JPH10232414A - 多チャンネル光スイッチ及びその駆動方法 - Google Patents
多チャンネル光スイッチ及びその駆動方法Info
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- JPH10232414A JPH10232414A JP14217697A JP14217697A JPH10232414A JP H10232414 A JPH10232414 A JP H10232414A JP 14217697 A JP14217697 A JP 14217697A JP 14217697 A JP14217697 A JP 14217697A JP H10232414 A JPH10232414 A JP H10232414A
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- Japan
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- optical
- optical waveguide
- waveguide
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- optical switch
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ０Ｖと１電圧値の間でスイッチングを行うこ
とが可能で、低クロストークが容易に得られ、低電圧動
作を可能とする。 【解決手段】 基板１上に入力光導波路５２と出力光導
波路５３，５４，５５，５６が設置され、入力光導波路
５２に入射光が、順次各々の出力光導波路と競合するよ
うに光方向性結合器６０，６１，６２，６３が設置され
ている。
とが可能で、低クロストークが容易に得られ、低電圧動
作を可能とする。 【解決手段】 基板１上に入力光導波路５２と出力光導
波路５３，５４，５５，５６が設置され、入力光導波路
５２に入射光が、順次各々の出力光導波路と競合するよ
うに光方向性結合器６０，６１，６２，６３が設置され
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板上に設置された
光導波路を用いて光路の切換えを行う導波形の光スイッ
チに関し特に１つの光導波路への入射光を複数の光導波
路へ切換えて出力したり、複数の光導波路からの入射光
を任意に選択して１つの光導波路へ導く機能を有する多
チャンネル光スイッチに関する。
光導波路を用いて光路の切換えを行う導波形の光スイッ
チに関し特に１つの光導波路への入射光を複数の光導波
路へ切換えて出力したり、複数の光導波路からの入射光
を任意に選択して１つの光導波路へ導く機能を有する多
チャンネル光スイッチに関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信システムや光情報処理システムの
実用化が急速に進められつつあり、それらのシステムで
は情報量の増大やシステム機能の拡大が求められてい
る。
実用化が急速に進められつつあり、それらのシステムで
は情報量の増大やシステム機能の拡大が求められてい
る。
【０００３】光伝送路網の交換機能、光データバスにお
ける端末間の接続、切換え、さらにシステムの信頼性向
上のための予備光源とファイバ間の切換え等を可能にす
る光スイッチの必要性が高まっている。現在、電磁石等
による機械的移動を用いた光スイッチが実用化されてい
るが、高速性、多点間の切換え、信頼性に関しては十分
な特性は得られない。上記の条件を全て満たし、さらに
高効率、小形で単一モードファイバ系への適応性を有す
る光スイッチとして基板上に設置した光導波路を用いて
構成される導波形の光スイッチの開発が進められてい
る。特に導波形の光スイッチでは１つの基板上に複数の
光スイッチエレメントを集積化できるという特徴がある
ので比較的容易に多チャンネル光スイッチが得られる。
ける端末間の接続、切換え、さらにシステムの信頼性向
上のための予備光源とファイバ間の切換え等を可能にす
る光スイッチの必要性が高まっている。現在、電磁石等
による機械的移動を用いた光スイッチが実用化されてい
るが、高速性、多点間の切換え、信頼性に関しては十分
な特性は得られない。上記の条件を全て満たし、さらに
高効率、小形で単一モードファイバ系への適応性を有す
る光スイッチとして基板上に設置した光導波路を用いて
構成される導波形の光スイッチの開発が進められてい
る。特に導波形の光スイッチでは１つの基板上に複数の
光スイッチエレメントを集積化できるという特徴がある
ので比較的容易に多チャンネル光スイッチが得られる。
【０００４】複数の端末から送られた光信号を時系列に
切換えて１つの光ファイバ伝送路で多重化して伝送した
