JPH08190028A - Ｎ×ｍスプリッタ導波路素子及びその製造方法 - Google Patents
Ｎ×ｍスプリッタ導波路素子及びその製造方法Info
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- JPH08190028A JPH08190028A JP335995A JP335995A JPH08190028A JP H08190028 A JPH08190028 A JP H08190028A JP 335995 A JP335995 A JP 335995A JP 335995 A JP335995 A JP 335995A JP H08190028 A JPH08190028 A JP H08190028A
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- waveguide element
- splitter
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ポート数の少ないＮポート側の基板の空きス
ペースに着目することにより、ポート数が多い導波路素
子でもウエハ上に多数形成でき、製造コストを抑えるこ
とができるＮ×Ｍスプリッタ導波路素子を提供する。 【構成】 基板上に複数の導波路が分岐して多数の導波
路となるよう光回路１２を形成したＮ×Ｍスプリッタ導
波路素子１１において、ポート数が少ないＮポート側１
５の導波路素子幅をＭポート側１６の素子幅より細くし
て、素子１１の形状を台形とする。
ペースに着目することにより、ポート数が多い導波路素
子でもウエハ上に多数形成でき、製造コストを抑えるこ
とができるＮ×Ｍスプリッタ導波路素子を提供する。 【構成】 基板上に複数の導波路が分岐して多数の導波
路となるよう光回路１２を形成したＮ×Ｍスプリッタ導
波路素子１１において、ポート数が少ないＮポート側１
５の導波路素子幅をＭポート側１６の素子幅より細くし
て、素子１１の形状を台形とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｎ×Ｍスプリッタ導波
路素子とその製造方法に関するものである。
路素子とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＮ×Ｍスプリッタ導波路素子を図
８に示した。
８に示した。
【０００３】Ｎ×Ｍスプリッタ導波路素子６３は長方形
基板上に、複数の導波路が、分岐して多数の導波路とな
るよう光回路６６を形成した構成で、各導波路は素子端
面に光入出力端部（ポート）を有している。ここで、ポ
ートの少ない側をＮポート側６２、ポートの多い側をＭ
ポート側６１とする。
基板上に、複数の導波路が、分岐して多数の導波路とな
るよう光回路６６を形成した構成で、各導波路は素子端
面に光入出力端部（ポート）を有している。ここで、ポ
ートの少ない側をＮポート側６２、ポートの多い側をＭ
ポート側６１とする。
【０００４】このＮ×Ｍスプリッタ導波路素子６３のＮ
ポート側６２に光ファイバアレイ６４、Ｍポート側６１
に光ファイバアレイ６５を接続する。接続する際の位置
決め用のアライメントは、光回路６６のポートに光を入
射させて行った。
ポート側６２に光ファイバアレイ６４、Ｍポート側６１
に光ファイバアレイ６５を接続する。接続する際の位置
決め用のアライメントは、光回路６６のポートに光を入
射させて行った。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来では、Ｎ×Ｍスプ
リッタ導波路素子の形状を長方形としていたため、その
幅は、ポート数の多いＭポート側６１のポート数に依存
し、Ｍポート側６１のポート数が多いほど素子の幅は広
くしなければならない。従って、素子を製造する場合、
図９に示すようにウエハ基板上７１に形成できる素子７
２はポート数によって大きく制限される。
リッタ導波路素子の形状を長方形としていたため、その
幅は、ポート数の多いＭポート側６１のポート数に依存
し、Ｍポート側６１のポート数が多いほど素子の幅は広
くしなければならない。従って、素子を製造する場合、
図９に示すようにウエハ基板上７１に形成できる素子７
２はポート数によって大きく制限される。
【０００６】つまり、Ｎ×Ｍスプリッタ導波路素子のポ
ート数が多くなるほど、導波路素子幅の面積が著しく広
