JPS59153154A - 電子線分析方法及び装置 - Google Patents
電子線分析方法及び装置Info
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- JPS59153154A JPS59153154A JP58027336A JP2733683A JPS59153154A JP S59153154 A JPS59153154 A JP S59153154A JP 58027336 A JP58027336 A JP 58027336A JP 2733683 A JP2733683 A JP 2733683A JP S59153154 A JPS59153154 A JP S59153154A
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- signal
- sample
- scanning
- analysis
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は細く絞られた電子線を試料に照射し、その際試
料より発生するＸ線ヤオージエ電子などを検出づること
により、試料の元素分析等を行なうための方法及び装置
に関する。
料より発生するＸ線ヤオージエ電子などを検出づること
により、試料の元素分析等を行なうための方法及び装置
に関する。
［従来技術］
例えば分析電子顕微鏡等の電子線装置においては、試料
に電子線を照射し、その結果試料より発生したＸ線を検
出してエネルギー分析し、試料の電子線照射点の元素分
析をしているが、このような分析を行なう際には、試料
のコンタミネーションが問題になる。試料のコンタミネ
ーションの原因には、一般に電子線装置の排気空間の汚
れに問題がある場合と、試料自体の汚れに問題がある場
合があるが、最近の電子線装置における真空排気手段の
進歩は著しく、排気空間はかなり清浄なものとなってい
る。しかしながら、試料の作成過程等において表面に付
着した汚れに起因するコンタミネーションによって高精
度の分析が妨げられている。即ち、試料の表面上におい
ては、試料に付着したＣｍ Ｈｎなる分子式で表わされ
るハイドロカーボン粒子が絶えずマイグレーションして
いるが、第１図（ａ ）に示すように試料５の分析点Ｐ
を分析するため、この点Ｐに電子線２を比較的長い時間
照射していると、前記ハイドロカーボン粒子１」Ｃのう
ち、この点Ｐの位置に来たものは、電子線２の照射によ
って炭化され、従って、この点Ｐの位置には第１図（ｂ
）において、イで示すような炭素の塊が形成される。そ
のため、第１図（ｂ）に示すように電子線２を点Ｐに照
射しても、電子線２は、この塊イのために、分析すべき
試料５の表面に充分照射されず、検出できる信号量が少
なくなると同時に、バックグラウンドも増加するため、
Ｓ／Ｎ比良く検出することができない。
に電子線を照射し、その結果試料より発生したＸ線を検
出してエネルギー分析し、試料の電子線照射点の元素分
析をしているが、このような分析を行なう際には、試料
のコンタミネーションが問題になる。試料のコンタミネ
ーションの原因には、一般に電子線装置の排気空間の汚
れに問題がある場合と、試料自体の汚れに問題がある場
合があるが、最近の電子線装置における真空排気手段の
進歩は著しく、排気空間はかなり清浄なものとなってい
る。しかしながら、試料の作成過程等において表面に付
着した汚れに起因するコンタミネーションによって高精
度の分析が妨げられている。即ち、試料の表面上におい
ては、試料に付着したＣｍ Ｈｎなる分子式で表わされ
るハイドロカーボン粒子が絶えずマイグレーションして
いるが、第１図（ａ ）に示すように試料５の分析点Ｐ
を分析するため、この点Ｐに電子線２を比較的長い時間
照射していると、前記ハイドロカーボン粒子１」Ｃのう
