JP5718388B2 - 電極基板および光モジュール - Google Patents

Description

本発明は、光導波路回路を支持するための電極基板、および該電極基板を含む光モジュールに関するものである。

近年研究開発が盛んに行われている光ネットワークにおいては、光信号に対して電気信号に変換せずにスイッチング等のネットワーク処理を行う光導波路回路が用いられる。

一般的な光導波回路は、光導波路と、該光導波路を流れる光信号の処理を行うための処理回路（例えば、ヒータ）とを備えており、該処理回路に電力を供給するための電極基板に接続される。従来、特許文献１に記載されているように、光導波路回路は導電性のワイヤを介して電極基板に接続される。このような接続方式をワイヤボンディングという。

図１０（ａ）および（ｂ）は、ワイヤボンディングの接続状態を説明するための斜視図および断面図である。電極基板９２０は、上面に光導波路回路９１０を支持するための支持面と、下面に他の基板に電気的に接続するための少なくとも１本の電極端子９２４とを有する。光導波路回路９１０は内部に少なくとも１本の光導波路９１１を有しており、各光導波路９１１の両端は光導波路回路９１０の側面において外部に露出している。光導波路９１１は光導波路回路９１０の上面に沿って延在しており、光導波路９１１の近傍には不図示の処理回路が設けられている。光導波路回路９１０が電極基板９２０の上面に支持されている状態において、光導波路回路９１０の該処理回路は、電極基板９２０にワイヤ９９０によって電気的に接続されている。

ファイバアレイ９３０は、少なくとも１本の光ファイバ９３３と、光ファイバ９３３を固定するためのファイバ固定部９３４とを有する。ファイバアレイ９３０は、各光ファイバ９３３が光導波路９１１に接続されるように、光導波路回路９１０の側面に接続される。

特開平６−１４８６９８号公報

しかしながら、ワイヤボンディングは、高速化や集積化を目的として多数の光導波路を組み込んだ光導波路回路に用いることには適していない。例えば、入出力がそれぞれ３２チャンネルの光導波路回路では、約２千個の電極が必要となる。それらを一本ずつワイヤで電極基板に接続するためには大きな時間を要し、また微小な回路では接続自体が困難である。

一方、ワイヤボンディングに代わる接続方式として、接続する２つの基板のうち一方の基板の表面に導電性のバンプ（突起部）を設け、該一方の基板の該バンプが設けられた表面を他方の基板に接触させて固定することにより、該２つの基板を電気的に接続するフリップチップボンディングが知られている。図１０（ｃ）は、フリップチップボンディングの接続状態を説明するための断面図である。図１０（ｃ）において、光導波路９１１は光導波路回路９１０の下面に沿って延在しており、光導波路９１１の近傍には不図示の処理回路が設けられている。光導波路回路９１０の該処理回路は、光導波路回路下面に設けられた不図示のバンプを介して電極基板９２０に電気的に接続されている。

フリップチップボンディングは、電極数が多くても短時間でかつ容易に接続を行うことができるため、多チャンネルかつ微小な回路にも適用可能である。しかしながら、単純に電極基板９２０と光導波路回路９１０との接続にフリップチップボンディングを適用すると、新たな問題が生じる。図１０（ｃ）に示すように、入出力のチャンネル数が多い場合等、電極基板９２０のサイズが光導波路回路９１０よりも大きくなることがある。また、一般的に、ファイバアレイ９３０はファイバ固定部９３４において所定の厚みを持っている。そのため、特に光導波路９１１が電極基板９２０の近くに位置する必要があるフリップチップボンディングでは、ファイバアレイ９３０は電極基板９２０に衝突（干渉）するため、接続ができない。また、ワイヤボンディングであっても、光導波路回路９１０、電極基板９２０およびファイバアレイ９３０の大きさ、または光導波路９１１および光ファイバ９３３の位置によっては、ファイバアレイ９３０と電極基板９２０との衝突が問題になる場合がある。

本発明は、光導波路回路を支持するための基板であって、該光導波路回路に接続されるファイバアレイとの干渉を抑えることが可能な基板、および該基板を含む光モジュールを提供することを目的とする。

