JPH0587781B2 - - Google Patents

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JPH0587781B2
JPH0587781B2 JP62119340A JP11934087A JPH0587781B2 JP H0587781 B2 JPH0587781 B2 JP H0587781B2 JP 62119340 A JP62119340 A JP 62119340A JP 11934087 A JP11934087 A JP 11934087A JP H0587781 B2 JPH0587781 B2 JP H0587781B2
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JP
Japan
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JP62119340A
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JPS63284455A (ja
Inventor
Yasuhide Nakai
Yoshiro Nishimoto
Yasushi Yoneda
Akio Arai
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kobe Steel Ltd
Original Assignee
Kobe Steel Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/89Investigating the presence of flaws or contamination in moving material, e.g. running paper or textiles
    • G01N21/8901Optical details; Scanning details

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Textile Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、磁気デイスク・サブストレートな
どの被検査体について、その表面に存在する傷な
どの欠陥を塵埃等と区別して検出するための表面
欠陥検査装置に関する。
(従来の技術とその問題点) コンピユータ用磁気デイスクのサブストレート
や半導体ウエハなどにおいては、その表面に存在
するわずかな傷などの欠陥によつて製品の品質が
大きく左右されるため、その表面を鏡面に近い程
度にまで超精密加工するとともに、加工後のサブ
ストレート等について表面欠陥検査を行なう必要
がある。
このような欠陥検査は、従来、検査員の目視に
よつて行なわれており、熟練した検査員はサブミ
クロンオーダーの欠陥を識別できるだけでなく、
後の洗浄工程などによつて除去することができる
無害な塵埃などと、製品に影響を及ぼすような欠
陥とを判別することができる。そして、これによ
つて当該被検査物を後工程に送つてもよいのか、
それとも不合格品として処分すべきかを判断し、
さらに欠陥の種類によつては、表面加工装置の異
常を感じ取つて適切な措置を講ずることも行なわ
れている。
ところが、上述のように、検査員の目視による
検査は多岐にわたる能力を必要とするため、検査
員の養成も容易ではなく、また、検査員ごとの検
査能力の差によつて、製品の品質が必ずしも一様
ではないという問題がある。
そこで、このような検査員の目視に代わる表面
欠陥検査装置が種々提案されている。このうち、
前述した被検査物の欠陥と被検査物上の塵埃を判
別する機能を備えている装置として、特開昭57−
13340に開示されたものがある。
第4図はその構成説明図であり、この装置はハ
ーフミラー1に反射させて被検査体2の表面上に
垂直に照射する落射照明3と、被検査体2の表面
上に斜め方向から照射する斜方照明4,4a,4
bの2つの照明手段を有しており、両照明3,4
による反射光を別々に撮像装置5により受光し、
映像信号として記憶し双方を比較することで、第
5図で示すような被検査体2上の塵埃6とピンホ
ール7の判別を行なつている。なお、8は対物レ
ンズ、9,9a,9b,9cはコンデンサレン
ズ、10〜12はシヤツタである。
この検査装置は第5図に示すように被検査体2
表面に斜方から照明光13を照射した場合、ピン
ホール7からの散乱光14はほぼ正反射するため
対物レンズ8で集光されないが、塵埃6はその形
状が不規則なため、その散乱光15は四方に散乱
し、対物レンズ8で集光されるという性質を利用
している。
つまり、塵埃6、ピンホール7が存在する場
合、落射照明3に対する被検査体2の反射光は、
塵埃6とピンホール7を反映した光であり、斜方
照明4に対する被検査体2の反射光は塵埃6のみ
を反映した光となり、これらの反射光を受けた撮
像装置5における映像信号を各々S1,S2とす
ると、信号S1と信号S2を比較することで、ピ
ンホール7のみの映像信号を検出することができ
るのである。このとき、映像信号S1,S2を所
定の閾値で2値化し、その組合せにより、塵埃6
とピンホール7の判別を行なつている。
しかしながら、上記した装置の判別方法では、
2値化信号の単純な組合せによるため、被検査体
表面における多様なピンホール等の欠陥および塵
埃に対し、精度よく判別するのは困難である。ま
た、照明手段が落射照明と斜方照明の2系統必要
となり、光学系が複雑、大型化してしまう問題点
があつた。
さらに、落射照明と斜方照明とが通常は同時に
行なえず、両者の反射光を検出するため同一箇所
を2度撮像しなければならず、時間がかかつてし
まう。これを回避するために、落射照明と斜方照
明の光の波長を変え、2つの撮像装置で各々別々
に受光する方法が用いられるが、この場合も、照
明手段の一層の複雑化と共に、受光手段も2系統
と複雑化してしまう問題点があつた。
(発明の目的) この発明は、従来技術における上述の問題の克
服を意図しており、高速かつ正確に被検査体の表
面欠陥のみを判別することができる表面欠陥検査
装置を提供することを目的とする。
(目的を達成するための手段) 上記目的を達成するため、この発明における表
面欠陥検査装置は、被検査体の表面に対し所定角
度でビーム光を照射する照射手段と、前記ビーム
光の散乱光を受光する、受光角度が前記ビーム光
の正反射方向に対し比較的大きい角度に設けられ
た第1の受光手段と、同じく受光角度が前記ビー
ム光の正反射光に対し、比較的小さな角度に設け