ち、この点Ｐの位置に来たものは、電子線２の照射によ
って炭化され、従って、この点Ｐの位置には第１図（ｂ
）において、イで示すような炭素の塊が形成される。そ
のため、第１図（ｂ）に示すように電子線２を点Ｐに照
射しても、電子線２は、この塊イのために、分析すべき
試料５の表面に充分照射されず、検出できる信号量が少
なくなると同時に、バックグラウンドも増加するため、
Ｓ／Ｎ比良く検出することができない。
又、塊イに衝突した電子線２は同図において、ＦＢで示
すように散乱されて分析すべき点Ｐ以外にも照射され、
従って分析点Ｐ以外からのＸ線も検出することになるた
め、得られたＸ線の分析スペク１〜ルは誤差を含んだも
のとなってしまう。
すように散乱されて分析すべき点Ｐ以外にも照射され、
従って分析点Ｐ以外からのＸ線も検出することになるた
め、得られたＸ線の分析スペク１〜ルは誤差を含んだも
のとなってしまう。
［発明の目的］
本発明は、このような従来の欠点を解決し、試料の汚れ
に起因するコンタミネーションの影響を除いて試料を分
析】−ることのできる、電子線分析方法及び装置を提供
することを目的としている。
に起因するコンタミネーションの影響を除いて試料を分
析】−ることのできる、電子線分析方法及び装置を提供
することを目的としている。
［発明の構成コ
本発明は第１に試料の分析点に電子線を照射して試料を
分析覆る方法において、該電子線の分析点への照射に先
立って、該分析点に接近した試料表面の特定部分を電子
線によって走査することを特徴どしている。
分析覆る方法において、該電子線の分析点への照射に先
立って、該分析点に接近した試料表面の特定部分を電子
線によって走査することを特徴どしている。
本発明は第２に電子線を試料に照射する手段と、該電子
線を偏向するための偏向器と、該電子線により試料上を
二次元的に走査するための走査信号を発生する走査信号
発生回路と、該走査信号の供給により前記電子線と同期
走査され試料より発生する信号の供給に基づいて試料像
を表示する表示手段と、該表示手段に試料の分析点を表
示するためのマークを表示する手段と、該マークの表示
位置に対応する自流信号を発生するための分析位置信号
発生手段とを備えた装置において、電子線により試料上
の微小領域を特定の形状で走査させるための信号を発生
する補助走査信号発生回路と、該補助走査信号発生回路
よりの信号と前記分析位置信号発生回路よりの信号を加
算するための加粋回路と、前記走査信号と前記分析位置
信号と該補助走査信号との間で前記偏向器に供給する信
号を切換えるための切換手段とを具備することを特徴と
している。
線を偏向するための偏向器と、該電子線により試料上を
二次元的に走査するための走査信号を発生する走査信号
発生回路と、該走査信号の供給により前記電子線と同期
走査され試料より発生する信号の供給に基づいて試料像
を表示する表示手段と、該表示手段に試料の分析点を表
示するためのマークを表示する手段と、該マークの表示
位置に対応する自流信号を発生するための分析位置信号
発生手段とを備えた装置において、電子線により試料上
の微小領域を特定の形状で走査させるための信号を発生
する補助走査信号発生回路と、該補助走査信号発生回路
よりの信号と前記分析位置信号発生回路よりの信号を加
算するための加粋回路と、前記走査信号と前記分析位置
信号と該補助走査信号との間で前記偏向器に供給する信
号を切換えるための切換手段とを具備することを特徴と
している。
し実施例］
以下、図面に基づき本発明の実施例を詳述する。
第２図は、本発明の一実施例を示すための図であり、図
中、１は電子銃であり、電子銃１よりの電子線２は集束
レンズ３により集束され、更に対物レンズの前方磁界レ
ンズ４により細く絞られて試料５上に照射される。６Ｘ
、６Ｙは×（水平）方向及びＹ（垂直）方向偏向コイル
