JPS59161200A - 音響振動板 - Google Patents

音響振動板

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JPS59161200A
JPS59161200A JP3538783A JP3538783A JPS59161200A JP S59161200 A JPS59161200 A JP S59161200A JP 3538783 A JP3538783 A JP 3538783A JP 3538783 A JP3538783 A JP 3538783A JP S59161200 A JPS59161200 A JP S59161200A
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JP
Japan
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thin film
diamond
film
acoustic
acoustic diaphragm
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JP3538783A
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Tadao Tokushima
忠夫 徳島
Hiromitsu Toda
弘光 戸田
Yoshifumi Suzuki
鈴木 由文
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Nippon Gakki Co Ltd
Original Assignee
Nippon Gakki Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R7/00Diaphragms for electromechanical transducers; Cones
    • H04R7/02Diaphragms for electromechanical transducers; Cones characterised by the construction
    • H04R7/04Plane diaphragms
    • H04R7/06Plane diaphragms comprising a plurality of sections or layers
    • H04R7/10Plane diaphragms comprising a plurality of sections or layers comprising superposed layers in contact

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  • Multimedia (AREA)
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  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はスピーカ等に使用される音響振動板に関し、
特にベリリウム(以下Beという)等からなる音響振動
板基体上にケイ素(以下Siという)もしくはホウ素(
以下Bという)の薄膜とダイヤモンドライクカーボン膜
とをその順に形成した3層構造とすることによって、音
響特性を従来よりも格段に向上させた音響振動板を提供
するものである。
Be単独もしくは3e合金は、軽−で剛性が大きく、比
ヤング(ヤング率/密度)が極めて高いため、スピーカ
等の音響振動板に最適であることが知られtいる。この
ようなりeやBe合金は塩素イオンを含む雰囲気には比
較的弱いため、表面を半導体ICの表面保護に使用□さ
れるSiOや 5i02でコーティングして音響振動板
に用いるのが通常であるが、SiOやSi O2はie
と比較して音響特性が著しく劣り、例えば3eの音速(
音の伝播速度)が120001 /秒程度以上であるの
に対しSiOの音速は6000m/秒以下と著しく低い
そのためSi O9Si O2の保護膜を形成したBe
振動板は、3e単独の場合と比べて音響特性が劣り、3
e本来の優れた特性が充分に生かされていないのが実情
である。
そこで最近ではBeよりも音響特性が優れたダイヤモン
ドライクカーボン膜の薄膜をBeの上に形成することが
考えられている。ダイヤモンドライクカーボン膜は、擬
似ダイヤモンドとも称せられるダイヤモンド型炭素成形
物であって、ダイヤモンドに近い結晶構造を有するか、
あるいは物理的性質(特にヤング率、密度、そのほか誘
電率、屈折率、比抵抗率等)がダイヤモンドに近い性質
を有する炭素成形物を意味するが、このようなダイヤモ
ンドライクカーボン膜は音速が183001 /秒に達
し、Beよりも優れた音響特性を有するから、Beもし
くは3e合金からなる音響振動板基体の上にダイヤモン
ドライクカーボン膜を形成した音響振動板は極めて良好
な音響特性を示すものと予想されている。しかしながら
実際にはBeもしくは3e合金からなる@動板基体上に
イオン蒸着等によりダイヤモンドライクカーボン膜を生
成させることは相当に困難であって生産性が極めて低い
問題があり、また生成されたダイヤモンドライクカーボ
ン膜の基体に対する付着力が低く、そのため音響振動板
