JPS5913757A - 3−メルカプトピロリジン誘導体及びその製法 - Google Patents
3−メルカプトピロリジン誘導体及びその製法Info
- Publication number
- JPS5913757A JPS5913757A JP57122783A JP12278382A JPS5913757A JP S5913757 A JPS5913757 A JP S5913757A JP 57122783 A JP57122783 A JP 57122783A JP 12278382 A JP12278382 A JP 12278382A JP S5913757 A JPS5913757 A JP S5913757A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- hydrogen atom
- compound
- formula
- lower alkyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
- Pyrrole Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一般式
を有する新規な3−メルカグトビロリジン訪導体並びに
その製法に関するものである。
その製法に関するものである。
上記式中、 R1は水素原子またはアルカリ土類金
属僚子を表わし、R2は水素原子、式−〇=N−R5基
(式中、 R4は水素原子または低級アルキル基を示し
、 R5は水素原子、低級アルキル基またはアミノ基の
保積基を示す。)、アシル基またはアミノ基の保護基を
表わし、 R5は水素原子、低級アルキル基、I・ロゲ
ン原子、保護されていてもよい水酸基、保護されていて
もよいヒドロキシメチル基、アシルオキシ基、低級アル
コキシ基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルフィ
ニル、!、低級アルキルスルホニル基、低級アルコキシ
カルボニル基、カルバモイル基、カルボキシル基、ニト
リル基、アジド基または保護されたアミン基を表わす。
(式中、 R4は水素原子または低級アルキル基を示し
、 R5は水素原子、低級アルキル基またはアミノ基の
保積基を示す。)、アシル基またはアミノ基の保護基を
表わし、 R5は水素原子、低級アルキル基、I・ロゲ
ン原子、保護されていてもよい水酸基、保護されていて
もよいヒドロキシメチル基、アシルオキシ基、低級アル
コキシ基、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルフィ
ニル、!、低級アルキルスルホニル基、低級アルコキシ
カルボニル基、カルバモイル基、カルボキシル基、ニト
リル基、アジド基または保護されたアミン基を表わす。
前記一般式(1)Ic:i’6いて、 R1は好適には
水素原子または例えばリチウム、ナトリウム、カリウム
のようなアルカリ金属原子であり、 Rは4 好適には水素原子、式−〇=N−R5基(式中 R4
は水素原子、例えばメチル、エチル、ロープロピル、イ
ソプロピルのような低級アルキル基ヲ示し、 R5は水
素原子、例えばメチル、エチル。
水素原子または例えばリチウム、ナトリウム、カリウム
のようなアルカリ金属原子であり、 Rは4 好適には水素原子、式−〇=N−R5基(式中 R4
は水素原子、例えばメチル、エチル、ロープロピル、イ
ソプロピルのような低級アルキル基ヲ示し、 R5は水
素原子、例えばメチル、エチル。
ロープロピル、イソプロピルのような低級アルキル基マ
たは例えはベンジルオキシカルボニル、p−ニトロベン
ジルオキシカルボニルのようなアラルキルオキシカルボ
ニル基、アリルオキシカルボニル基、例えばtert−
ブトキシカルボニル、トリクロロエトキシカルボニル、
トリブロモエトキシカルボニルのよ5な))ロゲン原子
で置換されていてもよい低級アルコキシカルボニル基若
しくは例えばジフェニルメチル、トリノ二二ルメチルの
ようなアラルキル基等のアミノ基の保膿基欠示す。)、
例えばホルミル、アセチル、グロピオニル、n−ブチリ
ル、イソブチリルのような低級脂肪族アシル基若しくi
′i例えハf ’Jシル、アラニル、N−p−二トロペ
ンジルオキシ力ルポニルグリシル、N −tert−ブ
トキシカルボニルグリシル、N−p−ニトロベンジルオ
キシカルボニルアラニル、N −1)−二トロベンジル
オキシカルボニルーβ−アラニルのような保護されて(
・でもよいアミン基を有する低級脂肪族アシル&等のア
シル基ぽた+S例えはベンジルオキシカルボニル、p−
ニトロベンジルオキシカルボニルのようなアラルキルオ
キシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、例エバ
tθrt−ブトキシカルボニル、トリクロロエトキシカ
ルボニル、トリブロモエトキシカルボニルのようなハロ
ゲン原子で置換されていてもよい低級アルコキシカルボ
ニル基若しくは例えばジフェニルメチル、トリフェニル
メチルのようなアラルキル基等のアミン基の保護基であ
り、R3は好適には水素原子1例えはメチル、エチル、
0−プロピル、イソプロピルのような低級アルキル基、
例えば弗素、塩素、臭素のようなハロゲン原子、水酸基
、例えばベンジルオキシカルボニルオキシ、p−ニトロ
ベンジルオキシカルボニルオキシのようなアラルキルオ
キシカルボニルオキシ基若し、はトリメチルシリル、t
ert−ブチルジメチルシリルのようなトリ低級アルキ
ルシリルオキシ基等の保護された水酸基、ヒドロキシメ
チル基、例えばベンジルオキシカルボニルオキシメチル
、p−ニトロベンジルオキシカルボニルオキシメチルの
ようなアラルキルオキシカルボニルオキシメチル基若し
くはトリメチルシリルオキシメチル、tert−プチル
ジメチルシリルオギシメチルのようなトリ低級アルキル
シリルオキシメチル基等の保睦されたヒドロキシメチル
基、例えばアセトキシ、プロピオニルオキシ% n−ブ
チリルオキシ、イソブチリルオキシのような低級脂ハノ
i族アシルオキシ基、例えばメトキシ、エトキシ、D−
プロポキシ、インプロポキシのような低級アルコキシ基
、トリえはメチルチオ、エチルチオ、Ω−ノロビルチオ
、イソプロピルテオのような低級アルキルチオ基、ff
l エG−,K メチルスルフイニル、エチルスルフィ
ニル% n−プロピルスルフィニル、イソフロヒルスル
ホニルのような低級アルキルスルフィニル基、例エハメ
グールスルホニル、エチルスルホニル、n−プロピルス
ルホニル、イソフロヒルスルホニルのような低級アルキ
ルスルホニル基、例えばメトキシカルボニル、エトキシ
カルボニル、Ω−グロボキシ力ルボニル、インプロポキ
シカルボニルのような低級アルコキシカルボニル基、カ
ルバモイル基、カルボキシルノン、ニトリル基、アジド
基−21こけ例えばtert−ブチルオキシカルボニル
アミノ、トリブロモエトキシカルボニルアミノ、トリブ
ロモエトキシカルボニルアミノのようなハロゲン原子で
置換されていてもよい低級アルコキシカルボニルアミノ
基、例えばベンジルオキシカルボニルアミノ、p−ニト
ロベンジルオキシカルボニルアミノのようフエアラルキ
ルオキシ力ルポニルアミノ基、アリルオキシカルボニル
アミノ基若しくは例えばジフェニルメチルアミノ、トリ
フェニルメチルアミノのようなアラルキルアミノ基等の
保護されたアミノ基であり、 R3のピロリジン壌土の
置換位置は好適には4位また1′!5位である。
たは例えはベンジルオキシカルボニル、p−ニトロベン
ジルオキシカルボニルのようなアラルキルオキシカルボ
ニル基、アリルオキシカルボニル基、例えばtert−
ブトキシカルボニル、トリクロロエトキシカルボニル、
トリブロモエトキシカルボニルのよ5な))ロゲン原子
で置換されていてもよい低級アルコキシカルボニル基若
しくは例えばジフェニルメチル、トリノ二二ルメチルの
ようなアラルキル基等のアミノ基の保膿基欠示す。)、
例えばホルミル、アセチル、グロピオニル、n−ブチリ
ル、イソブチリルのような低級脂肪族アシル基若しくi
′i例えハf ’Jシル、アラニル、N−p−二トロペ
ンジルオキシ力ルポニルグリシル、N −tert−ブ
トキシカルボニルグリシル、N−p−ニトロベンジルオ
キシカルボニルアラニル、N −1)−二トロベンジル
オキシカルボニルーβ−アラニルのような保護されて(
・でもよいアミン基を有する低級脂肪族アシル&等のア
シル基ぽた+S例えはベンジルオキシカルボニル、p−
ニトロベンジルオキシカルボニルのようなアラルキルオ
キシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、例エバ
tθrt−ブトキシカルボニル、トリクロロエトキシカ
ルボニル、トリブロモエトキシカルボニルのようなハロ
ゲン原子で置換されていてもよい低級アルコキシカルボ
ニル基若しくは例えばジフェニルメチル、トリフェニル
メチルのようなアラルキル基等のアミン基の保護基であ
り、R3は好適には水素原子1例えはメチル、エチル、
0−プロピル、イソプロピルのような低級アルキル基、
例えば弗素、塩素、臭素のようなハロゲン原子、水酸基
、例えばベンジルオキシカルボニルオキシ、p−ニトロ
ベンジルオキシカルボニルオキシのようなアラルキルオ
キシカルボニルオキシ基若し、はトリメチルシリル、t
ert−ブチルジメチルシリルのようなトリ低級アルキ
ルシリルオキシ基等の保護された水酸基、ヒドロキシメ
チル基、例えばベンジルオキシカルボニルオキシメチル
、p−ニトロベンジルオキシカルボニルオキシメチルの
ようなアラルキルオキシカルボニルオキシメチル基若し
くはトリメチルシリルオキシメチル、tert−プチル
ジメチルシリルオギシメチルのようなトリ低級アルキル
シリルオキシメチル基等の保睦されたヒドロキシメチル
基、例えばアセトキシ、プロピオニルオキシ% n−ブ
チリルオキシ、イソブチリルオキシのような低級脂ハノ
i族アシルオキシ基、例えばメトキシ、エトキシ、D−
プロポキシ、インプロポキシのような低級アルコキシ基
、トリえはメチルチオ、エチルチオ、Ω−ノロビルチオ
、イソプロピルテオのような低級アルキルチオ基、ff
l エG−,K メチルスルフイニル、エチルスルフィ
ニル% n−プロピルスルフィニル、イソフロヒルスル
ホニルのような低級アルキルスルフィニル基、例エハメ
グールスルホニル、エチルスルホニル、n−プロピルス
ルホニル、イソフロヒルスルホニルのような低級アルキ
ルスルホニル基、例えばメトキシカルボニル、エトキシ
カルボニル、Ω−グロボキシ力ルボニル、インプロポキ
シカルボニルのような低級アルコキシカルボニル基、カ
ルバモイル基、カルボキシルノン、ニトリル基、アジド
基−21こけ例えばtert−ブチルオキシカルボニル
アミノ、トリブロモエトキシカルボニルアミノ、トリブ
ロモエトキシカルボニルアミノのようなハロゲン原子で
置換されていてもよい低級アルコキシカルボニルアミノ
基、例えばベンジルオキシカルボニルアミノ、p−ニト
ロベンジルオキシカルボニルアミノのようフエアラルキ
ルオキシ力ルポニルアミノ基、アリルオキシカルボニル
アミノ基若しくは例えばジフェニルメチルアミノ、トリ
フェニルメチルアミノのようなアラルキルアミノ基等の
保護されたアミノ基であり、 R3のピロリジン壌土の
置換位置は好適には4位また1′!5位である。
さらに、前記一般式(1)における特に好適な化合物と
しては、 R1が水素原子、リチウム原子、ナトリウム
原子、カリウム原子、であり、 R2が水素原子、ホル
ミル基、アセチル基、ベンジルオキシカルボニル基、p
−ニトロベンジルオキシカルボニル基、−0=N−R5
基(式中 R4は靜 水素原子またはメチル基 R5は水素原子またFよp
−ニトロベンジルオキシカルボニル基を示す)であり、
R5が水素原子、メチル基、メトキシ基、メチルチオ
基、メチルスルフィニル基、7kl基、フッ素原子また
はカルバモイル基であり、 R5のピロリジン壌土の置
換位置が4位又は5位である化合物をあげろことができ