であり、これら偏向コイル６Ｘ、６Ｙには走査信号発生
回路７より、電子線２を試料５上において二次元的に走
査するための鋸歯状のＹ方向及びＹ方向走査信号が各々
切換回路８Ｘ、８Ｙのａ端子を介して供給でさるように
なっている。９Ｘ、９Ｙは増幅器である。走査信号発生
回路７よりの走査信号は陰極線管１０の偏向コイルＤＸ
、ＤＹにも供給されており、陰極線管１０は電子線２の
走査に同期して走査される。１１は試料５を透過した電
子を検出するための透過電子検出器であり、この検出器
１１よりの信号は増幅器１２によって増幅された後、輝
点信号加算回路１３を介して陰極線管１０のカソードＫ
に供給されている。１４Ｘ、１４Ｙは陰極線管１０の画
面の任意の位置に、分析点のマーク（目印）となる第３
図に示す如き輝点ｐを表示するための直流信号を発生す
るポテンショメータであり、これらポテンショメータ１
４Ｘ、１４Ｙの出力信号は各々直接、信号切換回路８Ｘ
、８ＹのＣ端子に供給されていると共に、各々加算回路
１５Ｘ、１５Ｙを介して該切換回路８Ｘ、８Ｙのむ端子
に供給されている。更にこれらポテンショメータｊ４Ｘ
、１４Ｙの出力信号は輝点信号発生回路１６に供給され
ている。この輝点信号発生回路１６は前記走査信号発生
回路７よりのＸ方向走査信号とポテンショメータ１４Ｘ
よりの直流信号が供給される第１のコンパレータ１６ａ
と、走査信号発生回路７よりのＹ方向走査信号とポテン
ショメータＩＩＹよりの直流信号が供給される第２のコ
ンパレータ１６１）と、第７．第２のコンパレータ１６
ａ、１’６ｂの出力信号が供給されるアンド回路１６ｃ
とよりなっており、第１のコンパレータ１６ａはＸ方向
走査信号の信号値とポテンショメータ１’４Ｘよりの直
流信号が一致した際に一致パルスを発生し、同様に第２
の］ンパレータ１６１）はＹ方向走査信号とポテンショ
メータ１４Ｙの直流信号とが一致した際に一致パルスを
発生する。アンド回路１６ｃは両］ンパレータ１６ａ。
中、１は電子銃であり、電子銃１よりの電子線２は集束
レンズ３により集束され、更に対物レンズの前方磁界レ
ンズ４により細く絞られて試料５上に照射される。６Ｘ
、６Ｙは×（水平）方向及びＹ（垂直）方向偏向コイル
であり、これら偏向コイル６Ｘ、６Ｙには走査信号発生
回路７より、電子線２を試料５上において二次元的に走
査するための鋸歯状のＹ方向及びＹ方向走査信号が各々
切換回路８Ｘ、８Ｙのａ端子を介して供給でさるように
なっている。９Ｘ、９Ｙは増幅器である。走査信号発生
回路７よりの走査信号は陰極線管１０の偏向コイルＤＸ
、ＤＹにも供給されており、陰極線管１０は電子線２の
走査に同期して走査される。１１は試料５を透過した電
子を検出するための透過電子検出器であり、この検出器
１１よりの信号は増幅器１２によって増幅された後、輝
点信号加算回路１３を介して陰極線管１０のカソードＫ
に供給されている。１４Ｘ、１４Ｙは陰極線管１０の画
面の任意の位置に、分析点のマーク（目印）となる第３
図に示す如き輝点ｐを表示するための直流信号を発生す
るポテンショメータであり、これらポテンショメータ１
４Ｘ、１４Ｙの出力信号は各々直接、信号切換回路８Ｘ
、８ＹのＣ端子に供給されていると共に、各々加算回路
１５Ｘ、１５Ｙを介して該切換回路８Ｘ、８Ｙのむ端子
に供給されている。更にこれらポテンショメータｊ４Ｘ
、１４Ｙの出力信号は輝点信号発生回路１６に供給され
ている。この輝点信号発生回路１６は前記走査信号発生
回路７よりのＸ方向走査信号とポテンショメータ１４Ｘ
よりの直流信号が供給される第１のコンパレータ１６ａ
と、走査信号発生回路７よりのＹ方向走査信号とポテン
ショメータＩＩＹよりの直流信号が供給される第２のコ
ンパレータ１６１）と、第７．第２のコンパレータ１６
ａ、１’６ｂの出力信号が供給されるアンド回路１６ｃ
とよりなっており、第１のコンパレータ１６ａはＸ方向
