JPS59160912A - 銀被覆銅系電子部品材料 - Google Patents

銀被覆銅系電子部品材料

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JPS59160912A
JPS59160912A JP3482483A JP3482483A JPS59160912A JP S59160912 A JPS59160912 A JP S59160912A JP 3482483 A JP3482483 A JP 3482483A JP 3482483 A JP3482483 A JP 3482483A JP S59160912 A JPS59160912 A JP S59160912A
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plating
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志賀 章二
俊生 北本
神山 保男
智 鈴木
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Furukawa Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はCLI系基体の表面の一部又は全部にA[又は
へ〇合金を被覆した電子部品4A籾に関づ−るもので、
特に部品材料に要求される緒特性を満足する経済的な材
料を提供するものである。
一般にAg又はAg−In 、AU −Pd 、AQ−
AU等のへ〇合金は良導電性で、半田付は性及び耐食性
が優れており、これをC1l又はCO−Zn 、 CL
I −8n 、 Cu −Be 、 Cu −Ti 。
CLI−Fe等のC’U合金からなる基体の表面の一部
又は全部に被覆したものが電子部品材料に用いられてい
る。例えばスイッチ、コネクター等の接点部品又は半導
体、集積回路、各種部品等の基体或いはリード材は何れ
もAQ又はA(I合金の特性を利用して半田付けやろう
付(プにより組立てられ、それ自身プリン1−回路基板
などに半田付けにより取付けられるため、半田付は性は
不可欠の条件となっている。
Cu及びCU合金は常温で保管しても強固な酸化皮膜を
生成し、電子部品の組立工程における樹脂モールド、キ
ュアー、半田付け、性能調整のエージング等の高温環境
において厚い酸化スケールを生成し、半田付は性を著し
く阻害する。半田付けに活性フラックスを使用すること
も知られているが、残留フラックスは致命的な腐食障害
の原因となるため、入念な洗浄が必要となり、電子部品
等には適用できない。また大気を遮断して還元性雰囲気
中で部品を組立てることも考えられるが、この方法は設
備的にも経済的にも実用的でない。
電子部品に△9被覆CU系材料を用いる理由は高温環境
において良好な半田付は性を得るためであり、もう一つ
の理由は表面に酸化皮膜が生成しカ<、接点等に要求さ
れる電気接続性か良好なことである。このようなAqに
よる効果(ま△1゜PC+、Pt等の貴金属でも得るこ
とかできるが、何れもACIの10〜100倍、或いは
それ以上高価なもので、工業的には不経済であり、通常
は八〇又はA(I合金を2〜3μ又はそれ以上の厚さに
被覆している。しかるに電子工業の飛躍的発展と共に、
経済性のみならず省資源の立場からもAqの可及的な節
約が強く望まれている。しかしながら八〇の被覆厚さを
薄くすると次の欠陥が発生する(1)製造方法及び条件
にもよるが、Ag層がポーラスとなり、所謂ピンホール
が生成して基材が露出する。
(2)固相反応により基材の卑金属成分が表面に到達し
て蓄積する。特にこの反応の進行は温度の指数函数の関
係にあり、高温条件で顕著となる。
高ll1liなAuを被覆したものでも全く同様な問題
が起り、これを防止するため基体とA 11層間にNi
からなる中間層を設けたものが実用化されており、前記
欠陥を実質的に軽減するため通常1〜2μ以上、或いは
それ以上の厚さに中間層を設け、その上に用途に応じて
厚す0.2〜数μの八〇をメッキなどにより被覆したも
のがコネクターなどの接点に用いられている。Ag被覆
したものでも基体とA(+層間にNiからなる中間層を
設けたものが、半導体リードフレーム、各種接点、端子
等に実用化され、通常0.5〜3μの厚さに中間層を設
