KR101119515B1 - 평판형 광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

평판형 광소자 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101119515B1
KR101119515B1 KR1020100024578A KR20100024578A KR101119515B1 KR 101119515 B1 KR101119515 B1 KR 101119515B1 KR 1020100024578 A KR1020100024578 A KR 1020100024578A KR 20100024578 A KR20100024578 A KR 20100024578A KR 101119515 B1 KR101119515 B1 KR 101119515B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
disc
lead
substrate
original plate
optical device
Prior art date
Application number
KR1020100024578A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110105452A (ko
Inventor
박철희
김용완
신동선
임순호
Original Assignee
우리로광통신주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 우리로광통신주식회사 filed Critical 우리로광통신주식회사
Priority to KR1020100024578A priority Critical patent/KR101119515B1/ko
Publication of KR20110105452A publication Critical patent/KR20110105452A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101119515B1 publication Critical patent/KR101119515B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/03Constructional details of gas laser discharge tubes
    • H01S3/0315Waveguide lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/0231Stems
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

평판형 광소자 및 그 제조방법이 개시된다. 상기 평판형 광소자 및 그 제조방법은 광도파로의 입력단 외측 부위의 공간이 출력단 외측 부위의 공간 보다 좁은 사다리꼴 형태로 형성 및 제조된다. 그러므로, 재료가 상대적으로 적게 소요되어, 원가가 절감된다. 그리고, 원판(原版)의 상부클래드층에 원판(原版)의 리드를 접착하고, 절단하면 평판형 광소자가 제조되므로, 공정이 간단하고 에폭시가 적게 소요된다. 따라서, 원가가 더욱 절감된다. 그리고, 공정이 간단하므로, 불량율이 낮아진다.