走査信号の信号値とポテンショメータ１’４Ｘよりの直
流信号が一致した際に一致パルスを発生し、同様に第２
の］ンパレータ１６１）はＹ方向走査信号とポテンショ
メータ１４Ｙの直流信号とが一致した際に一致パルスを
発生する。アンド回路１６ｃは両］ンパレータ１６ａ。
１６ｂが共に一致パルスを発生した瞬間に陰極線管１０
の輝度を高めるための輝点表示信号（パルス）を発生す
る。この輝点表・示信号発生回路１６よりの輝点表示信
号は前記輝点信号発生回路１３において、増幅器１２よ
りの画像信号と加算されるため、陰極線管１０の画面上
には、ポテンショメータ１４Ｘ、１４Ｙの直流出力に応
じた位置に第３図に示すような輝点ｐが表示される。１
７は、その第１．第２の出力端子１７ｘ、１７ｙより各
々Ａｓ１ｎ ２ｙｒｆ を及びＡｓ１ｎ２πｆｔなる（
但しＡは比例定数、ｔは時間、ｆは周波数）信号を発生
ずる発振器であり、この発振器１７よりのＡｓ１ｎ２π
ｆｔ及びＡｓ１ｎ２πｆｔなる信号は各々前記加締回路
１５Ｘ、１５Ｙに供給されている。１８は前記切換回路
８Ｘ、８Ｙを切換えるための切換信号を発生する切換信
号発生回路である。１９は試料５の分析点に電子線を照
射した際に、試料５より発生するＸ線を検出するための
Ｘ線検出器であり、この検出器１９よりの検出信号は■
ネルギースペクトルを表示するための信号処理を行なう
信号処理装置２０に供給されており、この信号処理装置
２０よりの出力信号は記録計２１に表示できるようにな
っている。
の輝度を高めるための輝点表示信号（パルス）を発生す
る。この輝点表・示信号発生回路１６よりの輝点表示信
号は前記輝点信号発生回路１３において、増幅器１２よ
りの画像信号と加算されるため、陰極線管１０の画面上
には、ポテンショメータ１４Ｘ、１４Ｙの直流出力に応
じた位置に第３図に示すような輝点ｐが表示される。１
７は、その第１．第２の出力端子１７ｘ、１７ｙより各
々Ａｓ１ｎ ２ｙｒｆ を及びＡｓ１ｎ２πｆｔなる（
但しＡは比例定数、ｔは時間、ｆは周波数）信号を発生
ずる発振器であり、この発振器１７よりのＡｓ１ｎ２π
ｆｔ及びＡｓ１ｎ２πｆｔなる信号は各々前記加締回路
１５Ｘ、１５Ｙに供給されている。１８は前記切換回路
８Ｘ、８Ｙを切換えるための切換信号を発生する切換信
号発生回路である。１９は試料５の分析点に電子線を照
射した際に、試料５より発生するＸ線を検出するための
Ｘ線検出器であり、この検出器１９よりの検出信号は■
ネルギースペクトルを表示するための信号処理を行なう
信号処理装置２０に供給されており、この信号処理装置
２０よりの出力信号は記録計２１に表示できるようにな
っている。
このような構成において、まず、切換信号発生回路１８
より切換信号を切換回路８Ｘ、８Ｙに供給して、これら
回路を切換え、両回路８Ｘ、８Ｙの端子ａを介し−Ｃ走
査信号発生回路７よりの走査信号を偏向コイル６Ｘ、
６Ｙに導いて、電子線２を試ｉｔ ５上において二次元
的に走査すると共に、この走査に同期して陰極線管１０
を走査する。この走査に伴なって得られた透過電子検出
器１１よりの信号に基づいて陰極線管１０には第３図に
示すような試料像が得られる。そこで、この像を観察し
ながら、ポテンショメータ１４Ｘ、１４Ｙを操作して、
輝点ｐを分析しようとする画面−ヒの点まで移動させる
。移動終了時における輝点を第３図においてｐ′で示し
、又、この輝点ｐ′に対応するポテンショメータ１４Ｘ
、１４Ｙの出力が各々Ｖ１．Ｖ２であるとする。次に、
切換信号発生回路１８より切換回路８Ｘ及び８Ｙに切換
信号を供給して両回路８Ｘ、８Ｙの端子すを介して加算
回路１５Ｘ、、１５Ｙの出力信号を各々偏向コイル６Ｘ
、６Ｙに供給する。加算回路１５Ｘ、１５Ｙの出力信号
は各々、Ｖ＋ ＋ＡＣＯ３２πｆ ｔ 、 ｖ２＋Ａｓ
１ｎ ２πｆ ｔであるから、偏向コイル６Ｘ。
より切換信号を切換回路８Ｘ、８Ｙに供給して、これら