る。
しては、 R1が水素原子、リチウム原子、ナトリウム
原子、カリウム原子、であり、 R2が水素原子、ホル
ミル基、アセチル基、ベンジルオキシカルボニル基、p
−ニトロベンジルオキシカルボニル基、−0=N−R5
基(式中 R4は靜 水素原子またはメチル基 R5は水素原子またFよp
−ニトロベンジルオキシカルボニル基を示す)であり、
R5が水素原子、メチル基、メトキシ基、メチルチオ
基、メチルスルフィニル基、7kl基、フッ素原子また
はカルバモイル基であり、 R5のピロリジン壌土の置
換位置が4位又は5位である化合物をあげろことができ
る。
なお、前記一般式(1)を有する化合物においては不斉
炭素原子に基く光学異性体および立体異性体が存在し、
これらの異性体がすべて単一の式で示されているが、こ
れによって本発明の記載の範囲は限定されるものではな
い。
炭素原子に基く光学異性体および立体異性体が存在し、
これらの異性体がすべて単一の式で示されているが、こ
れによって本発明の記載の範囲は限定されるものではな
い。
本発明の前記一般式(1)を有する化合物は、優れた抗
菌力を有するペネムあるいはカルバペネム誘導体の重要
合成中間体として有用な化合物である。
菌力を有するペネムあるいはカルバペネム誘導体の重要
合成中間体として有用な化合物である。
本発明によって得られる前記一般式(1)を有する化合
物としては例えば以下に記載する化合物があげられる。
物としては例えば以下に記載する化合物があげられる。
本発明による前記一般式(1)を有する新規化合物は、
以下に示す方法に従って製造することができろ。
以下に示す方法に従って製造することができろ。
上記式中、 R’ 、 R2およびR5は^1f述した
ものと同意義を示し、 R6はアセチル、グロピオニル
、ベンゾイル、フェニルアセチルのようなアシル基また
はアミジノ基を示し、Yは塩素、臭素、沃素のようなハ
ロゲン原子、メタンスルホニルオキシ、エタンスルホニ
ルオキシのような低級アルキルスルホニルオキシ基、ト
リフルオロメタンスルホニルオキシのようなトリハロゲ
ンアルキルスルホニルオキシ基またはベンゼンスルホニ
ルオキシ、p−)ルエンスルホニルオキシのような了り
−ルスルホニルオキシ等の求核性脱離基を示す。
ものと同意義を示し、 R6はアセチル、グロピオニル
、ベンゾイル、フェニルアセチルのようなアシル基また
はアミジノ基を示し、Yは塩素、臭素、沃素のようなハ
ロゲン原子、メタンスルホニルオキシ、エタンスルホニ
ルオキシのような低級アルキルスルホニルオキシ基、ト
リフルオロメタンスルホニルオキシのようなトリハロゲ
ンアルキルスルホニルオキシ基またはベンゼンスルホニ
ルオキシ、p−)ルエンスルホニルオキシのような了り
−ルスルホニルオキシ等の求核性脱離基を示す。
本発明を実施するに当って、前記一般式(2)を有する
化合物を塩基の存在下、一般式(4)を有するメルカプ
ト化合物と反応せしめ一般式(3)ヲ有する化合物を製
造する反応は不活性溶剤中塩基共存下で好適に行なわれ
る。使用される溶剤としては本反応に関与しなければ特
に限定はなく。
化合物を塩基の存在下、一般式(4)を有するメルカプ
ト化合物と反応せしめ一般式(3)ヲ有する化合物を製
造する反応は不活性溶剤中塩基共存下で好適に行なわれ
る。使用される溶剤としては本反応に関与しなければ特
に限定はなく。
例えばエーテル、テトラヒドロフランのようなエーテル
類、酢僚エチルのようなエステル類、ジメチルホルムア
ミド、ジメチルアセトアミドのよりなアミド類、ベンゼ
ン、トルエンのような芳香族炭化水嵩類、ジメチルスル
ホキサイド、ニトロメタンまたはこれらの有機溶剤との
混合溶剤があげられる。また使用される塩基としてはナ
トリウムハイドライド、リチウムハイドライド、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カ
リウム、炭酸水素ナトリウム若しくはトリエチルアミン
、ジアザビシクロノネンなどの有機塩基等があげられる
。
類、酢僚エチルのようなエステル類、ジメチルホルムア
ミド、ジメチルアセトアミドのよりなアミド類、ベンゼ
ン、トルエンのような芳香族炭化水嵩類、ジメチルスル
ホキサイド、ニトロメタンまたはこれらの有機溶剤との
混合溶剤があげられる。また使用される塩基としてはナ
トリウムハイドライド、リチウムハイドライド、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カ
リウム、炭酸水素ナトリウム若しくはトリエチルアミン
、ジアザビシクロノネンなどの有機塩基等があげられる
。
反応温度は特に限定はないが、通常は室温乃至100℃
位で行なわれる。反応時間はfr反尾・温度、原料化合
物の種類によって異なるか数分乃至10時間である。
位で行なわれる。反応時間はfr反尾・温度、原料化合
物の種類によって異なるか数分乃至10時間である。
反応終了後、本反応の目的化合物(3)は席法に従って
反応混合物から採取される。例えば反応混合物に水と混
相しない有機浴剤を加え、水洗後、溶剤を留去すること
によって得られる。得られた目的化合物は必要ならば常
法、例えば再結晶、再沈澱またはクロマトグラフィーな
どによって史K M製することができる。
反応混合物から採取される。例えば反応混合物に水と混
相しない有機浴剤を加え、水洗後、溶剤を留去すること
によって得られる。得られた目的化合物は必要ならば常
法、例えば再結晶、再沈澱またはクロマトグラフィーな
どによって史K M製することができる。
なお、本工程の反応の目的化付物(3)にjsいて、置
換基R3が低級アルキルチオ基を表わす場合には常法に
従って過酸による酸化反応を行lよい、R3が低級アル
キルスルフィニル基また1工似級アルキルスルホニル基
を表わす化合物に変換することができる。
換基R3が低級アルキルチオ基を表わす場合には常法に
従って過酸による酸化反応を行lよい、R3が低級アル
キルスルフィニル基また1工似級アルキルスルホニル基
を表わす化合物に変換することができる。
次の工程は得られた化合物(3)を加水分解または加鹸
媒分解に伺し目的とするチオール化合物またはその塩(
1)を得るものである。本反応は水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム、ナトリウムエトキサイド、ナトリウムエ
トキサイド、リチウムメトキサイド、リチウムエトキサ
イド、炭酸水垢ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリ
ウムなどの塩基の存在下で行なわれる。反応に使用する
溶剤としては、水、メタノール、エタノールなどの極性
溶剤、ジオキサン、テトラヒドロ7ラン、アセトンなど
水m性溶剤及びこれらの有機溶剤の混合溶剤及びこれら
の有機浴剤と水との混合浴剤があげられる。反応温度に
は特に限定はないが、副反応を抑えるためKは比較的低
温で行なうのが望ましく1通常−10℃乃至室温付近で
行なわれる。反応時間は主に反応温度、原料化合物の種
類によって異なるが数分乃至5時間である。
媒分解に伺し目的とするチオール化合物またはその塩(
1)を得るものである。本反応は水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム、ナトリウムエトキサイド、ナトリウムエ
トキサイド、リチウムメトキサイド、リチウムエトキサ
イド、炭酸水垢ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリ
ウムなどの塩基の存在下で行なわれる。反応に使用する
溶剤としては、水、メタノール、エタノールなどの極性
溶剤、ジオキサン、テトラヒドロ7ラン、アセトンなど
水m性溶剤及びこれらの有機溶剤の混合溶剤及びこれら
の有機浴剤と水との混合浴剤があげられる。反応温度に
は特に限定はないが、副反応を抑えるためKは比較的低
温で行なうのが望ましく1通常−10℃乃至室温付近で
行なわれる。反応時間は主に反応温度、原料化合物の種
類によって異なるが数分乃至5時間である。
反応終了後、本反応の目的化合物(1)は常法に従って
反応混合物から採取される。例えば、目的化合物(1)
がチオールのナトリウム、カリウムなどの塩類である場
合はそのま〜浴剤を留去することにより残留物として得
られる。また、目的化合物(1)がチオールである場合
は、反応混合物を酢酸、塩酸などの酸類な加えて中和し
、水と混相しない有機溶剤を加え、水洗後、溶剤なW1
去することによって得られる。得られた目的化合物1ま
必要ならは常法、f・11えば内糺i1゛1、PJ沈澱
またはクロマトグラフィーなどによってjrf IJす
ることができる。
反応混合物から採取される。例えば、目的化合物(1)
がチオールのナトリウム、カリウムなどの塩類である場
合はそのま〜浴剤を留去することにより残留物として得
られる。また、目的化合物(1)がチオールである場合
は、反応混合物を酢酸、塩酸などの酸類な加えて中和し
、水と混相しない有機溶剤を加え、水洗後、溶剤なW1
去することによって得られる。得られた目的化合物1ま
必要ならは常法、f・11えば内糺i1゛1、PJ沈澱
またはクロマトグラフィーなどによってjrf IJす
ることができる。
以上の製法で得られた本発明の目同化合物(1)は前述
したように優れた抗菌力を有するペネム、カルバペネム
′Fij5導体のN要合成中間体である。
したように優れた抗菌力を有するペネム、カルバペネム
′Fij5導体のN要合成中間体である。
たとえは本発明の目的化合物(1)を下記式に示すごと
く2−ケトカルバベナム誘導体(5)と反応せしめた後
、保護基を除去すると、極めて抗菌活性の優れたカルバ
ペネム誘導体(6)が伶らiLろ。
く2−ケトカルバベナム誘導体(5)と反応せしめた後
、保護基を除去すると、極めて抗菌活性の優れたカルバ
ペネム誘導体(6)が伶らiLろ。
(51(11(6)
又、下記式に示すごとく本発明の目的化合物(1)ヲ二
硫化炭素と反応せしめトリチオカーボネ−ト誘導体(7
)とした後、4−アセトキシアゼチジノン誘導体(81
と反応せしめ、以下、特願昭56−53694号の方法
に従って反応を行ない、極めて優れた抗菌活性を有する
ペネム誘導体(12) K導くことができる。
硫化炭素と反応せしめトリチオカーボネ−ト誘導体(7
)とした後、4−アセトキシアゼチジノン誘導体(81
と反応せしめ、以下、特願昭56−53694号の方法
に従って反応を行ない、極めて優れた抗菌活性を有する
ペネム誘導体(12) K導くことができる。
R′
(1) (7) (8)
(9+ (10)(11)
(12)2 上記式中、R、RおよびRは前述したものと同意義を示
し、 R7ハカルボキシル基の保護基を示し、 R8は
水酸基の保護基を示す。
(9+ (10)(11)
(12)2 上記式中、R、RおよびRは前述したものと同意義を示
し、 R7ハカルボキシル基の保護基を示し、 R8は
水酸基の保護基を示す。
次に実施例および参考例をあげて本発明を具体的に説明
する。
する。
実施例1
無水ジメチルホルムアミド(15−)にナトリウムハイ
ドライド(55%オイルディスパージョン、36I肩g
)、次いでチオ酢酸(0,6i)を加え、水冷下10分
間攪拌する。3R−メタンスルホニルオキシ−1−p−
二トロベンジルオキシカルポニルビロリジン(193、
!i’ )’a?加え、65℃で3時間攪拌する。反応
混合物を冷却し、水を加えて酢酸エチルで抽出する。酢
酸エチル抽出液を水洗乾燥後、減圧下溶剤を留去すると
、目的化合物の結晶が得られる。結晶をP取しイソプロ
ピルエーテルで洗滌する。1液及び洗液は合せてシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーで分画精゛製(ベンゼン
:酢酸エチル−5=1で溶出)して、目的化合物の結晶
が得られた。合言t1.51融点69−70℃、旋光度
〔αID = −25,3゜(クロロホルム中) 核磁気共鳴スペクトル(cDaz、)δppm :1.