本発明の一態様は、ファイバアレイが接続される光導波路回路を支持するための基板であって、前記ファイバアレイと前記光導波路回路との接続部分に対応する位置に切り欠き部を備えることを特徴とする。

本発明に係る基板は、ファイバアレイと光導波路回路との接続部分に対応する位置に切り欠き部を有しているため、光導波路回路に接続されるファイバアレイに基板が干渉することを抑えることができる。

第１の実施形態に係る光モジュールの斜視図である。 第１の実施形態に係る電極基板の上面図である。 第１の実施形態に係る電極基板の断面図である。 第１の実施形態に係る電極基板の断面図である。 第１の実施形態に係る電極基板の他の形状を示す上面図である。 第１の実施形態に係る電極基板の他の形状を示す上面図である。 第１の実施形態に係る電極基板の他の形状を示す上面図である。 第２の実施形態に係る電極基板の上面図および断面図である。 第３の実施形態に係る光モジュールの斜視図である。 電極基板と光導波路回路との接続状態を説明するための斜視図および断面図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明するが、本発明は本実施形態に限定されるものではない。なお、以下で説明する図面で、同機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略することもある。

（第１の実施形態）
図１は、本実施形態に係る光モジュール１の斜視図である。光モジュール１は、光信号の導波および処理を行うための光導波路回路１０と、光導波路回路１０への電力供給経路を有する電極基板２０と、光導波路回路１０に接続され、光モジュール１の外部から光信号を入力し、処理後の光信号を光モジュール１の外部へ出力するためのファイバアレイ３０とを備える。電極基板２０には、電極基板２０を介して光導波路回路１０に電力を供給するための制御基板４０が接続される。

制御基板４０は、所定厚を有する板状をなし、電極基板２０を介して光導波路回路１０に電力を供給し、光導波路回路１０における光信号に対するネットワーク処理を制御する。すなわち、制御基板４０は、光導波路回路１０に供給すべき電力の量やタイミングを決定し、該決定にしたがって電極基板２０を介して光導波路回路１０に電力を供給する。制御基板４０は、ＣＰＵ、メモリ、記憶装置、センサ等、制御に必要な任意の構成を有する。制御基板４０をコンピュータに接続し、制御基板４０は該コンピュータを介したユーザからの入力にしたがって光信号に対するネットワーク処理を制御するように構成してもよい。また、制御基板４０は、制御パターンを予めプログラムとしてメモリまたは記憶装置内に記録しておき、該制御パターンにしたがって自動的に光信号に対するネットワーク処理を制御するように構成してもよい。

制御基板４０の上面には、電極基板２０が支持される。図２（ａ）は電極基板２０の上面図であり、図２（ｂ）は光導波路回路１０を支持している状態の電極基板２０の上面図である。図３（ａ）は、電極基板２０の断面図であり、図２（ｂ）のＡ−Ａ’線における断面を表している。図３（ｂ）は、電極基板２０の断面図であり、図２（ｂ）のＢ−Ｂ’線における断面を表している。

電極基板２０は、所定厚を有する板状をなし、表面の一部に光導波路回路１０を支持するための光導波路支持面２５を有する。電極基板２０の表面上で光導波路支持面２５に隣接する位置に、基板が板厚方向に切り抜かれることにより形成される２箇所の切り欠き部２１が形成されている。そのため、電極基板２０の上面形状は、略Ｈ字型をなしている。電極基板２０は、任意の材料を用いて形成され、材料としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム等のセラミック材料や、ＰＣＢ等の有機材料が好適に用いられる。電極基板２０は、制御基板４０から光導波路回路１０への電力供給経路となる電気回路（不図示）を有している。電気回路は、少なくとも光導波路回路１０に接続される部分が外部に露出されていれば、電極基板２０の内部に設けられてもよく、また電極基板２０の表面に設けられてもよい。

電極基板２０の下面には、電極基板２０の電気回路を制御基板４０に電気的に接続するための電極端子２４が設けられている。本実施形態では電極端子２４はピン状の形状であるが、制御基板４０と導通可能であればボール状やバンプ状等、任意の形状でよい。