け、ピンホール腐食を防止してAg表面を清浄に保つと
共に、基体からの卑金属の高温拡散を防止している。し
かしながら高温環境において特異な半田付(プ性の低下
や詩にはAl1層の剥離が報告されている。
本発明者等はこれに鑑み種々検討の結果、へ〇被覆では
全く起り得ない、l被覆特有の現象であることを知見し
た。即ち180°C前後の温度からAg層中を大気中の
酸素が透過し易くなり、透過酸素は原子状のためか特に
活性でへ〇層下のN1を酸化する。Niの酸化はAg層
とNi層の界面の金属結合を断ち切り密着力を激減させ
る。またACIは半田浴に迅速に溶解し、実用条件では
1秒間に厚さ2〜3μの溶解が起る。従って半田付けに
おいて薄いAg層が溶解し、半田と金、く濡れない硬い
Ni0表面が露出し、半田付は性を阻害する。またNi
層を設けない場合は基体表面が厚く酸化し、同様の結果
が生じる。
更にN1層を設けたAO被覆Cu系材料では、機械的変
形に際し、AgやCuに比べて硬質のN1層に外力が集
中し、Ni層を起点にAq層の表面に達する微小のクラ
ックが発生し易い。電子部品は精密加工により造られる
ため、曲げや絞り加工において、微小のクラックを発生
すると、これが基体の露出部となって腐食の原因となる
ばかりか、腐食物の体積膨張によりクラックが拡大し、
重大な欠陥となる。
本発明はこのような知見に基づき、これを解消するため
種々研究の結果、部品材料として要求される緒特性を満
足し得る経済的な銀被覆銅系電子部品材料を開発したも
ので、Cu系基体の少なくとも一部表面に、Ag又はA
g合金を被覆した材料において、基体とAg又はA(J
合金層間に厚さ0.01〜0.1μのNi、co又はそ
の合金からなる中間層を設けたことを特徴とするもので
ある。
即ち本発明は、Cu又はCu合金からなる線、棒、条、
板等を基体とするか、又はその一部又は全部を部品形状
に加工して基体とし、その表面の一部又は全部に厚さ0
.01〜0.1μのNi、co又はその合金からなる中
間層(以下N:、Co中間層と略記)を形成し、その上
にAg又はA(]合金層(以下Ag層と略記)を被覆し
たもので、Nl。
CO中IM1層としてはNi、Coの外にNi−C0゜
N1−P、N1−B、Co−P、Co −3n 。
Ni −8n 、Ni−Fe等の合金を用い、特にその
厚さを0.01〜0.1μ、望ましくは0.02〜0.
08μとすることにより、従来のNi層に基因覆る諸欠
陥を改善し得たもので、従来のNi層が拡散バリヤーと
して作用させるため、厚さ1〜2μ或いはそれ以上厚く
する必要があるとされていたのに対し、本発明では逆に
Ni、Co中間層を薄くすることにより一種のフィルタ
ーとも称すべき特異な作用により目的を達成し得たもの
である。
従来のNi層は△りと拡散せず、CLlとの反応も実用
条件では起り難いのに対し、Ni、Co中間層は厚さ0
.01〜o、1μとすることにより、八つと拡散せず、
基体の一部成分元素、例えIf:Cu。
7n、3n、in、 cd等をわずかでハあるが透過し
てAg層に拡散し、Ag層を透過する大気中の酸素の透
過を抑制してNi、Co中間層の表面酸化を防止スル。
CLI、Zll、3n、In、 cd等は何れも△9に
固溶して合金化し、かつ酸素との親和力が強い元素であ
り、Ag層を透過する酸素と結合してNi 、 Co中
間層の表面に達するのを阻止する。しかしてNi、Co
中間層の厚さが0.01μ未満で゛は上記諸元素の透過
が過剰となり、従来のN1層を使用しない場合と同様の
欠陥を生ずるようになり、0.1μを越えると従来のN
i層の場合と同様バリヤーとしての作用に変り、N1゜
Co中間層の表面酸化か起り、これによる欠陥が発生ず
るようになる。またNi、Co中間層をこのように薄(
ツることにより加工性が著しく改善され、高品質の部品
が得られる。即ち薄いため加重により外力の集中が少な
くなり、割れにくくなると共に例え割れても微細なため
△(IIMには達しない。
Ni、Co中間層としては、Niが最も有効である。即
ちN1はNi 、CO中中間層中心軟質で、拡散透過性
も大きく製造時に最も能率的に形成することができる。
また基体としはCLI−Zn系合金、所謂黄銅(Zn2
0〜40%)が最も有効である。
即ちこの合金は最も安価で電気的、機械的特性に優れ、
かつZllはCLIよりも低融点で拡散速度が大きく、
