JPS59134779A - アゼチジノン誘導体の製造法 - Google Patents
アゼチジノン誘導体の製造法Info
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- JPS59134779A JPS59134779A JP58007630A JP763083A JPS59134779A JP S59134779 A JPS59134779 A JP S59134779A JP 58007630 A JP58007630 A JP 58007630A JP 763083 A JP763083 A JP 763083A JP S59134779 A JPS59134779 A JP S59134779A
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D205/00—Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
- C07D205/02—Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings
- C07D205/06—Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member
- C07D205/08—Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member with one oxygen atom directly attached in position 2, e.g. beta-lactams
- C07D205/09—Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member with one oxygen atom directly attached in position 2, e.g. beta-lactams with a sulfur atom directly attached in position 4
- C07D205/095—Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member with one oxygen atom directly attached in position 2, e.g. beta-lactams with a sulfur atom directly attached in position 4 and with a nitrogen atom directly attached in position 3
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
- Cephalosporin Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、アゼチジノン誘導体の製造法、更に詳しくは
一般式 〔式中、Ｒ１は置換もしくは置換基を有しないアリール
基、置換もしくは置換基を有しないフェニルメチル基又
は置換もしくは置換基を有しないフェニルメチル基を示
し、Ｒ２は水素原子もしくはカルボン酸保護基を示し、
Ａｒは置換もしくは置換基を有しないフェニル基を示す
。〕で表わされるアゼチジノシ誘導体の製造法に関する
。
一般式 〔式中、Ｒ１は置換もしくは置換基を有しないアリール
基、置換もしくは置換基を有しないフェニルメチル基又
は置換もしくは置換基を有しないフェニルメチル基を示
し、Ｒ２は水素原子もしくはカルボン酸保護基を示し、
Ａｒは置換もしくは置換基を有しないフェニル基を示す
。〕で表わされるアゼチジノシ誘導体の製造法に関する
。
本発明で製造される一般式（３）のアゼチジノシ誘導体
は、セファ０スポリシ系抗生物質の重要な合成中間体で
あり、例えば本発明者らの方法［Ｔｅｔｒａｈｔｄｒｏ
ｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ ｌ ９８２．２３．２１８７
］によれば、次の反応式（Ａ）に示す如く、セファＤス
ポリシ誘導体に変換できる。
は、セファ０スポリシ系抗生物質の重要な合成中間体で
あり、例えば本発明者らの方法［Ｔｅｔｒａｈｔｄｒｏ
ｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ ｌ ９８２．２３．２１８７
］によれば、次の反応式（Ａ）に示す如く、セファＤス
ポリシ誘導体に変換できる。
反応式Ａ
δｏ２Ｒ２
（３）
１
０２Ｒ２
従来、上記一般式（３）で表わされるチアシリ：Ｊ銹導
