JPS59127423A - フオトトランジスタ回路 - Google Patents
フオトトランジスタ回路Info
- Publication number
- JPS59127423A JPS59127423A JP250283A JP250283A JPS59127423A JP S59127423 A JPS59127423 A JP S59127423A JP 250283 A JP250283 A JP 250283A JP 250283 A JP250283 A JP 250283A JP S59127423 A JPS59127423 A JP S59127423A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phototransistor
- input terminal
- circuit
- operational amplifier
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 1
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- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
- H03K17/795—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar transistors
- H03K17/7955—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar transistors using phototransistors
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は光の入力に慶じて電気出力するフォトトラン
ジスタの出力回路に関する。
ジスタの出力回路に関する。
（ロ）従来技術
光信号を電気信号に変換する光センサには太陽電池、フ
ォトダイオード、７オトトランジスタなど多種多様のも
のかあシ、夫々に長所欠点を有している。特にフォトト
ランジスタは価格や感度に優れるためバーコードリーグ
などの受光素子として多用されているが、回路上の応答
性に問題があった。
ォトダイオード、７オトトランジスタなど多種多様のも
のかあシ、夫々に長所欠点を有している。特にフォトト
ランジスタは価格や感度に優れるためバーコードリーグ
などの受光素子として多用されているが、回路上の応答
性に問題があった。
即ち、フォトトランジスタを光センサとして利用した光
検出回路の現在利用されている回路例を第１図で説明す
ると、（１）はフォトトランジスタ回路で、７オトトラ
ンジスタ（２）のエミッタＥが接地され、コレクタＯに
負荷抵抗Ｒ工を介して電源電圧ｖ０゜が印加され、コレ
クタよ多出力端子（３）が取出される回路である。フォ
トトランジスタ（２）に外部よシ、例えば医験的光発生
回路（４）における発光ダイオード（５）にオシレータ
（６）で発生したパルスＰを抵抗Ｒ２を介して印加して
発光ダイオード（５）を点滅させた時の光を印加すると
、フォトトランジスタ回路（１）は第２図に示す如く周
波数応答特性と利得特性が相反する性質を持つ。尚、第
２図はフォトトランジスタ（２）の代表的特性図で実線
曲線は高域上限周波数曲線を、破線曲線は利得曲線を示
す。高域上限周波数曲線はフォトトランジスタ回路ｆ１
＋の出力端子（３）の出力パルスＰ′の振幅がＪ ｄＢ
ダクンした時の上限値を表わすもので、−第２図表によ
ると負荷抵抗Ｒ工が大きくなる程検知できる光入力の周
波数域が低くなって応答性が悪くなる反面利得が増し増
幅率が良くなることが分る。
検出回路の現在利用されている回路例を第１図で説明す
ると、（１）はフォトトランジスタ回路で、７オトトラ
ンジスタ（２）のエミッタＥが接地され、コレクタＯに
負荷抵抗Ｒ工を介して電源電圧ｖ０゜が印加され、コレ
クタよ多出力端子（３）が取出される回路である。フォ
トトランジスタ（２）に外部よシ、例えば医験的光発生
回路（４）における発光ダイオード（５）にオシレータ
（６）で発生したパルスＰを抵抗Ｒ２を介して印加して
発光ダイオード（５）を点滅させた時の光を印加すると
、フォトトランジスタ回路（１）は第２図に示す如く周
波数応答特性と利得特性が相反する性質を持つ。尚、第
２図はフォトトランジスタ（２）の代表的特性図で実線
曲線は高域上限周波数曲線を、破線曲線は利得曲線を示
す。高域上限周波数曲線はフォトトランジスタ回路ｆ１
＋の出力端子（３）の出力パルスＰ′の振幅がＪ ｄＢ
ダクンした時の上限値を表わすもので、−第２図表によ
ると負荷抵抗Ｒ工が大きくなる程検知できる光入力の周
波数域が低くなって応答性が悪くなる反面利得が増し増
幅率が良くなることが分る。
上記フォトトランジスタ回路ｆｉ＋を例えばバーコード
リーグの光検出回路に使用した場合は応答性に良好なも
のが要求されるため負荷抵抗Ｒ工を小さくしている。そ
のため利得がどうしても小さくなって感度面に問題が生
じ、尚且つ高速応答性を有する高価なフォトトランジス
タを使用しなけれはならない制約があった。
リーグの光検出回路に使用した場合は応答性に良好なも
のが要求されるため負荷抵抗Ｒ工を小さくしている。そ
のため利得がどうしても小さくなって感度面に問題が生
じ、尚且つ高速応答性を有する高価なフォトトランジス
タを使用しなけれはならない制約があった。
（ハ）発明の目的
本発明は周波数特性１、利得特性を共に改善し、応答性
を低下させることなく十分良好な出力が得られるフォト