くなり、１ウエハ内に形成できる素子数が大幅に減少
し、導波路素子一個当たりの製造コストが高くなってし
まう。
ート数が多くなるほど、導波路素子幅の面積が著しく広
くなり、１ウエハ内に形成できる素子数が大幅に減少
し、導波路素子一個当たりの製造コストが高くなってし
まう。
【０００７】更に、ポート数が多くなると発生する問題
として、ファイバアレイと接続する際、アライメントの
ためにＮポート側から光を入射すると、スプリッタの分
岐数が多いためスプリッタを伝搬しＭポート側から出射
する光パワーが著しく減少してしまうことから、アライ
メント誤差が生じ易いという問題がある。
として、ファイバアレイと接続する際、アライメントの
ためにＮポート側から光を入射すると、スプリッタの分
岐数が多いためスプリッタを伝搬しＭポート側から出射
する光パワーが著しく減少してしまうことから、アライ
メント誤差が生じ易いという問題がある。
【０００８】例えば、図８のＮ×Ｍスプリッタ導波路素
子は１６分岐であるが、さらに分岐数の多い３２分岐の
スプリッタ等では入射した光パワーは３２分配され１５
ｄＢ以上減衰し、非常に弱い光となってしまう。このよ
うに光パワーが弱くなってしまうと、ファイバアレイを
接続する際、位置決めのためのアライメントが不正確に
なり、軸ずれ等が生じ接続損失の増加を招いてしまう。
子は１６分岐であるが、さらに分岐数の多い３２分岐の
スプリッタ等では入射した光パワーは３２分配され１５
ｄＢ以上減衰し、非常に弱い光となってしまう。このよ
うに光パワーが弱くなってしまうと、ファイバアレイを
接続する際、位置決めのためのアライメントが不正確に
なり、軸ずれ等が生じ接続損失の増加を招いてしまう。
【０００９】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、ポート数の少ないＮポート側の基板の空きスペース
に着目することにより、ポート数が多い導波路素子でも
ウエハ上に多数形成し製造コストを抑えることができる
Ｎ×Ｍスプリッタ導波路素子を提供することにある。ま
た本発明の目的は、他の光部品と接続する際のアライメ
ントを正確に行ってアライメント誤差による接続損失の
増加を低減できるＮ×Ｍスプリッタ導波路素子を提供す
ることにある。
し、ポート数の少ないＮポート側の基板の空きスペース
に着目することにより、ポート数が多い導波路素子でも
ウエハ上に多数形成し製造コストを抑えることができる
Ｎ×Ｍスプリッタ導波路素子を提供することにある。ま
た本発明の目的は、他の光部品と接続する際のアライメ
ントを正確に行ってアライメント誤差による接続損失の
増加を低減できるＮ×Ｍスプリッタ導波路素子を提供す
ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１の発明は、基板上に複数の導波路が分岐して
多数の導波路となるよう光回路を形成したＮ×Ｍスプリ
ッタ導波路素子において、ポート数が少ないＮポート側
１５の導波路素子幅をＭポート側１６の素子幅より細く
して、素子の形状を台形とすることを特徴としたＮ×Ｍ
スプリッタ導波路素子である。
に請求項１の発明は、基板上に複数の導波路が分岐して
多数の導波路となるよう光回路を形成したＮ×Ｍスプリ
ッタ導波路素子において、ポート数が少ないＮポート側
１５の導波路素子幅をＭポート側１６の素子幅より細く
して、素子の形状を台形とすることを特徴としたＮ×Ｍ
スプリッタ導波路素子である。
【００１１】請求項２の発明は、Ｎ×Ｍスプリッタ導波
路素子の両ポート側にファイバアレイを接続する際に、
該ファイバアレイとの光軸を調整するために使用するア
ライメント用導波路を光回路以外の領域に設けたことを
特徴とする請求項１記載のＮ×Ｍスプリッタ導波路素子
である。
路素子の両ポート側にファイバアレイを接続する際に、
該ファイバアレイとの光軸を調整するために使用するア
ライメント用導波路を光回路以外の領域に設けたことを
特徴とする請求項１記載のＮ×Ｍスプリッタ導波路素子
である。
【００１２】請求項３の発明は、アライメント用導波路
が導波路素子側面にほぼ平行であることを特徴とする請
求項２記載のＮ×Ｍスプリッタ導波路素子である。
が導波路素子側面にほぼ平行であることを特徴とする請
求項２記載のＮ×Ｍスプリッタ導波路素子である。
【００１３】請求項４の発明は、アライメント用導波路
の入出射部が、導波路素子の端面と垂直になるように、
アライメント用導波路に曲がり導波路を設けたことを特