体は、例えば下記反応式Ｂ ［Ｊ、 Ｇｏｓｔｇｌｉ、
Ｃｈｉｍｔａ。
体は、例えば下記反応式Ｂ ［Ｊ、 Ｇｏｓｔｇｌｉ、
Ｃｈｉｍｔａ。
３０．１３ （１９７６）参照〕１反応式Ｃ［Ｒ，Ｄ。
Ａ１１ａ、ｎ、Ｄ、Ｂ、Ｒ，Ｂａｒｆ、ｏｎ、Ｍ、Ｇｉ
ｒｉｚａｖａｌｌａｈｈａｎ ａｎｄ。
ｒｉｚａｖａｌｌａｈｈａｎ ａｎｄ。
Ｐ、Ｇ、 Ｓａｍｍｅｓ、 Ｊ、 Ｃｈｅｍ、 Ｓａｃ
、、 Ｐｅｒｋｉｎ ■、 ｌ ｌ ｆ３ ’１
（１９７３）参照〕で表わされる方法などで合成されて
いる。
、、 Ｐｅｒｋｉｎ ■、 ｌ ｌ ｆ３ ’１
（１９７３）参照〕で表わされる方法などで合成されて
いる。
反応式Ｂ
０２Ｒ２
（α）
１
０２Ｒ２
（ｈ）
反応式〇
０２Ｒ２
（Ｃ）
（ｈ） （ｄ）しかしなが
ら、上記従来法には、多量の高価な銀化合物が必要であ
る点、アゼチジノ、７Ｎ−置換基のオレフィンの異性化
を伴い副生成物が多量に生成する点などの欠点があるた
め、目的のアゼチジノシ誘導体（３）（反応式Ｂ及びＣ
中、ｂで示す化合物）を安価に且つより簡便に製造する
方法の開発が待たれているのが現状である。
ら、上記従来法には、多量の高価な銀化合物が必要であ
る点、アゼチジノ、７Ｎ−置換基のオレフィンの異性化
を伴い副生成物が多量に生成する点などの欠点があるた
め、目的のアゼチジノシ誘導体（３）（反応式Ｂ及びＣ
中、ｂで示す化合物）を安価に且つより簡便に製造する
方法の開発が待たれているのが現状である。
本発明の目的は、上記欠点を有さない一般式（３）で表
わされるアゼチジノン誘導体の新規な製造法を提供する
ことにある。
わされるアゼチジノン誘導体の新規な製造法を提供する
ことにある。
即ち本発明は、酸の存在下含水有機溶媒中にて、一般式
ル基、置換もしくは置換基を有し々いフェニルメチル基
又は置換もしくは置換基を有しないフェノ十ジメチル基
を示し、Ｒ２は水素原子又はカルポジ酸保護基を示す。
又は置換もしくは置換基を有しないフェノ十ジメチル基
を示し、Ｒ２は水素原子又はカルポジ酸保護基を示す。
〕
で表わされるチアゾリシアゼチジノシ銹導体と一般式
％式％（２）
〔式中、Ａｒｆ′ｉ、置換もしくは置換基を有しない）
工二ル基を示す。〕 で表わされるスルボニルづＯミドとを反応させて一般式 〔式中、Ｒ１、Ｒ２及びＡｙは前記に同じ。〕で表わさ
れるアゼチジノン誘導体を得ることを特徴とするアゼチ
ジノン誘導体の製造法に係る。
工二ル基を示す。〕 で表わされるスルボニルづＯミドとを反応させて一般式 〔式中、Ｒ１、Ｒ２及びＡｙは前記に同じ。〕で表わさ
れるアゼチジノン誘導体を得ることを特徴とするアゼチ
ジノン誘導体の製造法に係る。
本発明の方法によれば、銀化合物は必要なく、しかも生
成物はオレフイシの位置異性体（反応式中ｄで示す化合
物）を全く含有しない単一生成物として目的の化合物（
３）が好純度で製造される。また、本発明に供する出発
物質（＋）は、下式に示す如くベニシリシーＳ−オ士シ
ド（４）から既報の方法ＣＲ，Ｄ、Ｇ、 Ｃｏｏｐｅｒ
ａｒＬｃＬ Ｆ、Ｌ、 Ｊａｓｅ 、 Ｊ、 Ａｍ、
Ｃｈｇｍ。
成物はオレフイシの位置異性体（反応式中ｄで示す化合
物）を全く含有しない単一生成物として目的の化合物（
３）が好純度で製造される。また、本発明に供する出発
物質（＋）は、下式に示す如くベニシリシーＳ−オ士シ
ド（４）から既報の方法ＣＲ，Ｄ、Ｇ、 Ｃｏｏｐｅｒ
ａｒＬｃＬ Ｆ、Ｌ、 Ｊａｓｅ 、 Ｊ、 Ａｍ、
Ｃｈｇｍ。
Ｓｏｃ、、 ９２ 、２５７５ （１９７０） ）によ
り容易に入手できる化合物であり、従って目的化合物（
３）を安価に製造できるという利点をも有する。
り容易に入手できる化合物であり、従って目的化合物（
３）を安価に製造できるという利点をも有する。
０２Ｒ２
（４）
１
（１）
〔式中、Ｒ′は低級アル＋ル基を示す。Ｒ１は前記に同
じ。〕 本発明に用いられるチアジリシアゼチジノシ誘導体（１
）において、Ｒ１及びＲ２としては特に限定されないが
、通常のペニシリン−セファロスポリｙ変換で汎用され
るアミノ基あるいはカルボン酸の保にΦ基が用いられる
。Ｒ１の具体例としては、例えばフェニル基、パラニド
０フエニル基、バラク０ルフエニル基等の置換もしくは
置換基を有しないアリール基、フェニルメチル基、バラ
ニド０フエニルメチル基、バラク０ルフエニルメチル基
、ジフェニルメチル基、フェニルジクロルメチル基、フ
ェニルヒト０士ジメチル基等の置換もしくは置換基を有
しないフェニルメチル基、フェノ士ジメチル基、バラク
０ルフエノ中ジメチル基、バラメト中ジフェノ士ジメチ
ル基等の置換もしくは置換基を有しないフェノ士ジメチ
ル基などを挙げることができる。Ｒ２の具体例としては
、例えばベシジル基、パラニド０フエニルメチル基、バ