電極基板２０の光導波路支持面２５上には、光導波路回路１０が支持される。光導波路回路１０は、所定厚を有する板状をなし、少なくとも１本の光導波路１１と、光導波路１１を取り囲むクラッド部を備えている。光導波路１１は、光信号を導波するための伝送路であり、クラッド部よりも屈折率が高い材料で形成されている。このような構成により、光導波路１１がコアとして働き、光信号が導波される。クラッド部および光導波路１１の材料としては、例えば、石英、シリコン、ポリマー、ＩｎＰなどの化合物半導体、誘電体等の光が透過可能な材料が用いられ、また該材料には屈折率を調整するための添加剤が加えられてもよい。

光導波路回路１０は、さらに光導波路１１を通る光信号に対してスイッチングや変調等のネットワーク処理を行うための処理回路（不図示）を有する。処理回路は、少なくとも電極基板２０に接続される部分が外部に露出されていれば、光導波路回路１０の内部に設けられてもよく、また光導波路回路１０の表面に設けられてもよい。処理回路としては、熱光学効果（ＴＯ効果）によるスイッチングを行うために光導波路１１を加熱するヒータや、電気光学効果（ＥＯ効果）によるスイッチングを行うために光導波路１１に電場を印加する電極など、電気を用いて光導波路１１を通る光信号に対するネットワーク処理を行うことが可能な任意の構成を用いることができる。

光導波路回路１０は、例えば、光スイッチである。また、光導波路回路１０は、半導体光増幅器（ＳＯＡ）等、一部に半導体を用いて光信号へのネットワーク処理を行う回路でもよい。

光導波路回路１０には、ファイバアレイ３０が接続される。ファイバアレイ３０は、少なくとも１本の光ファイバ３３と、光ファイバ３３を固定するためのファイバ固定部３４とを有する。ファイバ固定部３４の材料としては、例えば、強化ガラス、テンパックスフロート（登録商標）、ＰＹＲＥＸ（登録商標）等が用いられる。ファイバアレイ３０の各光ファイバ３３と、光導波路回路１０における該光ファイバ３３の接続対象の各光導波路１１とが１対１で接続されるように、ファイバアレイ３０は光導波路回路１０に接続される。

光導波路回路１０は、フリップチップボンディングによって電極基板２０に接続されている。すなわち、光導波路回路１０の下面および電極基板２０の上面の少なくとも一方に導電性のバンプ（突起部）が設けられており、該バンプを介して光導波路回路１０の処理回路と電極基板２０の電気回路とが電気的に接続されている。

ファイバアレイ３０が接続されている光導波路回路１０が電極基板２０に支持されている状態において、電極基板２０の切り欠き部２１は、光導波路回路１０とファイバアレイ３０との接続部分の下に位置する。すなわち、電極基板２０の切り欠き部２１は、光導波路回路１０が電極基板２０に支持されていない状態においては、光導波路回路１０とファイバアレイ３０との接続部分に対応する位置に設けられているといえる。

切り欠き部２１の内面は、光導波路回路１０に接続されるファイバアレイ３０の端面３１に対向する第１の面２２と、端面３１に隣接するファイバアレイ３０の側面３２に対向する第２の面２３とからなる。第１の面２２と端面３１とは所定の距離に位置する、すなわち、第１の面２２と端面３１とは接触または離間するように構成されている。また、第２の面２３と側面３２とは離間するように構成されている。

本実施形態では直方体状の切り欠き部２１について第１の面２２および第２の面２３を規定し、直方体状のファイバアレイ３０（ファイバ固定部３４）について端面３１および側面３２を規定している。切り欠き部２１およびファイバアレイ３０はこの形状に限定されるものではなく、例えば切り欠き部２１およびファイバアレイ３０が曲面からなる形状であってもよい。そのような場合であっても、ファイバアレイ３０が接続されている光導波路回路１０が電極基板２０に支持されている状態において、切り欠き部２１の内面が、ファイバアレイの外表面と接触または離間するように設けられていればよい。

