JPH059426B2 - - Google Patents

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JPH059426B2
JPH059426B2 JP2178208A JP17820890A JPH059426B2 JP H059426 B2 JPH059426 B2 JP H059426B2 JP 2178208 A JP2178208 A JP 2178208A JP 17820890 A JP17820890 A JP 17820890A JP H059426 B2 JPH059426 B2 JP H059426B2
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JP
Japan
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mercaptopyrrolidine
nitrobenzyloxycarbonyl
proline
nax
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JP2178208A
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JPH0341066A (ja
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Jun Sunakawa
Haruki Matsumura
Takaaki Inoe
Masatomo Fukazawa
Masuhiro Kato
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Sumitomo Pharmaceuticals Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Pharmaceuticals Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH059426B2 publication Critical patent/JPH059426B2/ja
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/55Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups

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  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
  • Pyrrole Compounds (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は一般式〔〕 〔式中、R1は水素原子を、R2は水素原子また
はアミノ基の保護基を、R3は水素原子、低級ア
ルキル基、低級アルケニル基、アラルキル基、も
しくは置換低級アルキル基を、およびR4は低級
アルキル基、低級アルケニル基、アラルキル基、
もしくは置換低級アルキル基を、あるいはR3
よびR4は互いに結合せるアルキレン鎖または酸
素原子、硫黄原子もしくは低級アルキル置換窒素
原子を介するアルキレン鎖を表して隣接する窒素
原子とともに4〜7員環の環状アミノ基を示す。〕 で表される新規な2−置換アミノカルボニル−4
−メルカプトピロリジン誘導体に関する。 前記一般式〔〕中、R2におけるアミノ基の
保護基としては、好適には例えばtert−ブチルオ
キシカルボニルのような低級アルコキシカルボニ
ル基、例えば2−ヨウ化エチルオキシカルボニ
ル、2,2,2−トリクロロエチルオキシカルボ
ニルのようなハロゲノアルコキシカルボニル基、
例えばベンジルオキシカルボニル、p−メトキシ
ベンジルオキシカルボニル、o−ニトロベンジル
オキシカルボニル、p−ニトロベンジルオキシカ
ルボニルのようなアラルキルオキシカルボニル
基、例えばトリメチルシリル、tert−ブチルジメ
チルシリルのようなトリアルキルシリル基であ
る。 R3またはR4における低級アルキル基としては
例えばメチル、エチル、n−プロピル、イソプロ
ピル、n−ブチル等の炭素数1〜4の低級アルキ
ル基を、低級アルケニル基としては例えばプロペ
ニル、ブテニル等の炭素数2〜4のアルケニル基
を、アラルキル基としては例えばベンジル、置換
ベンジル、フエネチル等のフエニル基もしくは置
換フエニル基で置換された炭素数1〜3のアルキ
ル基を、置換低級アルキル基としては例えば水酸
基、ジ低級アルキルアミノ基、カルバモイル基等
で置換されたメチル、エチル、n−プロピル等の
炭素数1〜4の低級アルキル基を挙げることがで
きる。 またR3およびR4が互いに結合せるアルキレン
鎖または酸素原子、硫黄原子もしくは低級アルキ
ル置換窒素原子を介するアルキレン鎖を表して、
隣接する窒素原子と共に4〜7員環の環状アミノ
基を示す場合としては、例えばアゼチジノ基、ピ
ペリジノ基、ピロリジノ基、モルホリノ基、チオ
モルホリノ基、N−メチルピペラジノ基等を挙げ
