加工技術によつ
て容易に形成できる。
本実施例において、光スイツチエレメント2
1,22,23は制御電極への印加電圧を変化さ
せることにより入射光を一方の光導波路から近接
した他方の光導波路へと切換えることができる。
例えば、光導波路12への入射光30は光スイツ
チエレメント21において印加電圧が0のときは
光導波路13にエネルギーが移行し、印加電圧が
ある値Vのときは光導波路12中をそのまま進行
するように構成することができる。光スイツチエ
レメント22,23も上記と同様に印加電圧0と
Vの間でスイツチングを行なうように構成されて
いるものとすれば、光スイツチエレメント21,
22,23の印加電圧がすべてVのとき光導波路
12への入射光30は光導波路12,18,15
を通つて出射光33となり、光導波路13への入
射光31は光導波路13,19,17を通つて出
射光35となる。光スイツチエレメント22の印
加電圧だけ0に切換えると入射光30は光導波路
12,18,14を通つて出射光32となる。以
上のように各光スイツチエレメントへの印加電圧
値により入射光30,31は光導波路14,1
5,16,17のいずれかから出射するように切
換えることができる。なお、光導波路14,16
の一端には光吸収領域20が設置されている。
1,22,23は制御電極への印加電圧を変化さ
せることにより入射光を一方の光導波路から近接
した他方の光導波路へと切換えることができる。
例えば、光導波路12への入射光30は光スイツ
チエレメント21において印加電圧が0のときは
光導波路13にエネルギーが移行し、印加電圧が
ある値Vのときは光導波路12中をそのまま進行
するように構成することができる。光スイツチエ
レメント22,23も上記と同様に印加電圧0と
Vの間でスイツチングを行なうように構成されて
いるものとすれば、光スイツチエレメント21,
22,23の印加電圧がすべてVのとき光導波路
12への入射光30は光導波路12,18,15
を通つて出射光33となり、光導波路13への入
射光31は光導波路13,19,17を通つて出
射光35となる。光スイツチエレメント22の印
加電圧だけ0に切換えると入射光30は光導波路
12,18,14を通つて出射光32となる。以
上のように各光スイツチエレメントへの印加電圧
値により入射光30,31は光導波路14,1
5,16,17のいずれかから出射するように切
換えることができる。なお、光導波路14,16
の一端には光吸収領域20が設置されている。
本実施例においては、光スイツチエレメントの
長さはLiNbO3基板10の長さよりやや小さい程
度の大きさ、例えばLiNbO3基板10の大きさを
通常用いられる50mmφとしたときには30〜40mm程
度の長さとすることができ、スイツチング電圧を
数V以下にすることが容易である。一方、従来の
2×4光スイツチでは光スイツチエレメント21
と22,23が光透過方向に連続して多段に配置
されていたので各スイツチエレメントの長さは上
記値の半分であり、印加電圧値も2倍必要であつ
た。また、多チヤンネル光スイツチの入出射部は
光フアイバと接続するため端面研磨をする必要が
あるが、従来は光導波路12,13の端面と光導
波路14,15,16,17の端面がそれぞれ互
いに基板10の相対向する端面にあつたため、2
回の端面研磨が必要であり、多くの工数が必要で
あつた。また光フアイバアレイも入射側と出射側
で分離されていたため2個必要であり、光フアイ
バアレイと光スイツチとの接続においてはそれぞ
れの側において多くの工数を要する光学調整や固
定作業が必要であつた。
長さはLiNbO3基板10の長さよりやや小さい程
度の大きさ、例えばLiNbO3基板10の大きさを
通常用いられる50mmφとしたときには30〜40mm程
度の長さとすることができ、スイツチング電圧を
数V以下にすることが容易である。一方、従来の
2×4光スイツチでは光スイツチエレメント21
と22,23が光透過方向に連続して多段に配置
されていたので各スイツチエレメントの長さは上
記値の半分であり、印加電圧値も2倍必要であつ
た。また、多チヤンネル光スイツチの入出射部は
光フアイバと接続するため端面研磨をする必要が
あるが、従来は光導波路12,13の端面と光導
波路14,15,16,17の端面がそれぞれ互
いに基板10の相対向する端面にあつたため、2
回の端面研磨が必要であり、多くの工数が必要で
あつた。また光フアイバアレイも入射側と出射側
で分離されていたため2個必要であり、光フアイ
バアレイと光スイツチとの接続においてはそれぞ
れの側において多くの工数を要する光学調整や固
定作業が必要であつた。
一方、本実施例においては入射及び出射光導波
路の端面はLiNbO3基板10の1つの端面にある
ため端面研磨は1面で良い。また、光フアイバア
レイも入射と出射を合せたものを用いることがで
き、調整、固定作業も1回でよいので従来に比べ
ると大幅な工数の低減が容易である。
路の端面はLiNbO3基板10の1つの端面にある
ため端面研磨は1面で良い。また、光フアイバア
レイも入射と出射を合せたものを用いることがで
き、調整、固定作業も1回でよいので従来に比べ
ると大幅な工数の低減が容易である。
第2図a,bは従来の多チヤンネル光スイツチ
と本発明による反射形多チヤンネル光スイツチを
比較して示すものである。
と本発明による反射形多チヤンネル光スイツチを
比較して示すものである。
第2図aは従来の8×8光スイツチ、第2図b
は本発明による反射形8×8スイツチの一実施例
をそれぞれ示す平面図である。先ず第2図aにお
いて、LiNbO3基板10上にTi拡散法により製作
した8本の光導波路をそれぞれ2本づつ近接させ
て第1図の21,22,23と同様な方向性結合
形の光スイツチエレメント40,41,42,4
3が形成され、さらにそれらに接続して同様の光
スイツチエレメント44,45,46が形成され
ている。さらに上記の光透過方向に2段に接続さ
れた7つの光スイツチエレメント40,41,4
