JPS59135353A - 表面傷検出装置 - Google Patents
表面傷検出装置Info
- Publication number
- JPS59135353A JPS59135353A JP966283A JP966283A JPS59135353A JP S59135353 A JPS59135353 A JP S59135353A JP 966283 A JP966283 A JP 966283A JP 966283 A JP966283 A JP 966283A JP S59135353 A JPS59135353 A JP S59135353A
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- Japan
- Prior art keywords
- flaw
- illumination
- pattern
- scattered light
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、例えば半導体ベレットのように方向性全有す
る複雑な・やターンが形成されている面の傷を検出する
表面傷検出装置の改良に関する。
る複雑な・やターンが形成されている面の傷を検出する
表面傷検出装置の改良に関する。
従来、この種の装置として、例えば半導体ウェア上に形
成された隣接する２チツプにっ込て、同一場所を比較し
てその差から傷を検出する方法を適用したものがある。
成された隣接する２チツプにっ込て、同一場所を比較し
てその差から傷を検出する方法を適用したものがある。
このような装置は、ウェハをチップ毎に分離する以前で
あれば、各チッｆ（ベレット）の相互位置が正確に決ま
っているので、簡単な位置決めをするだけで高精度の傷
検出を行なうことができる。
あれば、各チッｆ（ベレット）の相互位置が正確に決ま
っているので、簡単な位置決めをするだけで高精度の傷
検出を行なうことができる。
しかしながら、このようにウェハ分離前では、ダイシン
グによる分離や分離後の各チップ摘出等の際に生じる傷
を検出することができない。このため、分離後に傷検査
を行なわなければならないが、前記従来の装置にあって
は、チップ相互の位置合わせを正確に行なわなければ精
度の良い傷検出を行なうことができないため、位置合わ
せが複雑となって傷検出に多くの時間と手間を要し、生
産性が極めて悪かった。
グによる分離や分離後の各チップ摘出等の際に生じる傷
を検出することができない。このため、分離後に傷検査
を行なわなければならないが、前記従来の装置にあって
は、チップ相互の位置合わせを正確に行なわなければ精
度の良い傷検出を行なうことができないため、位置合わ
せが複雑となって傷検出に多くの時間と手間を要し、生
産性が極めて悪かった。
本発明は、個々に切シ離された状態の被検体であっても
、表面傷を簡単かつ的確に高速度で検出し得るようにし
た表面傷検出装置を提供することを目的とする。
、表面傷を簡単かつ的確に高速度で検出し得るようにし
た表面傷検出装置を提供することを目的とする。
本発明は、上記目的を達成するために、被検体表面に対
し、ツクターンの方向とは異なる方向から被検体表面に
対して２０〜３０°の照射角をもって照明装置によフ平
行光を照射し、この照明による反射光学像を被検体表面
の垂直上方に配置した光電変換器で受光し、それによシ
得られた画像信号を処理することによシ表面傷情報を求
めるようにしたものである。
し、ツクターンの方向とは異なる方向から被検体表面に
対して２０〜３０°の照射角をもって照明装置によフ平
行光を照射し、この照明による反射光学像を被検体表面
の垂直上方に配置した光電変換器で受光し、それによシ
得られた画像信号を処理することによシ表面傷情報を求
めるようにしたものである。
第１図は、本発明の一実施例における表面傷検出装置の
概略構成図である。この装置は、光源１の出力光をレン
ズ系２によシ擬似平行光としたのち、この擬似平行光を
それぞれグラスファイバ等からなる４本の光伝導体３
ａ、〜、３ ｄで伝送して被検体としての半導体ペレッ
ト４の表面に照射している。
概略構成図である。この装置は、光源１の出力光をレン
ズ系２によシ擬似平行光としたのち、この擬似平行光を
それぞれグラスファイバ等からなる４本の光伝導体３
ａ、〜、３ ｄで伝送して被検体としての半導体ペレッ
ト４の表面に照射している。
ところで、上記４本の各光伝導体３ａ、〜。
３ｄの光出力端部は、第２図（、）に示す如くそれぞれ
半導体ペレット４に形成されているパターンの方向Ｘ、
Ｙに対して光軸が４５°ずれるように配置されておシ、
かつ照射角が第２図（ｂ）に示す如く半導体ペレット４
のノｆターン形成面（表面）４ａに対して２０〜３０°
の角度となるように設定されている。なお、第１図では
図示の便宜上２本の光伝導体３．，３ｂのみを示してい
る。
半導体ペレット４に形成されているパターンの方向Ｘ、
Ｙに対して光軸が４５°ずれるように配置されておシ、
かつ照射角が第２図（ｂ）に示す如く半導体ペレット４
のノｆターン形成面（表面）４ａに対して２０〜３０°
の角度となるように設定されている。なお、第１図では
図示の便宜上２本の光伝導体３．，３ｂのみを示してい
る。
また本装置は、上記各光伝導体３ａ、〜。
３ｄによシ照明された半導体ペレット４の表面の反射光
学像を対物レンズ系５および接眼レンズ系６を介して工