ることができる。 なお、前記一般式〔〕で示される化合物は2
位および4位の不斉炭素に基く光学異性体および
立体異性体が存在し、これらの異性体が便宜上す
べて単一の式で示されているが、これによつて本
発明の記載の範囲は限定されるものではない。し
かしながら、好適には、〔2S,4S〕配位、〔2R,
4R〕配位の化合物を挙げることができる。 本発明者らは前記一般式〔〕で示される本発
明化合物が優れた抗菌活性を有するペネムあるい
はカルバペネム化合物の重要な合成中間体として
有用な化合物であることを見い出し本発明を完成
した。 本発明によつて得られる前記一般式〔〕を有
する化合物としては、例えば以下に記載する化合
物を挙げることができる。 (1) 2−メチルアミノカルボニル−4−メルカプ
トピロリジン (2) 2−エチルアミノカルボニル−4−メルカプ
トピロリジン (3) 2−n−プロピルアミノカルボニル−4−メ
ルカプトピロリジン (4) 2−イソプロピルアミノカルボニル−4−メ
ルカプトピロリジン (5) 2−n−ブチルアミノカルボニル−4−メル
カプトピロリジン (6) 2−イソブチルアミノカルボニル−4−メル
カプトピロリジン (7) 2−ジメチルアミノカルボニル−4−メルカ
プトピロリジン (8) 2−ジエチルアミノカルボニル−4−メルカ
プトピロリジン (9) 2−ジ−n−プロピルアミノカルボニル−4
−メルカプトピロリジン (10) 2−ジイソプロピルアミノカルボニル−4−
メルカプトピロリジン (11) 2−ジ−n−ブチルアミノカルボニル−4−
メルカプトピロリジン (12) 2−ジイソブチルアミノカルボニル−4−メ
ルカプトピロリジン (13) 2−エチルメチルアミノカルボニル−4−メ
ルカプトピロリジン (14) 2−n−ブチルメチルアミノカルボニル−4
−メルカプトピロリジン (15) 2−n−ブチルエチルアミノカルボニル−4
−メルカプトピロリジン (16) 2−(2−ヒドロキシルエチル)アミノカル
ボニル−4−メルカプトピロリジン (17) 2−(3−ヒドロキシルプロピル)アミノカ
ルボニル−4−メルカプトピロリジン (18) 2−(2−ヒドロキシルプロピル)アミノカ
ルボニル−4−メルカプトピロリジン (19) 2−(2−ヒドロキシ−1−メチルエチル)
アミノカルボニル−4−メルカプト−ピロリジ
ン (20) 2−(2−ジメチルアミノエチル)アミノカ
ルボニル−4−メルカプトピロリジン (21) 2−(2−ジエチルアミノエチル)アミノ
カルボニル−4−メルカプトピロリジン (22) 2−(3−ジメチルアミノプロピル)アミ
ノカルボニル−4−メルカプトピロリジン (23) 2−(3−ジエチルアミノプロピル)アミ
ノカルボニル−4−メルカプトピロリジン (24) 2−(2−ジメチルアミノエチル)エチル
アミノカルボニル−4−メルカプト−ピロリジ
ン (25) 2−(2−ジエチルアミノエチル)エチル
アミノカルボニル−4−メルカプト−ピロリジ
ン (26) 2−(2−カルバモイルメチル)アミノカ
ルボニル−4−メルカプトピロリジン (27) 2−(2−カルバモイルエチル)アミノカ
ルボニル−4−メルカプトピロリジン (28) 2−ベンジルアミノカルボニル−4−メル
カプトピロリジン (29) 2−(2−ヒドロキシルエチル)メチルア
ミノカルボニル−4−メルカプトピロリジン (30) 2−(2−ヒドロキシルエチル)エチルア
ミノカルボニル−4−メルカプトピロリジン (31) 2−(2−ジメチルアミノエチル)メチル
アミノカルボニル−4−メルカプト−ピロリジ
ン (32) 2−ベンジルメチルアミノエルボニル−4
−メルカプトピロリジン (33) 2−ベンジルエチルアミノカルボニル−4
−メルカプトピロリジン (34) 2−(1−アゼチジノカルボニル)−4−メ
ルカプトピロリジン (35) 2−(1−ピロリジノカルボニル)−4−メ
ルカプトピロリジン (36) 2−(1−ピペリジノカルボニル)−4−メ
ルカプトピロリジン (37) 2−(1−モルホリノカルボニル)−4−メ
ルカプトピロリジン (38) 2−(1−チオモルホリノカルボニル)−4
−メルカプトピロリジン (39) 2−(1−N−メチルピペラジノカルボニ
ル)−4−メルカプトピロリジン (40) 2−(1−N−エチルピペラジノカルボニ
ル)−4−メルカプトピロリジン 本例示化合物においては前述したように立体異
性体が存在し、単一の名称であげたが、それによ
つて何ら限定されるものではない。しかしながら
好適なものとして、(2S,4S),(2R,4R)配位
を有するものを挙げることができる。 以下に本発明化合物の製造方法について詳細に
述べる。 一般式〔〕 〔式中、R2,R3およびR4は前述と同じ意味を、
R5はアセチル、プロピオニル、ベンゾイル、フ
エニルアセチル等のアシル基、あるいはエトキシ
カルボニル基を示す。〕 で表されるピロリジン誘導体を加水分解反応また
は加溶媒分解反応に付すことにより一般式〔〕
で表される2−置換アミノカルボニル−4−メル
カプトピロリジン誘導体を製造することができ
る。 本反応は水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、
リチウムメトキシド、リチウムエトキシド、炭酸
