JPH01248142A - 光スイッチ - Google Patents

光スイッチ

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JPH01248142A
JPH01248142A JP63077898A JP7789888A JPH01248142A JP H01248142 A JPH01248142 A JP H01248142A JP 63077898 A JP63077898 A JP 63077898A JP 7789888 A JP7789888 A JP 7789888A JP H01248142 A JPH01248142 A JP H01248142A
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optical waveguide
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裕 西本
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    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/29Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
    • G02F1/31Digital deflection, i.e. optical switching
    • G02F1/313Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は電気光学効果を有する結晶基板を用いた導波型
の光スイッチに関する。
(従来の技術) 電気光学効果を有する結晶基板に形成された互いに近接
した2本の光導波路からなる光結合部と前記光結合部の
両側に続いて形成する曲線状の光導波路である光導入部
からなる光方向性結合器を用いた導波型光スイッチは光
交換機及び光通信ネットワークにおける伝送路切替器、
外部変換器などへ応用して好適である。
この光方向性結合器からなる導波型光スイッチについて
は、M、KONDOらが文献エレクトロニクスレタース
23巻21号PP1167〜1169 (1987)に
発表している。この光スイッチは、導波路を伝搬する光
波モードの互いに直交した2つの偏光成分に対して光結
合部の等価屈折率をほぼ等しくしたものである。これに
より、任意の偏光の光波モードに対して光スイッチの動
作を行なうことができる(このように動作する光スイッ
チを偏光無依存光スイッチと称することにする)、第3
図はこの光スイッチの構造を示す模式的な平面図であり
、次に本図により従来の光スイッチを説明する。この光
スイッチでは、L i N b Os基板1表面にTi
を熱拡散して光結合部2aと光導入部2bから成る光導
波路2が形成しである。光結合#2a上に設置された制
御電極4に電圧を印加し、光波モードの光路切替え、変
調を行なう。
一般に、互いに直交した偏光成分に対して、先導波路と
L i N b Oj基板1との屈折率差はTiの熱拡
散量を増せば増大する。しかし、一般にL i N b
 Os基板1における屈折率差は、結晶の光軸方向以外
の光波モードの伝搬方向では、ある特定のTiの熱拡l
t量だけで同一になる。
従って、第3図の光スイッチでは、光結合部2aで光波
モードの互いに直交した2つの1付光成分に対するそれ
ぞれの等側屈折率がほぼ等しくなるTi熱拡散量(以後
、特定Ti拡散量と呼ぶ)を用いて各偏光成分に対して
完全結合長が同一になるようにし閤光無依存性が実現さ
れている。前記特定Ti拡散量は比較的Ti拡散量の少
ない領域に存在する0例えば前述した文献を引用すれば
Ti拡散量に比例するTi膜厚は470人である。
これに対し通常の光スイッチでは600〜900人程度
のTi膜厚を用いるから、該文献のTi拡散量は通常値
より45〜b は光波モードの横モード及び縦モードともシングルモー
ド領域を用いるが、このとき、Ti膜厚が厚い程、すな
わちTi拡散量が多いほど前述した様にL t N b
 Os基板1と光導波路2との屈折率差は大きくなる。
従って、光波モードの各偏光成分に対する光導波路2の
等側屈折率は大きくなるから、光波モードは光導波路2
に強く閉じ込められる。光波モードの一般的な特性とし
て光導波路2に強く閉じ込まれる程曲線状の光導波路で
の放射損失が低減される。つまり、光導波路2の等側屈
折率を大きくすれば曲線状の光導波路すなわち第3図に
おける光導入部2bの曲線状の光導波路の曲り方を大き
くでき、光スイッチ・変調器のデバイス素子長を短かく
できる。第3図における従来例の閏光無依存光スイッチ
では、前述した様にT1拡散量の少ない特定Ti拡散量
を用いなければならないから、光導入部2bの曲線状の
光導波路の曲りを損失の点から強くできず、このTi拡
散量の制限からデバイス素子長りを一定値以下に小さく
できない。
(発明が解決しようとする課題) 前述した様に、光結合部における等側屈折率を光波モー
ドの直交した偏光成分に対してほぼ等しくすることによ
り実現される偏光無依存光スイッチは、低損失を維持し
たままで短いデバイス素子長に実現することが困難であ
る。
本発明の目的は、低損失でしかもデバイス素子長を短く
できる偏光無依存光スイッチを与えることにある。
(課題を解決するための手段) 前述の課題を解決するために本発明が提供する手段は、
電気光学効果を有する結晶基板に形成された2つの光導
波路と、該各光導波路にそれぞれ設けられている2つの
T45とを有してなり、該各光導波路は前記電極に印加
される電圧に応じて互いに光結合をする光結合部と、該