2,43と44,45,46からなる光スイツチ
エレメント群50と同様な構成の光スイツチエレ
メント群51,52,53が順次光透過方向(X
方向)に多段に接続されている。本光スイツチで
は入射端60より8本の光導波路のいずれかに入
射した光は上記の各光スイツチエレメントへの印
加電圧を制御することにより光路を切換えられ、
出射端61において8本の光導波路のいずれかよ
り出射する。
は本発明による反射形8×8スイツチの一実施例
をそれぞれ示す平面図である。先ず第2図aにお
いて、LiNbO3基板10上にTi拡散法により製作
した8本の光導波路をそれぞれ2本づつ近接させ
て第1図の21,22,23と同様な方向性結合
形の光スイツチエレメント40,41,42,4
3が形成され、さらにそれらに接続して同様の光
スイツチエレメント44,45,46が形成され
ている。さらに上記の光透過方向に2段に接続さ
れた7つの光スイツチエレメント40,41,4
2,43と44,45,46からなる光スイツチ
エレメント群50と同様な構成の光スイツチエレ
メント群51,52,53が順次光透過方向(X
方向)に多段に接続されている。本光スイツチで
は入射端60より8本の光導波路のいずれかに入
射した光は上記の各光スイツチエレメントへの印
加電圧を制御することにより光路を切換えられ、
出射端61において8本の光導波路のいずれかよ
り出射する。
第2図bでは、LiNbO3基板10上に、第2図
aと同様に8本の光導波路が設置され、第3図a
と同様に光スイツチエレメント群50,51,5
2,53が設置されているが、光スイツチエレメ
ント群50と51,51と52,52と53の間
はそれぞれ第1図実施例の反射器24と同様な溝
状の反射器70と71,72と73,74と75
によつて180°方向を曲げられた光導波路によつて
接続されている。すなわち、光スイツチエレメン
ト群50,51,52,53はY方向に順次配置
されている。本実施例の動作は第2図aと同様で
あるが入射端と出射端は同一の端面62にある。
aと同様に8本の光導波路が設置され、第3図a
と同様に光スイツチエレメント群50,51,5
2,53が設置されているが、光スイツチエレメ
ント群50と51,51と52,52と53の間
はそれぞれ第1図実施例の反射器24と同様な溝
状の反射器70と71,72と73,74と75
によつて180°方向を曲げられた光導波路によつて
接続されている。すなわち、光スイツチエレメン
ト群50,51,52,53はY方向に順次配置
されている。本実施例の動作は第2図aと同様で
あるが入射端と出射端は同一の端面62にある。
本実施例の反射形8×8光スイツチは従来の第
2図aに示す8×8光スイツチに比べると1スイ
ツチエレメント当りの長さ(X方向)が4倍程度
に出来るためスイツチング電圧が1/4程度となる。
なお、光スイツチの幅(Y方向の大きさ)は、通
常光導波路を光フアイバ径程度のピツチで配列す
るため数百μm〜数mm程度である。そこでY方向
には多数の光スイツチエレメント群を配置するこ
とが可能である。
2図aに示す8×8光スイツチに比べると1スイ
ツチエレメント当りの長さ(X方向)が4倍程度
に出来るためスイツチング電圧が1/4程度となる。
なお、光スイツチの幅(Y方向の大きさ)は、通
常光導波路を光フアイバ径程度のピツチで配列す
るため数百μm〜数mm程度である。そこでY方向
には多数の光スイツチエレメント群を配置するこ
とが可能である。
また、従来の8×8光スイツチでは光フアイバ
アレイと接続するために入射端60と出射端61
の両方を研磨し、両方独立に光フアイバアレイを
調整して接続する必要があるが第2図bの本発明
の実施例では端面62だけを研磨すればよく、ま
た、接続する光フアイバは入出射側両方をまとめ
てアレイ化でき、光学調整も一回でよいので従来
に比べて大幅に工数が低減できる。
アレイと接続するために入射端60と出射端61
の両方を研磨し、両方独立に光フアイバアレイを
調整して接続する必要があるが第2図bの本発明
の実施例では端面62だけを研磨すればよく、ま
た、接続する光フアイバは入出射側両方をまとめ
てアレイ化でき、光学調整も一回でよいので従来
に比べて大幅に工数が低減できる。
以上述べたように本発明によれば低電圧で動作
可能でしかも光フアイバと従来よりも大幅に少な
い工数で接続可能な多チヤンネル光スイツチが得
られる。
可能でしかも光フアイバと従来よりも大幅に少な
い工数で接続可能な多チヤンネル光スイツチが得
られる。
なお、本発明に使用する基板材料、スイツチエ
レメントの構成方法等は上記の実施例に限定され
るものではない。例えば基板材料としては、
GaAs,InP等の−族化合物半導体を用いる
ことができ、光スイツチ構成方式としては、全反
射形、Y分岐形等の構成も用いることができる。
レメントの構成方法等は上記の実施例に限定され
るものではない。例えば基板材料としては、
GaAs,InP等の−族化合物半導体を用いる
ことができ、光スイツチ構成方式としては、全反
射形、Y分岐形等の構成も用いることができる。
第1図、第2図bは本発明による反射形多チヤ
ンネル光スイツチを示す平面図、第2図aは従来
の多チヤンネル光スイツチを示す平面図である。 図において、10はニオブ酸リチウム結晶基
板、12,13,14,15,16,17,1
8,19は光導波路、21,22,23,40,
41,42,43,44,45,46は光スイツ
チエレメント、50,51,52,53は光スイ
ツチエレメント群、24,25,26,70,7
1,72,73,74,75は光反射器である。
ンネル光スイツチを示す平面図、第2図aは従来
の多チヤンネル光スイツチを示す平面図である。 図において、10はニオブ酸リチウム結晶基
板、12,13,14,15,16,17,1
8,19は光導波路、21,22,23,40,
41,42,43,44,45,46は光スイツ
チエレメント、50,51,52,53は光スイ