ラメト牛ジフェニルメチル基、ジフェニルメチル基等の
置換もしくは置換基を有しないフェニルメチル基、メチ
ル基、エチル基、第三級づデル基、２−クロロエチル基
、 ２．２．２− トリクロロエチル基等のハロゲンを
含むことのある低級アル中ル基などが挙げられる。
じ。〕 本発明に用いられるチアジリシアゼチジノシ誘導体（１
）において、Ｒ１及びＲ２としては特に限定されないが
、通常のペニシリン−セファロスポリｙ変換で汎用され
るアミノ基あるいはカルボン酸の保にΦ基が用いられる
。Ｒ１の具体例としては、例えばフェニル基、パラニド
０フエニル基、バラク０ルフエニル基等の置換もしくは
置換基を有しないアリール基、フェニルメチル基、バラ
ニド０フエニルメチル基、バラク０ルフエニルメチル基
、ジフェニルメチル基、フェニルジクロルメチル基、フ
ェニルヒト０士ジメチル基等の置換もしくは置換基を有
しないフェニルメチル基、フェノ士ジメチル基、バラク
０ルフエノ中ジメチル基、バラメト中ジフェノ士ジメチ
ル基等の置換もしくは置換基を有しないフェノ士ジメチ
ル基などを挙げることができる。Ｒ２の具体例としては
、例えばベシジル基、パラニド０フエニルメチル基、バ
ラメト牛ジフェニルメチル基、ジフェニルメチル基等の
置換もしくは置換基を有しないフェニルメチル基、メチ
ル基、エチル基、第三級づデル基、２−クロロエチル基
、 ２．２．２− トリクロロエチル基等のハロゲンを
含むことのある低級アル中ル基などが挙げられる。
本発明に用いられる一般式
％式％（２）
で表わされるスルホニルづ口三ドの、４ｒ基の具体例と
しては、例えばフェニル基、パラメチルフェニル基、パ
ラ９０ロフエニル基、パラニトロフェニル基、バラメト
士ジフェニル基、２，４−；ニトロフェニル基等置換も
しくは置換基を有しないフェニル基などが左げられる。
しては、例えばフェニル基、パラメチルフェニル基、パ
ラ９０ロフエニル基、パラニトロフェニル基、バラメト
士ジフェニル基、２，４−；ニトロフェニル基等置換も
しくは置換基を有しないフェニル基などが左げられる。
本発明の方法は、チアソリシアゼチジノシ誘導体（１）
を有機溶媒中に溶かし１七ル／ｌ−０，０１七ル／ｌの
溶液を調製し、これに酸の水溶液とスルホニルづ口三ド
（２）を加えて反応させる。反応温度および反応時間は
用いるヂアジリシアゼチジノン誘導体（１）およびスル
ホニルづ〇三ド（２）の種類並びに用いる酸や溶媒の種
類により一定しないが、反応温度−２０〜５０℃、好ま
しくは０〜２０℃で行なわれ、通常１０分〜２時間で反
応は完結する。
を有機溶媒中に溶かし１七ル／ｌ−０，０１七ル／ｌの
溶液を調製し、これに酸の水溶液とスルホニルづ口三ド
（２）を加えて反応させる。反応温度および反応時間は
用いるヂアジリシアゼチジノン誘導体（１）およびスル
ホニルづ〇三ド（２）の種類並びに用いる酸や溶媒の種
類により一定しないが、反応温度−２０〜５０℃、好ま
しくは０〜２０℃で行なわれ、通常１０分〜２時間で反
応は完結する。
本反応は、酸とスルホニルづ０三ド（２）を同時に加え
て行うこともできるが、まず酸を添加してから５分〜５
時間反応させ、つづいてスルホニルづ〇三ド（２）を加
えて反応させることもできる。スルホニルづロミド（２
）は、チアソリシアゼチジノシ誘導体（＋）に対して通
常１．０〜５倍ｔル好ましくは１．０〜１．２倍モル用
いられる。添加される酸としては、例えば塩酸、硫酸、
硝酸、過塩素醜女どの鉱酸、酢酸、ギ酸、トリフ００酢
酸などの有機酸が用いられるが、好ましくは１〜２０％
塩酸水溶液あるいは１〜２０チ過塩素酸水溶液が用いら
れる。酸の添加量としては、通常チアジリシアゼチジノ
ン誘導体（１）に対して０．１〜１０倍モル、好ましく
は１．０〜１．５倍［ルである。
て行うこともできるが、まず酸を添加してから５分〜５
時間反応させ、つづいてスルホニルづ〇三ド（２）を加
えて反応させることもできる。スルホニルづロミド（２
）は、チアソリシアゼチジノシ誘導体（＋）に対して通
常１．０〜５倍ｔル好ましくは１．０〜１．２倍モル用
いられる。添加される酸としては、例えば塩酸、硫酸、
硝酸、過塩素醜女どの鉱酸、酢酸、ギ酸、トリフ００酢
酸などの有機酸が用いられるが、好ましくは１〜２０％
塩酸水溶液あるいは１〜２０チ過塩素酸水溶液が用いら
れる。酸の添加量としては、通常チアジリシアゼチジノ
ン誘導体（１）に対して０．１〜１０倍モル、好ましく
は１．０〜１．５倍［ルである。
用いる有機溶媒は、親水性有機溶媒単独あるいは親水性
有機溶媒を少なくとも一種以上含む混合溶媒が用いられ
る。具体例としては、メタノール、エタノール、イソづ
ロバノール等の低級アルコール類、アセトン、エチルメ
チルケトン等のケトシ類、アセトニトリル、づチロニト