8−2.2 (2H、m ) 、 2.34 (3H、
s )3.2−4.2 (5H、m ) 、 5.22
(2H、s )7:53 、8.22 (4H、A2
B2. J −10H2)実施例2゜ 3日−アセチルチオ−1−p−二トロベンジルオキシカ
ルボニルビロリジン(30IりYメタノール(11)に
溶解し、−100に冷却する。
ドライド(55%オイルディスパージョン、36I肩g
)、次いでチオ酢酸(0,6i)を加え、水冷下10分
間攪拌する。3R−メタンスルホニルオキシ−1−p−
二トロベンジルオキシカルポニルビロリジン(193、
!i’ )’a?加え、65℃で3時間攪拌する。反応
混合物を冷却し、水を加えて酢酸エチルで抽出する。酢
酸エチル抽出液を水洗乾燥後、減圧下溶剤を留去すると
、目的化合物の結晶が得られる。結晶をP取しイソプロ
ピルエーテルで洗滌する。1液及び洗液は合せてシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーで分画精゛製(ベンゼン
:酢酸エチル−5=1で溶出)して、目的化合物の結晶
が得られた。合言t1.51融点69−70℃、旋光度
〔αID = −25,3゜(クロロホルム中) 核磁気共鳴スペクトル(cDaz、)δppm :1.
8−2.2 (2H、m ) 、 2.34 (3H、
s )3.2−4.2 (5H、m ) 、 5.22
(2H、s )7:53 、8.22 (4H、A2
B2. J −10H2)実施例2゜ 3日−アセチルチオ−1−p−二トロベンジルオキシカ
ルボニルビロリジン(30IりYメタノール(11)に
溶解し、−100に冷却する。
ナトリウム(2,03g)より調製したナトリウムメト
キサイドのメタノール溶液を適加し、徐々に温度を0℃
迄上げながら30分間攪拌する。
キサイドのメタノール溶液を適加し、徐々に温度を0℃
迄上げながら30分間攪拌する。
10%塩@4r3.si)を加え、減圧下半皇位になる
迄溶剤を濃縮留去する。濃縮液に飽和食塩水を加え酢酸
エチルで抽出、飽和食塩水で洗つたのちに乾燥し、減圧
上浴剤を留去して、目的化合物の結晶(21g)が得ら
れた。融点58−59 ′C 核磁気共鳴スペクトル(CDct5)δppm :1.
70 (I H、d、 J −6,5H2) 、 1.
7−2.7(2H、m ) 、 3.2−4.1 (5
H、m ) 。
迄溶剤を濃縮留去する。濃縮液に飽和食塩水を加え酢酸
エチルで抽出、飽和食塩水で洗つたのちに乾燥し、減圧
上浴剤を留去して、目的化合物の結晶(21g)が得ら
れた。融点58−59 ′C 核磁気共鳴スペクトル(CDct5)δppm :1.
70 (I H、d、 J −6,5H2) 、 1.
7−2.7(2H、m ) 、 3.2−4.1 (5
H、m ) 。
5.25 (2H、s ) 、γ55 、13.17
(4H。
(4H。
A2B2 、 J=s H2)
実施例3
無水ジメチルホルムアミド(8−〕にナトリウムハイド
ライド(55%オイルディスパージョン、373m?)
、次いでチオ酢酸(0,85mZ)を加える。水冷下1
0分間攪拌ののち、3S−ヨー)’−1−p−ニトロベ
ンジルオキシカルボニルビロリジン(2,17g)のジ
メチルホルムアミド(4t)溶液を加え、1時間半55
′Cで攪拌する。冷却後、水を加えて酢酸エチルで抽出
、水洗し乾燥後、溶剤を減圧上留去し、残悄物をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーで分画梢M(ベンゼン;
酢酸エチル=2:1で浴出)して、目的化合物(1,6
5F)が淡黄色結晶として得られた。
ライド(55%オイルディスパージョン、373m?)
、次いでチオ酢酸(0,85mZ)を加える。水冷下1
0分間攪拌ののち、3S−ヨー)’−1−p−ニトロベ
ンジルオキシカルボニルビロリジン(2,17g)のジ
メチルホルムアミド(4t)溶液を加え、1時間半55
′Cで攪拌する。冷却後、水を加えて酢酸エチルで抽出
、水洗し乾燥後、溶剤を減圧上留去し、残悄物をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーで分画梢M(ベンゼン;
酢酸エチル=2:1で浴出)して、目的化合物(1,6
5F)が淡黄色結晶として得られた。
〔α]D −+ t8.8° (クロロホルム中)核磁
気共鳴スペクトル(tjDO4s)δpI)01 :1
7−2.3 (2H、m ) 、 2.33 (3H、
s )3.2−4.2 (5H、m ) 、 5.19
(2H、S)7.4B 、 8.14 (4H、A2
B2. J −10H2)実施例4゜ 3R−アセチルチオ−1−p−ニトロベンジルオキシカ
ルボニルピロリジン(4,5,9)より実施例2と同様
の反応処理により、目的化合物(3g)が淡黄色結晶と
して得られた。
気共鳴スペクトル(tjDO4s)δpI)01 :1
7−2.3 (2H、m ) 、 2.33 (3H、
s )3.2−4.2 (5H、m ) 、 5.19
(2H、S)7.4B 、 8.14 (4H、A2
B2. J −10H2)実施例4゜ 3R−アセチルチオ−1−p−ニトロベンジルオキシカ
ルボニルピロリジン(4,5,9)より実施例2と同様
の反応処理により、目的化合物(3g)が淡黄色結晶と
して得られた。
核磁気共鳴スペクトル(CD(315)δppm :1
.70 (I H、d、J −6,5H2) 、 1.
7−2J(2H* m ) 、324.0 (5H、m
) 。
.70 (I H、d、J −6,5H2) 、 1.
7−2J(2H* m ) 、324.0 (5H、m
) 。
5.25 (2H、s ) 、 7.55 、8.17
(4H。
(4H。
実施例5
実施例1と同様の反応処理により、3−メチルスルボニ
ルオキシ−4−メトキシ−1−p−ニトロベンジルオキ
シカルボニルピロリジン0.84IIを用いて、目的化
合物(0,2&)が淡黄色油状物として得られた。
ルオキシ−4−メトキシ−1−p−ニトロベンジルオキ
シカルボニルピロリジン0.84IIを用いて、目的化
合物(0,2&)が淡黄色油状物として得られた。
核磁気共鳴スペクトル(CDCts )δpp田:2.
36 (3H、8) 、 3.37 (3H、s )3
.3−4.3 (6H、m ) 、 5.20 (2H
、s )150 、8.18 (4H、A292. J
−8,5H2)実施例6 3−アセチルチオ−4−メトキシ−1−p−ニトロペン
ジルオキシカルボニルビロリジン(254mg )を実
施例2と同様圧反応処理し、目的化合物(tssxg)
を淡黄色油状物として得た。
36 (3H、8) 、 3.37 (3H、s )3
.3−4.3 (6H、m ) 、 5.20 (2H
、s )150 、8.18 (4H、A292. J
−8,5H2)実施例6 3−アセチルチオ−4−メトキシ−1−p−ニトロペン
ジルオキシカルボニルビロリジン(254mg )を実
施例2と同様圧反応処理し、目的化合物(tssxg)
を淡黄色油状物として得た。
籾磁気共鳴スペクトル(10zA )δppm :1.
99 (I H、d l J −60H2) 、 32
〜40(6H、m ) 、 3.48 (3H
、s ) 、 5.28(2H、s ) 、
7.4B 、 8.15 (4H、A2B2
。
99 (I H、d l J −60H2) 、 32
〜40(6H、m ) 、 3.48 (3H
、s ) 、 5.28(2H、s ) 、
7.4B 、 8.15 (4H、A2B2
。
J −8,5H2)
実施例7゜
3−メチルスルホニルオキシ−4−メチルチ、t−1−
p−ニトロベンジルオキシカルボニルピロリジン(1,
4g)を用いて、実施例1と同様の反応処理により、目
的化合物(0,7g)が淡黄色油状物として得られた。
p−ニトロベンジルオキシカルボニルピロリジン(1,
4g)を用いて、実施例1と同様の反応処理により、目
的化合物(0,7g)が淡黄色油状物として得られた。
核磁気共鳴スペクトル(oDaz、 )δppm :2
.21 (3H、s ) 、 2.32 (3H、s
)3.1−4.2 (6H、m ) 、 5.13 (
2H、s )7.40 、8.07 (4H、A2B2
. J −9H2)赤外線吸収スペクトル ν0Ht3
z5 −+。
.21 (3H、s ) 、 2.32 (3H、s
)3.1−4.2 (6H、m ) 、 5.13 (
2H、s )7.40 、8.07 (4H、A2B2
. J −9H2)赤外線吸収スペクトル ν0Ht3
z5 −+。
max cm −
690
実施例8゜
3−アセチルチオ−4−メチルチオ−1−p−ニトロベ
ンジルオキ7カルボニルビロリジン(528vg )を
用いて、実施e112と同様の反応処理により、目的化
合物(361mg)が淡黄色油状物と1−で得られた。
ンジルオキ7カルボニルビロリジン(528vg )を
用いて、実施e112と同様の反応処理により、目的化
合物(361mg)が淡黄色油状物と1−で得られた。
該磁気共鳴スペクトル(01)Oz3 )δppm :
2.02 (I H、d、 J −6,OHz ) 、
2.16 (311、6) 、 2.9〜3.5 (
4J(、tn ) 、 3.8〜42(2H、m )
、 5.22 (2H、s ) 、 7.50 。
2.02 (I H、d、 J −6,OHz ) 、
2.16 (311、6) 、 2.9〜3.5 (
4J(、tn ) 、 3.8〜42(2H、m )
、 5.22 (2H、s ) 、 7.50 。
8.15 (4H、A2B12 、 J −8,5H2
)実施例9 0リジン 3−アセブールチオ−4−メチルチオ−1−p−二トロ
ペンジルオキシカルボニルピロリジン(0,8、r )
のメチレンクロライド(10mg )溶液Wm−クロロ
過安息香酸(0,77、!i’ )を加え室温下3時間
攪拌する。水を加えてメチレンクロライド抽出物を水洗
、乾燥後浴剤を留去し、残留物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィーで分画精製(ベンゼン:酢ばエチル=2
:1で酩出)して、目的化合物(0,7,!i’)が得
られた。
)実施例9 0リジン 3−アセブールチオ−4−メチルチオ−1−p−二トロ
ペンジルオキシカルボニルピロリジン(0,8、r )
のメチレンクロライド(10mg )溶液Wm−クロロ
過安息香酸(0,77、!i’ )を加え室温下3時間
攪拌する。水を加えてメチレンクロライド抽出物を水洗
、乾燥後浴剤を留去し、残留物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィーで分画精製(ベンゼン:酢ばエチル=2
:1で酩出)して、目的化合物(0,7,!i’)が得
られた。
核磁気共鳴スペクトル(aDal、)δppm :2.