ツチエレメント群、24,25,26,70,7
1,72,73,74,75は光反射器である。
Claims (1)
- 1 光導波路と該光導波路近傍に設置した制御電
極とからなる光スイツチエレメントを複数個多段
に接続して基板上に設置して構成される多チヤン
ネル光スイツチにおいて、前記光スイツチエレメ
ントを、前記基板の入射端面に平行な方向に配列
し、前記光スイツチエレメント間を接続する少な
くとも1本の光導波路中の前記基板端面以外の部
分に光反射器を設置して入射端と出射端を基板の
同一面側に形成したことを特徴とする反射形多チ
ヤンネル光スイツチ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4348183A JPS59168414A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 反射形多チヤンネル光スイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4348183A JPS59168414A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 反射形多チヤンネル光スイツチ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59168414A JPS59168414A (ja) | 1984-09-22 |
JPH0447804B2 true JPH0447804B2 (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=12664909
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4348183A Granted JPS59168414A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 反射形多チヤンネル光スイツチ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59168414A (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6285204A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-18 | Tadashi Sueda | Y分岐光導波路 |
JPS63129325A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Aihon Kk | 光スイツチネツトワ−ク |
US4846542A (en) * | 1987-10-09 | 1989-07-11 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Optical switch matrix |
JPH01107589A (ja) * | 1987-10-20 | 1989-04-25 | Nec Corp | 光増幅器 |
JPH01214804A (ja) * | 1988-02-23 | 1989-08-29 | Hitachi Cable Ltd | 光合分波器及びそれを用いた光モジュール |
JP2740674B2 (ja) * | 1989-05-12 | 1998-04-15 | 日本電信電話株式会社 | 光マトリクススイッチ |
JPH0579503U (ja) * | 1992-03-30 | 1993-10-29 | 日本電信電話株式会社 | 光信号処理回路 |
CN1068087C (zh) * | 1992-11-06 | 2001-07-04 | 东陶机器株式会社 | 镶板连接机构 |
JP4277840B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2009-06-10 | ミツミ電機株式会社 | 光導波路デバイスの製造方法 |
CN102449520B (zh) * | 2009-05-28 | 2015-01-07 | 西铁城控股株式会社 | 光源装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5285946A (en) * | 1976-01-12 | 1977-07-16 | Hitachi Shipbuilding Eng Co | Arc starting method in fire cracker type welding process |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4143941A (en) * | 1977-12-01 | 1979-03-13 | Sperry Rand Corporation | Low loss optical data terminal device for multimode fiber guide optical communication systems |
-
1983
- 1983-03-16 JP JP4348183A patent/JPS59168414A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5285946A (en) * | 1976-01-12 | 1977-07-16 | Hitachi Shipbuilding Eng Co | Arc starting method in fire cracker type welding process |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59168414A (ja) | 1984-09-22 |
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