Agに固溶し易く酸素との親和力が茗しく大きい。更に
A(1層としは、従来2〜3μ又はそれ以上の厚さを必
要としているが、本発明によれば0.2〜2μ程度の厚
さで十分であり、A(]層の厚さが0.2μ未満では本
発明によっても品質が不十分となり、2μ以上に厚くて
も効果の増大が期待できず不経済である 本発明材料は以上の構成からなり機械的クラッド法、蒸
着法、スパッタリング法等任意の方法で造ることができ
るが電気メツキ法が最も実用的である。即ちNi、(:
、0.A!]等は最もメッキし易い金属の部類に属し、
所望の位置に被覆することか容易であり、連続的に行な
うこともできる。
NiやCOは電流効率が殆んど100%で、ファラデイ
ー則に従って通電鼠を管理することにより、所望の厚さ
に厳密にメッキすることができる。
Ni、coメッキには硫酸塩浴、スルファミン酸浴、ボ
ウフッ化物浴等を用い、必要に応じて合金成分を添加す
ることにより合金メッキも可能である。へgメッキには
シアン化物浴、チオシアン化物浴、ピロリン酸浴、ヨ・
り化物浴等を使用し、合金メッキも可能である。
以下本発明を実施例について詳細に説明する。
実施例(1) 厚さ0.42 rnmの黄銅板(Zn35%)を用い、
常法により脱脂、酸洗してから下記メッキ浴を用いて第
1表に示す厚さのNトメツキどA(Iメッキを行なって
ダイオード用リードフレーム材を製造した。
Niメッキ Ni  (SO3Ni−12)z  ’    500
g/、f!N  I  Cf2           
           30  リ/(H3BO3、3
0g/、3 P   I」2.5 浴    渇                   
50℃電流密度          2.5A/dll
12A(]ストライクメッキ Ag’CN             3g、/柔1<
C’N      ’        30g/R浴 
   温                   2o
℃電流密度           3A/dm2Agメ
ッキ A(ICN           30g/f’KCN
            40g、l!に2  CO3
20リ/′、e 浴    濡                   
 20℃Ii k 密IJj            
1.5A 、/ dm2ダイオード用リードフレーム材
は通常短冊状(巾5.0mm、長さ0.5mm)に打抜
き、直角に折り曲げ(R=0.5 mm) 、一端に8
1チツプを半田イ」け(95%Pb−5%3n、温度3
20’C11分間)した後、樹脂て封止キュアー(温度
180°C15時間大気中)され、しかる後プリント回
路板に半田付けされる。この半田付けにおいて、温度2
35°Cの共晶半田浴中に5秒間ディップしたときの濡
れ面積90%以上が要求される。
上記フレーム材について保管及び折曲げ加工による劣化
を保証するため100’Cの温度で24時間加熱してか
ら半田浴(95%Pb−5%3n、温度320°C)に
一端を5秒間ディップして濡れ面積を測定、次に大気中
180℃の温度で5時間加熱してから細端を温度235
℃の共晶半田浴中に5秒間ディップして濡れ面積を測定
した。これ等の結果を第1表に併記した。
第1表 第1表から明らかなように、l+厚さ1.2μにおいて
はN1厚さ0.02〜0.10μで両半田イ」り性が共
に浸れていることが判る。これに対しN(を過剰厚付け
したもめは大気中加熱後の共晶半田側(プ性が著しく低
下し、N1を用いないものはAg厚さ2.5μでも不十
分で、4.0μ以上必要とし、Ni厚さ1.0μのもの
はA(+厚さ4.0μで−し不十分であることが判る。
次に上記フレーム材を曲げ加工した後、端面をラッカー
でシールしてからJIS−Z−2371に基ついて5%
塩水噴霧試験を24時間行ない、曲げ部の青色銅腐食物
の発生状況を調べた。その結果本発明材には異常が認め
られなかったが、比較材N0.7〜9には曲げ部に青色
銅腐食物の発生が認められ、特にNo、9では著しく、
Niを用いない比較材N001では全面に緑青を発生し
た。
実施例(2) 実施例(1)において本発明材No、4のN1メッキに
代えて、下記メッキ浴を用い、それぞれNi−7%P合
金、N i  10% CO合金ラメy −t−し、同
様にしC、ダイオード用リードフレーム材を製造した。
N1−7%合金メツキ Ni SO+            2000/J!