水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム
等の塩基の存在下で行う。 本反応で使用する不活性溶媒としてはメタノー
ル、エタノール、アセトニトリル、テトラヒドロ
フラン、ジオキサン、アセトン、塩化メチレンな
どの有機溶媒およびこれらの有機溶媒の混合溶
媒、水、およびさきの有機溶媒と水との混合溶媒
を挙げることができる。 反応温度は特に限定はないが、副反応を抑制す
るため−20℃〜40℃の範囲で実施することが好ま
しい。 反応終了後は通常の有機化学的手法によつて成
績体を取り出すことができる。例えば、反応混合
物を塩酸、硫酸、リン酸、酢酸などの酸により中
和し、水と分離する有機溶媒にて抽出、水洗の
後、溶媒を留去することにより得ることができ
る。 なお、原料のピロリジン誘導体〔〕は各種の
方法によつて製造することが可能であるが、例え
ば以下に示す方法によつて、トランス−4−ヒド
ロキシ−L−プロリン1〜を原料化合物として2S
配位を有するピロリジン誘導体〔a〕,〔b〕、
あるいは〔c〕を製造することができる。 〔式中、R3,R4およびR5は前述と同じ意味を
有する。R6はアミノ基の保護基を示し、R7はカ
ルボキシル基の保護基を示す。〕 A工程 一般によく用いられる各種公知のアミノ
酸のアミノ基の保護反応によつて容易に達成す
ることができ、例えば塩基の存在下でアリール
メチルオキシカルボニルクロリド等と反応させ
る方法、あるいはs−アシル−4,6−ジメチ
ル−2−メルカプトピリミジン等を用いる方法
等を挙げることができる。 B工程 カルボン酸よりエステルを得る各種の公
知の方法が可能であるが、例えば塩基の存在下
でカルボン酸2〜を各種のアルキルハライドある
いはアラルキルハライド等と反応させることに
より達成することができる。 C工程 水酸基を保護されたチオール基に変換す
る各種の公知方法が可能であるが、例えば水酸
基の活性エステル体に誘導後、チオ酢酸、チオ
安息香酸、トリチルメルカプタン等の各種のチ
オ化試薬と塩基存在下で反応させることにより
達成することができる。 また本工程はアルコール誘導体をトリフエニ
ルホスフイン、ジエチルアゾジカルボキシレー
トの存在下に、テトラヒドロフラン等の不活性
溶媒中、チオ酢酸等のチオ化試薬と反応させて
も得ることができる。 D工程 エステルをカルボキシル基に変換する各
種公知の方法が可能であるが、例えばアルカリ
加水分解、トリフルオロ酢酸、臭化水素酸等を
用いる酸による方法、または亜鉛を用いる還元
的方法によつて行うことができる。 E工程 カルボン酸をアミド基に変換する各種の
公知の方法が可能であるが、例えばカルボン酸
基をハロゲン化剤、アシル化剤等によつて、活
性エステル誘導体とし、一般式
【式】 〔式中、R3,R4は前述と同じ意味を有す
る。〕 で表されるアミンと処理する方法によつて達成
される。 F工程 水酸基をカルボニル基に変換する各種公
知の酸化反応が可能であるが、例えばアセトン
中クロム酸−硫酸等の酸化反応によつて達成す
ることができる。 G工程 カルボニル基を水酸基に変換する各種公
知の還元反応が可能であるが、例えば水素化ホ
ウ素ナトリウム等で処理することにより化合物
3〜と3の水酸基の立体が異なる化合物8〜の混合
物を得ることができる。 なお、3〜と8〜の生成比は条件によつて異なる
が、それぞれの化合物は再結晶、クロマロトグ
ラフイー等の精製により単一化合物として得る
ことができる。 4位水酸基の異性化は上記FおよびG工程を
経て達成することができるが、次に述べるHお
よびI工程を経る方法によつても達成すること
ができる。 H,I工程 アルコール誘導体をトリフエニルホ
スフイン、ジエチルアゾジカルボキシレートの
存在下に、テトラヒドロフラン等の不活性溶媒
中でギ酸と反応させホルミルオキシ誘導体11と
した後、アルカリ加水分解等の方法により、ホ
ルミル基をを除去することによつて達成するこ
とができる。 J工程 一般によく用いられる各種公知のアミノ
基の脱保護法が可能であるが、例えばトリフル
オロ酢酸や臭化水素酸等の酸を用いる方法、亜
鉛やリチウム−液体アンモニア等を用いる還元
的方法、あるいは接触還元等によつて達成する
ことができる。 また2R体のピロリジン誘導体〔〕の製造
にあたつては原料化合物としてシス−4−ヒド
ロキシ−D−プロリンを用いる前述の2S体の
製造法に準じて、すなわち、2S体の製造で述
べた諸反応を組合せることによつて製造するこ
とができる。 以上の方法で得られた本発明の化合物〔〕は
下記の反応式に示す方法により、優れた抗菌活性
を有するペネム、あるいはカルバペネム化合物に
導かれる。 〔式中、R2,R3,R4およびR7は前述と同じ意
味を有する。R8は水酸基の保護基を示す。〕 次に実施例、参考例をあげて本発明をさらに具
体的に説明するが、本発明はもちろんこれらによ
つて何ら限定されるものではない。 なお以下の実施例および参考例で用いた略号の
意味は次のとおりである。 PNZ:p−ニトロベンジルオキシカルボニル基 PMZ:p−メトキシベンジルオキシカルボニル