業用テレビジョン（ＩＴＶ）カメ２７で撮像し、その撮
像画像信号全２値化回路８を介して信号処理回路９に導
びいている。ここで、上記２値化回路８は、撮像画像信
号を所定のレベルで２値化することによシ、微弱なノイ
ズ成分等を除去するものである。また信号処理回路９は
、例えばコンピュータを備えたもので、上記２値化出力
音画素化したのち画素毎にレベル判定する等して傷の有
無を検出し、有る場合には傷の位置や大きさ等の情報を
求めている。
学像を対物レンズ系５および接眼レンズ系６を介して工
業用テレビジョン（ＩＴＶ）カメ２７で撮像し、その撮
像画像信号全２値化回路８を介して信号処理回路９に導
びいている。ここで、上記２値化回路８は、撮像画像信
号を所定のレベルで２値化することによシ、微弱なノイ
ズ成分等を除去するものである。また信号処理回路９は
、例えばコンピュータを備えたもので、上記２値化出力
音画素化したのち画素毎にレベル判定する等して傷の有
無を検出し、有る場合には傷の位置や大きさ等の情報を
求めている。
このような構成であるから、半導体ペレット４の表面４
ａは、４本の光伝導体３ａ ＋〜、３ｂにより、それぞ
れ２０〜３０’の照射角をもって４方から同時に照明さ
れる。したがって、半導体ペレット４に例えば第３図に
示す如きパターンが形成され、かつ傷■がある場合には
、パターンに対して４５゜の角度をもって照明している
ため、規則性のあるパターンによる垂直上方への散乱光
は生じず、また生じたとしても微弱となシ、結果的に傷
■による散乱光だけがＩＴＶカメラ７で受光されること
になる。
ａは、４本の光伝導体３ａ ＋〜、３ｂにより、それぞ
れ２０〜３０’の照射角をもって４方から同時に照明さ
れる。したがって、半導体ペレット４に例えば第３図に
示す如きパターンが形成され、かつ傷■がある場合には
、パターンに対して４５゜の角度をもって照明している
ため、規則性のあるパターンによる垂直上方への散乱光
は生じず、また生じたとしても微弱となシ、結果的に傷
■による散乱光だけがＩＴＶカメラ７で受光されること
になる。
またこのとき傷■による散乱光は、４方から同時に照明
を行なっているので、１方のみの場合や２方の場合に比
べて高強度のものとなシ、また傷の形状に関係なく確実
に発生される。
を行なっているので、１方のみの場合や２方の場合に比
べて高強度のものとなシ、また傷の形状に関係なく確実
に発生される。
さらに、半導体ペレット４０表面に対しそれぞれ２０〜
３０’の照射角を有して照明しているので、例えば５０
〜６０°に設定した場合に比べて表面４ａのわずかな凸
凹やペレットの傾きによる反射光は著しく少なくなり、
また２０°以下に設定した場合のように深い傷のエツジ
部分が光るだけで散乱光が検出されないといった不具合
は生じない。
３０’の照射角を有して照明しているので、例えば５０
〜６０°に設定した場合に比べて表面４ａのわずかな凸
凹やペレットの傾きによる反射光は著しく少なくなり、
また２０°以下に設定した場合のように深い傷のエツジ
部分が光るだけで散乱光が検出されないといった不具合
は生じない。
したがって、ＩＴＶカメラ７では半導体ペレット４表面
の傷■のみが例えば第４図に示す如く受光される。そし
て、このＩＴＶカメラ７で得られた撮像画像信号は、２
値化回路８でさらにノイズ成分が消去されたのち、信号
処理回路９で信号処理され、この結果上記価■の存在が
検出されてさらにはその位置、大きさ、形状等の情報が
識別されて図示しない表示装置等に表示される。
の傷■のみが例えば第４図に示す如く受光される。そし
て、このＩＴＶカメラ７で得られた撮像画像信号は、２
値化回路８でさらにノイズ成分が消去されたのち、信号
処理回路９で信号処理され、この結果上記価■の存在が
検出されてさらにはその位置、大きさ、形状等の情報が
識別されて図示しない表示装置等に表示される。
このように、本実施例であれば、半導体装置ット４の表
面に対し、パターンの方向に対して４５°ずれた方向か
らそれぞれ２０〜３０°の照射角を有して４本の平行光
を照明するようにしているので、傷に対して極めてＳ
／Ｎの高い検出を行なうことができ、しかも従来のよう
表精密な位置決めは不要となる。したがって、個々に切
シ離された半導体ペレットに対しても、簡単かつ精度良
く、しかも高速度で傷検出を行なうことができる。また
本実施例であれば、照明光学系をグラスファイバ等の光
伝導体により構成して込るので、照明部の先端部分を小
形化することができる。この効果は、本実施例のように
４方向から照明を行ない、しかも半導体ペレットの表面
に対して２０〜３０°というように照明部の先端が近接
配置される場合にあって、極めて有効である。
面に対し、パターンの方向に対して４５°ずれた方向か
らそれぞれ２０〜３０°の照射角を有して４本の平行光
を照明するようにしているので、傷に対して極めてＳ
／Ｎの高い検出を行なうことができ、しかも従来のよう
表精密な位置決めは不要となる。したがって、個々に切
シ離された半導体ペレットに対しても、簡単かつ精度良
く、しかも高速度で傷検出を行なうことができる。また
本実施例であれば、照明光学系をグラスファイバ等の光
伝導体により構成して込るので、照明部の先端部分を小
形化することができる。この効果は、本実施例のように
４方向から照明を行ない、しかも半導体ペレットの表面