られた第2の受光手段と、前記第1及び第2の光
手段により検出された前記散乱光の光強度信号
V1,V2を以下の関係式 V2=a(aはa>0の定数) V2=bV1 c+d(b,cは、b>0,c>0の定
数、dは定数) に基づいて比較し、前記被検査体の欠陥判定を行
なう判定手段とを備えて構成されている。
(実施例) 第1図は、この発明の一実施例である表面欠陥
検査装置の構成説明図である。同図において、光
源20より対物レンズ21を介し被検査体2の表
面に垂直にビーム光Lが照射される。このビーム
光Lの反射光をとらえるため、集光レンズ22,
23を介して受光素子24,25が、ビーム光の
正反射光R0の方向に対し、各々θ1,θ2(θ1>θ2
の角度で設置されている。集光レンズ22,23
は各々ビーム光Lの被検査体2の表面での散乱光
R1,R2を集光し、受光素子24,25に結像さ
せるように設けられている。受光素子24,25
は受光した光を光電変換し、次段の演算回路26
に電気信号V1,V2を送つている。
第2図は、第1図で示した装置において、θ1
70°,θ2=10°とした場合の実験結果を示したグラ
フである。図中○印が塵埃等の突出物の存在、×
印がピンホール等の実際の被検査体2の表面欠陥
を示している。図より明らかに、電圧信号V2
閾値電圧VTH2を越えた時に、突出物、表面欠陥の
存在が認められる。すなわち、突出物、表面欠陥
の存在を判定する境界を示す条件式としてV2
a(aはa>0の定数)が得られる。しかしなが
ら、突出物と表面欠陥を判別する境界は、例えば
閾値電圧VTH1(従来の2値化に相当)のような単
純な境界線では分けることができず、同図Aで示
すような境界線で分ける必要がある。
この曲線Aは第2図の例ではV2=KV1 1/2(K
>0の定数)で近似できているが、散乱受光角
θ1、θ2の変更、突出物、表面欠陥の種類により変
化するために、これら検出条件に応じ変更される
必要がある。しかしながら、種々の実験結果から
類推するに、信号電圧V1の増加にともない、信
号電圧V2が単調に増加する関係のV2=bV1 c+d
(b,cはb>0,c>0の定数、dは定数)で
示すような式でほぼ正確に近似できる。
このような境界線Aを予め算出し、演算回路2
6において電圧信号V1・V2を比較することで塵
埃等の突出物とピンホール等の表面欠陥を正確に
判別することができる。しかも照明手段は一系統
を用いるだけでよく、同一箇所を異なつた照明手
段で2回照射するようなことはない。また受光手
段は二系統必要であるが、簡単な光電変換素子で
すますことができるため、装置が複雑化すること
はない。
第3図はこの発明の他の実施例である表面欠陥
検査装置の構成説明図である。同図に示すように
光源20を斜方から照射するような構成にして
も、同様の効果を奏する。
(発明の効果) 以上説明したように、この発明によれば2つの
受光手段による検出値を以下の関係式 V2=a(aはa>0の定数) V2=bV1 c+d(b,cは、b>0,c>0の定
数、dは定数) に基づき比較することで被検査体の表面欠陥以外
の影響を取り除いたため、高速かつ正確に被検査
体の表面欠陥のみを判別することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例である表面欠陥検
査装置の構成説明図、第2図は第1図の装置の実
験結果を示すグラフ、第3図はこの発明の他の実
施例である表面欠陥検査装置の構成説明図、第4
図は従来の表面欠陥検査装置の構成説明図、第5
図は塵埃、ピンホールの散乱光の説明図である。 2……被検査体、20……光源、24,25…
…受光素子、26……演算回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 被検査体の表面に存在する表面欠陥の検査を
    光学的に行なう表面欠陥検査装置であつて、 前記被検査体の表面に対し所定角度でビーム光
    を照射する照射手段と、 前記ビーム光の散乱光を受光する、受光角度が
    前記ビーム光の正反射方向に対し比較的大きい角
    度に設けられた第1の受光手段と、 同じく受光角度が前記ビーム光の正反射光に対
    し、比較的小さな角度に設けられた第2の受光手
    段と、 前記第1及び第2の受光手段により検出された
    前記散乱光の光強度信号V1,V2を以下の関係式 V2=a(aはa>0の定数) V2=bV1 c+d(b,cは、b>0,c>0の定
    数、dは定数) に基づいて比較し、前記被検査体の欠陥判定を行
    なう判定手段とを備えた表面欠陥検査装置。
JP11934087A 1987-05-15 1987-05-15 表面欠陥検査装置 Granted JPS63284455A (ja)

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JP11934087A JPS63284455A (ja) 1987-05-15 1987-05-15 表面欠陥検査装置

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JP11934087A JPS63284455A (ja) 1987-05-15 1987-05-15 表面欠陥検査装置

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JPS63284455A JPS63284455A (ja) 1988-11-21
JPH0587781B2 true JPH0587781B2 (ja) 1993-12-17

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WO1997046865A1 (en) 1996-06-04 1997-12-11 Tencor Instruments Optical scanning system for surface inspection
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JPS5129988A (ja) * 1974-09-06 1976-03-13 Canon Kk Hyomenkensahoho
JPS55124003A (en) * 1979-03-19 1980-09-24 Sankusu:Kk Reflection type photoelectric switch

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