トランジスタ回路を提供することを目的とする。
を低下させることなく十分良好な出力が得られるフォト
トランジスタ回路を提供することを目的とする。
に）発明の構成
本発明は上記目的の達成手段としてフォトトランジスタ
のエミッタ一端子をオ′ペアンプ（演算増幅回路）の反
転入力端子に接続し、オペアンプの出力を回路出力とし
たことを特徴とする。この回路において、フォトトラン
ジスタに流れる電流は、抵抗Ｒ３を流れオペアンプ（８
）の出力端子に流れ込む。
のエミッタ一端子をオ′ペアンプ（演算増幅回路）の反
転入力端子に接続し、オペアンプの出力を回路出力とし
たことを特徴とする。この回路において、フォトトラン
ジスタに流れる電流は、抵抗Ｒ３を流れオペアンプ（８
）の出力端子に流れ込む。
又、７オトトランジスタと抵抗の接続点はオペアンプの
反転入力端子に接続されておシ、非反転入力端子はＶＲ
１によシ一定の電圧（電源電圧の約半分）が印加されて
いる。このようにすることによりオペアンプの増幅率が
大きいので、反転入力端子の電圧はフォトトランジスタ
の電流が少し変化してもほぼ非反転入力端子の電圧と同
じになる。このため、フォトトランジスタの負荷抵抗が
見かけ上小さくなるが、出力電圧はＲ３によシ十分得ら
れる回路ができる。
反転入力端子に接続されておシ、非反転入力端子はＶＲ
１によシ一定の電圧（電源電圧の約半分）が印加されて
いる。このようにすることによりオペアンプの増幅率が
大きいので、反転入力端子の電圧はフォトトランジスタ
の電流が少し変化してもほぼ非反転入力端子の電圧と同
じになる。このため、フォトトランジスタの負荷抵抗が
見かけ上小さくなるが、出力電圧はＲ３によシ十分得ら
れる回路ができる。
（ホ）実施例
第３図において、（７）は本考案実施例によるフォトト
ランジスタ回路で、７オトトランジスタ＋２１のエミッ
タをオペアンプ（８）の反転入力端子に接続出力端子と
反転入力端子間に抵抗Ｒ３を接続したものである。
ランジスタ回路で、７オトトランジスタ＋２１のエミッ
タをオペアンプ（８）の反転入力端子に接続出力端子と
反転入力端子間に抵抗Ｒ３を接続したものである。
いまフォトトランジスタ（２）にＴＰＳ ｌ Ｏｊ （
商品名）を使用し、オペアンプ（８）にｐＰｏ ／ ２
ｊ ／（商品名）、その帰環抵抗Ｒ３を／ｊ？０Ωに
して実験したところ一定の出力電圧を得る応答可能な高
域上限周波数は／ダＫＨｚまでと大幅に伸び、応答性は
第１図の回路で同じフォトトランジスタを使用したもの
と比較して２〜ｊ倍と増大した。
商品名）を使用し、オペアンプ（８）にｐＰｏ ／ ２
ｊ ／（商品名）、その帰環抵抗Ｒ３を／ｊ？０Ωに
して実験したところ一定の出力電圧を得る応答可能な高
域上限周波数は／ダＫＨｚまでと大幅に伸び、応答性は
第１図の回路で同じフォトトランジスタを使用したもの
と比較して２〜ｊ倍と増大した。
（へ）発明の詳細
な説明したように、末完Ｆ！ＡＫよればフォトトランジ
スタの応答性の大幅な向上、出方の安定性向上が容易に
可能となシ、特に高速応答が必要とされるバーコードリ
ーグ等の光検出回路に適用すれば感度を低下させること
なく高速応答に対応でき、その幼妻するところ大である
。
スタの応答性の大幅な向上、出方の安定性向上が容易に
可能となシ、特に高速応答が必要とされるバーコードリ
ーグ等の光検出回路に適用すれば感度を低下させること
なく高速応答に対応でき、その幼妻するところ大である
。
第〈図は従来のフォトトランジスタ回路を説明するため
の回路図、第２図は第１図の回路の周波数及び利得特性
図、第３図は本発明の実施例を示す回路図である。 （２）・・７オトトランジスタ、（７）・・７オトトラ
ンジスタ回路、（８）・・オペアンプ。
の回路図、第２図は第１図の回路の周波数及び利得特性
図、第３図は本発明の実施例を示す回路図である。 （２）・・７オトトランジスタ、（７）・・７オトトラ
ンジスタ回路、（８）・・オペアンプ。
Claims (1)
- （１） フォトトランジスタのエミッタ出力をオペア
ンプの入力端子に接続したことを特徴とするフォトトラ
ンジスタ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP250283A JPS59127423A (ja) | 1983-01-10 | 1983-01-10 | フオトトランジスタ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP250283A JPS59127423A (ja) | 1983-01-10 | 1983-01-10 | フオトトランジスタ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59127423A true JPS59127423A (ja) | 1984-07-23 |
Family
ID=11531130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP250283A Pending JPS59127423A (ja) | 1983-01-10 | 1983-01-10 | フオトトランジスタ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59127423A (ja) |
-
1983
- 1983-01-10 JP JP250283A patent/JPS59127423A/ja active Pending
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