り、逆に１つのファイバから送られる複数の光信号を時
分割で複数端末に振り分けたりする場合（１×Ｎ）（Ｎ
は２以上の整数）やＮ×１の多チャンネルスイッチが必
要とされる。また、１×Ｎ多チャンネル光スイッチを任
意に組合せてＮ×Ｎのマトリックススイッチを構成する
ことも可能であるので、先に述べた光通信、情報処理シ
ステム機能を拡大する上で先ず１×Ｎ多チャンネル光ス
イッチを実現することが重要である。導波形の光スイッ
チには方向性結合形、全反射形、分岐干渉形、バランス
トブリッジ形、Ｙ分岐形等の方式があるが、光スイッチ
において特に重要なパラメータであるクロストークを比
較的容易に低くでき、また構成が簡単で多チャンネル化
し易いものは方向性結合形と全反射形の光スイッチであ
る。方向性結合形光スイッチは幅数μｍ〜数十μｍの光
導波路２本を数μｍの間隔で互いに近接させて、光方向
性結合器を構成し光導波路近傍に設けた制御電極に電圧
を印加することにより上記２本の光導波路間の結合度を
制御するものである。一方、全反射形光スイッチは２本
の光導波路を数度の角度で交差させ、その交差部に制御
電極を設置して交差部における光の反射率を制御するも
のである。
切換えて１つの光ファイバ伝送路で多重化して伝送した
り、逆に１つのファイバから送られる複数の光信号を時
分割で複数端末に振り分けたりする場合（１×Ｎ）（Ｎ
は２以上の整数）やＮ×１の多チャンネルスイッチが必
要とされる。また、１×Ｎ多チャンネル光スイッチを任
意に組合せてＮ×Ｎのマトリックススイッチを構成する
ことも可能であるので、先に述べた光通信、情報処理シ
ステム機能を拡大する上で先ず１×Ｎ多チャンネル光ス
イッチを実現することが重要である。導波形の光スイッ
チには方向性結合形、全反射形、分岐干渉形、バランス
トブリッジ形、Ｙ分岐形等の方式があるが、光スイッチ
において特に重要なパラメータであるクロストークを比
較的容易に低くでき、また構成が簡単で多チャンネル化
し易いものは方向性結合形と全反射形の光スイッチであ
る。方向性結合形光スイッチは幅数μｍ〜数十μｍの光
導波路２本を数μｍの間隔で互いに近接させて、光方向
性結合器を構成し光導波路近傍に設けた制御電極に電圧
を印加することにより上記２本の光導波路間の結合度を
制御するものである。一方、全反射形光スイッチは２本
の光導波路を数度の角度で交差させ、その交差部に制御
電極を設置して交差部における光の反射率を制御するも
のである。
【０００５】全反射形光スイッチでは低クロストークを
得るためには前記の交差角を大きくする必要があるがこ
の場合印加電圧は逆に増加してしまうという欠点があ
る。通常高電圧の高速駆動回路を得るのは困難であるの
で全反射形スイッチは高速スイッチングには不向きであ
る。一方、方向性結合形光スイッチは低電圧で動作し、
しかも低クロストークを得るのも他の光スイッチに比べ
容易である。
得るためには前記の交差角を大きくする必要があるがこ
の場合印加電圧は逆に増加してしまうという欠点があ
る。通常高電圧の高速駆動回路を得るのは困難であるの
で全反射形スイッチは高速スイッチングには不向きであ
る。一方、方向性結合形光スイッチは低電圧で動作し、
しかも低クロストークを得るのも他の光スイッチに比べ
容易である。
【０００６】従来の方向性結合形光スイッチを用いた１
×Ｎの多チャンネル光スイッチの構成の代表的な一例を
図４（平面図）に示す。
×Ｎの多チャンネル光スイッチの構成の代表的な一例を
図４（平面図）に示す。
【０００７】図４においてニオブ酸リチウム等の誘電体
又はＧａＡｓ等の半導体基板１の上に不純物の拡散や結
晶成長等によって入力光導波路２と出力光導波路３，
４，５，６が形成され、入出力光導波路間に３つの方向
性結合形光スイッチ１０，１１，１２が挿入されて全体
で１×４の多チャンネル光スイッチを構成している。即
ち、図４の構成では１つの方向性結合形光スイッチは１
×２光スイッチとしての機能をもち、それが２段に接続
されて１×４光スイッチを構成している。
又はＧａＡｓ等の半導体基板１の上に不純物の拡散や結
晶成長等によって入力光導波路２と出力光導波路３，
４，５，６が形成され、入出力光導波路間に３つの方向
性結合形光スイッチ１０，１１，１２が挿入されて全体
で１×４の多チャンネル光スイッチを構成している。即
ち、図４の構成では１つの方向性結合形光スイッチは１
×２光スイッチとしての機能をもち、それが２段に接続
されて１×４光スイッチを構成している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来のこのような構成
ではＮ−１個の１×２光スイッチ即ち方向性結合形光ス
イッチを多段に接続することにより１×Ｎの多チャンネ
ル光スイッチを構成することができる。ここで、図４の
構成では方向性結合形光スイッチ１０，１１，１２はそ