本実施形態によれば、電極基板２０において光導波路回路１０とファイバアレイ３０との接続部分に対応する位置に切り欠き部２１が設けられているため、電極基板２０がファイバアレイ３０に干渉することを抑えることができる。

一般的に、電極基板２０が有する電極端子２４同士は互いに接触しないよう離れている必要があるため、単純に電極端子２４同士を近づけて電極基板２０の面積を縮小することによって、電極基板２０とファイバアレイ３０との干渉を防ぐことは難しい。また、電極基板２０の面積を確保するために、電極基板２０をファイバアレイ３０の接続方向には短く、該接続方向に垂直な方向には長い長方形状にすることも考えられるが、そのような長細い形状は基板の反りが発生しやすいため好ましくない。それに対して、本実施形態では、電極基板２０を正方形に近い形状とすることによって基板の反りの発生を抑制できると同時に、切り欠き部２１以外の部分を広げることによって所望の数の電極端子２４を配置するために必要な面積を確保することができる。特に基板の反りの発生を抑制するために、電極基板２０の上面において、ある方向の長さに対する、該方向に垂直な方向の長さの比は、１．５以下であることが望ましい。

例えば、本実施形態の入出力がそれぞれ３２×３２チャンネルであり、電極端子２４をピン状の形状とした場合、光導波路回路１０の大きさは約２０ｍｍ角であり、電極基板２０の大きさは、ファイバアレイ３０と平行な方向の長さが約９０ｍｍ、垂直な方向が約９０ｍｍである。
なお、電極端子２４は、隣接する電極端子２４同士を繋ぐ線が三角形となる千鳥配置とし、電極端子２４間の間隔は、隣接する電極端子２４がなす三角形のうち２辺が１．２７ｍｍ、一辺が２．５４ｍｍとした。また、電極端子２４の数は約２０８０個とした。

また、例えば、入出力がそれぞれ８×８チャンネルであり、電極端子２４をピン状の形状とした場合、光導波路回路１０の大きさは約１０ｍｍ角の４ｍｍ×９ｍｍ程度であり、電極基板２０の大きさは、ファイバアレイ３０と平行な方向の長さが約３０ｍｍ、垂直な方向が約２７ｍｍとなる。
なお、電極端子２４は、隣接する電極端子２４同士を繋ぐ線が三角形となる千鳥配置とし、電極端子２４間の間隔は、隣接する電極端子２４がなす三角形のうち２辺が１．２７ｍｍ、一辺が２．５４ｍｍとした。また、電極端子２４の数は約１４０個とした。

光導波路回路１０とファイバアレイ３０との接続作業時には、光導波路１１と光ファイバ３３とを正確に位置合わせするために、光導波路回路１０のファイバアレイ３０側の側面１２付近の光導波路１１が、光導波路回路１０の法線方向から視認できるとよい。しかしながら、第１の面２２が端面３１と接触する、すなわち図３（ｂ）の距離Ｓがゼロになるように構成されると、第１の面２２と側面１２とが揃った状態となるため、側面１２付近の光導波路１１が電極基板２０に完全に隠れてしまう。したがって、接続作業を容易にする面からは、第１の面２２と端面３１とは、第１の面２２と端面３１との間の隙間から光導波路１１が視認できる程度の距離Ｓだけ離間していることが、より好ましい。

ファイバアレイ３０と光導波路回路１０との接続作業時には、光導波路１１と光ファイバ３３との軸合わせのために、ファイバアレイ３０をファイバアレイ３０中の光信号の進行方向を軸として回転させる場合がある。そのため、ファイバアレイ３０が電極基板２０の第２の面２３に２方向から挟まれている構成の場合には、ファイバアレイ３０は光信号の進行方向を軸として回転しても第２の面２３に接触しないように構成されることが望ましい。図４（ａ）および（ｂ）は、電極基板２０およびファイバアレイ３０の断面図であり、図２（ｃ）のＣ−Ｃ’線における断面を表している。ここで、ファイバアレイ３０中の光信号の進行方向に垂直な断面において、ファイバアレイ３０の最大長（最大断面長という）をＬとし、電極基板２０の２つの第２の面２３の間の距離をＷとする。このような定義において、Ｗ＞Ｌとなるように電極基板２０およびファイバアレイ３０を構成すると、図４（ｂ）のようにファイバアレイ３０が光信号の進行方向を軸として回転しても第２の面２３に接触しないため、好ましい。