Description

평판형 광소자 및 그 제조방법 {PLANAR OPTICAL ELEMENT AND FABRICATING METHOD THE SAME}
본 발명은 평판형 광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
광소자는 빛에너지를 전기에너지로 변환하는 소자로, 광분배기, 광결합기, 광다중화기 또는 광역다중화기 등이 있다.
도 1은 종래의 평판형 광소자의 사시도로써, 이를 설명한다.
도시된 바와 같이, 평판형 광소자는 상면에 광도파로(13)가 형성된 기판(11), 광도파(13)를 덮으면서 기판(11)의 상면에 형성된 클래드층(15), 클래드층(15)의 상면에 형성된 리드(Lid)(17)를 가지면서, 평면형상이 직사각형으로 형성된다.
그리고, 광도파로(13)는 입력단(13a)과 입력단(13a)에서 분기된 복수의 출력단(13b)을 가진다. 입력단(13a)의 수가 적으므로, 입력단(13a)의 상측(P1) 및 하측(P2)에 해당하는 기판(11)과 클래드층(15)과 리드(17)의 부위는 불필요하다.
그런데, 상기와 같은 종래의 평판형 광소자는 직사각형으로 형성되므로, 입력단(13a)의 상측(P1) 및 하측(P2)에 위치된 기판(11)과 클래드층(15)과 리드(17)의 부위가 불필요함에도 불구하고 존재한다. 따라서, 재료가 상대적으로 많이 소요되어 원가가 상승하는 단점이 있다.
또한, 종래의 평판형 광소자의 제조방법은 기판(11)에 클래드층(15)을 형성한 후, 소정 크기로 절단한 다음, 절단된 클래드층(15)에 에폭시를 도포하여 리드(17)를 클래드층(15)에 접착한다. 그 후, 기판(11)과 클래드층(15)과 리드(17)를 절단하여 원하는 평판형 광소자를 제조한다.
따라서, 클래드층(15)에 리드(17)를 접착하기 위한 공정이 상대적으로 복잡하고, 에폭시가 상대적으로 많이 소요되므로 원가가 더욱 상승하는 단점이 있다.
또한, 제조공정이 복잡하므로, 불량율이 상승할 우려가 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해소하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 원가를 절감할 수 있는 평판형 광소자 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 불량율을 감소시킬 수 있는 평판형 광소자 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 평판형 광소자는, 광이 입력되는 입력단과 상기 입력단에서 분기되며 광이 출력되는 복수의 출력단을 가지는 광도파로가 형성된 기판, 상기 기판에 형성된 클래드층, 상기 클래드층에 형성된 리드(Lid)를 구비하는 평판형 광소자에 있어서,
상기 기판과 상기 클래드층과 상기 리드는 상기 입력단측에서 상기 출력단측으로 갈수록 폭이 점점 넓어지는 형태로 상호 대응되게 형성된다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 평판형 광소자 제조방법은, 원판(原版)의 기판을 복수개 구획하고, 상기 구획부의 일측에 입력단이 위치되고 타측에 상기 입력단에서 분기된 복수의 출력단이 위치되게 광도파로를 각각 형성하는 단계;
상기 원판의 기판에 원판(原版)의 클래드층을 형성하는 단계; 상기 원판의 클래드층에 원판(原版)의 리드(Lid)를 접착하는 단계; 상기 원판의 기판과 상기 원판의 클래드층과 상기 원판의 리드를 상기 구획부의 형상으로 절단한다.
본 발명에 따른 평판형 광소자 및 그 제조방법은 광도파로의 입력단 외측 부위의 공간이 출력단 외측 부위의 공간 보다 좁은 사다리꼴 형태로 형성 및 제조된다. 그러므로, 재료가 상대적으로 적게 소요되어, 원가가 절감된다.
그리고, 원판(原版)의 클래드층에 원판(原版)의 리드를 접착하고 절단하면 평판형 광소자가 제조되므로, 공정이 간단하고 에폭시가 적게 소요된다. 따라서, 원가가 더욱 절감된다.
그리고, 공정이 간단하므로, 불량율이 낮아진다.
도 1은 종래의 평판형 광소자의 사시도.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 평판형 광소자의 사시도.
도 2b는 도 2a의 평면도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 평판형 광소자의 제조방법을 보인 도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 평판형 광소자 및 그 제조방법을 상세히 설명한다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 평판형 광소자의 사시도이고, 도 2b는 도 2a의 평면도이다.
도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 평판형 광소자는 기판(110), 클래드층(130), 리드(Lid)(140)를 가진다.
기판(110)은 실리카(SiO2)인 석영(Quartz)으로 마련되며, 상면에는 광신호를 전송하는 광도파로(120)가 형성된다. 광도파로(120)는 광이 입력되는 입력단(121)과 입력단(121)에서 분기되며 광이 출력되는 복수개의 출력단(125)을 가진다. 이때, 입력단(121)은 하나 또는 복수개 형성될 수 있다. 그리고, 출력단(125)은 각각의 입력단(121)에서 분기되어 각각 복수개 형성된다.
클래드층(130)은 기판(110)의 상면에 형성되어 광도파로(120)를 덮어서 보호하며, 클래드층(130)의 상면에는 클래드층(130)을 보호하는 리드(140)가 접착된다.
광도파로(120)의 출력단(125)의 개수는 입력단(121)의 개수보다 많다. 따라서, 입력단(121)측의 폭방향 외측 공간은 출력단(125)측의 폭방향 외측 공간 보다 좁아도 무방하다.
본 실시예예 따른 평판형 광소자는 기판(110)과 클래드층(130)과 리드(140)가 광도파로(120)의 입력단(121)측에서 출력단(125)측으로 갈수록 폭이 점점 넓어지는 형태로 형성되며, 상호 대응되게 형성된다.
즉, 기판(110)과 클래드층(130)과 리드(140)의 폭방향 일측면 및 타측면은 각각 입력단(121)측에서 출력단(125)측으로 갈수록 각각의 폭방향 중심을 통과하는 중심선에 대하여 경사지게 형성된다. 더 구체적으로는, 기판(110)과 클래드층(130)과 리드(140)의 폭방향 일측면 및 타측면은 각각의 폭방향 중심을 통과하는 중심선을 기준으로 선대칭을 이룬다. 그리하여, 기판(110)과 클래드층(130)과 리드(140)는 각각 대략 사다리꼴 형상으로 형성된다.
그러면, 기판(110)과 클래드층(130)과 리드(140)의 입력단(121)측의 폭방향 외측 공간이 상대적으로 줄어들므로, 원가가 절감된다.
기판(110)과 클래드층(130)과 리드(140)의 폭방향 일측면 및 타측면은 각각의 폭방향 중심을 통과하는 중심선과 각각 2°~12°경사진 것이 바람직하다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 평판형 광소자의 제조방법을 보인 도로써, 이를 설명한다.
도시된 바와 같이, 단계(S110)에서는 원판(原版)의 기판(210)을 마련한다. 단계(S120)에서는 원판의 기판(210)을 사다리꼴 형태로 복수개 구획한 후, 각각의 상기 구획부의 상면에 광도파로(220)를 형성된다.
각각의 상기 구획부에 형성되는 광도파로(220)는 입력단(221)과 출력단(225)을 가진다. 입력단(221)의 하나 또는 복수개 형성될 수 있고, 출력단(225)은 각 입력단(221)에서 분기되어 복수개로 형성된다.
원판의 기판(210)의 상기 각 구획부는 연속적으로 형성되며, 개수가 적은 광도파로(220)의 입력단(221)측은 원판의 기판(210)의 상기 각 구획부의 폭이 좁은측에 형성되고, 개수가 많은 광도파로(220)의 출력단(225)측은 원판의 기판(210)의 상기 각 구획부의 폭이 넓은측에 형성된다. 따라서, 원판의 기판(220)의 상기 각 구획부에 형성되어 상호 인접하는 어느 하나의 광도파로(220)의 입력단(221) 및 출력단(225)은 다른 하나의 광도파로(220)의 입력단(221) 및 출력단(225)과 각각 반대방향을 향한다.
단계(S130)에서는 원판의 기판(210)의 상면에 클래드층(230)을 형성하고, 단계(S140)에서는 원판의 클래드층(230)에 원판(原版)의 리드(Lid)(240)를 접착한다.
원판의 리드(240)를 원판의 클래드층(230)에 접착하는 방법을 상세히 설명한다.
원판의 리드(240)를 고정한 상태에서, 원판의 클래드층(230) 상면 복수 부위에 에폭시를 도포하고, 원판의 클래드층(230)을 원판의 리드(240) 측으로 상승시킨다. 그후, 원판의 클래드층(230)이 원판의 리드(240)에 접촉되려는 순간, 원판의 클래드층(230)과 원판의 리드(240) 사이의 공간을 진공으로 빨아들인다. 그러면, 원판의 클래드층(230)과 원판의 리드(240) 사이에 존재하는 기포들이 효과적으로 제거된다. 이후, 원판의 리드(240)의 전체면을 원판의 클래드층(230)측으로 압착하여 접착한다.
그후, 단계(S150)에서는 원판의 기판(210)과 원판의 클래드층(230)과 원판의 리드(240)를 원판의 기판(210)의 상기 구획부의 형상으로 절단한다.
본 실시예에 따른 평판형 광소자 제조방법은 광도파로(220)의 입력단(221) 외측 부위의 공간이 출력단(225) 외측 부위의 공간 보다 좁으므로, 재료가 상대적으로 적게 소요된다. 따라서, 원가가 절감된다.
그리고, 원판의 클래드층(230)에 원판의 리드(240)를 접착한 후, 절단하면 평판형 광소자가 제조된다. 그러므로, 공정이 간편되고, 에폭시가 적게 소요되어, 원가가 더욱 절감된다.
그리고, 공정이 간단하므로, 불량율이 낮아진다.
이상에서는, 본 발명의 일 실시예에 따라 본 발명을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 변경 및 변형한 것도 본 발명에 속함은 당연하다.
110 : 기판 120 : 광도파로
130 : 클래드층 140 : 리드