38 (3H、s ) 、 2.74 (3H、d、ス
ルホキサイドの異性体による) 、 3.0−4.4
(6H1m ) 15.20 (2H、s ) + 7
−50.815(4H、A2B2 、 J = 8.5
Hz )赤外線吸収スペクトル シ0HUt6can
−’ 。
38 (3H、s ) 、 2.74 (3H、d、ス
ルホキサイドの異性体による) 、 3.0−4.4
(6H1m ) 15.20 (2H、s ) + 7
−50.815(4H、A2B2 、 J = 8.5
Hz )赤外線吸収スペクトル シ0HUt6can
−’ 。
ax
T00
実施例10
リジン
3−アセチルチオ−4−メチルスルフィニル−1−p−
ニトロベンジルオキシ力ルポニルビロリジン(765Q
)を用いて、実施例2と同様の反応処理により、目的化
合物(620■)か得ら れプこ。
ニトロベンジルオキシ力ルポニルビロリジン(765Q
)を用いて、実施例2と同様の反応処理により、目的化
合物(620■)か得ら れプこ。
核磁気共鳴スペクトル(UDOts)δppm +2.
07 、2.32 (I H、それぞれd 、 J =
[i、OH2,異性体による。) 、 2.64 、
2.71 (3H1それぞれ8.異性体による。)、3
0〜4.3 (6H2m ) + 5.22 (2Hl
S ) 。
07 、2.32 (I H、それぞれd 、 J =
[i、OH2,異性体による。) 、 2.64 、
2.71 (3H1それぞれ8.異性体による。)、3
0〜4.3 (6H2m ) + 5.22 (2Hl
S ) 。
?、51 、8.19 (4H、A2B2. J −9
,0Hz )実施例11゜ ム 3−メチルスルホニルオキシ−5−カルノくモイル−1
−p−二トロペンジルオキシカルボニルビ口リジン(1
,3#)を実施例1と同様に反応処理し、目的化合物(
0,8!i)を得た。
,0Hz )実施例11゜ ム 3−メチルスルホニルオキシ−5−カルノくモイル−1
−p−二トロペンジルオキシカルボニルビ口リジン(1
,3#)を実施例1と同様に反応処理し、目的化合物(
0,8!i)を得た。
核磁気共鳴スペクトル(aDOLs )δppm :2
.35 (3H、s ) 、 2.2−2.8 (2H
、m )3T−4,4(4H+ m ) + 5.24
(2Hr s )5.9−6.6 (2H、broa
d ) 、 7.53 、8.20(4H、A2B2
、 J −8,5Hz )実施例12゜ 3−アセチルチオ−5−カルバモイル−1−p−=トロ
ペンジルオキシカルボニルビロリジン(292TIg
)を実施例2と同様に反応処理し、目的化合物(240
m& )を得た。
.35 (3H、s ) 、 2.2−2.8 (2H
、m )3T−4,4(4H+ m ) + 5.24
(2Hr s )5.9−6.6 (2H、broa
d ) 、 7.53 、8.20(4H、A2B2
、 J −8,5Hz )実施例12゜ 3−アセチルチオ−5−カルバモイル−1−p−=トロ
ペンジルオキシカルボニルビロリジン(292TIg
)を実施例2と同様に反応処理し、目的化合物(240
m& )を得た。
核磁気共鳴スペクトル(Dmso−a6)δppm :
243 (i H* d + J−7Hz ) I 2
2−28(2H、m ) + 3.1−4.4 (4H
’、 [+1 ) +5.15 (2H、s ) 、
7.5γ、 8.13 (4H。
243 (i H* d + J−7Hz ) I 2
2−28(2H、m ) + 3.1−4.4 (4H
’、 [+1 ) +5.15 (2H、s ) 、
7.5γ、 8.13 (4H。
A2B2. J −8,5H2)
参考例1゜
(SR,68,QR)−6−(1−ヒドロキシエチル)
−2−オキンカルノくペナム−3−カルボ2酸p−ニト
ロベンジルエステル(150Q ) (7)アセトニ)
IJル浴液(7m1)に水冷窒素気流下、ジイソプロ
ピルエチルアミン(82μt)とジフェニルホヤホリル
クロライド(96μt)を力Uえろ。
−2−オキンカルノくペナム−3−カルボ2酸p−ニト
ロベンジルエステル(150Q ) (7)アセトニ)
IJル浴液(7m1)に水冷窒素気流下、ジイソプロ
ピルエチルアミン(82μt)とジフェニルホヤホリル
クロライド(96μt)を力Uえろ。
同温で730分攪拌した後、ジイソプロピルエチルアミ
ン(82μt)と(3B)−N−p−ニトロベンジルオ
キシカルボニル−3−メルカプトピロリジン(132I
Ig)ya−加え、更に1時間攪拌する。反応液を酢酸
エチルで希釈した後、飽和食塩水、5チ重曹水、飽和食
塩水で1@仄洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥する。溶
媒を留去した残渣に少量の酢酸エチルを加え、析出した
結晶を1取すると、161Qの目的化合物を得た。母液
瞥゛濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーを用
い精製すると、酢酸エチルで浴出する部分から、更に3
1叩の目的化合物を得た。(収率T3チ) 赤外線吸収スペクトル シKBrc、−1゜ax 35110 、 1780 、 1705核磁気共
鳴スペクトル(aDez3)δppco :1.35(
3H1d、Jキロ、oH2)、1.8〜L9(3Hz
m ) + 3.1〜4.6(10H,to)。
ン(82μt)と(3B)−N−p−ニトロベンジルオ
キシカルボニル−3−メルカプトピロリジン(132I
Ig)ya−加え、更に1時間攪拌する。反応液を酢酸
エチルで希釈した後、飽和食塩水、5チ重曹水、飽和食
塩水で1@仄洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥する。溶
媒を留去した残渣に少量の酢酸エチルを加え、析出した
結晶を1取すると、161Qの目的化合物を得た。母液
瞥゛濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーを用
い精製すると、酢酸エチルで浴出する部分から、更に3
1叩の目的化合物を得た。(収率T3チ) 赤外線吸収スペクトル シKBrc、−1゜ax 35110 、 1780 、 1705核磁気共
鳴スペクトル(aDez3)δppco :1.35(
3H1d、Jキロ、oH2)、1.8〜L9(3Hz
m ) + 3.1〜4.6(10H,to)。
5.23 (2H、s ) 、 5.23 、5.50
(2H。
(2H。
AB−q 、 J = 14.0 Hz ) +1.5
3 、8.20 (4H9A2B2 a JI= 9.
OH2) 、7.65.8.20 (4Hr A2B
2 + J”” 9−θ Ilz )参考例2
゜ チオ〕−2−カルバペネムー3−カルボン酸(SR,6
8,8R)−6−(1−ヒドロキシエチル) 2−[
:(3S) N−p−二トロペンジルオキシカルポニ
ルピ口リジン−3−イルチオ)−2−カルバペネム−3
−カルボン酸p−ニトロベンジルエステル(190Q)
’1テトラヒドロフラン(20−)VC溶かし、モルホ
リノグロパンスルホン酸緩衝液(pH−7,0、20d
) 、及び酸化白金触媒(3S*y)を加え、バール
シエイカー中、40 psiの水素圧下、1時間水素添
加を行なう。触媒なP去した後、減圧下テトラヒドロフ
ランを留去し、析出した不溶物を再びr去し、酢酸エチ
ルで洗浄する。水層な減圧濃縮し、ダイアイオンHP−
20AG(三菱化成工業製)ツカラムクロマトに付すと
、5チアセトン水で溶出される部分から目的化合物46
■を得た。
3 、8.20 (4H9A2B2 a JI= 9.
OH2) 、7.65.8.20 (4Hr A2B
2 + J”” 9−θ Ilz )参考例2
゜ チオ〕−2−カルバペネムー3−カルボン酸(SR,6
8,8R)−6−(1−ヒドロキシエチル) 2−[
:(3S) N−p−二トロペンジルオキシカルポニ
ルピ口リジン−3−イルチオ)−2−カルバペネム−3
−カルボン酸p−ニトロベンジルエステル(190Q)
’1テトラヒドロフラン(20−)VC溶かし、モルホ
リノグロパンスルホン酸緩衝液(pH−7,0、20d
) 、及び酸化白金触媒(3S*y)を加え、バール
シエイカー中、40 psiの水素圧下、1時間水素添
加を行なう。触媒なP去した後、減圧下テトラヒドロフ
ランを留去し、析出した不溶物を再びr去し、酢酸エチ
ルで洗浄する。水層な減圧濃縮し、ダイアイオンHP−
20AG(三菱化成工業製)ツカラムクロマトに付すと
、5チアセトン水で溶出される部分から目的化合物46
■を得た。
KBr−1゜
赤外線吸収スペクトル νmaz cm 。
340[1、1770、1s90
紫外線吸収スペクトル λI(20rlm(ε):ax
298 (7290)
核磁気共鳴スペクトル(D20)δl)り[+1 :1
.27 (3H、a 、 J −6,5Hz ) 、
1.8〜2.2(1H、m ) 、 2.3〜2.7
(I H、m ) 。
.27 (3H、a 、 J −6,5Hz ) 、
1.8〜2.2(1H、m ) 、 2.3〜2.7
(I H、m ) 。
3.19 (2H、eL 、 J −9,5Hz )
、 3.3〜3.8(5H、m ) 、 3.9〜4.