回路を切換え、両回路８Ｘ、８Ｙの端子ａを介し−Ｃ走
査信号発生回路７よりの走査信号を偏向コイル６Ｘ、
６Ｙに導いて、電子線２を試ｉｔ ５上において二次元
的に走査すると共に、この走査に同期して陰極線管１０
を走査する。この走査に伴なって得られた透過電子検出
器１１よりの信号に基づいて陰極線管１０には第３図に
示すような試料像が得られる。そこで、この像を観察し
ながら、ポテンショメータ１４Ｘ、１４Ｙを操作して、
輝点ｐを分析しようとする画面−ヒの点まで移動させる
。移動終了時における輝点を第３図においてｐ′で示し
、又、この輝点ｐ′に対応するポテンショメータ１４Ｘ
、１４Ｙの出力が各々Ｖ１．Ｖ２であるとする。次に、
切換信号発生回路１８より切換回路８Ｘ及び８Ｙに切換
信号を供給して両回路８Ｘ、８Ｙの端子すを介して加算
回路１５Ｘ、、１５Ｙの出力信号を各々偏向コイル６Ｘ
、６Ｙに供給する。加算回路１５Ｘ、１５Ｙの出力信号
は各々、Ｖ＋ ＋ＡＣＯ３２πｆ ｔ 、 ｖ２＋Ａｓ
１ｎ ２πｆ ｔであるから、偏向コイル６Ｘ。
６Ｙにはこれら値に比例した信号が供給されることにな
り、従って、電子線２は第４図に示すように、輝点１）
′ に対応した試料５上の点Ｐ′を中心とする小さな半
径Ｒ（この半径Ｒは発振器１７より発生ずる信号の振幅
を選ぶことにより適切なものにすることができる）の円
周Ｃ上を周波数ｆで走査する。このような走査を所定の
時間性なえば、この分析点Ｐの近傍に存在しているハイ
ドロカーボン粒子の多くは、この円周Ｃ上にマイグレー
ションして来、その結果、電子線２の照射を受けて炭化
される。そのため、試料５上には第５図に示すように、
分析しようとする点Ｐ′を取り巻く前記円周Ｃに沿って
、疾素の塊口が形成される。
り、従って、電子線２は第４図に示すように、輝点１）
′ に対応した試料５上の点Ｐ′を中心とする小さな半
径Ｒ（この半径Ｒは発振器１７より発生ずる信号の振幅
を選ぶことにより適切なものにすることができる）の円
周Ｃ上を周波数ｆで走査する。このような走査を所定の
時間性なえば、この分析点Ｐの近傍に存在しているハイ
ドロカーボン粒子の多くは、この円周Ｃ上にマイグレー
ションして来、その結果、電子線２の照射を受けて炭化
される。そのため、試料５上には第５図に示すように、
分析しようとする点Ｐ′を取り巻く前記円周Ｃに沿って
、疾素の塊口が形成される。
そこで、切換信号発生回路１８よりＦＪＪ換回路８×、
８Ｙに切換信号を供給して、両回路８Ｘ、８Ｙの端子Ｏ
を介して、ポテンショメータ１４Ｘ。
８Ｙに切換信号を供給して、両回路８Ｘ、８Ｙの端子Ｏ
を介して、ポテンショメータ１４Ｘ。
１４Ｙの出力信号が各々偏向コイル６Ｘ、６Ｙに供給さ
れるようにする。ぞの結果、電子ＩＱ２は試料５上の前
記Ｐ′に照射されるが、電子線２が照射されても、分析
点Ｐ′の周辺に存在するハイドロカーボン粒子は既に炭
化されてしまっているため、この点Ｐ′に炭化したハイ
ドロカーボンの塊が形成されることは無い。従って、こ
の点Ｐ′に充分な電子線が照射され、この点Ｐ′のみよ
り発生したＸ線がＸ線検出器１９に検出される。その結
果、記録計２１には検出器１９よりの信号に基づいて、
バックグラウンドの少い良質のスペクトルが記録される
。
れるようにする。ぞの結果、電子ＩＱ２は試料５上の前
記Ｐ′に照射されるが、電子線２が照射されても、分析
点Ｐ′の周辺に存在するハイドロカーボン粒子は既に炭
化されてしまっているため、この点Ｐ′に炭化したハイ
ドロカーボンの塊が形成されることは無い。従って、こ
の点Ｐ′に充分な電子線が照射され、この点Ｐ′のみよ
り発生したＸ線がＸ線検出器１９に検出される。その結
果、記録計２１には検出器１９よりの信号に基づいて、
バックグラウンドの少い良質のスペクトルが記録される
。
尚、本発明は上述した実施例に限定されることなく幾多
