JPS59119625A - 真空インタラプタの電極 - Google Patents
真空インタラプタの電極Info
- Publication number
- JPS59119625A JPS59119625A JP23264082A JP23264082A JPS59119625A JP S59119625 A JPS59119625 A JP S59119625A JP 23264082 A JP23264082 A JP 23264082A JP 23264082 A JP23264082 A JP 23264082A JP S59119625 A JPS59119625 A JP S59119625A
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- Japan
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- copper
- tungsten
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- High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は真空インタラプタの電極に関するものである。
一般に、真空インタラプタの′ML極は、(1)大電流
をしゃ断する能力が高いこと、C)絶縁耐力が高いこと
、 (3)耐溶着性が良好なこと、 (4)小電流を良好にしゃ断できること、等の条件を満
たすことが要求される。
をしゃ断する能力が高いこと、C)絶縁耐力が高いこと
、 (3)耐溶着性が良好なこと、 (4)小電流を良好にしゃ断できること、等の条件を満
たすことが要求される。
従来、上述した条件を満足すべく、銅に微量の高蒸気圧
材料(低融点材料]を含有せしめた合金材料からなる電
極、たとえば米国特許第3.246,979号(%公昭
4l−12131)に記載された銅に0.5重量%のビ
スマスを含有せしめてなる電極(以下、「C!u −0
,5Bi電極」という)および米国特許第3,596,
027号(特公昭48−36071 3VC記載された
もの等が知られている。しかし、Cu−0,5Bi
電極等は、大−流しゃ断面力、耐溶着性および導電率に
優れてはいるものの、絶縁耐力、特に1−や断後の絶縁
耐力が著L <低下するとともに、電流さい断値がIO
Aと高いため、しゃ断時にさい断サージを発生すること
があり、進みおよび遅れ小電流を良好にしゃ断し得す、
負荷の電気機器の絶縁破壊を招来するおそれがある等の
問題がある。
材料(低融点材料]を含有せしめた合金材料からなる電
極、たとえば米国特許第3.246,979号(%公昭
4l−12131)に記載された銅に0.5重量%のビ
スマスを含有せしめてなる電極(以下、「C!u −0
,5Bi電極」という)および米国特許第3,596,
027号(特公昭48−36071 3VC記載された
もの等が知られている。しかし、Cu−0,5Bi
電極等は、大−流しゃ断面力、耐溶着性および導電率に
優れてはいるものの、絶縁耐力、特に1−や断後の絶縁
耐力が著L <低下するとともに、電流さい断値がIO
Aと高いため、しゃ断時にさい断サージを発生すること
があり、進みおよび遅れ小電流を良好にしゃ断し得す、
負荷の電気機器の絶縁破壊を招来するおそれがある等の
問題がある。
本発明は上述した問題に鑑みてなされたもので、その目
的とするところは、大電流しゃ断能力および耐溶着性等
を良好に維持しつつ、絶縁耐力に優れかつ小電流をも良
好に1−や断じ得るようにした真空インクラブタの電極
を提供するにある。以下、図面を参照してこの発明の実
施例を詳細に説明する。
的とするところは、大電流しゃ断能力および耐溶着性等
を良好に維持しつつ、絶縁耐力に優れかつ小電流をも良
好に1−や断じ得るようにした真空インクラブタの電極
を提供するにある。以下、図面を参照してこの発明の実
施例を詳細に説明する。
図は本発明に係る′磁極を備えた真空インタラプタの縦
断面図で、この真空インタラプタは、円筒状に成形した
ガラスまたはセラミックス等の絶縁物からなる複数(本
実施例においては2本)の絶録面1.1を、それぞれの