基 PMB:p−メトキシベンジル基 PNB:p−ニトロベンジル基 Ph :フエニル基 Ac :アセチル基 tBu:t−ブチル基 Me :メチル基 Et :エチル基 参考例 1−1 トランス−4−ヒドロキシ−L−プロリン
(6.55g)、トリエチルアミン(7.5ml)を水(15
ml)に溶解させ、これに室温でS−p−ニトロベ
ンジルオキシカルボニル−4,6−ジメチル−2
−メルカプトピリミジン(15.95g)のジオキサ
ン(35ml)溶液を滴下し、そのまま室温で1.5時
間攪拌し、一夜放置した。反応液に氷冷下2N−
水酸化ナトリウム(30ml)を加えエーテルで抽
出、エーテル層を1N−水酸化ナトリウム(20ml)
で洗浄後アルカリ水層を合わせ、2N−塩酸水
(100ml)を用いて酸性とし、これを酢酸エチルで
抽出した。酢酸エチル層を2N−塩酸水で順次洗
浄し、芒硝乾燥、溶媒留去し、得られる粗結晶を
酢酸エチルでリパルプ精製してトランス1−(p
−ニトロベンジルオキシカルボニル)−4−ヒド
ロキシ−L−プロリンを得た。 m.p. 134.3〜135.5℃ IRnaxcm-1(Nujol):3300(br),1738,1660,
1605,1520,1340,1205,1172,1070,
965 参考例 1−2 トランス−1−(p−ニトロベンジルオキシカ
ルボニル)−4−ヒドロキシ−L−プロリン
(15.0g)トリエチルアミン(13.5ml)を乾燥ジ
メチルホルムアミド(150ml)に溶解させ、窒素
気流下、p−メトキシベンジルクロリド(12.66
ml)を滴下し、70℃で10時間攪拌した。反応液を
酢酸エチル(500ml)で希釈し、水洗、芒硝乾燥、
溶媒留去し、残渣をエーテルから結晶化し、トラ
ンス−1−(p−ニトロベンジルオキシカルボニ
ル)−4−ヒドロキシ−L−プロリン−p−メト
キシベンジルエステルを得た。 m.p. 83〜85℃ IRnaxcm-1(film):3430,1735,1705,1510,
1340,1245,1160 参考例 1−3 トランス−1−(p−ニトロベンジルオキシカ
ルボニル)−4−ヒドロキシ−L−プロリン−p
−メトキシベンジルエステル(8.6g)、トリフエ
ニルホスフイン(7.86g)を乾燥テトラヒドロフ
ラン(20ml)に溶解し、氷冷、窒素気流下、ジエ
チルアゾジカーボネート(5.22g)の乾燥テトラ
ヒドロフラン(5ml)溶液を滴下しそのままで30
分間攪拌した後、チオ酢酸(2.28g)を滴下し、
氷冷下1時間、その後室温で3時間攪拌し、反応
液を濃縮。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フイーに付し、シス−1−(p−ニトロベンジル
オキシカルボニル)−4−アセチルチオ−L−プ
ロリン−p−メトキシベンジルエステル得た。 IRnaxcm-1(film):1740(sh),1715,1520,
1405,1348,1120 NMR δ(CDCl3):2.31(3H,s),3.79(3H,
s),5.10(2H,s),5.24(2H,s),7.49
(2H,d,J=9.0Hz),8.18(2H,d,J
=9.0Hz) 参考例 1−4 シス−1−(p−ニトロベンジルオキシカルボ
ニル)−4−アセチルチオ−L−プロリン−p−
メトキシベンジルエステル(9.76g)、アニソー
ル(4.32g)をトリフロロ酢酸(35ml)とともに
30分室温で攪拌。減圧下濃縮し残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフイーに付し、シス−1−
(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)−4−ア
セチルチオ−L−プロリンを得た。 m.p. 107〜109℃ IRnaxcm-1(Nujol):1725,1685,1660(sh),
1340,1180,1110 参考例 1−5 シス−1−(p−ニトロベンジルオキシカルボ
ニル)−4−アセチルチオ−L−プロリン(180
mg)を乾燥テトラヒドロフラン(2ml)にとか
し、ジメチルアミン塩酸塩(48mg)、N,N−ジ
メチルアミノピリジン(78mg)、ジシクロヘキシ
ルカルボジイミド(152mg)を順次加え、一夜攪
拌した。不溶物を濾去し、濾液を酢酸エチルで希
釈し、希塩酸、水で順次洗浄し、芒硝乾燥、溶媒
留去し、残渣を、シリカゲルクロマトグラフイー
に付し(2S,4S)−1−(p−ニトロベンジルオ
キシカルボニル)−2−ジメチルアミノカルボニ
ル−4−アセチルチオピロリジンを得た。 IRnaxcm-1(film):1705,1650,1515,1400,
1340,1105 NMR δ(CDCl3):2.32(3H,s),2.97(3H,
s),3.11(3H,s),5.21(2H,s),8.18
(2H,d,J=8.5Hz) 〔α〕30 D+5.21°(c=0.379アセトン) 以下参考例1−5と同様にして各々対応するア
ミンを用いて以下のチオアセテートを得た。
【表】
【表】 参考例 2−1 オキザリルクロリド(0.2ml)の乾燥塩化メチ
レン(5ml)溶液に−60〜−70℃でジメチルスル
ホキシド(0.35ml)の乾燥塩化メチレン溶液(1
ml)に滴下し、10分後、トランス−1−(p−ニ
トロベンジルオキシカルボニル)−4−ヒドロキ