に対して２０〜３０°というように照明部の先端が近接
配置される場合にあって、極めて有効である。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではない。
例えば、パターンの方向に対する照明方向のずれは、４
５°以外に設定してもよく、また照明方向は４方向以上
であっても、さらに３方向以下であってもよい。その他
、照明部、光電変換部、信号処理部の構成にっｂても、
本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施でき
る。
５°以外に設定してもよく、また照明方向は４方向以上
であっても、さらに３方向以下であってもよい。その他
、照明部、光電変換部、信号処理部の構成にっｂても、
本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施でき
る。
以上詳述したように本発明は、被検体表面に対し、パタ
ーンの方向とは異なる方向から被検体表面に対して２０
〜３０°の照射角をもって照明部によシ平行光を照明し
、この照明による反射光学像を被検体表面の垂直上方に
配置した光電変換器で受光し、それによフ得られた画像
信号を処理することによシ表面傷情報を求めるようにし
たものである。
ーンの方向とは異なる方向から被検体表面に対して２０
〜３０°の照射角をもって照明部によシ平行光を照明し
、この照明による反射光学像を被検体表面の垂直上方に
配置した光電変換器で受光し、それによフ得られた画像
信号を処理することによシ表面傷情報を求めるようにし
たものである。
したがって本発明によれば、個々に分離された状態の被
検体であっても、表面傷を簡単かつ的確に高速度で検出
することができる表面傷検出装置を提うすることができ
る。
検体であっても、表面傷を簡単かつ的確に高速度で検出
することができる表面傷検出装置を提うすることができ
る。
第１図は本発明の一実施例における表面傷検出装置の概
略構成図、第２図（ａ） 、 （ｂ）は第１図に示した
装置の要部構成を示す平面図および側面図、第３図およ
び第４図は第１図に示した装置の作用説明に用いるため
のもので、第３図は被検体表面の一構成例を示す斜視図
、第４図は光電変換部で受光される光学像の一例を示す
図である。 ３ａ、〜、３ｄ・・・光伝導体、４・・・半導体にレッ
ド、５・・・対物光学系、６・・・接眼光学系、７・・
・ＩＴＶカメラ、８・・・２値化回路、９・・・信号処
理回路、■・・・傷。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 （ａ） （ｂ）第３図 ■ 第４図
略構成図、第２図（ａ） 、 （ｂ）は第１図に示した
装置の要部構成を示す平面図および側面図、第３図およ
び第４図は第１図に示した装置の作用説明に用いるため
のもので、第３図は被検体表面の一構成例を示す斜視図
、第４図は光電変換部で受光される光学像の一例を示す
図である。 ３ａ、〜、３ｄ・・・光伝導体、４・・・半導体にレッ
ド、５・・・対物光学系、６・・・接眼光学系、７・・
・ＩＴＶカメラ、８・・・２値化回路、９・・・信号処
理回路、■・・・傷。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 （ａ） （ｂ）第３図 ■ 第４図
Claims (2)
- （１）方向性を有する凸凹パターンが形成された被検体
表面に対し上記・ぐターンの方向とは異なる方向より上
記被検体表面に対して２０〜３０°の照射角度−を有し
て平行光を照射する照明部と、前記被検体表面の垂直上
方に配置され前記照明部の照明によシ得られる光学像を
受光する光電変換部と、この光電変換部によシ得られる
画像信号から前記被検体表面の傷情報を得る信号処理部
とを具備したことを特徴とする表面傷検出装置 - （２）照明部は、被検体表面に対しパターンの方向とは
異なる４方向より同時に照明するものである特許請求の
範囲第１項記載の表面傷検出装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP966283A JPS59135353A (ja) | 1983-01-24 | 1983-01-24 | 表面傷検出装置 |
| US06/534,119 US4601577A (en) | 1982-09-21 | 1983-09-20 | Method and apparatus for detecting defects in a pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP966283A JPS59135353A (ja) | 1983-01-24 | 1983-01-24 | 表面傷検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59135353A true JPS59135353A (ja) | 1984-08-03 |
| JPH0236893B2 JPH0236893B2 (ja) | 1990-08-21 |
Family