本実施形態に係る電極基板２０を用いると、電極基板２０およびファイバアレイ３０の固定強度を向上させることが可能になる。図４（ｃ）は、電極基板２０およびファイバアレイ３０の断面図であり、図２（ｃ）のＣ−Ｃ’線における断面を表している。電極基板２０の第２の面２３とファイバアレイ３０の側面３２との間には固定材として樹脂等からなる接着剤５０が充填されており、接着剤５０によって電極基板２０とファイバアレイ３０とが固定される。このような構成により、電極基板２０とファイバアレイ３０とを大きな面積で固定することができるため、従来よりも固定強度を向上させることができる。固定材としては、接着剤に限らず、電極基板２０とファイバアレイ３０とを固定可能な任意のものを用いてよい。なお、ファイバアレイ３０の側面３２と第２の面２３とが大きく離れてしまうと接着剤５０による接着強度が低下する場合があるため、ファイバアレイ３０を２つの第２の面２３の間で回転可能にすると同時に、ファイバアレイ３０の側面３２と第２の面２３との間の接着強度を向上させるためには、Ｌ＜Ｗ＜Ｌ＋２ｍｍとなるように電極基板２０およびファイバアレイ３０を構成することがより望ましい。

本実施形態に係る電極基板２０は、上述の形状に限定されず、光導波路回路１０とファイバアレイ３０との接続部分に対応する位置に切り欠き部２１が設けられている任意の形状でよい。すなわち、切り欠き部２１が電極基板２０の表面上において光導波路支持面２５の周囲の少なくとも一部に隣接する位置に設けられており、ファイバアレイ３０が切り欠き部２１内に位置するように構成すればよい。図５（ａ）〜（ｄ）は他の形状を有する電極基板２０の上面図であり、図６（ａ）〜（ｄ）は光導波路回路１０を支持している状態の図５（ａ）〜（ｄ）のそれぞれの電極基板２０の上面図である。

図５（ａ）および図６（ａ）に示す電極基板２０においては、光導波路支持面２５上に支持される光導波路基板１０について、入力用のファイバアレイ３０が接続される面と出力用のファイバアレイ３０が接続される面とが同一平面上に位置するように構成されており、１つの切り欠き部２１が２つのファイバアレイ３０の接続部分の下に位置するように設けられている。図５（ｂ）および図６（ｂ）に示す電極基板２０においては、光導波路支持面２５上に支持される光導波路基板１０について、入力用のファイバアレイ３０が接続される面と出力用のファイバアレイ３０が接続される面とが同一平面上に位置するように構成されており、２つの切り欠き部２１がそれぞれ１つのファイバアレイ３０の接続部分の下に位置するように設けられている。図５（ｃ）および図６（ｃ）に示す電極基板２０においては、２つの切り欠き部２１が電極基板２０の角部に設けられており、２つの切り欠き部２１がそれぞれ１つのファイバアレイ３０の接続部分の下に位置するように設けられている。図５（ｄ）および図６（ｄ）に示す電極基板２０においては、光導波路支持面２５上に支持される光導波路基板１０について、入力用のファイバアレイ３０中の光信号の進行方向と出力用のファイバアレイ３０中の光信号の進行方向とが互いに垂直な２方向となるように構成されており、２つの切り欠き部２１がそれぞれ１つのファイバアレイ３０の接続部分の下に位置するように設けられている。

本実施形態は、入力用の光ファイバおよび出力用の光ファイバの両方を１つに束ねたファイバアレイを用いる場合にも適用できる。図７は、入出力を兼ねる１つのファイバアレイ３０が接続されている光導波路回路１０を支持している状態の図５（ａ）の電極基板２０の上面図である。図７に示す電極基板２０は、その上に支持される光導波路基板１０に単一のファイバアレイ３０が接続されるように構成されており、１つの切り欠き部２１がファイバアレイ３０の接続部分の下に位置するように設けられている。