シ−L−プロリン p−メトキシベンジルエステ
ル(860mg)の乾燥塩化メチレン溶液(10ml)を
−50℃以下で滴下し、15分間攪拌した。次にトリ
エチルアミン(1.01g)を滴下し、室温まで加
温、塩化メチレンで希釈し、希塩酸水で洗浄し、
芒硝乾燥、溶媒留去、残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフイーに付し、1−(p−ニトロベン
ジルオキシカルボニル)−4−オキソ−L−プロ
リン p−メトキシベンジルエステル IRnaxcm-1(film):1762,1740,1710,1512,
1345,1245,1155 NMR δ(CDCl3):3.78(3H,s),3.95(2H,
s),5.08(2H,s),6.85(2H,d,J=
9Hz),8.12(2H,d,J=9Hz) 参考例 2−2 1−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)−
4−オキソ−L−プロリン p−メトキシベンジ
ルエステル(650mg)をエタノール(45ml)にと
かし、室温で、水素化ホウ素ナトリウム(86mg)
を2回にわけて加える。30分後、30°以下で減圧
濃縮し、濃縮液を酢酸エチルで希釈し、水洗、芒
硝乾燥、溶媒留去後、残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフイーに付し、シス−1−(p−ニト
ロベンジルオキシカルボニル)−4−ヒドロキシ
−L−プロリン p−メトキシベンジルエステル
とトランス−1−(p−ニトロベンジルオキシカ
ルボニル)−4−ヒドロキシ−L−プリン p−
メトキシベンジルエステルを得た。 トランス体:IR,NMRは参考例1−2の化合
物のスペクトルデータと一致した。 シス体:IRnaxcm-1(film):3400(br),1725,
1515,1405,1350,1250,1170,1120 NMR δ(CDCl3):3.78(3H,s),5.08(2H,
s),6.82(2H,d,J=9Hz),8.12(2H,
d,J=9Hz) 参考例 2−3 シス−1−(p−ニトロベンジルオキシカルボ
ニル)−4−ヒドロキシ−L−プロリン p−メ
トキシベンジルエステル(610mg)を用いて、参
考例1−3および1−4と同様の方法によりトラ
ンス−1−(p−ニトロベンジルオキシカルボニ
ル)−4−アセチルチオ−L−プロリンを得た。 IRnaxcm-1(film):〜3000,1700,1515,
1430,1400,1345,1205,1165 NMR δ(CDCl3):2.32(3H,s),5.20(2H,
br,s),7.42(2H,d,J=9Hz),8.12
(2H,d,J=9Hz) 参考例 3−1 シス−4−ヒドロキシ−D−プロリンより参考
例1−1および1−2と同様の方法により得たシ
ス−1−p−ニトロベンジルオキシカルボニル−
4−ヒドロキシ−D−プロリン−p−メトキシベ
ンジルエステル(166mg)と、トリフエニルホス
フイン(202mg)を乾燥テトラヒドロフラン(1.5
ml)にとかし、次にギ酸(27mg)を加える。さら
にジエチルアゾジカーボネート(134mg)を室温
窒素気流下で加え、30分攪拌後、溶媒留去。残渣
をシリカゲルクロマトグラフイーで精製し、トラ
ンス−1−p−ニトロベンジルオキシカルボニル
−4−ホルミルオキシ−D−プロリン−p−メト
キシベンジルエステルを得た。 IRnaxcm-1(film):1720,1515,1402,1342,
1245,1165,1120, NMR δ(CDCl3):3.76(3H,s),4.50(2H,
t,J=8Hz),5.08(2H,s),5.15(2H,
ABq,J=16Hz),5.41(1H,m),7.97
(1H,s) 参考例 3−2 トランス−1−p−ニトロベンジルオキシカル
ボニル−4−ホルミルオキシ−D−プロリン−p
−メトキシベンジルエステル(215mg)をテトラ
ヒドロフラン(1.1ml)にとかし、1N−NaOH
(0.93ml)を加え、10分攪拌後、酢酸エチルで希
釈し、飽和食塩水で洗浄。芒硝乾燥後溶媒留去。
残渣を薄層クロマトグラフイーで精製し、トラン
ス−1−p−ニトロベンジルオキシカルボニル−
4−ヒドロキシ−D−プロリン−p−メトキシベ
ンジルエステルを得た。 IRnaxcm-1(film):3425(br),1735,1705,
1510,1400,1340,1240,1162 NMR δ(CDCl3):2.33(2H,m),3.58(2H,
d,J=3.5Hz),3.73(3H,s),5.03
(2H,s),5.07(2H,ABq,J=18Hz),
6.73(2H,d,J=9Hz),6.77(2H,d,
J=9Hz),8.00(2H,d,J=8.5Hz),
8.07(2H,d,J=8.5Hz) 参考例 4−1 トランス−1−p−ニトロベンジルオキシカル
ボニル−4−ヒドロキシ−L−プロリン(500mg)
とp−ニトロベンジルプロミド(383mg)を用い、
参考例1−2と同様の方法によりトランス−1−
p−ニトロベンジルオキシカルボニル−4−ヒド
ロキシ−L−プロリン−p−ニトロベンジルエス