リル等のニトリル類、ジエチルエーテル、ジづチルエー
テル、テトラしトロフラン、じ才十サシ等のエーテル類
、ニトロメタン、ニトロエタン等の低級ニドＯパラフィ
ン類などが単独、もしくは混合溶媒の主溶蝉として用い
られる。また、ジグ０ルメタシ、１．２−ジノ０ルエタ
ン、り００ホルム、四塩化炭素、ベンゼン、クロルベ、
７ｔ！シ、酢酸エチル、−ｆ＃エチルなどの疎水性有機
溶媒が上記親水性溶媒との混合溶媒として用いられる。
有機溶媒を少なくとも一種以上含む混合溶媒が用いられ
る。具体例としては、メタノール、エタノール、イソづ
ロバノール等の低級アルコール類、アセトン、エチルメ
チルケトン等のケトシ類、アセトニトリル、づチロニト
リル等のニトリル類、ジエチルエーテル、ジづチルエー
テル、テトラしトロフラン、じ才十サシ等のエーテル類
、ニトロメタン、ニトロエタン等の低級ニドＯパラフィ
ン類などが単独、もしくは混合溶媒の主溶蝉として用い
られる。また、ジグ０ルメタシ、１．２−ジノ０ルエタ
ン、り００ホルム、四塩化炭素、ベンゼン、クロルベ、
７ｔ！シ、酢酸エチル、−ｆ＃エチルなどの疎水性有機
溶媒が上記親水性溶媒との混合溶媒として用いられる。
斯くして製造される本発明の化合物は慣用の分離手段に
より容易に単離精製される。
より容易に単離精製される。
以下に実施例を挙げる。
実施例 １
ＣＯ２Ｃ１１２Ｐｈ Ｃ０２Ｃ
Ｈ２Ｐｈ（ｌａ）（３α） ベニ、ｌジル２−（３−フェノ＋ジメチルー７−オ±ソ
ー４−チア−２，６−ジアザピシクｏ Ｃ３，２，０）
へづトー２−エン−６−イル）−３−メチル−３−づテ
ノアート（ｌｚ） ４ｏ３ｑ（０，９５ｍｍｏＬ ）を
秤りとり、メタノール！２＋＋＋４！を加えて均一溶液
とする。これに氷冷下Ｉ Ｈ−１１ｃｔ １．１ ｍｌ
を加え、つづいて１０〜１５℃で４時間かきまぜる。つ
ぎに、ベンゼンスルホニルづＯミド２３２ ｒｒｙ （
１，０５ｍｍ０１ ）を加え１０〜１５℃でさらに３０
分かきまぜる。
Ｈ２Ｐｈ（ｌａ）（３α） ベニ、ｌジル２−（３−フェノ＋ジメチルー７−オ±ソ
ー４−チア−２，６−ジアザピシクｏ Ｃ３，２，０）
へづトー２−エン−６−イル）−３−メチル−３−づテ
ノアート（ｌｚ） ４ｏ３ｑ（０，９５ｍｍｏＬ ）を
秤りとり、メタノール！２＋＋＋４！を加えて均一溶液
とする。これに氷冷下Ｉ Ｈ−１１ｃｔ １．１ ｍｌ
を加え、つづいて１０〜１５℃で４時間かきまぜる。つ
ぎに、ベンゼンスルホニルづＯミド２３２ ｒｒｙ （
１，０５ｍｍ０１ ）を加え１０〜１５℃でさらに３０
分かきまぜる。
反応混合物は飽和食塩水を加え、酢酸エチル（３０ｒｒ
ｔ ）で２回抽出する。抽出液は一つにまとめ、飽和食
塩水で洗浄し、Ａ（ｌＳ０４上で乾燥したのち、減圧下
濃縮する。残留物はシリカゲルカラム上ベシｔ！シー酢
酸エチル（９：１）混合溶媒で展開してオ青製すると、
ベンジル２−（３−フェノ牛ジアセトアミドー４−ペン
ゼシスルホニルチ；ｔ−２−アゼチジノシー！−イル）
−３−メチル−３−プチノアート（３ｃＬ） ５１４ｍ
ｇ、収率９３％を得た。得られた化合物（３α）のスペ
クトルデーターは表ＩＩＩに示す。
ｔ ）で２回抽出する。抽出液は一つにまとめ、飽和食
塩水で洗浄し、Ａ（ｌＳ０４上で乾燥したのち、減圧下
濃縮する。残留物はシリカゲルカラム上ベシｔ！シー酢
酸エチル（９：１）混合溶媒で展開してオ青製すると、
ベンジル２−（３−フェノ牛ジアセトアミドー４−ペン
ゼシスルホニルチ；ｔ−２−アゼチジノシー！−イル）
−３−メチル−３−プチノアート（３ｃＬ） ５１４ｍ
ｇ、収率９３％を得た。得られた化合物（３α）のスペ
クトルデーターは表ＩＩＩに示す。
実施例 ２〜７
表Ｉに示した溶媒以外は実施例１と同様に行った。
表 １
実施例 ８
ＣＯ２ＣＨ２Ｐｈ
Ｃ０２ＣＥ２Ｐｈ（Ｉα）
（３α）ベンジル２−（３−フェノ士ジ
メチルー７−オ十ソー４−チア−２，６−、Ｔ；アザじ
シクロＣ３，２，０）へづトー２−ニジ−６−イル）−
３−メチル−３−づテノアート（Ｄ） ３４７ Ｗ （
０，８２ｍｍ、ｏｌ ）をメタノールｌｏｍｇに溶かし
均一溶液とする。これに水冷下Ｉ Ｎ −１１ｃＬ Ｉ
ｍｌとベシゼシスルホニルづ０三ド２３２ＷＣ１，０
５ｍｍ０１）とを同時に加え、２づいて１０−１５℃で
４．５時間かきまぜる。反応混合物は実施例１と同様に
処理するとベンジル２−（３−フェノ士シアセトア三ド
ー４−べ′Ｊゼシスルホニルチオー２−アゼチジノ、：
／−１−イル）−３−メチル−３−づテノアート（３α
）３７３■、収率７８％を得た。
Ｃ０２ＣＥ２Ｐｈ（Ｉα）
（３α）ベンジル２−（３−フェノ士ジ
メチルー７−オ十ソー４−チア−２，６−、Ｔ；アザじ
シクロＣ３，２，０）へづトー２−ニジ−６−イル）−
３−メチル−３−づテノアート（Ｄ） ３４７ Ｗ （