徴とする請求項３記載のＮ×Ｍスプリッタ導波路素子で
ある。
の入出射部が、導波路素子の端面と垂直になるように、
アライメント用導波路に曲がり導波路を設けたことを特
徴とする請求項３記載のＮ×Ｍスプリッタ導波路素子で
ある。
【００１４】請求項５の発明は、導波路素子の端面が厚
さ方向に８度斜め研磨されていることを特徴とする請求
項１ないし４記載のＮ×Ｍスプリッタ導波路素子であ
る。
さ方向に８度斜め研磨されていることを特徴とする請求
項１ないし４記載のＮ×Ｍスプリッタ導波路素子であ
る。
【００１５】請求項６の発明は、複数の台形形状の導波
路素子をウエハ基板上に、それぞれの向きが互い違いに
なるように形成したことを特徴とするＮ×Ｍスプリッタ
導波路素子の製造方法である。
路素子をウエハ基板上に、それぞれの向きが互い違いに
なるように形成したことを特徴とするＮ×Ｍスプリッタ
導波路素子の製造方法である。
【００１６】請求項７の発明は、複数の台形形状の導波
路素子をウエハ基板上に、それぞれの台形の上辺と下辺
が、一直線になるよう形成し、その直線に沿って切断
し、導波路素子の端面を一括してその厚さ方向に斜め研
磨し、導波路素子を個別に切出すことを特徴とする請求
項６記載のＮ×Ｍスプリッタ導波路素子の製造方法であ
る。
路素子をウエハ基板上に、それぞれの台形の上辺と下辺
が、一直線になるよう形成し、その直線に沿って切断
し、導波路素子の端面を一括してその厚さ方向に斜め研
磨し、導波路素子を個別に切出すことを特徴とする請求
項６記載のＮ×Ｍスプリッタ導波路素子の製造方法であ
る。
【００１７】
【作用】上記構成によりＮ×Ｍスプリッタ導波路素子は
台形形状となるため、素子面積は小さくなり、ウエハ上
に多くの素子を形成することができる。また、アライメ
ント用導波路を設けたことにより、ポート数の多い導波
路素子と光部品の接続において、アライメント誤差を小
さくすることができる。
台形形状となるため、素子面積は小さくなり、ウエハ上
に多くの素子を形成することができる。また、アライメ
ント用導波路を設けたことにより、ポート数の多い導波
路素子と光部品の接続において、アライメント誤差を小
さくすることができる。
【００１８】更に、台形形状とした複数の導波路素子を
それぞれ向きが互い違いになるようウエハ基板上に形成
することにより、１ウエハ内に形成できる素子数を多く
することができ、また、それぞれの台形の上辺と下辺が
一直線になるように形成し、その直線に沿って切り出し
た素子ブロックに、斜め研磨を一括して施すことによ
り、研磨時間の短縮をすることができる。
それぞれ向きが互い違いになるようウエハ基板上に形成
することにより、１ウエハ内に形成できる素子数を多く
することができ、また、それぞれの台形の上辺と下辺が
一直線になるように形成し、その直線に沿って切り出し
た素子ブロックに、斜め研磨を一括して施すことによ
り、研磨時間の短縮をすることができる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面に基づい
て詳述する。
て詳述する。
【００２０】図１に、Ｎ×Ｍスプリッタ導波路素子の平
面図を示した。
面図を示した。
【００２１】Ｎ×Ｍスプリッタ導波路素子１１は、台形
基板上に、上辺から下辺方向に複数の導波路が分岐して
多数の導波路となる光回路１２と、光回路以外の領域に
アライメント用導波路１３，１４を設けた構成であり、
各導波路は導波路素子１１の端面に光入出力端部（ポー
ト）を有する。
基板上に、上辺から下辺方向に複数の導波路が分岐して
多数の導波路となる光回路１２と、光回路以外の領域に
アライメント用導波路１３，１４を設けた構成であり、
各導波路は導波路素子１１の端面に光入出力端部（ポー
ト）を有する。
【００２２】Ｎ×Ｍスプリッタ導波路素子１１のポート
数の少ないＮポート側１５は台形の上辺側でありそのＮ
×Ｍスプリッタ導波路素子１１の端面の幅は狭く、ポー
ト数の多いＭポート側１６は台形の下辺側でありそのＮ
×Ｍスプリッタ導波路素子１１の端面の幅は広くなって
いる。
数の少ないＮポート側１５は台形の上辺側でありそのＮ
×Ｍスプリッタ導波路素子１１の端面の幅は狭く、ポー
ト数の多いＭポート側１６は台形の下辺側でありそのＮ
×Ｍスプリッタ導波路素子１１の端面の幅は広くなって
いる。
【００２３】また、Ｎポート側１５には、その端面の幅
と等しい幅のファイバアレイ１８が、Ｍポート側１６に