れぞれ結合度が０の状態と結合度が１００％の状態の両
状態を制御電極２０，２１，２２への印加電圧によって
選択できる必要がある。通常、上記目的を達成するため
に制御電極２０，２１，２２は図４に示すように光透過
方向に２分割され、それぞれの電極によって互いに逆向
きの電界を基板中に誘起するように駆動される。図５は
上記電極への印加電圧と、方向性結合形光スイッチの１
つの入力ポートから光が入射した場合の２つの出力ポー
トからの出力光レベルの関係を示す一例である。すなわ
ち、図４において入力光導波路２から光が入射した場
合、光導波路７へ出力される光レベルが図５の曲線３０
で、光導波路８へ出力される光レベルが曲線３１で示さ
れている。
ではＮ−１個の１×２光スイッチ即ち方向性結合形光ス
イッチを多段に接続することにより１×Ｎの多チャンネ
ル光スイッチを構成することができる。ここで、図４の
構成では方向性結合形光スイッチ１０，１１，１２はそ
れぞれ結合度が０の状態と結合度が１００％の状態の両
状態を制御電極２０，２１，２２への印加電圧によって
選択できる必要がある。通常、上記目的を達成するため
に制御電極２０，２１，２２は図４に示すように光透過
方向に２分割され、それぞれの電極によって互いに逆向
きの電界を基板中に誘起するように駆動される。図５は
上記電極への印加電圧と、方向性結合形光スイッチの１
つの入力ポートから光が入射した場合の２つの出力ポー
トからの出力光レベルの関係を示す一例である。すなわ
ち、図４において入力光導波路２から光が入射した場
合、光導波路７へ出力される光レベルが図５の曲線３０
で、光導波路８へ出力される光レベルが曲線３１で示さ
れている。
【０００９】図５において電圧Ｖ1 のとき結合量１００
％電圧Ｖ2 のとき結合度０となる。そこで従来の構成の
多チャンネル光スイッチでは、上記のようにＶ1 ，Ｖ2
の２値の電圧値が必要であり、しかも通常それらの電圧
は光スイッチのエレメントによって少しづつ異なるので
複雑な駆動回路が必要であった。
％電圧Ｖ2 のとき結合度０となる。そこで従来の構成の
多チャンネル光スイッチでは、上記のようにＶ1 ，Ｖ2
の２値の電圧値が必要であり、しかも通常それらの電圧
は光スイッチのエレメントによって少しづつ異なるので
複雑な駆動回路が必要であった。
【００１０】また、方向性結合形光スイッチのクロスト
ークは光導波路や電極の不完全性や２つの光導波路間の
非対称性によって劣化を招くが、従来の構成では１００
％結合及び結合０の両状態で通常のシステムで必要とさ
れる−２０ｄＢ以下の低クロストーク特性をもつ必要が
あったので要求される製作精度が高く（非対称性が±
０．１μｍ以内）、製作歩留まりは低い値（数分の１程
度）であった。従来の構成及び駆動方式においても１０
０％結合か結合０の状態の一方を０ボルトで得ることも
設計上は可能であるが、０ボルトで−２０ｄＢ以下の低
クロストークを得るのは非常に高精度の製作を要求され
るので実際にはかなり困難である。また多チャンネル光
スイッチを高速に駆動するためにはより低い電圧値が要
求されている。
ークは光導波路や電極の不完全性や２つの光導波路間の
非対称性によって劣化を招くが、従来の構成では１００
％結合及び結合０の両状態で通常のシステムで必要とさ
れる−２０ｄＢ以下の低クロストーク特性をもつ必要が
あったので要求される製作精度が高く（非対称性が±
０．１μｍ以内）、製作歩留まりは低い値（数分の１程
度）であった。従来の構成及び駆動方式においても１０
０％結合か結合０の状態の一方を０ボルトで得ることも
設計上は可能であるが、０ボルトで−２０ｄＢ以下の低
クロストークを得るのは非常に高精度の製作を要求され
るので実際にはかなり困難である。また多チャンネル光
スイッチを高速に駆動するためにはより低い電圧値が要
求されている。
【００１１】本発明の目的は０ボルトと１電圧値の間で
スイッチングを行うことが可能で、低クロストークが容
易に得られ、さらに従来よりも低電圧で動作可能な１×
Ｎ多チャンネル光スイッチ及びその駆動方法を提供する
ことにある。
スイッチングを行うことが可能で、低クロストークが容
易に得られ、さらに従来よりも低電圧で動作可能な１×
Ｎ多チャンネル光スイッチ及びその駆動方法を提供する
ことにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の多チャンネル光
スイッチは、ｎ本の光導波路を備え、光方向性結合器を
介して各光導波路が他の光導波路に結合している構造を
具備した光スイッチにおいて、ｉ番目（ｉ＝２、３、
…、ｎ）の光導波路が（ｉ−１）番目の光導波路に結合
していることを特徴としている。
スイッチは、ｎ本の光導波路を備え、光方向性結合器を
介して各光導波路が他の光導波路に結合している構造を