テルを得た。 IRnaxcm-1(CHCl3):3380(br),1750,1705,
1520,1425,1400,1342,1160 NMR δ(CDCl3):2.20(3H,m),3.67(2H,
d,J=3Hz),4.60(2H,t,J=8
Hz),5.15(2H,s),5.23(2H,ABq),
7.47(4H,d,J=8.5Hz),8.15(4H,d,
J=8.5Hz) 参考例 4−2 トランス−1−p−ニトロベンジルオキシカル
ボニル−4−ヒドロキシ−L−プロリン−p−ニ
トロベンジルエステルを参考例1−3および実施
例1と同様の方法によりシス−1−p−ニトロベ
ンジルオキシカルボニル−4−メルカプト−L−
プロリン−p−ニトロベンジルエステルを得た。 IRnaxcm-1(film):1700,1685,1600,1510,
1430,1400,1340,1105 参考例 4−3 a シス−1−p−ニトロベンジルオキシカルボ
ニル−4−メルカプト−L−プロリン−p−ニ
トロベンジルエステル(115mg)を乾燥テトラ
ヒドロフラン(3ml)にとかし、トリエチルア
ミン(30mg)を加えた後、氷冷下クロルギ酸エ
チル(28.5mg)を滴下し、10分間攪拌後、酢酸
エチルで希釈し、希塩酸、水で順次洗浄し、芒
硝乾燥。溶媒留去し、シス−1−p−ニトロベ
ンジルオキシカルボニル−4−エトキシカルボ
ニルチオ−L−プロリン−p−ニトロベンジル
エステル(133mg)を得た。 IRnaxcm-1(film):1755,1710,1610,1525,
1405,1350,1160,1015,850 b 上記aで得たエステル誘導体(133mg)をテ
トラヒドロフラン−水(1:1)混液(5ml)
にとかし、1N−NaOH(0.26ml)を加え、室温
で2.5時間攪拌後、1N−HCl(0.3ml)加え、酢
酸エチルで抽出水洗、芒硝乾燥後、溶媒留去。
残渣をシリカゲル薄層クロマトグラフイーに付
し、シス−1−p−ニトロベンジルオキシカル
ボニル−4−エトキシカルボニルチオ−L−プ
ロリンを得た。 IRnaxcm-1(film):1700,1520,1400,1340,
1165,1145 NMR δ(CDCl3):1.30(3H,t,J=7Hz),
4.28(2H,q,J=7Hz),5.24(2H,s),
7.50(2H,d,J=9Hz),8.17(2H,d,
J=9Hz) 参考例 4−4 シス−1−p−ニトロベンジルオキシカルボニ
ル−4−エトキシカルボニルチオ−L−プロリン
(72mg)を乾燥テトラヒドロフラン(3ml)にと
かし、トリエチルアミン(40mg)を加えた後、氷
冷下、クロルギ酸エチル(41mg)を滴下し、15分
攪拌後、メチルアミン(40%)水溶液(1.5ml)
を滴下し、更に15分攪拌。反応液を酢酸エチルで
希釈し、希塩酸、水で洗浄し芒硝乾燥。溶媒留去
し、〔2S,4S〕−1−p−ニトロベンジルオキシ
カルボニル−2−メチルアミノカルボニル−4−
エトキシカルボニルチオピロリジンを得た。 IRnaxcm-1(Nujol):3290,1705,1660,1520,
1425,1405,1345,1180,1160 NMR δ(CDCl3):1.30(3H,t,J=8Hz),
2.80(3H,d,J=5Hz),4.27(2H,q,
J=8Hz),5.22(2H,s),7.48(2H,d,
J=9Hz),8.18(2H,d,J=9Hz) 以下参考例4−4と同様にして各々対応するア
ミンを用いて、以下のチオカーボネートを得た。
【表】 参考例 5 a トランス−4−ヒドロキシ−L−プロリン
(10g)とS−p−メトキシベンジルオキシカ
ルボニル−4,6−ジメチル−2−メルカプト
ピリミジン(23.2g)を用い、参考例1−1と
同様の方法によりトランス−1−(p−メトキ
シベンジルオキシカルボニル)−4−ヒドロキ
シ−L−プロリンを得た。 IRnaxcm-1(film):3400(br),1692,1430,
1355,1245,1170,1122 NMR δ(CDCl3):2.23(2H,m),3.73(3H,
s),5.00(2H,s),6.78(2H,d,J=
9Hz),7.20(2H,d,J=9Hz) b 上記aで得たプロリン誘導体(0.57g)とベ
ンジルアミン(0.215g)を用い、参考例2−
1と同様の方法によりトランス−1−p−メト
キシベンジルオキシカルボニル−4−ヒドロキ
シ−L−ベンジルプロリンアミドを得た。 IRnaxcm-1(Nujol):3375,3300,1665,1248,
1165,1120,1025 NMR δ(CDCl3):3.76(3H,s),4.35(4H,
m),4.96(2H,s),6.79(2H,d,J=
9Hz),7.20(5H,s) c 上記bで得たベンジルプロリンアミド(0.5
g)を用い、参考例1−3と同様の方法により
〔2S,4S〕−1−p−メトキシベンジルオキシ
カルボニル−2−ベンジルアミノカルボニル−
4−アセチルチオピロリジンを得た。 IRnaxcm-1(Nujol):3280,1690,1675,1240 NMR δ(CDCl3):2.27(3H,s),3.82(3H,
s),4.42(2H,d,J=6Hz),5.05(2H,