の変形が可能である。例えば、上述した実施例において
は、分析点の近傍に存在するハイドロカーボン粒子を、
分析点の周辺において予め炭化させるため、電子線によ
り分析点を中心とする円周上を走査するようにしたが、
分析点を囲むように電子線を走査するならば、円周に限
らず、例えば矩形の周に沿って走査Ｊるようにしても良
い。又分析点を挾む少くとも２本の線状に電子線を走査
しても良い。
の変形が可能である。例えば、上述した実施例において
は、分析点の近傍に存在するハイドロカーボン粒子を、
分析点の周辺において予め炭化させるため、電子線によ
り分析点を中心とする円周上を走査するようにしたが、
分析点を囲むように電子線を走査するならば、円周に限
らず、例えば矩形の周に沿って走査Ｊるようにしても良
い。又分析点を挾む少くとも２本の線状に電子線を走査
しても良い。
又、上述した実施例は、試料より発生するＸ線を検出す
ることにより、試料を分析する型の装置に本発明を適用
した例について説明したが、本発明はオージェ電子ある
いは光電子等を検出することにより、試料を分析する装
置にも同様に適用できる。
ることにより、試料を分析する型の装置に本発明を適用
した例について説明したが、本発明はオージェ電子ある
いは光電子等を検出することにより、試料を分析する装
置にも同様に適用できる。
［効果］
上述したように、本発明によれば、分析点の近傍に存在
するハイドロカーボン粒子を、分析点の周辺において予
め炭化させることができるため、分析点に電子線を照射
して、試料を分析する際には、分析点にハイドロカーボ
ン粒子がマイグレーションして来ることは無くなり、そ
のため、コンタミネーションの影響を全く受けずに、試
料の分析点にのみ充分な電子線を照射して高精度の分析
を行ない得る。
するハイドロカーボン粒子を、分析点の周辺において予
め炭化させることができるため、分析点に電子線を照射
して、試料を分析する際には、分析点にハイドロカーボ
ン粒子がマイグレーションして来ることは無くなり、そ
のため、コンタミネーションの影響を全く受けずに、試
料の分析点にのみ充分な電子線を照射して高精度の分析
を行ない得る。
第１図は従来の欠点を説明するための図、第２図は、本
発明の一実施例を示すための図、第３図は陰極線管の表
示例を示すための図、第４図は本発明の詳細な説明する
ための図、第５図は本発明の作用効果を説明するだめの
図である。 １：電子銃、２：電子線、ＥＢ：散乱電子線、１−Ｉ
Ｃ：ハイドロカーボン粒子、３：集束レンズ、４：対、
物レンズの前方磁界レンズ、５：試料、６Ｘ、６Ｙ：偏
向コイル、７：走査信号発生回路、８Ｘ、８Ｙ：切換回
路、９Ｘ、９Ｙ、１２ ：増幅器、１０：陰極線管、１
１：透過電子検出器、１３：輝点信号加算回路、１４Ｘ
、１４Ｙ：ポテンショメータ、１５Ｘ、１５Ｙ：加算回
路、１６：輝点信号発生回路、１６ａ、１６ｂ：コンパ
レータ、１６Ｃ：アンド回路、１７：発振器、１８：切
換信号発生回路、１９：Ｘ線検出器、２０：信号処理回
路、２１：記録計、Ｐ、ｌ”’：分析点、ｐ、ｐ’
：輝点、イ２ロ：炭素の塊、Ｃ：円周。
発明の一実施例を示すための図、第３図は陰極線管の表
示例を示すための図、第４図は本発明の詳細な説明する
ための図、第５図は本発明の作用効果を説明するだめの
図である。 １：電子銃、２：電子線、ＥＢ：散乱電子線、１−Ｉ
Ｃ：ハイドロカーボン粒子、３：集束レンズ、４：対、
物レンズの前方磁界レンズ、５：試料、６Ｘ、６Ｙ：偏
向コイル、７：走査信号発生回路、８Ｘ、８Ｙ：切換回
路、９Ｘ、９Ｙ、１２ ：増幅器、１０：陰極線管、１
１：透過電子検出器、１３：輝点信号加算回路、１４Ｘ
、１４Ｙ：ポテンショメータ、１５Ｘ、１５Ｙ：加算回
路、１６：輝点信号発生回路、１６ａ、１６ｂ：コンパ
レータ、１６Ｃ：アンド回路、１７：発振器、１８：切
換信号発生回路、１９：Ｘ線検出器、２０：信号処理回