4 (3H、m )参考例3゜ (sR,ss、5R)−6−(1−ヒドロキシエチル)
−2−[(3B)−ピロリジン−3−イルチオ〕−2−
カルバペネム−3−カルボン酸(63M)を燐酸緩衝液
(pH−7,1、9mZ)に溶解し、水冷下1N−力性
ソーダ水浴液でpH8,5に調節する。エチルアセトイ
ミデート塩酸塩(121叩)を加え、再び1N−力性ソ
ーダ水浴液でpH8,51c調節する。水冷下10分間
攪拌したのち、IN塩酸でpH7,0とし、ダイアイオ
ン(HP20AG)のカラムを用い精製し、5チアセト
ン水で溶出される部分を凍結乾繰して、42mgの目的
化合物を得た。これを高速液体クロマトグラフィー(ウ
ォーターズマイクロポンダノくツクCIB、 テトラヒ
ドロフラン:水=1710)を用いて精製し、更KM製
された目的化合物38篇gを得た。
、 3.3〜3.8(5H、m ) 、 3.9〜4.
4 (3H、m )参考例3゜ (sR,ss、5R)−6−(1−ヒドロキシエチル)
−2−[(3B)−ピロリジン−3−イルチオ〕−2−
カルバペネム−3−カルボン酸(63M)を燐酸緩衝液
(pH−7,1、9mZ)に溶解し、水冷下1N−力性
ソーダ水浴液でpH8,5に調節する。エチルアセトイ
ミデート塩酸塩(121叩)を加え、再び1N−力性ソ
ーダ水浴液でpH8,51c調節する。水冷下10分間
攪拌したのち、IN塩酸でpH7,0とし、ダイアイオ
ン(HP20AG)のカラムを用い精製し、5チアセト
ン水で溶出される部分を凍結乾繰して、42mgの目的
化合物を得た。これを高速液体クロマトグラフィー(ウ
ォーターズマイクロポンダノくツクCIB、 テトラヒ
ドロフラン:水=1710)を用いて精製し、更KM製
された目的化合物38篇gを得た。
紫外線吸収スペクトル 2410m(ε):298
(8960) KJ−−+ 。
(8960) KJ−−+ 。
赤外線吸収スペクトル ν[l)aXCm。
3400 、 1760 、 1675核磁気共鳴
スペクトルCD20 )δppm :1.29 (3H
、d、 J −6,5Hz ) 、 1.8〜2.7(
2H、m ) 、 2.29 (3H、s ) 、 3
.23(2H、d−11ke 、 J = 9.
5 Hz ) 、 龜44 (I H、6
,−d、 J −3,0、6,OH2) 、 3
.3〜4.4(7H、no ) 得られた目的化合物の抗菌作用を以下の表に示す。
スペクトルCD20 )δppm :1.29 (3H
、d、 J −6,5Hz ) 、 1.8〜2.7(
2H、m ) 、 2.29 (3H、s ) 、 3
.23(2H、d−11ke 、 J = 9.
5 Hz ) 、 龜44 (I H、6
,−d、 J −3,0、6,OH2) 、 3
.3〜4.4(7H、no ) 得られた目的化合物の抗菌作用を以下の表に示す。
特許出願人 三共株式会社
代理人 弁理士樫出庄治
第1頁の続き
0発 明 者 田中輝夫
東京部品用区広町1丁目2番58
号三共株式会社化学研究所内
0発 明 者 菅原真−
東京部品用区広町1丁目2番58
号三共株式会社総合研究所内
0発 明 者 宮寺哲男
東京部品用区広町1丁目2番58
号三共株式会社化学研究所内
手続補正弁(目元)
屈
:==
1、事件の表示
昭和5γ年特許願第122783号
2 発明の名称
3−メルカグトピロリジン銹尋体及びその製法3 補正
をする者 事件上の関係 特許出願人 住所 〒103東京都中央区日本橋本町3丁目1査地の
6名称 (185)三共株式会社 代表者 取締役社長 河村喜典 4、代理人 住所 〒140東京部品川区広町1丁目2番5日−噂三
共株式会社内 つ 1 明細畏第7負10行目の 「若しは」を 「苔しくは」と訂正する。
をする者 事件上の関係 特許出願人 住所 〒103東京都中央区日本橋本町3丁目1査地の
6名称 (185)三共株式会社 代表者 取締役社長 河村喜典 4、代理人 住所 〒140東京部品川区広町1丁目2番5日−噂三
共株式会社内 つ 1 明細畏第7負10行目の 「若しは」を 「苔しくは」と訂正する。
2 同第20頁7行目、第21頁10行目、wJ21頁
12行目および第22頁15行目の 「3S」をすべて 「(3S)」と訂正する。
12行目および第22頁15行目の 「3S」をすべて 「(3S)」と訂正する。
3 同第20頁12行目、第22頁10行目、第23負
11行目および第23負13行目のr3RJをすべて [(3R)Jと訂正する。
11行目および第23負13行目のr3RJをすべて [(3R)Jと訂正する。
4 昭和5γ年9月17日付の手続廟正曹(自発)第2
頁5行目、第2貞8行目、第3頁8行目、第3頁11行
目および第4頁13行目の13RJ全すべて r(3R)JとK」正する。
頁5行目、第2貞8行目、第3頁8行目、第3頁11行
目および第4頁13行目の13RJ全すべて r(3R)JとK」正する。
5 同+続補正桝第4頁7行目、第5頁9行目、第5貞
12行目および第1頁下から9行目の「3S」をすべて r(3B)Jと訂正する。
12行目および第1頁下から9行目の「3S」をすべて r(3B)Jと訂正する。
パ6 同手続抽正誓第4頁4行目の
[5,1r(2H,s)Jを
r5.17(2H,s)、5.0−5.5(IH,m)
Jと訂正する。
Jと訂正する。
7 四手続補正書第8頁最下行の
r−6−C1−ヒドロキシエチル) J ’、r: 削
除スる。
除スる。
8 四手続補正書第5頁8行目乃至ポロ貝9行目にわた
る「実施例16の記載」の後1/C前記の語句を挿入す
る。
る「実施例16の記載」の後1/C前記の語句を挿入す
る。
[実施例17
ピロリジン
(3R)−ハイドロキシ−t−(N−p−二トロベンジ
ルオキシ力ルポニルアセトイミドイノリピロリジン49
g、トリフェニルホヌフイン83.4,9.安息香酸3
8.8.@を無水THF12LlOmAに浴解し、窒素
気流中氷冷下、アゾジカルボン酸ジエチル50祷を無水
THF450成に溶解して加える0室温で2時間攪拌後
減圧下m剤を留去し、残留物に200廓のジエチルエー
テルを加え静置すると結晶が析出してぐる。析出結晶を
800 Jのジエチルエーテルで5回洗浄することによ
り、3(S〕−ベンゾイルオキ’/−1−(N−p−二
トロベンジルオキシヵルボニルアセトイミドイノリピロ
リゝジン561gが得られた。
ルオキシ力ルポニルアセトイミドイノリピロリジン49
g、トリフェニルホヌフイン83.4,9.安息香酸3
8.8.@を無水THF12LlOmAに浴解し、窒素
気流中氷冷下、アゾジカルボン酸ジエチル50祷を無水
THF450成に溶解して加える0室温で2時間攪拌後
減圧下m剤を留去し、残留物に200廓のジエチルエー
テルを加え静置すると結晶が析出してぐる。析出結晶を
800 Jのジエチルエーテルで5回洗浄することによ
り、3(S〕−ベンゾイルオキ’/−1−(N−p−二
トロベンジルオキシヵルボニルアセトイミドイノリピロ
リゝジン561gが得られた。
核磁気共鳴スペクトル δppm CD0I31.9
−2.6(2H,m)、 2.32. 2.38(合
せて3H)3、s t+(4H1m)、s、zo(2
H1s)、54−5.8 (iH,m)、 乙2−7
.7(3H,m)、 7.8−8.3(2H,m)、
?、54.8.14(4H,A B J22’ =90)。
−2.6(2H,m)、 2.32. 2.38(合
せて3H)3、s t+(4H1m)、s、zo(2
H1s)、54−5.8 (iH,m)、 乙2−7
.7(3H,m)、 7.8−8.3(2H,m)、
?、54.8.14(4H,A B J22’ =90)。
得られた(3B)−ベンゾイルオキシ−1−(N−p−
ニトロベンジルオキシカルボニルアセトイミドイル)ピ
ロリジン5’ 5 gk無水THF900mlと、無水
メタノール400 me tc 溶解し、窒素気流中
−2°〜o′Cで28%のナトリウムメトキシドメタノ
ール溶液をt同上して加えた後、水冷下2時間攪拌する
1反応後、酢酸3.7 mlを加えて中和する。減圧下
、約半反捷で浴+’tlJを留去した後、酢r肢エチル
1500mJで希釈し、水洗、乾燥後、減圧ド、浴剤を
留去し、約1004の浴剤をのこして、析出結晶を′P
取する。侍られた結晶を1壮酸エチル、およびジエチル
エーテルで洗浄することにより、目的化合物31gが得
らハだ。
ニトロベンジルオキシカルボニルアセトイミドイル)ピ
ロリジン5’ 5 gk無水THF900mlと、無水
メタノール400 me tc 溶解し、窒素気流中
−2°〜o′Cで28%のナトリウムメトキシドメタノ
ール溶液をt同上して加えた後、水冷下2時間攪拌する
1反応後、酢酸3.7 mlを加えて中和する。減圧下
、約半反捷で浴+’tlJを留去した後、酢r肢エチル
1500mJで希釈し、水洗、乾燥後、減圧ド、浴剤を
留去し、約1004の浴剤をのこして、析出結晶を′P
取する。侍られた結晶を1壮酸エチル、およびジエチル
エーテルで洗浄することにより、目的化合物31gが得
らハだ。
核磁気共鳴スペクトル δppm (j)C1,。
1γ−2,3(2H,m)、2.23,2.26(合せ
て 3H)3.0−3.8 (5H,m )、 4.2
−4.6 (IH,m )、 5.11(2H,s)、
7.46. 8.05(4H,A2B2. J=9.
0)実施例18 (3S)−ハイドロキシ−1−(N−p−二トロペンジ
ルオキシ力ルポニルアセトイミドイノリビロリジン(7
,3,?)kメチレンクロンイド(12゜rrtA )
’ K m Hし、水冷下メタンヌルホニルク0フィト
(2,7mA)、次いでトリエチルアミ7 (4,9m
1)を加える。水冷下30分間攪拌したのち、水ケ加え
、メチレンクロライドで抽出、水洗、乾探後溶剤を減圧
上留去し残留物をノリ力ゲルクロマトクラフィーで分画
精製すると、酢鋏エチルベンゼン=3:2で浴出する両
分より目的化合物(8,1,!+7)が侍らノした。
て 3H)3.0−3.8 (5H,m )、 4.2
−4.6 (IH,m )、 5.11(2H,s)、
7.46. 8.05(4H,A2B2. J=9.