s),6.87(2H,d,J=8Hz),7.23(2H,
d,J=8Hz),7.28(5H,s) 実施例 1 〔2S,4S〕−1−(p−ニトロベンジルオキシ
カルボニル)−2−ジメチルアミノカルボニル−
4−アセチルチオピロリジン(40mg)をメタノー
ル(4ml)にとかし、1N−NaOH(0.1ml)を室
温15分間攪拌した。その後1N−HCl(0.11ml)を
加え、減圧下濃縮。濃縮液を酢酸エチルで希釈
し、水洗、芒硝乾燥後、溶媒留去し〔2S,4S〕−
1−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)−2
−ジメチルアミノカルボニル−4−メルカプトピ
ロリジンを得た。 IRnaxcm-1(film):1705,1650,1515,1400,
1340,1165,1105 NMR δ(CDCl3):1.90(1H,d,J=8Hz),
2.97(3H,s),3.08(3H,s),5.19(2H,
s),7.48(2H,d,J=9Hz),8.15(2H,
d,J=9Hz) 実施例 2 a トランス−1−(p−ニトロベンジルオキシ
カルボニル)−4−アセチルチオ−L−プロリ
ン(180mg)を用い、参考例1−5と同様の方
法により〔2S,4R〕−1−(p−ニトロベンジ
ルオキシカルボニル)−2−ジメチルアミノカ
ルボニル−4−アセチルチオピロリジン(100
mg)を得た。 IRnaxcm-1(film):1700,1655,1515,1400,
1340,1115 〔α〕30 D+32.8°(c=0.375、アセトン) b 上記aで得たチオアセテート誘導体(80mg)
を実施例1と同様の方法により〔2S,4R〕−1
−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)−2
−ジメチルアミノカルボニル−4−メルカプト
ピロリジンを得た。 IRnaxcm-1(film):1700,1650,1510,1420,
1400,1340,1120 NMR δ(CDCl3):1.77(1H,d,J=7Hz),
2.97(3H,s),3.16(3H,s),5.22(2H,
s),8.16(2H,d,J=8.5Hz) 実施例 3 a トランス−1−p−ニトロベンジルオキシカ
ルボニル−4−ヒドロキシ−D−プロリン−p
−メトキシベンジルエステル(110mg)を用い、
参考例1−3,1−4および1−5と同様の方
法により〔2R,4R〕−1−p−ニトロベンジ
ルオキシカルボニル−2−ジメチルアミノカル
ボニル−4−アセチルチオピロリジンを得た。 IRnaxcm-1(film):1705,1650,1515,1435,
1340,1115 〔α〕30 D−7.38°(c=0.210、アセトン) b 上記aで得たチオアセテート誘導体(42mg)
を用い実施例1と同様の方法により〔2R,
4R〕−1−p−ニトロベンジルオキシカルボニ
ル−2−ジメチルアミノカルボニル−4−メル
カプトピロリジンを得た。 IRnaxcm-1(film):1710,1660,1525,1440,
1347,1180,1122 実施例 4 a シス−4−ヒドロキシ−D−プロリン(300
mg)より参考例1−1,1−2,1−3,1−
4および1−5と同様の方法により〔2R,4S〕
−1−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)
−2−ジメチルアミノカルボニル−4−アセチ
ルチオピロリジン(45mg)を得た。 IRnaxcm-1(film):1700,1650,1520,1400,
1345,1120 〔α〕30 D−29.6°(c=0.215、アセトン) b 上記aで得たチオアセテート誘導体(30mg)
を実施例1と同様の方法により〔2R,4S〕−1
−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)−2
−ジメチルアミノカルボニル−4−メルカプト
ピロリジンを得た。 IRnaxcm-1(film):1710,1655,1520,1430,
1405,1347,1122 実施例 5 〔2S,4S〕−1−p−ニトロベンジルオキシカ
ルボニル−2−メチルアミノカルボニル−4−エ
トキシカルボニルチオピロリジン(82mg)をメタ
ノール:水(1:1)混液(4ml)にとかし、
1N−NaOH(0.25ml)を加えて、室温、30分攪拌
後、1N−HCl(0.27ml)を加え、酢酸エチルで抽
出し、水洗、芒硝乾燥後溶媒留去し〔2S,4S〕−
1−p−ニトロベンジルオキシカルボニル−2−
メチルアミノカルボニル−4−メルカプトピロリ
ジンを得た。 IRnaxcm-1(Nujol):3280,1710,1650,1510,
1340,1165 NMR δ(CDCl3):2.79(3H,d,J=5Hz),
4.27(2H,t,J=8Hz),5.23(2H,s),
7.50(2H,d,J=9Hz),8.20(2H,d,
J=9Hz) 以下実施例1あるいは実施例5と同様にして以
下のメルカプタンを得た。
【表】
【表】 参考例 17 a 〔2S,4S〕−1−p−メトキシベンジルオキ
シカルボニル−2−ベンジルアミノカルボニル