路、２１：記録計、Ｐ、ｌ”’：分析点、ｐ、ｐ’
：輝点、イ２ロ：炭素の塊、Ｃ：円周。
Claims (2)
- （１）試料の分析点に電子線を照射して試料を分析する
方法において、該電子線の分析点への照射に先立って、
該分析点に接近した試料表面の特定部分を電子線によっ
て走査することを特徴とする電子線分析方法。 - （２）電子線を試料に照射する手段と、該電子線を偏向
するための偏向器と、該電子線により試料上を二次元的
に走査するための走査信号を発生する走査信号発生回路
と、該走査信号の供給により前記電子線と同期走査され
試料より発生する信号の供給に基づいて試料像を表示す
る表示手段と、該表示手段に試料の分析点を表示するた
めのマークを表示する手段と、該マークの表示位置に対
応する直流信号を発生するための分析位置信号発生手段
とを備えた装置において、電子線により試料上の微小領
域を特定の形状で走査させるための信号を発生する補助
走査信号発生回路と、該補助走査信号発生回路よりの信
号と前記分析位置信号発生回路よりの信号を加算するた
めの加算回路と、前記走査信号と前記分析位置信号と該
補助走査信号との間で前記偏向器に供給する信号を切換
えるための切換手段とを具備することを特徴とする電子
線分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58027336A JPS59153154A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 電子線分析方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58027336A JPS59153154A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 電子線分析方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59153154A true JPS59153154A (ja) | 1984-09-01 |
Family
ID=12218216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58027336A Pending JPS59153154A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 電子線分析方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59153154A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002103773A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 化粧材 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5646299U (ja) * | 1979-09-13 | 1981-04-24 |
-
1983
- 1983-02-21 JP JP58027336A patent/JPS59153154A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5646299U (ja) * | 1979-09-13 | 1981-04-24 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002103773A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 化粧材 |
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