ここに示した電極基板２０の形状は一例であり、電極基板２０は本発明に係る効果が得られる限り任意の形状でよい。例えば、切り欠き部に代えて、電極基板２０表面において、ファイバアレイと光導波路回路との接続部分に対応する位置に貫通孔または凹部を形成してもよい。該貫通孔または凹部の内面をファイバアレイの外表面から所定距離隔てて形成することにより、ファイバアレイと光導波路回路との干渉を回避することができる。

図１において、光モジュール１の各構成部材は外部に露出しているが、光導波路回路１０とファイバアレイ３０との接続部分および光導波路回路１０と電極基板２０との接続部分を覆うように樹脂を用いて封止してもよい。また、光導波路回路１０全体を覆うように樹脂を用いて封止してもよい。

（第２の実施形態）
第１の実施形態では、電極端子は電極基板の下面に設けられているが、該下面に隣接する側面に設けられてもよい。図８（ａ）は、本実施形態に係る電極基板２０の上面図である。図８（ｂ）は、電極基板２０の断面図であり、図８（ａ）のＤ−Ｄ’線における断面を表している。本実施形態においては、第１の実施形態と同様に切り欠き部２１を有するが、電極端子２４が電極基板２０の側面に設けられている点で異なる。図８（ａ）では電極基板２０の１つの側面に電極端子２４が設けられているが、ファイバアレイの接続を阻害しない位置であれば電極基板２０の１つ以上の側面に設けられてよい。本実施形態によれば、第１の実施形態と同様に、電極基板２０において光導波路回路とファイバアレイとの接続部分に対応する位置に切り欠き部２１が設けられているため、電極基板２０がファイバアレイに干渉することを抑えることができる。

（第３の実施形態）
本発明は、光導波路回路と制御基板とを直接フリップチップボンディングによって接続する光モジュールにも適用できる。この場合にも、制御基板は光導波路回路よりも大きくなることがあるため、ファイバアレイを光導波路回路に接続する際に、ファイバアレイが制御基板に衝突するという問題が生じる。一方、制御基板が有する制御回路を縮小することには限界がある。このような場合であっても、本実施形態に係る制御基板を用いることによって、制御回路の実装に必要な面積を確保しつつファイバアレイの接続が可能になる。

図９（ａ）は、本実施形態に係る光モジュール１００の斜視図である。光モジュール１００は、光信号の導波および処理を行うための光導波路回路１１０と、光導波路回路１１０に接続され、光モジュール１００の外部から光信号を入力し、処理後の光信号を光モジュール１００の外部へ出力するためのファイバアレイ１３０と、光導波路回路１１０に電力を供給するための制御基板１４０とを備える。光導波路回路１１０は、制御基板１４０の上面に支持されている。

図９（ｂ）は制御基板１４０の上面図であり、図９（ｃ）は光導波路回路１１０を支持している状態の制御基板１４０の上面図である。制御基板１４０は、第１の実施形態の制御基板４０と機能および材料において共通であるが、形状は図２〜７に示す第１の実施形態の電極基板２０に対応する。

制御基板１４０は、所定厚を有する板状をなし、表面の一部に光導波路回路１１０を支持するための光導波路支持面１４５を有する。制御基板１４０の表面上で光導波路支持面１４５に隣接する位置に、基板が板厚方向に切り抜かれることにより形成される２箇所の切り欠き部１４１を有する。そのため、制御基板１４０の上面形状は、略Ｈ字型をなしている。

ファイバアレイ１３０が接続されている光導波路回路１１０が制御基板１４０に支持されている状態において、制御基板１４０の切り欠き部１４１は、光導波路回路１１０とファイバアレイ１３０との接続部分の下に位置する。すなわち、制御基板１４０の切り欠き部１４１は、光導波路回路１１０が制御基板１４０に支持されていない状態においては、光導波路回路１１０とファイバアレイ１３０との接続部分に対応する位置に設けられているといえる。