−4−アセチルチオピロリジン(177mg)とア
ニソール(86mg)をトリフロロ酢酸(0.5ml)
にとかし、室温で30分攪拌した。反応液を減圧
下濃縮し、酢酸エチルで希釈、重曹水及び水で
洗浄後、芒硝乾燥。溶媒留去し、残渣をシリカ
ゲル薄層クロマトグラフイーに付し、〔2S,
4S〕−2−ベンジルアミノカルボニル−4−ア
セチルチオピロリジンを得た。 IRnaxcm-1(film):3325,1690,1510,1400,
1350,1120,950 NMR δ(CDCl3):2.28(3H,s),3.83(2H,
m),4.42(2H,d,J=6Hz),7.32(5H,
s) b 上記aで得たチオアセテート誘導体(40mg)
を実施例1と同様の処理に付し、〔2S,4S〕−
2−ベンジルアミノカルボニル−4−メルカプ
トピロリジンを得た。 IRnaxcm-1(film):3250,1685,1610,1510,
1132 参考例 6 a 〔5R,6S,8R〕−p−ニトロベンジ−3−
(ジフエニルホスホリルオキシ−6−(1−p−
ニトロベンジルオキシカルボニルオキシエチ
ル)−1−アザビシクロ〔3,2,0〕−ヘプト
−2−エン−7−オン−2−カルボキシレート
(122mg)を乾燥アセトニトリル(3ml)にとか
し、窒素気流中、氷冷下にジイソプロピルエチ
ルアミン(31mg)を加え、次いで〔2S,4S〕−
1−p−ニトロベンジルオキシカルボニル−2
−ジメチルアミノカルボニル−4−メルカプト
ピロリジン(60mg)を加え、そのまま1時間攪
拌した。反応液を酢酸エチルで希釈し、水洗
後、硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒留去した。
残渣をシリカゲル薄層クロマトグラフイーによ
り精製し、〔5R,6S,8R,3′S,5′S〕−p−ニ
トロベンジル−3−〔3−(1−p−ニトロベン
ジルオキシカルボニル−5−ジメチルアミノカ
ルボニル)ピロリジニルチオ〕−6−(1−p−
ニトロベンジルオキシカルボニルオキシエチ
ル)−1−アザビシクロ〔3,2,0〕−ヘプト
−2−エン−7−オン−2−カルボキシレート
(95mg)を得た。 IRnaxcm-1(film):1780,1745,1705,1650,
1605,1515,1342,1257 NMR δ(CDCl3):1.49(3H,d,J=6Hz),
2.99(3H,s),3.11(3H,s),5.25(4H,
s),5.23および5.46(2H,ABq,J=14
Hz),7.53(4H,d,J=8.5Hz),7.62
(2H,d,J=8.5Hz),8.18(6H,d,J
=8.5Hz) 〔α〕28 D+7.7°(c=0.303、アセトン) b (5R,6S,8R,3′S,5′S)−p−ニトロベン
ジル−3−〔3−(1−p−ニトロベンジルオキ
シカルボニル−5−ジメチルアミノカルボニ
ル)ピロリジニルチオ〕−6−(1−p−ニトロ
ベンジルオキシカルボニルオキシエチル)−1
−アザビシクロ〔3,2,0〕ヘプト−2−エ
ン−7−オン−2−カルボキシレート(95mg)
をジオキサン(20ml)に溶かしモルホリノプロ
パンスホン酸緩衝液(PH=7.0,10ml)及び酸
化白金(35mg)を加え、3.5気圧の水素圧下6.5
時間水素添加した。触媒を濾過した後、減圧下
ジオキサンを留去し、残液を酢酸エチルで洗浄
し、水層を再度減圧下有機溶媒を留去し、残液
をポリマークロマトグラフイー(CHP−20P)
に付すと水で溶出される部分から〔5R,6S,
8R,3′S,5′S〕−3−〔3−(5−ジメチルアミ
ノカルボニル)ピロリジニルチオ〕−6−(1−
ヒドロキシエチル)−1−アザビシクロ〔3,
2,0〕ヘプト−2−エン−7−オン−2−カ
ルボン酸を得た。 UVnaxnm(H2O):297 IRnaxcm-1(KBr):1755,1627,1393,1252,
1130 NMR δ(D2O):1.25(3H,d,J=6.4Hz),
1.81〜1.96(1H,m),2.96(3H,s),3.03
(3H,s),3.14〜3.20(3H,m),3.31〜
3.41(2H,m),3.62〜3.72(1H,m),3.90
〜4.00(1H,m),4.14〜4.26(2H,m),
4.63(1H,t,J=8.5Hz)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式〔〕 〔式中、R1は水素原子を、R2は水素原子また
    はアミノ基の保護基を、R3は水素原子、低級ア
    ルキル基、低級アルケニル基、アラルキル基、も
    しくは置換低級アルキル基を、およびR4は低級
    アルキル基、低級アルケニル基、アラルキル基、
    もしくは置換低級アルキル基を、あるいはR3
    よびR4は互いに結合せるアルキレン鎖または酸
    素原子、硫黄原子もしくは低級アルキル置換窒素
    原子を介するアルキレン鎖を表して隣接する窒素
    原子とともに4〜7員環の環状アミノ基を示す。〕 で表される2−置換アミノカルボニル−4−メル
    カプトピロリジン誘導体。
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