は、その端面の幅と等しい幅のファイバアレイ１７がそ
れぞれ接続されている。この接続面であるＮポート側１
５、Ｍポート側１６の端面は厚さ方向に対して８度斜め
に研磨されている。
と等しい幅のファイバアレイ１８が、Ｍポート側１６に
は、その端面の幅と等しい幅のファイバアレイ１７がそ
れぞれ接続されている。この接続面であるＮポート側１
５、Ｍポート側１６の端面は厚さ方向に対して８度斜め
に研磨されている。
【００２４】アライメント用導波路１３，１４について
は、光回路１２の両側にＮ×Ｍスプリッタ導波路素子１
１の側面にほぼ平行に配した。アライメント用導波路１
３のＮポート側の端部の拡大図を図２に示した。アライ
メント用導波路１３は、Ｎ×Ｍスプリッタ導波路素子１
１の側面８４に平行な直線導波路８２と曲がり導波路８
１と直線導波路８５から構成されている。アライメント
用導波路１３の入出力端部となる直線導波路８５は導波
路素子１１のＮポート側１５の端面８３と垂直であり、
曲がり導波路８１は、直線導波路８２と直線導波路８５
を曲線状に繋げるように設けられている。
は、光回路１２の両側にＮ×Ｍスプリッタ導波路素子１
１の側面にほぼ平行に配した。アライメント用導波路１
３のＮポート側の端部の拡大図を図２に示した。アライ
メント用導波路１３は、Ｎ×Ｍスプリッタ導波路素子１
１の側面８４に平行な直線導波路８２と曲がり導波路８
１と直線導波路８５から構成されている。アライメント
用導波路１３の入出力端部となる直線導波路８５は導波
路素子１１のＮポート側１５の端面８３と垂直であり、
曲がり導波路８１は、直線導波路８２と直線導波路８５
を曲線状に繋げるように設けられている。
【００２５】図３には、ファイバアレイとの接続面とな
る導波路素子の端面に施された斜め研磨の様子を示し
た。斜め研磨した導波路素子３１〜３４にファイバアレ
イ３１１，３１２，３２１，３２２，３３１，３３２，
３４１，３４２が接続されている。斜め研磨方向は
（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示すどの方向でもよい。
る導波路素子の端面に施された斜め研磨の様子を示し
た。斜め研磨した導波路素子３１〜３４にファイバアレ
イ３１１，３１２，３２１，３２２，３３１，３３２，
３４１，３４２が接続されている。斜め研磨方向は
（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示すどの方向でもよい。
【００２６】ここで、図１に示す導波路素子を製造する
ために、導波路素子をウエハ基板に形成した状態を図４
に示した。導波路素子２２〜２６をそれぞれの向きが互
い違いになるようにし、台形の上辺と下辺が一直線にな
るようウエハ基板２１上に形成した。このように導波路
素子を形成すれば、１ウエハ上に導波路素子を５個形成
することができる。
ために、導波路素子をウエハ基板に形成した状態を図４
に示した。導波路素子２２〜２６をそれぞれの向きが互
い違いになるようにし、台形の上辺と下辺が一直線にな
るようウエハ基板２１上に形成した。このように導波路
素子を形成すれば、１ウエハ上に導波路素子を５個形成
することができる。
【００２７】次に、導波路素子の一括研磨方法を示す。
まず、図５に示すウエハ基板５４に形成された導波路素
子の切り出しを行う。切り出す場合は、個々の導波路素
子ではなく導波路素子ブロック５５を切り出す。図６に
この導波路素子ブロックの切り出し例を示した。導波路
素子ブロックは切り出し形状５１，５２，５３のいずれ
でもよい。
まず、図５に示すウエハ基板５４に形成された導波路素
子の切り出しを行う。切り出す場合は、個々の導波路素
子ではなく導波路素子ブロック５５を切り出す。図６に
この導波路素子ブロックの切り出し例を示した。導波路
素子ブロックは切り出し形状５１，５２，５３のいずれ
でもよい。
【００２８】次にこの切出した導波路素子ブロック５
１，５２，５３の上辺と下辺からなる直線を含む端面５
６，５７，５８，５９，５０１，５０２を厚さ方向に対
して８度斜めに研磨し、そして、図７に示したように個
々の導波路素子５０３〜５０７に切断する。
１，５２，５３の上辺と下辺からなる直線を含む端面５
６，５７，５８，５９，５０１，５０２を厚さ方向に対
して８度斜めに研磨し、そして、図７に示したように個
々の導波路素子５０３〜５０７に切断する。
【００２９】この一括研磨方法によれば、例えば、図６