具備した光スイッチにおいて、ｉ番目（ｉ＝２、３、
…、ｎ）の光導波路が（ｉ−１）番目の光導波路に結合
していることを特徴としている。
【００１３】また本発明の多チャンネル光スイッチの駆
動方法は、ｎ本の光導波路を備え、光方向性結合器を介
して各光導波路が他の光導波路に結合している構造を具
備し、ｉ番目（ｉ＝２、３、…、ｎ）の光導波路が光方
向性結合器を介して（ｉ−１）番目の光導波路に結合し
ている多チャンネル光スイッチにおいて、接続すべき光
導波路に接続している光方向性結合器の制御電極への印
加電圧を０とし、他の光導波路に接続している光方向性
結合器の制御電極への印加電圧をＶ（Ｖ≠０）としたこ
とを特徴とする。
動方法は、ｎ本の光導波路を備え、光方向性結合器を介
して各光導波路が他の光導波路に結合している構造を具
備し、ｉ番目（ｉ＝２、３、…、ｎ）の光導波路が光方
向性結合器を介して（ｉ−１）番目の光導波路に結合し
ている多チャンネル光スイッチにおいて、接続すべき光
導波路に接続している光方向性結合器の制御電極への印
加電圧を０とし、他の光導波路に接続している光方向性
結合器の制御電極への印加電圧をＶ（Ｖ≠０）としたこ
とを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１５】図１は本発明の一実施例である１×４の多
チャンネル光スイッチの平面図を示す。誘電体又は半導
体装置１上に１本の入力光導波路３２と４本の出力光導
波路３３，３４，３５，３６が設置され、入力光導波路
３２と上記４本の出力光導波路３３，３４，３５，３６
の間を光透過方向に順次互いに近接させて光方向性結合
器４０，４１，４２，４３が構成され、それらの光方向
性結合器上に制御電極４４，４５，４６，４７がそれぞ
れ設置されている。本実施例においては、基板１の一例
としてニオブ酸リチウム結晶を用い、光導波路３２，３
３，３４，３５，３６はチタンを熱拡散して形成した。
また、上記光導波路の幅は数μｍ〜数十μｍであり、光
方向性結合器を構成する２本の光導波路間隔は数μｍ程
度、光方向性結合器の長さは数ｍｍ〜十数ｍｍである。
チャンネル光スイッチの平面図を示す。誘電体又は半導
体装置１上に１本の入力光導波路３２と４本の出力光導
波路３３，３４，３５，３６が設置され、入力光導波路
３２と上記４本の出力光導波路３３，３４，３５，３６
の間を光透過方向に順次互いに近接させて光方向性結合
器４０，４１，４２，４３が構成され、それらの光方向
性結合器上に制御電極４４，４５，４６，４７がそれぞ
れ設置されている。本実施例においては、基板１の一例
としてニオブ酸リチウム結晶を用い、光導波路３２，３
３，３４，３５，３６はチタンを熱拡散して形成した。
また、上記光導波路の幅は数μｍ〜数十μｍであり、光
方向性結合器を構成する２本の光導波路間隔は数μｍ程
度、光方向性結合器の長さは数ｍｍ〜十数ｍｍである。
【００１６】図２は本実施例の多チャンネル光スイッチ
の動作を説明するための図であり、光方向性結合器の制
御電極への印加電圧と出力光レベルの関係を示すもので
ある。すなわち、図１において入力光導波路３２に光５
０を入射した場合、光導波路３３に結合されて出力され
る光レベルが曲線４８、結合されないで光導波路３２に
残っている出力光レベルが曲線４９である。
の動作を説明するための図であり、光方向性結合器の制
御電極への印加電圧と出力光レベルの関係を示すもので
ある。すなわち、図１において入力光導波路３２に光５
０を入射した場合、光導波路３３に結合されて出力され
る光レベルが曲線４８、結合されないで光導波路３２に
残っている出力光レベルが曲線４９である。
【００１７】本実施例においては電圧Ｖ1 のとき結合量
が０であり、電圧０のとき結合量が８０〜１００％とな
るように設計されている。
が０であり、電圧０のとき結合量が８０〜１００％とな
るように設計されている。
【００１８】本実施例では接続すべき入出力光導波路間
で構成される光方向性結合器の制御電極のみが電圧０で
あり、他の制御電極には電圧Ｖ1 ′が印加される。例え
ば制御電極４６の電圧を０とし。他の制御電極の印加電
圧をｖ1 ′とすると入力光導波路３２への入射光５０の
８０〜１００％は出力光導波路３５へ結合し残りの光量
は全て光導波路３２中を通って出射光５１となり他の出
力光導波路には結合しない。通常結合量が０となる状態
は光導波路の非対称性の影響を受けなく、また、結合量
１００％の状態に比べて低クロストークが容易に得られ
るので上記の例では他の出力光導波路３３，３４，３５
へのもれ光は非常に小さい。同様に、いずれの出力光導
波路へ切換える場合でも非常に小さいクロストークが得
られる。また、印加電圧０のとき、完全に１００％の結
合量を得るのは先に述べたように困難であるが、９０〜
９７％程度の結合量はかなり容易に得られるので、本実