NiCf             15g/J21−
+3 P 0325 (]/ R H3B  0 3                 
         30  g/l浴    温   
                35℃電流密p’5
− ’           3.OA / 6m2N
i’−10%Co合金メッキ Ni 80+           240 (J/J
ICO8O牛           15g7・(Ni
(、ez   ’         30g、/、28
3 BO230g、/1 浴    温                   
45℃電流密度            4A、71m
2これ等について実施例(1)と同様の試験を行なった
。その結果N1−7%P合金をメッキしたものでは、濡
れ面積は95%pb−5%S n浴で97%、共晶半田
浴で98%、Ni−10%Co合金をメツキしたもので
は、それぞれ93%と97%であった。
また5%塩水噴霧試験では何等異常が認められなかった
実施例(3) 実施例(1)において本発明+JNo、4の基体である
黄銅に代えて、第2表に示す銅及び銅合金を用い、同様
にしてダイA−ド用す−ドフレーム材を製造した。これ
等について実施例〈1)と同様の試験を行ない、濡れ面
積を測定した。
その結果を第2表に併記した。
第2表 基  体  別         塗れ面積  (%)
95%Pb−5%S11浴  共晶半田浴CLI −2
3%Zn−12%N1合金       9797CL
I −9%Ni−2,3%3n合金      979
2CLI−8%3++合金            9
795Cu                    
97        92第2表から明らかなように何
れも両半田付は性が優れており、中でも特にZnを含む
洋白くCI」−23%’;1n−12%N1合金)が最
も優れていることが判る。
実施例(4) 厚さ0 、25 mmのリン青銅条を用い、常法により
脱脂、酸洗してから下記メッキ浴を用いて、第3表に示
す厚さのN1メッキ又はCOメッキを行ない、その上に
実施例(1)と同様にして厚さ1.2μのAgメッキを
行なってコネクター用接点材を製造した。
Niメッキ N15O+              250g  
λN1(1!z           25q/J!ト
lx、   BO330Q/12 P   1」2.5 浴   温                  45
℃電流密度          1.5A/dn+2C
Oメツキ Co 804          450 g・′(N
a(1!                  30o
/J!H380345(+/J2 浴    温                   
40°C電流密度          L、OA /’
 d+n2コネクター用接点拐は通常プレス成形後、端
部を電線と半田イ」けして接続し、接点部は約100g
の荷重でプリント基板上の回路のビンに装着する一bの
で、長期の使用に亘り接触抵抗が10mΩを越えないこ
とが条件になっている。接点部は通常の接点と同様、相
手側との接触を安定化するため凸状の張出し加工が流さ
れている。
接点(号について保管及び成形加工時の劣化を保証する
ため、温度60℃、湿度95%の恒温加湿条件で100
0時間保持した後、温度235℃の共晶半田浴中に5秒
間ディップし、半田濡れ性を調べた。また恒温加湿条件
で1000時間保持した後、250℃の温度に10分間
加熱し、続いて大気中120℃の温度で2000時間保
持してから、先端半径a、ommの半球状Ag棒を10
0(lの荷重で押し当て、電流10071LAて・接触
抵抗を測定した。更にコネクターに成形して同様の処理
を施し、これにA(lメ・ツキしたビン材、(0,62
s角)を挿入して同様の接触抵抗を狽!1定し 1こ 