0)実施例18 (3S)−ハイドロキシ−1−(N−p−二トロペンジ
ルオキシ力ルポニルアセトイミドイノリビロリジン(7
,3,?)kメチレンクロンイド(12゜rrtA )
’ K m Hし、水冷下メタンヌルホニルク0フィト
(2,7mA)、次いでトリエチルアミ7 (4,9m
1)を加える。水冷下30分間攪拌したのち、水ケ加え
、メチレンクロライドで抽出、水洗、乾探後溶剤を減圧
上留去し残留物をノリ力ゲルクロマトクラフィーで分画
精製すると、酢鋏エチルベンゼン=3:2で浴出する両
分より目的化合物(8,1,!+7)が侍らノした。
核磁気共鳴スペクトル(cDct、、)δppm :2
.31 (3H,e)、 2.0−2.6(2H,m)
、 3.05(3H,s )、 3.4−4.0 (4
H,m)、 5.11(2H18)、50−5.5(1
H,m)、7.55,8.15(4H。
.31 (3H,e)、 2.0−2.6(2H,m)
、 3.05(3H,s )、 3.4−4.0 (4
H,m)、 5.11(2H18)、50−5.5(1
H,m)、7.55,8.15(4H。
A2B2. J=9Hz )
実施例19
ピロリジン
無水アセトン(1oomt)に炭酸カリウム(3,5,
!i’)、チオ酢阪(L65nu)を加え1時間加熱4
流したのら、(3S)−メタンスルホニルオキシ〜1−
<N−p−二トロベンジルオキシカルホ゛ニルアセトイ
ミドイル)ピロリジンCB、11/)を無水ア七トン(
zood)に俗解して加える。家累気□it中14時間
加熱還流したのち不1合物勿P去し、減圧上溶剤を留去
する。残旨′vJvrL n’hは々エチルを加え、水
洗、乾燥後、減圧上浴剤を留去シ2、残WJ物忙ンリカ
ゲルクロマトグジフィーで分画精製すると、酢酸エチル
:ベンセン=2=1で浴出する両分より目的化合物(4
,9g)が得られた。
!i’)、チオ酢阪(L65nu)を加え1時間加熱4
流したのら、(3S)−メタンスルホニルオキシ〜1−
<N−p−二トロベンジルオキシカルホ゛ニルアセトイ
ミドイル)ピロリジンCB、11/)を無水ア七トン(
zood)に俗解して加える。家累気□it中14時間
加熱還流したのち不1合物勿P去し、減圧上溶剤を留去
する。残旨′vJvrL n’hは々エチルを加え、水
洗、乾燥後、減圧上浴剤を留去シ2、残WJ物忙ンリカ
ゲルクロマトグジフィーで分画精製すると、酢酸エチル
:ベンセン=2=1で浴出する両分より目的化合物(4
,9g)が得られた。
核磁気共鳴スペクトル(cJ)at、、 )δppm1
.1−2.1(2H1m)、 2.30 (3H,s
)、245(3H9θ)13.2 42 (5J m
)、520 (2H9s )+ 7.L 8.1
(4HI A2B2 、J==9H2)実施例20 ピロリジン (3R)−アセチルチオ−1−(N−p−二トロベンジ
ルオキシ力ルポニルアセトイミドイノリビロリジン(3
0g)をメタノール(1t))L浴着し一10°Cに冷
却する。ナトリウムメトキサイドの28%メタノール浴
g、tsstnsr:rm加し、徐々に温度を0℃迄上
けなが゛ら3o分間攪拌する。
.1−2.1(2H1m)、 2.30 (3H,s
)、245(3H9θ)13.2 42 (5J m
)、520 (2H9s )+ 7.L 8.1
(4HI A2B2 、J==9H2)実施例20 ピロリジン (3R)−アセチルチオ−1−(N−p−二トロベンジ
ルオキシ力ルポニルアセトイミドイノリビロリジン(3
0g)をメタノール(1t))L浴着し一10°Cに冷
却する。ナトリウムメトキサイドの28%メタノール浴
g、tsstnsr:rm加し、徐々に温度を0℃迄上
けなが゛ら3o分間攪拌する。
酢酸0.95成を加え、減圧“F浴剤を誼去濃縮する。
濃縮液に飽第1]食塩水を加え酢酸エチルで抽出、飽和
食塩水で洗ったのち、乾燥し、減圧上溶剤を留去するこ
とにより目的化合物(4,41が得られた。
食塩水で洗ったのち、乾燥し、減圧上溶剤を留去するこ
とにより目的化合物(4,41が得られた。
核磁気共鳴スペクトル(CD C1q )δppm・1
、7−21(3H,rn)、 2.33(3H,e)、
3.2−4.1(5H9m)、 5.22(2H,θ
)、 7.54,8.17(4H,A2B2. J=8
.5H2) J9 四手続補正v!j、
48頁9行目乃至第9頁末行にわたる「参考例5−タ茸
輩」の後に下記の語句を挿入する。
、7−21(3H,rn)、 2.33(3H,e)、
3.2−4.1(5H9m)、 5.22(2H,θ
)、 7.54,8.17(4H,A2B2. J=8
.5H2) J9 四手続補正v!j、
48頁9行目乃至第9頁末行にわたる「参考例5−タ茸
輩」の後に下記の語句を挿入する。
「 参考例6
(5R,68,8R)−6−(1−ヒドロキシエチル)
−2−オキソカルバベネム−3−カルボンhRp−二ト
ロベンジルエステル(3,9TV)のアセトニtlル水
溶液(100rnl)に氷冷望素気流下、ジインプロピ
ルエチルアミン(23rmt)とジフェニルホヌホリル
クロライド(2,77m1.)を加える。同温で30分
攪拌したのち、ジインプロピルエチルアミン(2,37
mA)と(3R)−メルカプ)−1−(N−p−二トロ
ベンジルオキシ力ルポニルアセトイミドイル)ピロリジ
ン(4,43,9)を加え、更に1時間撹拌する。反応
液を酢酸エチルで希釈した後、飽和食塩水、5%重そう
水、飽和食塩水で順次洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥
する。溶剤を留去した残留物に少縦の酢酸エチルを加え
、析出した結晶を115取して、目的化合物”(4,0
g)を得た。母液をシリカゲルローバーカラムで分画精
製すると、a「酸エチル溶出自分より史に目的化合物(
112g)が44られた。
−2−オキソカルバベネム−3−カルボンhRp−二ト
ロベンジルエステル(3,9TV)のアセトニtlル水
溶液(100rnl)に氷冷望素気流下、ジインプロピ
ルエチルアミン(23rmt)とジフェニルホヌホリル
クロライド(2,77m1.)を加える。同温で30分
攪拌したのち、ジインプロピルエチルアミン(2,37
mA)と(3R)−メルカプ)−1−(N−p−二トロ
ベンジルオキシ力ルポニルアセトイミドイル)ピロリジ
ン(4,43,9)を加え、更に1時間撹拌する。反応
液を酢酸エチルで希釈した後、飽和食塩水、5%重そう
水、飽和食塩水で順次洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥
する。溶剤を留去した残留物に少縦の酢酸エチルを加え
、析出した結晶を115取して、目的化合物”(4,0
g)を得た。母液をシリカゲルローバーカラムで分画精
製すると、a「酸エチル溶出自分より史に目的化合物(
112g)が44られた。
核磁気共鳴スペクトル(DMF−a)δppm +1.
23(31(、d、 J=6.0H2)、 1.6−2
.7(3H。
23(31(、d、 J=6.0H2)、 1.6−2
.7(3H。
m)、 2.26 (3H,s )、 3.1−4.6
(10H,m)。
(10H,m)。
5.21 (2H,e )、 5.33.5.50 (
2H,AB−q。
2H,AB−q。
J=14H2)、7.61,8.21(4H,A2B2
.J=9H2)、717.8.21 (4H,A2B2
. J=9J(Z )参考例7 00H (5R,6S、8R)−6−(1−ヒドロキシエチル)
−2−[(3R) −N−1)−二トロペンジルオキシ
力ルポニルアセトイミドイルビ口リジン−3−(ルチオ
J−2−カルバペネム−3−カルボン酸 p−ニトロベ
ンジルエステル(4,8g)をテトラヒドロフラン(1
60mQに浴かし、リン酸緩衝液(pH=7.o、 1
so a/、)及び10%パラジウム−炭素触媒(3,
z、9)を加え、2時間水嵩添加を行ったのち、触媒を
枦去し、減圧下テトラヒドロフランを留去する。析出し
た不t6物を再びp去し、酢酸エチルで洗浄する。水層
を減圧濃縮し、ダイアイオンHP−20AG(三菱化成
工業段)のカラムクロマトグラフィーVC付し、5%ア
セトン水で浴出される両分を凍結乾燥すると目的化合物
(1,rr&)が得られた。
.J=9H2)、717.8.21 (4H,A2B2
. J=9J(Z )参考例7 00H (5R,6S、8R)−6−(1−ヒドロキシエチル)
−2−[(3R) −N−1)−二トロペンジルオキシ
力ルポニルアセトイミドイルビ口リジン−3−(ルチオ
J−2−カルバペネム−3−カルボン酸 p−ニトロベ
ンジルエステル(4,8g)をテトラヒドロフラン(1
60mQに浴かし、リン酸緩衝液(pH=7.o、 1
so a/、)及び10%パラジウム−炭素触媒(3,
z、9)を加え、2時間水嵩添加を行ったのち、触媒を
枦去し、減圧下テトラヒドロフランを留去する。析出し
た不t6物を再びp去し、酢酸エチルで洗浄する。水層
を減圧濃縮し、ダイアイオンHP−20AG(三菱化成
工業段)のカラムクロマトグラフィーVC付し、5%ア
セトン水で浴出される両分を凍結乾燥すると目的化合物
(1,rr&)が得られた。
核磁気共鳴スペクトル(D2o)δppm1.29 (
3H* d、J=6.5H2)、 1.8 2−7 (
2H。
3H* d、J=6.5H2)、 1.8 2−7 (
2H。
m)+ 22.9 (3H2S )+ 2−9 44
(10H+ m )赤外線吸収スペクトル ν r 、
、、、−1ax 3400、 176(J、 167520 紫外線吸収スペクトル λmaxnm(ε〕298 (
8960) 融点 208〜210℃(分解) 参考例8 (SR,68,8R)−e−(1−ヒドロキ7エチ(S
R,6S、8R)−6−(1−ヒドロキジエチル)−2
−オキソカルバペナム−3−カルボン酸 p−ニトロベ
ンジルエステル(1,5,!7)と(3R)−N−p−
二トロベンジルオキシ力ルボニル−3−メルカグトピロ
リジン(132g)よす参考例1と同様の反応処理によ
り目的化合物(1,ssg)を得た。
(10H+ m )赤外線吸収スペクトル ν r 、
、、、−1ax 3400、 176(J、 167520 紫外線吸収スペクトル λmaxnm(ε〕298 (
8960) 融点 208〜210℃(分解) 参考例8 (SR,68,8R)−e−(1−ヒドロキ7エチ(S
R,6S、8R)−6−(1−ヒドロキジエチル)−2
−オキソカルバペナム−3−カルボン酸 p−ニトロベ
ンジルエステル(1,5,!7)と(3R)−N−p−
二トロベンジルオキシ力ルボニル−3−メルカグトピロ
リジン(132g)よす参考例1と同様の反応処理によ
り目的化合物(1,ssg)を得た。
赤外線吸収スペクトル シKBr−1 。
maXCrn ゛
3560、 1780. 1705
核磁気共鳴ヌベクトル(DMy−a、)δppm :i
、25(3H,d、 J=6.0H2)、 1.1−2
.7(3H。
、25(3H,d、 J=6.0H2)、 1.1−2
.7(3H。
m)、3.1−4.6(10H,m)、5.27(2H
,e)。
,e)。
5−21+ 5.54 (2H9AB−q、 J−
14,0Hz )。
14,0Hz )。
7.65.8.20 (4H,A2B2. J=90H
z)、 7.80゜8.20 (4H,A2B2.