施例の多チャンネル光スイッチの損失となる出射光５１
の光量は数％以下にすることができる。また同じ形状の
光方向性結合器を考えた場合、本実施例のＶ1 ′の値は
図５のＶ2 よりもかなり低い値である。
で構成される光方向性結合器の制御電極のみが電圧０で
あり、他の制御電極には電圧Ｖ1 ′が印加される。例え
ば制御電極４６の電圧を０とし。他の制御電極の印加電
圧をｖ1 ′とすると入力光導波路３２への入射光５０の
８０〜１００％は出力光導波路３５へ結合し残りの光量
は全て光導波路３２中を通って出射光５１となり他の出
力光導波路には結合しない。通常結合量が０となる状態
は光導波路の非対称性の影響を受けなく、また、結合量
１００％の状態に比べて低クロストークが容易に得られ
るので上記の例では他の出力光導波路３３，３４，３５
へのもれ光は非常に小さい。同様に、いずれの出力光導
波路へ切換える場合でも非常に小さいクロストークが得
られる。また、印加電圧０のとき、完全に１００％の結
合量を得るのは先に述べたように困難であるが、９０〜
９７％程度の結合量はかなり容易に得られるので、本実
施例の多チャンネル光スイッチの損失となる出射光５１
の光量は数％以下にすることができる。また同じ形状の
光方向性結合器を考えた場合、本実施例のＶ1 ′の値は
図５のＶ2 よりもかなり低い値である。
【００１９】図３は本発明の他の実施例である１×４の
多チャンネル光スイッチの平面図である。図３において
１は図１の実施例と同様な誘電体又は半導体基板であ
り、基板１上に入力光導波路５２と出力光導波路５３，
５４，５５，５６が設置され、入力光導波路４２に入射
光が順次上記の各々の出力光導波路と結合するように光
方向性結合器６０，６１，６２，６３が設置されてい
る。
多チャンネル光スイッチの平面図である。図３において
１は図１の実施例と同様な誘電体又は半導体基板であ
り、基板１上に入力光導波路５２と出力光導波路５３，
５４，５５，５６が設置され、入力光導波路４２に入射
光が順次上記の各々の出力光導波路と結合するように光
方向性結合器６０，６１，６２，６３が設置されてい
る。
【００２０】本実施例の光方向性結合器の制御電極及び
印加電圧特性は図４及び図５に示した例と同じであり電
圧Ｖ1 において結合量１００％である。但し本実施例に
おいては結合すべき出力光導波路端の光方向性結合器の
制御電極の電圧は０であり、他の制御電極の印加電圧は
Ｖ1 となっている。また電圧０のときの結合量は０〜２
０％となるように設計されている。
印加電圧特性は図４及び図５に示した例と同じであり電
圧Ｖ1 において結合量１００％である。但し本実施例に
おいては結合すべき出力光導波路端の光方向性結合器の
制御電極の電圧は０であり、他の制御電極の印加電圧は
Ｖ1 となっている。また電圧０のときの結合量は０〜２
０％となるように設計されている。
【００２１】図１の実施例と同様本実施例においても任
意の１つの出力光導波路へ出力したときの出力光導波路
へのもれは非常に小さい。
意の１つの出力光導波路へ出力したときの出力光導波路
へのもれは非常に小さい。
【００２２】図４の従来例と比べると電圧Ｖ2 は不要で
あるので低電圧動作が可能である。
あるので低電圧動作が可能である。
【００２３】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば０ボル
トと１電圧値の間でスイッチングが可能であるので従来
よりも駆動回路が簡単であり、また容易に低クロストー
ク特性が得られ従来よりも低電圧で動作する多チャンネ
ル光スイッチが得られる。
トと１電圧値の間でスイッチングが可能であるので従来
よりも駆動回路が簡単であり、また容易に低クロストー
ク特性が得られ従来よりも低電圧で動作する多チャンネ
ル光スイッチが得られる。
【００２４】なお、本発明の多チャンネル光スイッチは
可逆であるのでＮ×１光スイッチとして使用することも
可能である。また、基板材料、光導波路及び光スイッチ
形状は上記実施例に限定されない。例えばタンタル酸リ
チウム、ＩｎＰ等の化合物半導体等を用いること、光導
波路としてリブ形光導波路や埋込み光導波路等を用いる
ことができる。
可逆であるのでＮ×１光スイッチとして使用することも
可能である。また、基板材料、光導波路及び光スイッチ
形状は上記実施例に限定されない。例えばタンタル酸リ
チウム、ＩｎＰ等の化合物半導体等を用いること、光導
波路としてリブ形光導波路や埋込み光導波路等を用いる
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多チャンネル光スイッチの実施例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図２】多チャンネル光スイッチの駆動方法を説明する
ための図である。