としての動作時における過大な入力や衝撃に対して充分
に耐えることができず、ダイヤモンドライクカーボン膜
が剥離してしまう問題が生じ、また上述のようにダイヤ
モンドライクカーボン膜と振動板基体との付着力が弱く
、両者間が充分に密着されないことが多いため、音響特
性も実際には意図したほど優れたものとならないことが
判明した。またBeあるいはBe合金からなる振動板基
体上にSi O2もしくはSiOの薄膜を形成し、その
薄膜上にダイヤモンドライクカーボン膜を形成すること
も考えられるが、この場合も前記同様にダイヤモンドラ
イクカーボン膜の生成が実際には相当に困難であってし
かも生成されたダイヤモンドライクカーボン膜のSiO
もしくは5102薄膜に対する付着力が弱い問題がある
ことが判明した。
上述のようにBeもしくはBe合金からなる振動板基体
上、あるいはその上のSiOもしくはSi3− 〇2薄膜上にダイヤモンドライクカーボン膜を生成する
ことが実際には相当に困難であってしかもその付着力が
弱い原因は次のように考えられる。
すなわち、一般にこの種のダイヤモンドライクカーボン
膜はイオン蒸着等の手法によって形成するのが通常であ
り、このイオン蒸着においては基板をスパッタリング装
置のターゲットの部分に配置してこれに負の電圧を印加
するとともにカーボン源としてのメタンガスをスパッタ
リング装置内に供給し、正イオンを加速して基板に付着
させるのであるが、この正イオンの加速エネルギーによ
って基板の膜面でスパッタリングも生じることが明白で
ある。この際のエネルギーに着目すれば、カーボン源と
してのメタンのC−Hの結合エネルギーは80..9k
cal/molであり、一方のメタンのC−C結合エネ
ルギーは144 kcal/molであるかう統計的に
見てHが先にスパッタされ、残りのCが膜のCとC−C
結合を作り、ダイヤモンドライクカーボン膜が成長して
いくものと考えられる。しかるに3eは極めて酸化し易
いから、Beもしく4− はBe合金等はその表面に酸化物が存在することが多く
、一方SiOや5iO211膜はそれ自体が酸化物とな
っている。このように表面に酸化物等の形で酸素が存在
する基板に対してイオン蒸着を行なった場合、c−oの
結合エネルギーが120kcal/−01とC−Cの結
合エネルギーよりも低いため、メタンが分解したCはC
Oとなって排気されてしまい、カーボン膜の成長が円滑
に行なわれず、また生成されたカーボン膜もその付着力
が弱いものとなると考えられる。
この発明は以上の事情を背景としてなされた聾ので、生
産性を阻害することなく表面に強い付着力でダイヤモン
ドライクカーボン膜が形成された音響特性の極めて優れ
た音響振動板を実際的に提供することを目的とするもの
である。すなわ少この発明の音響振動板は、13e等の
金属からなる音響振動板基体上に81もしくは8からな
る薄膜を形成し、さらにそのSiもしくはBのIII上
にダイヤモンドライクカーボン膜を形成したことを特徴
とするものである。
以下、この発明の音響振動板についてさらに詳細に説明
する。
この発明の音響振動板は、例えば第1図、第2図に示す
ように、音響振動板基体1の表面にSiもしくはBから
なる薄1!2をアンダーコート膜として形成し、さらに
そのSiもしくはBの薄膜2上にダイヤモンドライクカ
ーボン膜3を形成したものである。このダイヤモンドラ
イクカーボン膜3は従来技術と同様にイオン蒸着によっ
て形成するのが通常であるが、従来技術とは異なり、ダ
イヤモンドライクカーボン膜3はSiもしくはBの薄膜
2上にイオン蒸着することによって形成される。Siや
Bは音響振動板基体の代表的なものであるBeと比較す
れば格段に酸素との親和力が小さく、したがってイオン
蒸着時にそのSlもしくはBの薄膜表面に酸化物が存在
することは少ないから、ダイヤモンドライクカーボン膜
を円滑に成長させ、高い付着力で所望厚さのダイヤモン
ドライクカーボン膜を形成することができる。一方Si
もしくはBの薄膜2自体は蒸着、スパッタリング、CV
D法等により音響振動板基体上に高い付着力で形成する
ことができる。したがってこの発明ではアンダーコート
膜としてSiもしくはBの薄膜を形成しておき、その上
にダイヤモンドライクカーボン膜を形成することによっ
て、生産性を阻害することなく高い付着力でダイヤモン
ドライクカーボン膜を形成することが工業的に可能とな
ったのである。
またSiもしくはBはそれぞれその音速が約7000g
n/秒、約12000m /秒とSiOやSi O2の
場合と比べて高く、したがってこれらの薄膜2の介在に
より音響特性を損なうおそれも少ない。
前記音響振動板基体1としては、Be 、Be合金、チ
タン(以下Tiという)合金、アルミニウム(J:J、
1八gという)合金等を使用することが音響特性の点か
ら望ましい。そしてこれらのうちでもBeもしくはBe
合金を使用することが音響特性から最も望ましく、また
Beもしくは13e合金からなる基体1を用いた場合に
この発明の効果が最も有効に発揮される。但しTi合金
やへg合金の場合も酸素との親和力がSiやBよりも強
いから、これ7− らの場合もSi、Bの薄膜をアンダーコートする効果が
得られる。
SiもしくはBからなる薄膜2の厚さは、500〜10
000Aの範囲内とすることが望ましい。
500A未満では充分な付着力を有したダイヤモンドラ
イクカーボン膜が形成できず、一方10000人を越え