の導波路素子ブロック５１は端面５６と端面５７を研磨
すればよいのだから計２回の研磨で、５個の導波路素子
の研磨が終了する。もし、個々に切り出してから研磨す
るとすれば１０回の研磨が必要である。
の導波路素子ブロック５１は端面５６と端面５７を研磨
すればよいのだから計２回の研磨で、５個の導波路素子
の研磨が終了する。もし、個々に切り出してから研磨す
るとすれば１０回の研磨が必要である。
【００３０】次に実施例の作用を述べる。
【００３１】上記構成によればＮ×Ｍスプリッタ導波路
素子は、Ｎポート側に空きスペースの無い、コンパクト
な台形形状となり、この台形型導波路素子を複数個それ
ぞれの向きが互い違いになるよう形成することにより、
１ウエハ上に形成できる素子数を多くすることができ
る。また、これらの台形型の導波路素子の台形の上辺と
下辺が一直線になるように形成し、この直線に沿って切
出した導波路素子ブロックの端面を研磨することによ
り、導波路素子の一括研磨が可能になる。
素子は、Ｎポート側に空きスペースの無い、コンパクト
な台形形状となり、この台形型導波路素子を複数個それ
ぞれの向きが互い違いになるよう形成することにより、
１ウエハ上に形成できる素子数を多くすることができ
る。また、これらの台形型の導波路素子の台形の上辺と
下辺が一直線になるように形成し、この直線に沿って切
出した導波路素子ブロックの端面を研磨することによ
り、導波路素子の一括研磨が可能になる。
【００３２】更に、上記導波路素子に設けたアライメン
ト用導波路は光回路と独立しているため、光回路のポー
ト数が多くなっても光パワーが小さくなることがないた
め、アライメント誤差が増大することがなくなる。
ト用導波路は光回路と独立しているため、光回路のポー
ト数が多くなっても光パワーが小さくなることがないた
め、アライメント誤差が増大することがなくなる。
【００３３】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、ポート数
の多いＮ×Ｍスプリッタ導波路素子において、形状をコ
ンパクトな台形とし、台形の向きが互い違いになるよう
形成することにより、１ウエハ上に形成できる素子数を
多くし、導波路素子一個当たりの製造コストを低くする
ことができる。また、素子の一括研磨が可能なため、研
磨時間の短縮が計れる。
の多いＮ×Ｍスプリッタ導波路素子において、形状をコ
ンパクトな台形とし、台形の向きが互い違いになるよう
形成することにより、１ウエハ上に形成できる素子数を
多くし、導波路素子一個当たりの製造コストを低くする
ことができる。また、素子の一括研磨が可能なため、研
磨時間の短縮が計れる。
【００３４】更に、アライメント用導波路を設けること
によって、光部品と接続する際のアライメントの誤差を
小さくすることができるので、接続損失を小さくするこ
とができる。
によって、光部品と接続する際のアライメントの誤差を
小さくすることができるので、接続損失を小さくするこ
とができる。
【図１】本発明Ｎ×Ｍスプリッタ導波路素子である。
【図２】アライメント用導波路の導波路素子端面部分の
拡大図である。
拡大図である。
【図３】導波路素子の斜め研磨の方向を示す図である。
【図４】図１のＮ×Ｍスプリッタ導波路素子をウエハ上
に形成した状態を示す図である。
に形成した状態を示す図である。
【図５】導波路素子ブロックに切出す前の状態を示す図
である。
である。
【図６】切出した導波路素子ブロックを示す図である。
【図７】導波路素子ブロックから切断された個々の導波
路素子を示す図である。
路素子を示す図である。
【図８】従来のＮ×Ｍスプリッタ導波路素子である。
【図９】図８のＮ×Ｍスプリッタ導波路素子をウエハ上
に形成した状態を示す図である。
に形成した状態を示す図である。
１１ Ｎ×Ｍスプリッタ導波路素子 １２ 光回路 １３ アライメント用導波路 １４ アライメント用導波路 １５ Ｎポート側 １６ Ｍポート側 １７ ファイバアレイ １８ ファイバアレイ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡野 広明 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社オプトロシステム研究所内 (72)発明者 竹谷 則明 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社オプトロシステム研究所内