Claims (9)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 원판(原版)의 기판을 복수의 구획부로 구획하고, 상기 구획부의 일측에 입력단이 위치되고 타측에 상기 입력단에서 분기된 복수의 출력단이 위치되게 광도파로를 각각 형성하는 단계;
    상기 원판의 기판에 원판(原版)의 클래드층을 형성하는 단계;
    상기 원판의 클래드층에 원판(原版)의 리드(Lid)를 접착하는 단계;
    상기 원판의 기판과 상기 원판의 클래드층과 상기 원판의 리드를 상기 구획부의 형상으로 절단하는 단계를 포함하며,
    상기 원판의 클래드층에 상기 원판의 리드를 접착할 때,
    상기 원판의 클래드층 복수 부위에 에폭시를 도포하고, 상기 원판의 클래드층과 상기 원판의 리드 사이에 존재하는 기포를 진공으로 빨아들여 제거한 후, 상기 원판의 리드의 전체면을 상기 원판의 클래드층측에 압착하여 접착하는 것을 특징으로 하는 평판형 광소자 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 원판의 기판의 상기 구획부는 사다리꼴 형태로 형성되고,
    상기 광도파로의 입력단은 상기 구획부의 폭이 좁은측에 위치되고 상기 광도파로의 출력단은 상기 구획부의 폭이 넓은측에 위치된 것을 특징으로 하는 평판형 광소자 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 구획부에 각각 형성되어 상호 인접하는 어느 하나의 상기 광도파로의 상기 입력단 및 상기 출력단은 다른 하나의 상기 광도파로의 상기 입력단 및 상기 출력단과 각각 반대방향을 향하는 것을 특징으로 하는 평판형 광소자 제조방법.
  9. 삭제
KR1020100024578A 2010-03-19 2010-03-19 평판형 광소자 및 그 제조방법 KR101119515B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100024578A KR101119515B1 (ko) 2010-03-19 2010-03-19 평판형 광소자 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100024578A KR101119515B1 (ko) 2010-03-19 2010-03-19 평판형 광소자 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110105452A KR20110105452A (ko) 2011-09-27
KR101119515B1 true KR101119515B1 (ko) 2012-02-28