０，８２ｍｍ、ｏｌ ）をメタノールｌｏｍｇに溶かし
均一溶液とする。これに水冷下Ｉ Ｎ −１１ｃＬ Ｉ
ｍｌとベシゼシスルホニルづ０三ド２３２ＷＣ１，０
５ｍｍ０１）とを同時に加え、２づいて１０−１５℃で
４．５時間かきまぜる。反応混合物は実施例１と同様に
処理するとベンジル２−（３−フェノ士シアセトア三ド
ー４−べ′Ｊゼシスルホニルチオー２−アゼチジノ、：
／−１−イル）−３−メチル−３−づテノアート（３α
）３７３■、収率７８％を得た。
生成物のスペクトルデーターは実施例１で得た標品と完
全に一致した。
全に一致した。
実施例 ９〜２１
表■に示したチアジリシアゼチジノシ誘導体（１）、ア
リールスルホニルづ口三ド（２）、溶媒及び酸以外の条
件は実施例１の方法と同様に行った。生成物３のスペク
トルデーターは表■［にまとめて示す。
リールスルホニルづ口三ド（２）、溶媒及び酸以外の条
件は実施例１の方法と同様に行った。生成物３のスペク
トルデーターは表■［にまとめて示す。
（１） （３）手続補止
書（自発） 特許庁長官 若杉和夫 殿 １、事件の表示 昭和５８年特 許 願第７６３０ 号２・ 発′Ｉ
′ｊ″名称 アｉ！アジッ、誘導、７．集り造法３、
補正をする者 」１件と。関係 特許出願人 大塚化学Ｊｈ品株式会社 ４、代理人 大阪市ｒＪ区５１畑工町２ｏ）１ｏ、４品！！−％ Ｋ
ｇ０６−２０３−０９４１（Ｉｔ：、別紙添附の通り 補 正 の 内 容 １ 明細書第２６頁に記載の表の次に下記の記載、を追
加する。
書（自発） 特許庁長官 若杉和夫 殿 １、事件の表示 昭和５８年特 許 願第７６３０ 号２・ 発′Ｉ
′ｊ″名称 アｉ！アジッ、誘導、７．集り造法３、
補正をする者 」１件と。関係 特許出願人 大塚化学Ｊｈ品株式会社 ４、代理人 大阪市ｒＪ区５１畑工町２ｏ）１ｏ、４品！！−％ Ｋ
ｇ０６−２０３−０９４１（Ｉｔ：、別紙添附の通り 補 正 の 内 容 １ 明細書第２６頁に記載の表の次に下記の記載、を追
加する。
［実施例２２
戸−メト牛ジベンジル−２−（３−フェノ士ジメチルー
７−オ士ソー４−チア−２，６−−ジアザじシフ０（３
，２，０）ヘプト−２−エン−６−イル）−３−メヂル
プデノアート４００りをメタノール１２ｙｌに溶解し、
均一溶液とする。これに水冷下１７Ｖ−１１ＣＩＩ １
．１ｍｌを加え、次いで１０〜１５°Ｃで４時間攪拌す
る。次に、ベンゼンスルホニルプロ三Ｆ２１０ダを力ｌ
え１０〜１５°Ｃでさらに３０分攪拌する。
７−オ士ソー４−チア−２，６−−ジアザじシフ０（３
，２，０）ヘプト−２−エン−６−イル）−３−メヂル
プデノアート４００りをメタノール１２ｙｌに溶解し、
均一溶液とする。これに水冷下１７Ｖ−１１ＣＩＩ １
．１ｍｌを加え、次いで１０〜１５°Ｃで４時間攪拌す
る。次に、ベンゼンスルホニルプロ三Ｆ２１０ダを力ｌ
え１０〜１５°Ｃでさらに３０分攪拌する。
反応混合物に飽和食塩水を加え、酢酸エチル（３０πｔ
）で２回抽出する。
）で２回抽出する。
抽出液は一つにまとめ、飽和食塩水で洗浄し、ＭｆＳＯ
４上で乾燥したのち、減圧下濃縮する。
４上で乾燥したのち、減圧下濃縮する。
残留物をシリカゲルカラム上ベンｔ！シー酢酸エチル（
９：１）混合溶媒で展開して精製すると、−一メト牛ジ
ベンジル−２−（３−フェノ牛シアセトア三ドー４−ベ
シぜンスルホニルチオー２−アゼチジノシーｌ−イル）
−３−メチル−３−づナノアート４８０可、収率８９％
を得た。
９：１）混合溶媒で展開して精製すると、−一メト牛ジ
ベンジル−２−（３−フェノ牛シアセトア三ドー４−ベ
シぜンスルホニルチオー２−アゼチジノシーｌ−イル）
−３−メチル−３−づナノアート４８０可、収率８９％
を得た。
得られた化合物のＮ Ｍ Ｒデーターを以下に示す。
ＨＡ（Ｒ（δ、Ｊ＝Ｉｌｘ）
１、７６（ｊ、 ３１１）、３．７７（ｒ、 ３１１）
、４．３４ｔｘｎｄ４、４０（ＡＢｑ、 ２１ｆ、 ／
＝１２．０）、４．５３（ｙ、 １Ｉｆ）、４．７６（
ｆ、１１１）、４．７９Ｃｂｓ、ＩＩＩ）、５．０７（
ｒ、２Ｈ）、５．２７Ｃｄｄ、１７／、７＝４．０６ｎ
ｄ６．５＞、５．８６Ｃｄ、Ｉ／／、／−４，０）、６
．６５−７．９０（ｒｎ。
、４．３４ｔｘｎｄ４、４０（ＡＢｑ、 ２１ｆ、 ／
＝１２．０）、４．５３（ｙ、 １Ｉｆ）、４．７６（
ｆ、１１１）、４．７９Ｃｂｓ、ＩＩＩ）、５．０７（
ｒ、２Ｈ）、５．２７Ｃｄｄ、１７／、７＝４．０６ｎ
ｄ６．５＞、５．８６Ｃｄ、Ｉ／／、／−４，０）、６
．６５−７．９０（ｒｎ。
１５＃）
実施例２３〜２７
対応する出発原料を用い、実施例２２と同様の処理を行
なって下記表■に示す化合物を得た。
なって下記表■に示す化合物を得た。
表■
１
手続補正書輸発）