ための図である。
【図３】本発明の他の実施例を示す平面図である。
【図４】従来の多チャンネル光スイッチを説明するため
の平面図である。
の平面図である。
【図５】多チャンネル光スイッチの駆動方法を説明する
ための図である。
ための図である。
１ 基板 ２ 入力光導波路 ３ 出力光導波路 ４ 出力光導波路 ５ 出力光導波路 ６ 出力光導波路 ３２ 入力光導波路 ３３ 出力光導波路 ３４ 出力光導波路 ３５ 出力光導波路 ３６ 出力光導波路 ５２ 入力光導波路 ５３ 出力光導波路 ５４ 出力光導波路 ５５ 出力光導波路 ５６ 出力光導波路
Claims (2)
- 【請求項１】ｎ本の光導波路を備え、光方向性結合器を
介して各光導波路が他の光導波路に結合している構造を
具備した光スイッチにおいて、ｉ番目（ｉ＝２、３、
…、ｎ）の光導波路が（ｉ−１）番目の光導波路に結合
していることを特徴としている多チャンネル光スイッ
チ。 - 【請求項２】ｎ本の光導波路を備え、光方向性結合器を
介して各光導波路が他の光導波路に結合している構造を
具備し、ｉ番目（ｉ＝２、３、…、ｎ）の光導波路が光
方向性結合器を介して（ｉ−１）番目の光導波路に結合
している多チャンネル光スイッチにおいて、接続すべき
光導波路に接続している光方向性結合器の制御電極への
印加電圧を０とし、多の光導波路に接続している光方向
性結合器の制御電極への印加電圧をＶ（Ｖ≠０）とした
ことを特徴とする多チャンネル光スイッチの駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14217697A JPH10232414A (ja) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | 多チャンネル光スイッチ及びその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14217697A JPH10232414A (ja) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | 多チャンネル光スイッチ及びその駆動方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57098820A Division JP2858744B2 (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | 多チヤンネル光スイツチ及びその駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10232414A true JPH10232414A (ja) | 1998-09-02 |
Family
ID=15309140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14217697A Pending JPH10232414A (ja) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | 多チャンネル光スイッチ及びその駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10232414A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100310086B1 (ko) * | 1998-11-17 | 2002-11-27 | 삼성전자 주식회사 | 광결합기및그제작방법 |
| JP2008299238A (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 導波路型光スイッチ |
| WO2013042344A1 (ja) * | 2011-09-22 | 2013-03-28 | 日本電気株式会社 | 光制御装置及び光素子 |
-
1997
- 1997-05-30 JP JP14217697A patent/JPH10232414A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100310086B1 (ko) * | 1998-11-17 | 2002-11-27 | 삼성전자 주식회사 | 광결합기및그제작방법 |
| JP2008299238A (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 導波路型光スイッチ |
| WO2013042344A1 (ja) * | 2011-09-22 | 2013-03-28 | 日本電気株式会社 | 光制御装置及び光素子 |
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