これ等の結果を第3表に併記した。
第3表 #  22−−  4.5 9!i   ′J、8  
b、υ第3表から明らかなように本発明材は半田付は性
及び接触抵抗の何れでも良好な特性を示す。これに対し
過剰の厚さのN1層を形成した比較材では加熱処理がな
いため半田付(プ性の劣化は認められないが、接触抵抗
が著しく増大し、またNi層を用いない比較材でではA
CI層の厚さを4.5μ以上と覆る必要があることが判
る。
実施例(5) 厚さ0.06mmのリン青銅条を用い、実施例(1)と
同様にしてNiメッキとAC+メッキを行なって第4表
に示づキーボードスイッチ周器ばね材を製造した。皿は
ね材は確実な電気接続と共にキー動作時の微妙な指先感
覚(クリック感)を重視するため、リン青銅条の表面硬
さをM HV (200g)210〜230に管理され
ている。
この皿はね材料について温度60℃、湿度95%の恒温
加湿条件で1000時間保持したものと、大気中150
℃の温度で1000時間保持したものについて、実施例
(4)と同様にして接触抵抗を測定した。
またこの材料より直径8 mmの冊ばねを成形してキー
ボードスイッチを組立て、クリック感を試験した。
これ等の結果を第4表に併記した。
第4表 皿ばね材 No  Ni厚さ AC+厚さ  接触抵抗
(mΩ) クリック感(μ)   (μ)  加湿条件
 大気加熱比較材  23   −   0.5   
  >50    >50     良n    24
  0.005    n           40
本発明月 25  0,02    n      4
2   8.4!!26  0,08        
 8.2   6.1比較材  27  0,5   
      7.7   6.1     不良第4表
から明らかなように本発明材は何れも良好な接触抵抗と
クリック感を示すのに対し、Ni層が過剰な比較材では
加熱処理が比較的低温のため接触抵抗の劣化は認められ
ないが、ばね性か微妙に変化し、クリック感が不良とな
った。またNi層を用いなものでは、クリック感が良好
なるも接触抵抗の劣化が茗しいことが判る。
このように本発明によれば、Ni、Co又はその合金か
らなる中間層を従来の常識に反して薄くすることにより
、基体であるCu及びCu合金と被覆層であるAg及び
Ag合金との組合せにおいて、特異で有用な作用を発揮
せしめ、その性能を大幅に改善し得たものである。特に
高温に耐えまた加工性の改善も大きく、精密で多様な機
能を要求される電子部品材料として好適で、経済的にも
優れている等、工業上顕著な効果を奏するものである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)Cu系基体の少なくとも一部の表面に、Ag又は
    へ〇合金を被覆した材料において、基体とAg又は△り
    合金層間に厚さ0.01〜0.1μのNi 、Co又は
    その合金からなる中間層を設けたことを特徴とする銀被
    覆銅系電子部品材料3(2)Ni 、Co又はその合金
    からなる中間層の厚さを0.02〜0.08μとする特
    許請求の範囲第1項記載の銀被覆銅系電子部品材料。 (3)A(I又1;t△9合金の被’;RJ’? サラ
    0.2〜2 μとする特許請求の範囲第1項又は第2項
    記載の銀被覆銅系電子部品材料。 (4)CLJ系基体として表面がCu−Z11合金から
    なる基体を用いる特許請求の範囲第1工0、第2項又は
    第3項記載の銀被覆銅系電子部品材料1
JP3482483A 1983-03-03 1983-03-03 銀被覆銅系電子部品材料 Granted JPS59160912A (ja)

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