ID=11726424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP966283A Granted JPS59135353A (ja) | 1982-09-21 | 1983-01-24 | 表面傷検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59135353A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6219739A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-28 | Hitachi Ltd | 検査方法および装置 |
| WO1993013406A1 (en) * | 1988-11-18 | 1993-07-08 | Taro Sato | Apparatus for discriminating defects in an optical recording medium and method thereof |
| JP2008045965A (ja) * | 2006-08-14 | 2008-02-28 | Yamaha Corp | ウェハの検査方法及びウェハのクラック検査装置 |
| US8224062B2 (en) | 2006-08-14 | 2012-07-17 | Yamaha Corporation | Method and apparatus for inspection of wafer and semiconductor device |
| WO2016009920A1 (ja) * | 2014-07-14 | 2016-01-21 | 住友化学株式会社 | 基板の検査装置及び基板の検査方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4818572B2 (ja) * | 2003-01-09 | 2011-11-16 | パナソニック株式会社 | 画像認識装置および画像認識方法 |
| JP4818571B2 (ja) * | 2003-01-09 | 2011-11-16 | パナソニック株式会社 | 画像認識装置および画像認識方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54101389A (en) * | 1978-01-27 | 1979-08-09 | Hitachi Ltd | Foreign matter inspecting method |
| JPS564046A (en) * | 1979-06-26 | 1981-01-16 | Nissan Motor Co Ltd | Lamination type membrane-covered oxygen sensor |
| JPS5713340A (en) * | 1980-06-27 | 1982-01-23 | Hitachi Ltd | Inspection apparatus for surface defect |
-
1983
- 1983-01-24 JP JP966283A patent/JPS59135353A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54101389A (en) * | 1978-01-27 | 1979-08-09 | Hitachi Ltd | Foreign matter inspecting method |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6219739A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-28 | Hitachi Ltd | 検査方法および装置 |
| WO1993013406A1 (en) * | 1988-11-18 | 1993-07-08 | Taro Sato | Apparatus for discriminating defects in an optical recording medium and method thereof |
| JP2008045965A (ja) * | 2006-08-14 | 2008-02-28 | Yamaha Corp | ウェハの検査方法及びウェハのクラック検査装置 |
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| WO2016009920A1 (ja) * | 2014-07-14 | 2016-01-21 | 住友化学株式会社 | 基板の検査装置及び基板の検査方法 |
| JP2016020824A (ja) * | 2014-07-14 | 2016-02-04 | 株式会社サイオクス | 基板の検査装置及び基板の検査方法 |
| US10209203B2 (en) | 2014-07-14 | 2019-02-19 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Wafer inspection apparatus and wafer inspection method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0236893B2 (ja) | 1990-08-21 |
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