光結合部に光を導き入れ又は該光結合部から出力される
光を導き出す光案内部とからなり、該光導波路は該光結
合部で該光案内部におけるよりも互いに接近して設けて
あり、該電極は該光結合部に近接して設けてある光スイ
ッチであって、該光案内部の幅は少なくとも一部分にお
いて前記光結合部の幅より広いことを特徴とする。
(実施例) 次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例に係る光スイッチの構成を模
式的に示す平面図である0本図の実施例では、曲線状の
光導波路からなる光導入部(前述の光案内部に相当する
)の幅WIはすべての領域で光結合部の光導波路の幅W
2より広くしである。
結晶基板1として、L i N b Os基板を用いた
場合、前述した様に光導波路2を伝搬する光波モードに
おける等側屈折率を直交する偏光成分同士で同一にして
偏光無依存光スイッチを実現する。
このとき、光結合器2aの光導波路2上に設置した制御
型[!4に電圧を印加することにより、光波モードの伝
送路切替が行なわれる(光変調器として用いる場合には
、その電圧に応じて入力光が変調されて、変調光が入力
光と同じ光導波路から出力される)。
第1図に示す様に光結合部2aの光導波路2の幅W2よ
り、曲線状の光導波路2からなる光導入部2bの幅W1
を広くすれば、光結合部2aと光導入部2bのそれぞれ
の光導波路2を特定Ti拡散量で形成した場合、光結合
部2aの光導波路に比べ光導入部2bの光導波路におけ
る等側屈折率は任意の偏光成分において大きくなるから
、光波モードの光導波路2での閉じ込めは光結合部2a
の光導波路2におけるより光導入部2bの光導波路2の
方が強くなる。従って、曲線状の光導波路2からなる光
導入部2bにおける光波モードの損失は、光結合部2a
と光導入部2bの光導波路2との幅をともに同一のWl
にした場合に比べ、低減される。また、曲線状の光導波
路の曲りを急にしても損失の低い光導入部2bが得られ
るから、光スイッチのデバイス素子長を短かくできる。
したがって、第1の実施例の構造の光スイッチを採用す
れば、この光スイッチを一基板上に多数個集積したマト
リクス光スイッチを小形に実現できる。つまり、低損失
化のために光導入部の長さを短かくできればそれだけ一
基板上に集積できる光スイッチの数は増し、マトリクス
サイズの拡大が計れる。第1図に示す構造は、L i 
N b Os基板に対してのみ有効でなく、LiTax
i基板、化合物半導体基板を用いた光スイッチに対して
も有効であるのは明らかである。
例えばL i N b Os基板を用いて光結合部2a
の光導波1%2の幅W1を9μmとし、特定Ti拡散量
に相当するTig!厚を470人で光導波路2を形成し
た場合、光導入部2bの曲線状の光導波路2の幅W2を
9μmにすると、前記曲率半径30nmの円弧状の光導
波路での損失が2 d B / rmであったのに対し
て、第1図の構造を採用して曲線状の先導波路2の幅W
2を1111mにすることにより損失が0.5dB/m
mになり、光導入部2biffl域での低損失化が計れ
る。また、光導入部2bでの損失として2 d B /
 tnnが許される場合は、曲率半径として20m程度
が許されるため、偏光無依存光スイッチ・変調器のデバ
イス素子長し短長化が実現できる。
第2図は本発明の池の一実施例に係る光スイッチを模式
的に示す平面図である。この実施例では、曲線状の光導
波路から成る光導入部2bの光導波路2の幅を一部分だ
けで光結合部2aの幅より広くしてあり、光導波路2は
幅W2の部分と幅W1の部分とからなる。光導入部2b
の光導波路2の幅W+は光結合部2aの先導波路2の幅
W+と同一であり、光結合部2aと光導入部2bの接続
部分について光導波路2bの曲線状の光導波路2の幅を
W+とじている。この構造により、光結合部2aの任意
の偏光成分に対する完全結合長が、光導入部2bの光導
波路2の形状に何らの影響も受けずに、しかも損失が低
くくデバイス素子長しの短い偏光無依存光スイッチが得
られる。
なお1発明の構造の光スイッチは、よく知られているよ
うに、変調信号を制御電極に加えることにより光変調器
として作動させることができる。
(発明の効果) 以上に説明したように、本発明によれば、光結合部の光
導波路の幅より、曲線状の光導波路からなる光導入部の
光導波路の幅を広くすることにより、損失が小さくデバ
イス素子長が短い偏光無依存光スイッチを得ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本発明の実施例を模式的に示す平
面図、第3図は従来の光スイッチを模式的に示す平面図
である。 1・・・電気光学効果を有する結晶基板、2・・・光導
波路、2a・・・光結合部、2b・・・光導入部、4・
・・制御電極。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 電気光学効果を有する結晶基板に形成された2つの光導
    波路と、該各光導波路にそれぞれ設けられている2つの
    電極とを有してなり、該各光導波路は前記電極に印加さ
    れる電圧に応じて互いに光結合をする光結合部と、該光
    結合部に光を導き入れ又は該光結合部から出力される光
    を導き出す光案内部とからなり、該光導波路は該光結合
    部で該光案内部におけるよりも互いに接近して設けてあ
    り、該電極は該光結合部に近接して設けてある光スイッ
    チにおいて、該光案内部の幅は少なくとも一部分におい
    て前記光結合部の幅より広いことを特徴とする光スイッ
    チ。
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