る厚さとなれば、音響特性が相対的に劣るSi、Bの簿
膜が音響振動板全厚みに占める割合が大きくなって音響
特性が低下するおそれがある。
一方ダイヤモンドライクカーボン膜3の厚さは5000
〜50000Aの範囲内の厚みとすることが望ましい。
5000A未満ではダイヤモンドライクカーボン膜の形
成による音響特性向上の効果が充分に得られず、一方5
ooooAを越えて厚くしてもそれ以上効果が増大しな
いばかりか、イオン蒸着に長時間を要するようになって
コスト上昇を招く。
第3図には、この発明の音響振動板と従来の音響振動板
の周波数特性を比較して示す。ここでこ8− の発明の音響振動板としては、2591の厚さのBe製
振動板基体上に1000Aの厚さの5iiil膜を形成
し、さらにその上にダイヤモンドライクカーボン膜を9
000人の厚さで形成したものを用い、また従来の音響
振動板としては同じく25声の厚さのBe製振動板基体
上にSiO膜を100OOAの厚さで形成したものを用
いた。第3図から明らかなように、この発明の音響振動
板は従来のSiOコーティング3e振動板と比較して、
高音域限界が伸長され、しかも音圧レベルが向上して変
換効率が改善されたことが認められる。
以下にこの発明の実施例を示す。
実施例1 Bellの振動板基体上にSiを5000Aの厚みで蒸
着し、さらにその上にイオン蒸着によって2声の厚さの
ダイヤモンドライクカーボン膜を形成してスピーカ用振
動板とした。この振動板の音響特性を調べたところ、極
めて優れていることが確認され、またダイヤモンドライ
クカーボン膜の付着力も充分にあることが確認された。
実施例2 実施例1におけるSiに代えてBを用いた点以外は実施
例1と同様にしてスピーカ用振動板を作成した。その振
動板はアンダーコートの薄膜としてSiを用いた場合(
実施例1)とほぼ同等の音響特性、付着力が得られるこ
とが確認された。
実施例3 八gをドーム状にプレス成型してなる振動板基体上に5
iliI膜をスパッタリングによって2000Aの厚さ
で形成し、その上にイオン蒸着により1JjI11厚さ
のダイヤモンドライクカーボン膜を形成して、ドーム型
振動板とした。その振動板の音響特性を調べたところ、
高音域の伸びに優れた良好なものであることが確認され
、またダイヤモンドライクカーボン膜の付着力も高いこ
とが判明した。
実施例4 実施例3におけるSiに代えて8を用いた点以外は実施
例3と同様にしてドーム型摂動板を作成した。この振動
板の音響特性および付着力も実施例3の場合とほぼ同等
であることが確認された。
以上の説明で明らかなようにこの発明の音響振動板はB
e等からなる振動板基体上にSiもしくはBの薄膜をア
ンダーコートし、その上にダイヤモンドライクカーボン
膜を形成したものであるから、表面のダイヤモンドライ
クカーボン膜の付着力が強く、したがって使用時におけ
る過大な入力や衝撃に対して充分に耐えることができ、
またその製造にあたってはダイヤモンドライクカーボン
膜を能率良く円滑に生成することができる。またこの発
明の音響振動板は従来のSiOやSi O2を3e等の
振動板基体上にコーティングした振動板と比較して高音
の伸びが良好であり、しかも音圧レベルが高く、変換効
率が優れる等、音響特性も極めて優れたものである。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の音響振動板の一例を示す縦断面図、
第2図は第1図のA部の拡大図、第3図はこの発明の音
響振動板と従来の音響振動板の周波数−音圧レベル特性
を比較して示す縮図である。 11− 1・・・音響振動板、 2・・・SiもしくはBの薄膜
、3・・・ダイヤモンドライクカーボン膜。 出願人  日本楽器製造株式会社 代理人  弁理士 豊 1)武 久 (ばか1名) 12−

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)金属製音響振動板基体の上に、ケイ素もしくはホ
    ウ素からなる薄膜が形成され、さらにその薄膜上にダイ
    ヤモンドライクカーボン膜が形成されていることを特徴
    とする音響振動板。
  2. (2)前記音響振動板基体かベリリつム、ベリリウム合
    金、チタン合金、アルミニウム合金のうちから選ばれた
    金属で構成されている特許請求の範囲第1項記載の音響
    振動板。
  3. (3)前記薄膜が500人〜10000人の範囲内の厚
    みで形成されている特許請求の範囲第1項記載の音響振
    動板。
  4. (4)前記ダイヤモンドライクカーボン膜がsoo。 る特許請求の範囲第1項記載の音響振動板。
JP3538783A 1983-03-04 1983-03-04 音響振動板 Granted JPS59161200A (ja)

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JP3538783A JPS59161200A (ja) 1983-03-04 1983-03-04 音響振動板

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JPH0434873B2 JPH0434873B2 (ja) 1992-06-09

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