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に複数の導波路が分岐して多数の
導波路となるよう光回路を形成したＮ×Ｍスプリッタ導
波路素子において、ポート数が少ないＮポート側の導波
路素子幅をＭポート側の素子幅より細くして、素子の形
状を台形とすることを特徴としたＮ×Ｍスプリッタ導波
路素子。 - 【請求項２】 Ｎ×Ｍスプリッタ導波路素子の両ポート
側にファイバアレイを接続する際に、該ファイバアレイ
との光軸を調整するために使用するアライメント用導波
路を光回路以外の領域に設けたことを特徴とする請求項
１記載のＮ×Ｍスプリッタ導波路素子。 - 【請求項３】 アライメント用導波路が導波路素子側面
にほぼ平行であることを特徴とする請求項２記載のＮ×
Ｍスプリッタ導波路素子。 - 【請求項４】 アライメント用導波路の入出射部が、導
波路素子の端面と垂直になるように、アライメント用導
波路に曲がり導波路を設けたことを特徴とする請求項３
記載のＮ×Ｍスプリッタ導波路素子。 - 【請求項５】 導波路素子の端面が厚さ方向に８度斜め
研磨されていることを特徴とする請求項１ないし４記載
のＮ×Ｍスプリッタ導波路素子。 - 【請求項６】 複数の台形形状の導波路素子をウエハ基
板上に、それぞれの向きが互い違いになるように形成し
たことを特徴とするＮ×Ｍスプリッタ導波路素子の製造
方法。 - 【請求項７】 複数の台形形状の導波路素子をウエハ基
板上に、それぞれの台形の上辺と下辺が、一直線になる
よう形成し、その直線に沿って切断し、導波路素子の端
面を一括してその厚さ方向に斜め研磨し、導波路素子を
個別に切出すことを特徴とする請求項６記載のＮ×Ｍス
プリッタ導波路素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP335995A JPH08190028A (ja) | 1995-01-12 | 1995-01-12 | Ｎ×ｍスプリッタ導波路素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP335995A JPH08190028A (ja) | 1995-01-12 | 1995-01-12 | Ｎ×ｍスプリッタ導波路素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08190028A true JPH08190028A (ja) | 1996-07-23 |
Family
ID=11555162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP335995A Pending JPH08190028A (ja) | 1995-01-12 | 1995-01-12 | Ｎ×ｍスプリッタ導波路素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08190028A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100513013B1 (ko) * | 2002-07-09 | 2005-09-05 | 삼성전자주식회사 | 광파워 분할기 |
| KR100509511B1 (ko) * | 1997-11-06 | 2005-11-08 | 삼성전자주식회사 | 집적광학광파워분할기및그제조방법 |
| US7580597B2 (en) | 2004-07-02 | 2009-08-25 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical functional circuit |
| KR101119515B1 (ko) * | 2010-03-19 | 2012-02-28 | 우리로광통신주식회사 | 평판형 광소자 및 그 제조방법 |
-
1995
- 1995-01-12 JP JP335995A patent/JPH08190028A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100509511B1 (ko) * | 1997-11-06 | 2005-11-08 | 삼성전자주식회사 | 집적광학광파워분할기및그제조방법 |
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