昭和５８年１ＯＮ八、１２５日
特許庁長官 若杉λＩＩ夫 殿１、事件の表示
昭和５８年特 許 願第７６３０ 号２°発明（７
） 名称 アセチジノン誘導体の製造法大塚化学蓄品
株式会社 自 発 ６、補正により増加する発明の数 補 正 の 内 容 ｌ 明細＠ＫＳ５頁第３〜４行ｒ Ｉ ＋ ８２ （１
９７３）参照」とあるを１＋４５６ （１９７４）参照
」と訂正する。
） 名称 アセチジノン誘導体の製造法大塚化学蓄品
株式会社 自 発 ６、補正により増加する発明の数 補 正 の 内 容 ｌ 明細＠ＫＳ５頁第３〜４行ｒ Ｉ ＋ ８２ （１
９７３）参照」とあるを１＋４５６ （１９７４）参照
」と訂正する。
２ 明＃Ｉ書第１０頁下から第２打〜第１１頁第６行「
例えばベンジル基・・・・・・・・・・挙げられる。」
とあるを下記の通シ訂正する。
例えばベンジル基・・・・・・・・・・挙げられる。」
とあるを下記の通シ訂正する。
「例えばベンジル基、ｔ−メト士ジベンジル基、トリメ
ト士ジベンジル基、トリメト士シジクロルベンジル基、
じペロニル基、ジフェニルメチル基１じス（ｔ−メト士
ジフェニル）メチル基、ジトリルメチル基、フェニル−
ｌ−メト士ジフェニルメチル基、α−ｔ−メト士ジフェ
ニルエチル基、α−ｔ−メト士ジフェニルーβ−トリク
ＤＯエチル基、トリクＯＯエチル基、フローレニル基・
′−ブチル基・トリチル基、α〜ジフェニルエチル基、
り三ル基、ｔ−ニトロベンジル基、０−二ト０ベンジル
基、σ９戸−ジニド０ベンジル基、フェナシル基Ｓ戸−
プロ七フェナシル基、Ｉ−メト十ジカルボニルー２−オ
士ソプＤじル基・メト士シエｌ゛士ジメチル基、メト士
ジメチル基、ベシジルオ牛ジメチル基、イソｊｏポ牛ジ
メチル基などが挙げられる。」（以 上） 手続補正器（自発） 昭和５９年４月１０日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １ 事件の表示 昭和５８年特許願第７６３０号 ２ 発明の名称 アゼチジノン誘導体の製造法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 大塚化学薬品株式会社 ４代理人 自 発 ６ 補正の対象 明細書中「発明の詳細な説明」の項 ７ 補正の内容 別紙添付の通り 補正の内容 １ 明細書箱１０真下から第２行〜第１１頁第６行ｒＲ
２の具体例としては・・・・・・挙げられる。」とある
を下記の通り訂正する。
ト士ジベンジル基、トリメト士シジクロルベンジル基、
じペロニル基、ジフェニルメチル基１じス（ｔ−メト士
ジフェニル）メチル基、ジトリルメチル基、フェニル−
ｌ−メト士ジフェニルメチル基、α−ｔ−メト士ジフェ
ニルエチル基、α−ｔ−メト士ジフェニルーβ−トリク
ＤＯエチル基、トリクＯＯエチル基、フローレニル基・
′−ブチル基・トリチル基、α〜ジフェニルエチル基、
り三ル基、ｔ−ニトロベンジル基、０−二ト０ベンジル
基、σ９戸−ジニド０ベンジル基、フェナシル基Ｓ戸−
プロ七フェナシル基、Ｉ−メト十ジカルボニルー２−オ
士ソプＤじル基・メト士シエｌ゛士ジメチル基、メト士
ジメチル基、ベシジルオ牛ジメチル基、イソｊｏポ牛ジ
メチル基などが挙げられる。」（以 上） 手続補正器（自発） 昭和５９年４月１０日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １ 事件の表示 昭和５８年特許願第７６３０号 ２ 発明の名称 アゼチジノン誘導体の製造法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 大塚化学薬品株式会社 ４代理人 自 発 ６ 補正の対象 明細書中「発明の詳細な説明」の項 ７ 補正の内容 別紙添付の通り 補正の内容 １ 明細書箱１０真下から第２行〜第１１頁第６行ｒＲ
２の具体例としては・・・・・・挙げられる。」とある
を下記の通り訂正する。
ｒＲ２で表わされるカルボン前像ｙｉＭ！とじては、Ｔ
Ｉ＋ｅｏｄｏｒａ Ｗ、 Ｇｒｅｅｎｅによる“Ｐｒ
ｏｔｅｃｔｉｖｅ Ｇｒｏｕｐｓ ｉｎ ０ｒｏ
ａｎｉｃ −８ｙｎｔｈｅｓｉｓ”第５章記載の保護基
が使用できる。斯かるカルボン酸保護基の具体例として
は、例えばメチル、エチル、プロピル、ｔｅｒｔ−ブチ
ル、トリクロロエチル、メトキシメチル、メトキシエト
キシメチル、１−プロボキシメヂル、１−メトキシカル
ボニル−２−オキソプロピル、ベンジル、０−ニトロベ
ンジル、ｐ−ニトロベンジル、０．ｐ−ジニトロベンジ
ル、ｐ−メトキシベンジル、トリメトキシベンジル、ト
リメト・キシジクロルベンジル、ビペロニル、ジフェニ
ルメチル、ビス（ｐ−メトキシフェニル）メチル、ジト
リルメチル、フェニル−ｐ−メトキシフェニルメチル、