J=9.0H2)参考例9 オ」−2−カルバペネム−3−カルボンを役T−1 (5R,68,8R)−e−(1−ヒドロキシエチル)
−2−[(3R)−N−p−二トロベンジルオキシカル
ボニルビ口リジン−3−イルチオ」−2−カルバペネム
−3−カルボンkp−ニトロベンジルエステル(1,9
g)=z参考?!I 2と同様に反応処理し、目的化合
物0.47.9を得た。
z)、 7.80゜8.20 (4H,A2B2.
J=9.0H2)参考例9 オ」−2−カルバペネム−3−カルボンを役T−1 (5R,68,8R)−e−(1−ヒドロキシエチル)
−2−[(3R)−N−p−二トロベンジルオキシカル
ボニルビ口リジン−3−イルチオ」−2−カルバペネム
−3−カルボンkp−ニトロベンジルエステル(1,9
g)=z参考?!I 2と同様に反応処理し、目的化合
物0.47.9を得た。
赤外線吸収スペクトル シKBrcm−1゜aX
3400、 1770. 1590
紫外線吸収スペクトル λ−−−nm (gJ29B
(7,400) 核磁気共鳴スペクトル(D20)δppm :1.21
(3H,d、 J=6.5H2)、 1.8−2
.2(IH。
(7,400) 核磁気共鳴スペクトル(D20)δppm :1.21
(3H,d、 J=6.5H2)、 1.8−2
.2(IH。
m)、232T(IHlm)、31 18(7H1m)
。
。
3.9−4.4 (3H,m) J以上
手続補正書(自発)
昭和57年9月ノア日
特許庁長官 若 杉 和 夫殿
J、事件の表示
昭和57年特許願第122783号
2、発明の名称
:う−メルカゾトピロリジン誘導体及びその製法:3.
補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 〒103東京都中央区日本橋本1[fJ3J″1
411旧池のに名称 (185)三共株式会社 代表者 取締役社長 河村喜典 4、代理人 居所 〒140東京部品川区広町1丁目2番58号三共
株式会社内 6、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄7、補
正の内容 別紙の通り 1、 明細書第29頁2乃至13行目にわたる「実施例
12.の記載」の後に下記の語句を挿入する。
補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 〒103東京都中央区日本橋本1[fJ3J″1
411旧池のに名称 (185)三共株式会社 代表者 取締役社長 河村喜典 4、代理人 居所 〒140東京部品川区広町1丁目2番58号三共
株式会社内 6、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄7、補
正の内容 別紙の通り 1、 明細書第29頁2乃至13行目にわたる「実施例
12.の記載」の後に下記の語句を挿入する。
[実施例13゜
ロリ・シン
3R−ハイドロキシピロリノン塩酸塩(12,3g−)
をエタノール(1(10d)に懸濁させトリエチルアミ
ン(14−)を加える。エチル アセトイミデート塩酸
塩(12,3y−)、ついでトリエチルアミン(1,4
rn1.)を加え室温で1時間攪拌したのち減圧下溶剤
を留去する。残留物にメチレンクロライド(10nrn
l)を加え、水冷下p−ニトロベンジルオキシカルボニ
ルクロライ)’(229L)ヲ加よる。撹拌丁、トリエ
チルアミン(14d)を滴加し、水冷下1時間攪拌した
のち、水を加えメチレンクロライドで抽出する。水洗、
乾燥後減圧下溶剤を留去し残留物をシリカゾルカラムク
ロマトグラフィーで分画精製(ベンゼン:酢酸エチル=
1=1で溶出)すると、目的化合物が得られた。
をエタノール(1(10d)に懸濁させトリエチルアミ
ン(14−)を加える。エチル アセトイミデート塩酸
塩(12,3y−)、ついでトリエチルアミン(1,4
rn1.)を加え室温で1時間攪拌したのち減圧下溶剤
を留去する。残留物にメチレンクロライド(10nrn
l)を加え、水冷下p−ニトロベンジルオキシカルボニ
ルクロライ)’(229L)ヲ加よる。撹拌丁、トリエ
チルアミン(14d)を滴加し、水冷下1時間攪拌した
のち、水を加えメチレンクロライドで抽出する。水洗、
乾燥後減圧下溶剤を留去し残留物をシリカゾルカラムク
ロマトグラフィーで分画精製(ベンゼン:酢酸エチル=
1=1で溶出)すると、目的化合物が得られた。
核磁気共鳴スペクトル(DMSO−d6)δppm :
2.24(3H,s)、2.7−3.5(5H,m)、
3.5−4.2(2H,m)、4.7−5.1(IH,
m)、5.3(2B、s)、7.6 、8.2 (4H
、A2B2. J=9Hz)実施例14 3R−ハイドロキシ−1−(N−p−ニトロベンジルオ
キシカルボニルアセトイミドイル)ピロリジン(32,
2P)t−メチレンクロライド(500fnl)に溶解
し、水冷下メタンスルホニルクロライド(9,3m/)
、次いでトリエチルアミン(16,7m/りを加える。
2.24(3H,s)、2.7−3.5(5H,m)、
3.5−4.2(2H,m)、4.7−5.1(IH,
m)、5.3(2B、s)、7.6 、8.2 (4H
、A2B2. J=9Hz)実施例14 3R−ハイドロキシ−1−(N−p−ニトロベンジルオ
キシカルボニルアセトイミドイル)ピロリジン(32,
2P)t−メチレンクロライド(500fnl)に溶解
し、水冷下メタンスルホニルクロライド(9,3m/)
、次いでトリエチルアミン(16,7m/りを加える。
水冷下30分間攪拌したのち、水を加え、メチレンクロ
ライドで抽出、水洗、乾燥後溶剤を減圧下留去すると、
目的化合物(3sy)が得られた。
ライドで抽出、水洗、乾燥後溶剤を減圧下留去すると、
目的化合物(3sy)が得られた。
核磁気共鳴スペクトル(CDC7,)δppm :2.
31(3H,s)、2.0−2.6(,2H,m)、3
.05(3H,s)、3.4−4.(1(4H,m)、
5.17(2H,s) 7.55,8.15(4H,A2132.J=9H7)
実施例15゜ ロリノン 無水ジメチルホルムアミド(3oo、v)にナトリウム
ハイドライド(55チオイルデイスパーノヨン、7.3
sy)次いでチオ酸W112.5ydを加え、水冷下1
0分間攪拌する。3R−メタンスルホニルオキシ−1−
(N−p−ニトロペンノルオキシカルボニルアセトイミ
ドイル)ピロリノン(405’−)’(r加え65℃で
3時間攪拌する。反応混合物を冷却し、水を加え、酢酸
エチルで抽出する。酢酸エチル抽出液を水洗乾燥後、減
圧下溶剤を留去し残留物をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーで分画精製すると、ベンゼン:酢酸エチル−2
二1で溶出する両分より目的化合物(30?)が得られ
た。
31(3H,s)、2.0−2.6(,2H,m)、3
.05(3H,s)、3.4−4.(1(4H,m)、
5.17(2H,s) 7.55,8.15(4H,A2132.J=9H7)
実施例15゜ ロリノン 無水ジメチルホルムアミド(3oo、v)にナトリウム
ハイドライド(55チオイルデイスパーノヨン、7.3
sy)次いでチオ酸W112.5ydを加え、水冷下1
0分間攪拌する。3R−メタンスルホニルオキシ−1−
(N−p−ニトロペンノルオキシカルボニルアセトイミ
ドイル)ピロリノン(405’−)’(r加え65℃で
3時間攪拌する。反応混合物を冷却し、水を加え、酢酸
エチルで抽出する。酢酸エチル抽出液を水洗乾燥後、減
圧下溶剤を留去し残留物をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーで分画精製すると、ベンゼン:酢酸エチル−2
二1で溶出する両分より目的化合物(30?)が得られ
た。
核磁気共鳴スペクトル(CDC6ρδpprn :L、
S−2,2(2H,m)、2.30(3)1.s)、2
.35(3H,s)、3.2−4.2(5H,m)、5
.16(2H,s)、7.5 、8.1 (4H、A2
B2.J二9Hz) 実施例16゜ リジン 3S−アセチルチオ−1−(N−p−二トロペンジルオ
キシカルボニルアセトイミドイル)ピロリジン(307
)をメタノール(11/)に溶解し一10℃に冷却する
。ナトリウム(1,81i’)より調製したナトリウム
メトキサイドのメタノール溶液を滴加し、徐々に温度を
0℃迄上げながら30分間攪拌する。酢ff4.92r
n1.を加え、減圧下半1位になる迄溶剤を留去濃縮す
る。濃縮液に飽和食塩水を加え酢酸エチルで抽出、飽和
食塩水で洗ったのち、乾燥し、減圧下溶剤を留去し残留
物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分画精製す
ると、ベンゼンニ酢酸エチル=5:1留出画分より目的
化合物(20P)が得られた。
S−2,2(2H,m)、2.30(3)1.s)、2
.35(3H,s)、3.2−4.2(5H,m)、5
.16(2H,s)、7.5 、8.1 (4H、A2
B2.J二9Hz) 実施例16゜ リジン 3S−アセチルチオ−1−(N−p−二トロペンジルオ
キシカルボニルアセトイミドイル)ピロリジン(307
)をメタノール(11/)に溶解し一10℃に冷却する
。ナトリウム(1,81i’)より調製したナトリウム
メトキサイドのメタノール溶液を滴加し、徐々に温度を
0℃迄上げながら30分間攪拌する。酢ff4.92r
n1.を加え、減圧下半1位になる迄溶剤を留去濃縮す
る。濃縮液に飽和食塩水を加え酢酸エチルで抽出、飽和
食塩水で洗ったのち、乾燥し、減圧下溶剤を留去し残留
物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分画精製す
ると、ベンゼンニ酢酸エチル=5:1留出画分より目的
化合物(20P)が得られた。
核磁気共鳴スペクトル(CDCl2)δpprn :1
.7〜2.7 (3H、m )、2.33(3H,s)
、3.2−4.1(5H,m)、5.22(2H,s)
、7.54.8.17(4H,A2B2. J=8.5
H1) J2、 同第33貫9行目乃至第35頁
末行にわたる「参考例3の記載」の後に下記の語句を挿
入する。
.7〜2.7 (3H、m )、2.33(3H,s)
、3.2−4.1(5H,m)、5.22(2H,s)
、7.54.8.17(4H,A2B2. J=8.5
H1) J2、 同第33貫9行目乃至第35頁
末行にわたる「参考例3の記載」の後に下記の語句を挿
入する。
[参考例4゜
(5R,l、8R)−6−(1−ヒドロキシエチル)=
2−オキソカルバペネム−3−カルボン酸p−ニトロペ
ンジルエステル(1,5p)のアセトニトリル水溶t(
70m6)に水冷窒素気流下、・ジイソプロピルエチル
アミン(0,82m/) 、!ニジフェニルホスホリル
クロライド(0,c+6d)を加える。同温で30分攪
拌したのち、ジイソプロピルエチルアミン(0,82m
7りと38−メルカプト−1−(N−p−ニトロペンジ
ルオキシカルゼニルアセトイミドイル)ピロリジン(1
,55’)を加え、更に1時間攪拌する。反応it酢酸
エチルで希釈した後、飽和食塩水、5%重そう水、飽和
食塩水で順次洗浄し、硫酸1グネシウムで乾燥する。溶
剤を留去した残留物に少量の酢酸エチルを加え、析出し
た結晶を枦取して、目的化合物(1,6g−)を得た。
2−オキソカルバペネム−3−カルボン酸p−ニトロペ
ンジルエステル(1,5p)のアセトニトリル水溶t(
70m6)に水冷窒素気流下、・ジイソプロピルエチル
アミン(0,82m/) 、!ニジフェニルホスホリル
クロライド(0,c+6d)を加える。同温で30分攪
拌したのち、ジイソプロピルエチルアミン(0,82m
7りと38−メルカプト−1−(N−p−ニトロペンジ
ルオキシカルゼニルアセトイミドイル)ピロリジン(1
,55’)を加え、更に1時間攪拌する。反応it酢酸
エチルで希釈した後、飽和食塩水、5%重そう水、飽和
食塩水で順次洗浄し、硫酸1グネシウムで乾燥する。溶
剤を留去した残留物に少量の酢酸エチルを加え、析出し
た結晶を枦取して、目的化合物(1,6g−)を得た。
母液をシリカゲルローツマ−カラムで分画n!!すると
、酢酸エチル溶出画分より更に目的化合物(0,35’
−)が得られた。
、酢酸エチル溶出画分より更に目的化合物(0,35’
−)が得られた。
核磁気共鳴スペクトル(CDC/、)δpprn :1
35 (3H、d 、 J=6.(lHz )、1.8
〜2.9 (3H,m)、2.28 (3H、s )、
3.1〜4.6 (]flH、m )、5.21 (2