Family

ID=44955789

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100024578A KR101119515B1 (ko) 2010-03-19 2010-03-19 평판형 광소자 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101119515B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08190028A (ja) * 1995-01-12 1996-07-23 Hitachi Cable Ltd N×mスプリッタ導波路素子及びその製造方法
JP2002250826A (ja) 2001-02-22 2002-09-06 Nec Corp チップ、チップの製造方法およびチップ収容モジュール
JP2004295019A (ja) * 2003-03-28 2004-10-21 Nhk Spring Co Ltd 光導波回路部品及びその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08190028A (ja) * 1995-01-12 1996-07-23 Hitachi Cable Ltd N×mスプリッタ導波路素子及びその製造方法
JP2002250826A (ja) 2001-02-22 2002-09-06 Nec Corp チップ、チップの製造方法およびチップ収容モジュール
JP2004295019A (ja) * 2003-03-28 2004-10-21 Nhk Spring Co Ltd 光導波回路部品及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110105452A (ko) 2011-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108957880B (zh) 阵列基板、显示面板及其制作方法
US9417412B2 (en) Arrangement for placement and alignment of opto-electronic components
US20200241202A1 (en) Silicon photonics platform with integrated oxide trench edge coupler structure
WO2014196251A1 (ja) 光電気混載モジュール
KR101119515B1 (ko) 평판형 광소자 및 그 제조방법
JP7346876B2 (ja) 光導波路素子
JP4703441B2 (ja) 光導波路素子および光電気混載素子
CN112558217A (zh) 一种电光器件及其制造方法
JP7185165B2 (ja) 光導波路チップ
WO2014203635A1 (ja) 光電気混載モジュール
US7505661B2 (en) Optical waveguide, package board having the same, and manufacturing method thereof
JP2016018147A (ja) ミラー付き光回路及びミラー付き光回路の製造方法
CN108133668A (zh) 一种基板的制备方法、基板及终端
KR20040048581A (ko) 광섬유 어레이
US11740491B2 (en) Optical module and manufacturing method thereof
WO2023188311A1 (ja) 光導波路素子及びそれを用いた光変調デバイス並びに光送信装置
WO2022206885A1 (zh) 一种耦合封装结构及耦合方法
KR200447546Y1 (ko) 산화막구조를 갖는 평판광도파로 소자용 실리콘 광섬유 어레이
JP5458138B2 (ja) 光回路
JP2003084151A (ja) 光デバイス
KR20140125001A (ko) 다층기판형 광섬유 어레이
JP3798379B2 (ja) 光モジュール、及びその製造方法
JP2008020715A (ja) 光導波路およびその製造方法
JP5718388B2 (ja) 電極基板および光モジュール
WO2013176135A1 (ja) 光路変換器、及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150213

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200217

Year of fee payment: 9