フェナシル、ｐ−ブロモフェナシル、ベンジルオキシメ
チル、トリチル、α−ジフェニルエチル、α−ｐ−メ１
〜キシフェニルエチル、α−ｐ−メトキシフェニル−β
−トリクロロエチル、クミル、７０−レニル基等を挙げ
ることができる。」 （以 上）
Ｉ＋ｅｏｄｏｒａ Ｗ、 Ｇｒｅｅｎｅによる“Ｐｒ
ｏｔｅｃｔｉｖｅ Ｇｒｏｕｐｓ ｉｎ ０ｒｏ
ａｎｉｃ −８ｙｎｔｈｅｓｉｓ”第５章記載の保護基
が使用できる。斯かるカルボン酸保護基の具体例として
は、例えばメチル、エチル、プロピル、ｔｅｒｔ−ブチ
ル、トリクロロエチル、メトキシメチル、メトキシエト
キシメチル、１−プロボキシメヂル、１−メトキシカル
ボニル−２−オキソプロピル、ベンジル、０−ニトロベ
ンジル、ｐ−ニトロベンジル、０．ｐ−ジニトロベンジ
ル、ｐ−メトキシベンジル、トリメトキシベンジル、ト
リメト・キシジクロルベンジル、ビペロニル、ジフェニ
ルメチル、ビス（ｐ−メトキシフェニル）メチル、ジト
リルメチル、フェニル−ｐ−メトキシフェニルメチル、
フェナシル、ｐ−ブロモフェナシル、ベンジルオキシメ
チル、トリチル、α−ジフェニルエチル、α−ｐ−メ１
〜キシフェニルエチル、α−ｐ−メトキシフェニル−β
−トリクロロエチル、クミル、７０−レニル基等を挙げ
ることができる。」 （以 上）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■ 酸の存在下含水有機溶媒中にて、一般式ルメチル基
又は置換もしくは置換基を有しないフェノ十ジメチル基
を示し、Ｒ２は水素原子又はカルポジ酸保吸基を示す。 〕 で表わされるヂアジリシアゼチジノシ誘導体と一般式 ％式％（２） 〔式中、Ａｒは置換もしくは置換基を有しない）工二ル
基を示す。〕 で表わされるスルホニルづ０＝ドとを反応させて一般式 〔式中、Ｒ１、Ｒ２及びＡｒは前記に同じ。〕で表わさ
れるアゼチジノン誘導体を得ることを特徴とするアゼチ
ジノン誘導体の製造法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58007630A JPS59134779A (ja) | 1983-01-19 | 1983-01-19 | アゼチジノン誘導体の製造法 |
| US06/567,736 US4566996A (en) | 1983-01-19 | 1984-01-03 | Process for preparing azetidinone derivatives |
| EP84300166A EP0114729B1 (en) | 1983-01-19 | 1984-01-11 | Process for preparing azetidinone derivatives |
| DE8484300166T DE3465987D1 (de) | 1983-01-19 | 1984-01-11 | Process for preparing azetidinone derivatives |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58007630A JPS59134779A (ja) | 1983-01-19 | 1983-01-19 | アゼチジノン誘導体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59134779A true JPS59134779A (ja) | 1984-08-02 |
| JPH0459310B2 JPH0459310B2 (ja) | 1992-09-21 |
Family
ID=11671148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58007630A Granted JPS59134779A (ja) | 1983-01-19 | 1983-01-19 | アゼチジノン誘導体の製造法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4566996A (ja) |
| EP (1) | EP0114729B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59134779A (ja) |