両端に固着したコバール等の金1萬からなる薄肉円環状
の耐層金具2.2゜・・の一方を介し同軸的に接合して
1本の絶嫌筒とするとともに、その1両端間口部を他方
の耐層金具2.2を介しステンレス鋼等の金属からなる
円板状の金属端板3,3により閉塞し、かつ内部を高真
空に排気して真空容器4を形成し、この真空容器4内に
、1対の円板状の磁極5.5を、各金属端板3.3の中
央部から真空容器4の気密性を保持して相対的に接近離
反自在に導入した対をなす電極憚6.6を介し、接触離
反(接離)自在に設けて概!@構成されている。
断面図で、この真空インタラプタは、円筒状に成形した
ガラスまたはセラミックス等の絶縁物からなる複数(本
実施例においては2本)の絶録面1.1を、それぞれの
両端に固着したコバール等の金1萬からなる薄肉円環状
の耐層金具2.2゜・・の一方を介し同軸的に接合して
1本の絶嫌筒とするとともに、その1両端間口部を他方
の耐層金具2.2を介しステンレス鋼等の金属からなる
円板状の金属端板3,3により閉塞し、かつ内部を高真
空に排気して真空容器4を形成し、この真空容器4内に
、1対の円板状の磁極5.5を、各金属端板3.3の中
央部から真空容器4の気密性を保持して相対的に接近離
反自在に導入した対をなす電極憚6.6を介し、接触離
反(接離)自在に設けて概!@構成されている。
なお、図において7は金属ベローズ、8は各電極5等を
同心状に囲繞するシールドである。
同心状に囲繞するシールドである。
前記各電極5は、20〜70重量%の銅、5〜40重量
%のタングステンおよび5〜70重量%のクロムの合金
からなる。
%のタングステンおよび5〜70重量%のクロムの合金
からなる。
すなわち、各電極5は、−100メツシユ(147μm
以下)のタングステンの粉末5〜40重量%と一100
メツシュのクロムの粉末5〜70重量赫 チとの混合粉末をその酸点以下の温度で相互に拡散結合
して多孔質の基材を形成し、この基材に20〜70重量
%の銅を溶浸させて設けられている。
以下)のタングステンの粉末5〜40重量%と一100
メツシュのクロムの粉末5〜70重量赫 チとの混合粉末をその酸点以下の温度で相互に拡散結合
して多孔質の基材を形成し、この基材に20〜70重量
%の銅を溶浸させて設けられている。
かかる電極5を製造する第1の方法は、まず、融点以下
の温度での相互拡散を可能にするため粒径を一100メ
ツシュとしたタングステンとクロムの粉末を所定量機械
的に混合する。ついで、タングステ/とクロムの混合粉
末をタングステン、クロムおよび銅のいずれとも反応し
ないアルミナ等からなる容器に収納するとともに、5
X 1Q Torr以下の圧力の真空雰囲気または水素
ガス、窒素ガスおよびアルゴンガス等の非酸化性雰囲気
中において800℃の温度で60分間加熱するか、また
はi、o o o℃の温度で10分間程度加熱し、相互
に拡散結合して多孔質の基材を形成する。最後に、この
多孔質の基材と銅を5×10Torr 以下の圧力の真
空雰囲気中において1,100℃または銅の融点(1,
083℃)以上の温度で5〜20分間程度加熱し、所定
量の銅を基材に溶浸させると所望の電極5が完成する。
の温度での相互拡散を可能にするため粒径を一100メ
ツシュとしたタングステンとクロムの粉末を所定量機械
的に混合する。ついで、タングステ/とクロムの混合粉
末をタングステン、クロムおよび銅のいずれとも反応し
ないアルミナ等からなる容器に収納するとともに、5
X 1Q Torr以下の圧力の真空雰囲気または水素
ガス、窒素ガスおよびアルゴンガス等の非酸化性雰囲気
中において800℃の温度で60分間加熱するか、また
はi、o o o℃の温度で10分間程度加熱し、相互
に拡散結合して多孔質の基材を形成する。最後に、この
多孔質の基材と銅を5×10Torr 以下の圧力の真
空雰囲気中において1,100℃または銅の融点(1,
083℃)以上の温度で5〜20分間程度加熱し、所定
量の銅を基材に溶浸させると所望の電極5が完成する。
また、電極5を製造する第2の方法は、第1の製造方法
と同様に、まず、融点以下の温度での相互拡散を可能に
するため一100メツシュとじたタングステンとクロム