H、s )、5.32 、5.5 (+ (211,A
B−q。
35 (3H、d 、 J=6.(lHz )、1.8
〜2.9 (3H,m)、2.28 (3H、s )、
3.1〜4.6 (]flH、m )、5.21 (2
H、s )、5.32 、5.5 (+ (211,A
B−q。
J=14)(z)、7.64 、8.21 (4f(、
A2B2. J=9H7)、7.76.8.21(4H
,A2B2.J==9Hz)参考例5゜ カルボン酸 H (5R,63,5R)−6−(1−ヒドロキシエチル)
−2−[(3C)−N −p−ニトロペンノルオキシカ
ルビニルアセトイミド−1ルビロリノン−3−イルチオ
]−6−(1−ヒドロキシエチル)−2−カルハヘネム
ー3−カルボン酸 p−ニトロベンジルエステル(1,
954)’i:ミニテトラヒドロフラン(10ml)に
溶かし、モルホリノゾロパンスルホン酸緩衝液(ptl
= 7.0 、20 fl ml! )及び10チパ
ラジウムー炭素触媒(452Snを加え、2時間水素添
加を行ったのち、触媒を戸去し、減圧下テトラヒドロフ
ランを留去する。析出した不溶物を再び炉去し、酢酸エ
チルで洗浄する。水層を減圧濃縮し、ダイアイオンHP
−2(JAG (三菱化成工業製)のカラムクロマト
グラフィーに付し、5%アセトン水で溶出される両分よ
り目的化合物(0,73g−)を得た。得られた化合物
をさらに参考例3と同様の処理方法で精製ヲ行い、参考
例3で得られた化合物と全く同一の物性を示す目的化合
物を得た。」 以上
A2B2. J=9H7)、7.76.8.21(4H
,A2B2.J==9Hz)参考例5゜ カルボン酸 H (5R,63,5R)−6−(1−ヒドロキシエチル)
−2−[(3C)−N −p−ニトロペンノルオキシカ
ルビニルアセトイミド−1ルビロリノン−3−イルチオ
]−6−(1−ヒドロキシエチル)−2−カルハヘネム
ー3−カルボン酸 p−ニトロベンジルエステル(1,
954)’i:ミニテトラヒドロフラン(10ml)に
溶かし、モルホリノゾロパンスルホン酸緩衝液(ptl
= 7.0 、20 fl ml! )及び10チパ
ラジウムー炭素触媒(452Snを加え、2時間水素添
加を行ったのち、触媒を戸去し、減圧下テトラヒドロフ
ランを留去する。析出した不溶物を再び炉去し、酢酸エ
チルで洗浄する。水層を減圧濃縮し、ダイアイオンHP
−2(JAG (三菱化成工業製)のカラムクロマト
グラフィーに付し、5%アセトン水で溶出される両分よ
り目的化合物(0,73g−)を得た。得られた化合物
をさらに参考例3と同様の処理方法で精製ヲ行い、参考
例3で得られた化合物と全く同一の物性を示す目的化合
物を得た。」 以上
Claims (2)
- (1)一般式 〔式中、 R′は水素原子またはアルカリ金属原(式中
、 R4は水素原子または低級アルキル基を示し R
5は水素原子、低級アルキル基またはアミノ基の保護基
を示す。)、アシル基またはアミノ基の保護基を表わし
、 R3は水素原子、低級アルキル基、ハロゲン原子、
保護されていてもよい水酸基、保護されていてもよいヒ
ドロキシメチル基、アシルオキシ基、低級アルコキシ&
、低級アルキルチオ基、低級アルキルスルフィニル基、
低級アルキルスルホニル基、低級アルコキシカルボニル
基、カルバモイル基、カルボキシル基、ニトリル基、ア
ジド基または保護されたアミノ基を表わす。〕を有する
3−メルカプトピロリジン誘導体。 - (2)一般式 〔式中、R2は水素原子、式 −〇=N−R5基(式中
R4は水素原子または低級アルキル基を示し、R5は水
素原子、低級アルキル基またはアミン基の保護基を示す
。)、アシル基またはアミン基の保護基を表わし、 R
5は水素原子、低級アルキル基、ハロゲン原子、保護さ
れていてもよい水酸基、保護されていてもよいヒドロキ
シメチル基、アシルオキシ基、低級アルコキシ基、低級
アルキルチオ基、低級アルキルスルフィニル基、低級ア
ルキルスルホニル基、低級アルコキシカルボニル基、カ
ルバモイル基、カルボキシル基、ニトリル基、アジド基
または保護されたアミン基を表わし、Yは求核性脱離基
を表わす。〕を有する化合物を塩基の存在下、一般式 (式中、 R6はアシル基またはアミジノ基を表わす。 )を有する化合物と反応させて一般式(式中、 R2、
R3およびR6は前述したものと同意義を示す。)を有
する化合物となし、次いで得られる化合物を塩基性加水
分解または加浴媒分解に付して、一般式 (式中、 R1は水素原子またはアルカリ金属原子を表
わし、RおよびRは前述したものと同意義を示す。)を
有する3−メルカグトビOIJレジン導体の製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57122783A JPS5913757A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | 3−メルカプトピロリジン誘導体及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57122783A JPS5913757A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | 3−メルカプトピロリジン誘導体及びその製法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5913757A true JPS5913757A (ja) | 1984-01-24 |
Family
ID=14844494
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57122783A Pending JPS5913757A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | 3−メルカプトピロリジン誘導体及びその製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5913757A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61275279A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-12-05 | Sankyo Co Ltd | カルバペネム化合物 |
US4943569A (en) * | 1983-05-09 | 1990-07-24 | Sumitomo Pharmaceuticals Co., Ltd. | B-lactam compounds |
JPH0341066A (ja) * | 1990-07-04 | 1991-02-21 | Sumitomo Pharmaceut Co Ltd | 2―置換アミノカルボニル―4―メルカプトピロリジン誘導体 |
JPH05501569A (ja) * | 1990-09-04 | 1993-03-25 | ダエウオーン ファーマスーティカル カンパニイ リミテッド | 新規キノロンカルボン酸誘導体 |
WO1994005667A1 (en) * | 1992-09-02 | 1994-03-17 | Dong-A Pharmaceutical Co., Ltd. | Carbapenem derivatives and processes for preparing the same |
-
1982
- 1982-07-14 JP JP57122783A patent/JPS5913757A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4943569A (en) * | 1983-05-09 | 1990-07-24 | Sumitomo Pharmaceuticals Co., Ltd. | B-lactam compounds |
JPS61275279A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-12-05 | Sankyo Co Ltd | カルバペネム化合物 |
JPH0341066A (ja) * | 1990-07-04 | 1991-02-21 | Sumitomo Pharmaceut Co Ltd | 2―置換アミノカルボニル―4―メルカプトピロリジン誘導体 |
JPH059426B2 (ja) * | 1990-07-04 | 1993-02-04 | Sumitomo Pharma | |
JPH05501569A (ja) * | 1990-09-04 | 1993-03-25 | ダエウオーン ファーマスーティカル カンパニイ リミテッド | 新規キノロンカルボン酸誘導体 |
WO1994005667A1 (en) * | 1992-09-02 | 1994-03-17 | Dong-A Pharmaceutical Co., Ltd. | Carbapenem derivatives and processes for preparing the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DK170073B1 (da) | Analogifremgangsmåde til fremstilling af carbapenemderivater | |
EP0126587B1 (en) | Carboxylic thio-pyrrolidinyl beta-lactam compounds and production thereof | |
CZ286878B6 (en) | Carbapenems, process of their preparation, intermediates for their preparation, those carbapenems used for treating infections and pharmaceutical preparations | |
JPH07502258A (ja) | 抗生物質カルバペネム誘導体 | |
US5589592A (en) | Process for preparing β-lactam derivative and synthetic intermediate | |
JP2544902B2 (ja) | チオラン誘導体 | |
CZ254193A3 (en) | Antibiotic compounds | |
CA1254562A (en) | Carbapenem compounds, their preparation and use | |
JPH06179674A (ja) | カルバペネム、それを含有する抗生物質医薬組成物及びその製法及びその製造中間体 | |
JPS5913757A (ja) | 3−メルカプトピロリジン誘導体及びその製法 | |
JPS5916892A (ja) | カルバペネム−3−カルボン酸誘導体およびその製法 | |
JPS6355514B2 (ja) | ||
KR100337053B1 (ko) | 티올화합물 | |
US5447925A (en) | Antibiotic compounds | |
JPH08253482A (ja) | 結晶形態のカルバペネム化合物 | |
JP3080417B2 (ja) | 結晶形態の1−メチル−2−ジフエニルホスホリルオキシ−カルバペネム化合物 | |
DE3779675T2 (de) | 6-(disubstituiertes amino)carbapenam-verbindungen. | |
EP0093915A1 (en) | Novel beta-lactam derivatives | |
JPS6019764A (ja) | アゼチジノン誘導体の製造法 | |
JPH02178262A (ja) | 1―(2′―ハロプロピオニル)ピロリジン―2―オン誘導体 | |
JPH06211871A (ja) | 新規ペネム、該化合物を含有する抗菌性薬学的組成物及び該化合物を製造するための中間体 | |
KR0128513B1 (ko) | 신규한 항균성 페넴 유도체와 그의 제조방법 | |
JPH0466872B2 (ja) | ||
JP3209675B2 (ja) | チオール化合物 | |
IT9009393A1 (it) | Penem ditiocarbammati, loro uso e procedimento di fabbricazione relativi |