| DE (1) | DE3465987D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7507812B2 (en) | 2003-09-09 | 2009-03-24 | Nippon Chemical Industrial Co., Ltd. | Process for producing 3-chloromethyl-3-cephem derivatives |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0445822B1 (en) * | 1990-03-08 | 1997-06-04 | Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha | Thiazolinoazetidinone derivative and process for preparing 2-exo-methylene-penam derivative thereform |
| JP2993576B2 (ja) * | 1991-03-11 | 1999-12-20 | 大塚化学株式会社 | アレニルβ−ラクタム化合物及びその製造法 |
| CN102140103A (zh) * | 2011-01-24 | 2011-08-03 | 石家庄柏奇化工有限公司 | 以青霉素g/k为原料制备7-氨基-3-氢头孢烷酸的方法 |
| CN105777780B (zh) * | 2015-10-10 | 2018-04-03 | 浙江沙星科技有限公司 | 一种噻唑啉烯醇酯的制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4881849A (ja) * | 1972-01-28 | 1973-11-01 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT350066B (de) * | 1974-02-26 | 1979-05-10 | Ciba Geigy Ag | Verfahren zur herstellung von neuen 3-hydroxycrotonsaeureazetidinderivaten und deren salzen |
| US4332722A (en) * | 1975-02-17 | 1982-06-01 | Shionogi & Co., Ltd. | Cyclization to form cephem ring and intermediates therefor |
| AT342197B (de) * | 1975-02-20 | 1978-03-28 | Ciba Geigy Ag | Neues verfahren zur herstellung von 3-cephemverbindungen |
| EP0065488B1 (de) * | 1981-05-19 | 1985-08-14 | Ciba-Geigy Ag | Verfahren zur Herstellung von 4-Thio-azetidinon-Verbindungen |
-
1983
- 1983-01-19 JP JP58007630A patent/JPS59134779A/ja active Granted
-
1984
- 1984-01-03 US US06/567,736 patent/US4566996A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-01-11 DE DE8484300166T patent/DE3465987D1/de not_active Expired
- 1984-01-11 EP EP84300166A patent/EP0114729B1/en not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4881849A (ja) * | 1972-01-28 | 1973-11-01 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7507812B2 (en) | 2003-09-09 | 2009-03-24 | Nippon Chemical Industrial Co., Ltd. | Process for producing 3-chloromethyl-3-cephem derivatives |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0114729A1 (en) | 1984-08-01 |
| US4566996A (en) | 1986-01-28 |
| JPH0459310B2 (ja) | 1992-09-21 |
| EP0114729B1 (en) | 1987-09-09 |
| DE3465987D1 (de) | 1987-10-15 |
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