切り欠き部１４１の内面は、光導波路回路１１０に接続されるファイバアレイ１３０の端面１３１に対向する第１の面１４２と、端面１３１に隣接するファイバアレイ１３０の側面１３２に対向する第２の面１４３とからなる。第１の面１４２と端面１３１とは所定の距離に位置する、すなわち、第１の面１４２と端面１３１とは接触または離間するように構成されている。また、第２の面１４３と側面１３２とは離間するように構成されている。

本実施形態によれば、制御基板１４０において光導波路回路１１０とファイバアレイ１３０との接続部分に対応する位置に切り欠き部１４１が設けられているため、制御基板１４０がファイバアレイ１３０に干渉することを抑えることができる。

本発明は、上述の実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。

本明細書では光導波路回路を支持するための基板の一例として電極基板および制御基板の形状について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、光導波路回路を支持するための任意の基板に適用することができる。

１、１００ 光モジュール
１０、１１０ 光導波路回路
１１ 光導波路
１２ 光導波路回路の側面
２０ 電極基板
２１、１４１ 切り欠き部
２２、１４２ 第１の面
２３、１４３ 第２の面
２４ 電極端子
２５、１４５ 光導波路支持面
３０、１３０ ファイバアレイ
３１、１３１ ファイバアレイの端面
３２、１３２ ファイバアレイの側面
３３ 光ファイバ
３４ ファイバ固定部
４０、１４０ 制御基板
５０ 接着剤（固定材）

Claims (6)

1. 光導波路を備える光導波路回路と、
   前記光導波路回路を支持する基板と、
   端部にファイバ固定部を有し、前記光導波路回路に接続されているファイバアレイと、
   を備え、
   前記光導波路回路は、フリップチップボンディングによって前記基板に接続されており、
   前記基板は、前記光導波路回路が支持される面に対向する面に電極端子を有するとともに、前記ファイバアレイと前記光導波路回路との接続部分に対応する位置に切り欠き部を備え、
   前記ファイバ固定部は、前記光導波路回路と前記ファイバアレイとが接続されている状態において、前記切り欠き部に位置するとともに、前記光導波路回路よりも前記基板側に突き出す厚さを有することを特徴とする光モジュール。
2. 光導波路を備える光導波路回路と、
   前記光導波路回路を支持する基板と、
   端部にファイバ固定部を有し、前記光導波路回路に接続されているファイバアレイと、
   を備え、
   前記光導波路回路は、フリップチップボンディングによって前記基板に接続されており、
   前記基板は、前記光導波路回路が支持される面に隣接する面に電極端子を有するとともに、前記ファイバアレイと前記光導波路回路との接続部分に対応する位置に切り欠き部を備え、
   前記ファイバ固定部は、前記光導波路回路と前記ファイバアレイとが接続されている状態において、前記切り欠き部に位置するとともに、前記光導波路回路よりも前記基板側に突き出す厚さを有することを特徴とする光モジュール。
3. 前記ファイバ固定部と前記光導波路回路との接続部分において、前記ファイバ固定部と前記基板との間には隙間が設けられ、該隙間から前記光導波路回路の前記光導波路が視認可能であることを特徴とする請求項１または２に記載の光モジュール。
4. 前記基板の表面上の前記光導波路回路が支持される位置に光導波路支持面を有し、
   前記切り欠き部は、前記基板の表面上で前記光導波路支持面の周囲の少なくとも一部に隣接するように形成され、
   前記切り欠き部は、前記光導波路回路に接続される前記ファイバアレイの端面に隣接する前記ファイバアレイの側面に対向し、前記ファイバアレイを挟むように設けられる２つの内面を有し、
   前記基板の前記２つの内面は、前記ファイバアレイの前記側面から離間しており、
   前記２つの内面の間の距離は、前記ファイバアレイ中の光信号の進行方向に垂直な断面における前記ファイバアレイの最大断面長よりも大きいことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の光モジュール。
5. 前記基板の前記２つの内面と前記ファイバアレイの前記側面との間が固定材により固定されていることを特徴とする請求項４に記載の光モジュール。
6. 前記光導波路回路が光スイッチであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の光モジュール。

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