の粉末を所定清機械的に混合し、このタングステンとク
ロムの混合粉末をタングステン、クロムおよび銅のいず
れとも反応しないアルミナ等からなる容器に収納すると
ともに、容器に収納された混合粉末上に所定量の銅のブ
ロックを載置する。ついで、混合粉末と銅のブロックを
収納した容器を5 X 10 Torr 以下の圧
力に保持自在の真空炉中に納置する。そして、真空炉を
600℃の温度で60分+Ml運転して混合粉末等の脱
ガス処理を最初に行ない、ついで真空炉を800℃の温
度で30分間運転するとともに、温度を1,000℃に
上昇して30分間運転してタングステンとクロムの粉末
を相互に拡散結合せしめて多孔質の基材を形成し、最後
に真空炉を1,100’Cの温度で30分間運転して銅
を基材に溶浸させると所望の電極5が完成する。
と同様に、まず、融点以下の温度での相互拡散を可能に
するため一100メツシュとじたタングステンとクロム
の粉末を所定清機械的に混合し、このタングステンとク
ロムの混合粉末をタングステン、クロムおよび銅のいず
れとも反応しないアルミナ等からなる容器に収納すると
ともに、容器に収納された混合粉末上に所定量の銅のブ
ロックを載置する。ついで、混合粉末と銅のブロックを
収納した容器を5 X 10 Torr 以下の圧
力に保持自在の真空炉中に納置する。そして、真空炉を
600℃の温度で60分+Ml運転して混合粉末等の脱
ガス処理を最初に行ない、ついで真空炉を800℃の温
度で30分間運転するとともに、温度を1,000℃に
上昇して30分間運転してタングステンとクロムの粉末
を相互に拡散結合せしめて多孔質の基材を形成し、最後
に真空炉を1,100’Cの温度で30分間運転して銅
を基材に溶浸させると所望の電極5が完成する。
さらに、電極5を製造する第3の方法は、まず、所定組
成割合のタングステンとクロムの合金全製造するととも
に、このタングステンとクロムの合金を粉砕し、−10
0メツシユの粉末とする。ついで、タングステンとクロ
ムの合金粉末を、タングステン、クロムおよび銅のいず
れとも反応しないアルミナ等からなる容器に収納すると
ともに、5 X 10 Torr 以下の圧力の真空
雰囲気まだは水系ガス、アルゴンガス等の非酸化性雰囲
気中においてその融点以下の温度で所定時間加熱し、相
互に結合した多孔質の基材とする。最後に、この多孔質
の基材に5 X 1.OTorr 以下の圧力の真空雰
囲気中において所定量の銅を溶浸させると所望の電極が
完成する。
成割合のタングステンとクロムの合金全製造するととも
に、このタングステンとクロムの合金を粉砕し、−10
0メツシユの粉末とする。ついで、タングステンとクロ
ムの合金粉末を、タングステン、クロムおよび銅のいず
れとも反応しないアルミナ等からなる容器に収納すると
ともに、5 X 10 Torr 以下の圧力の真空
雰囲気まだは水系ガス、アルゴンガス等の非酸化性雰囲
気中においてその融点以下の温度で所定時間加熱し、相
互に結合した多孔質の基材とする。最後に、この多孔質
の基材に5 X 1.OTorr 以下の圧力の真空雰
囲気中において所定量の銅を溶浸させると所望の電極が
完成する。
ここで、直径50m/mにしてかつ周縁を4アールの円
板状に形成するとともに、そのタングステン、クロムお
よび銅の組成割合をそれぞれ40重量%、10重量%お
よび50重量%とした工組成の材料、または25重量%
、25重量%、および50重量%とした■組成の材料、
あるいは10重量%、40重fqbおよび50重tSと
した1組成の材料からなる1対の電極5を有する真空イ
ンタラプタの諸性能の検証結果は、以下に示すようにな
った。
板状に形成するとともに、そのタングステン、クロムお
よび銅の組成割合をそれぞれ40重量%、10重量%お
よび50重量%とした工組成の材料、または25重量%
、25重量%、および50重量%とした■組成の材料、
あるいは10重量%、40重fqbおよび50重tSと
した1組成の材料からなる1対の電極5を有する真空イ
ンタラプタの諸性能の検証結果は、以下に示すようにな
った。
1)大電流しゃ断能力
各組成とも12KA(RMS)の電流をしゃ断すること
ができた。
ができた。
11)絶縁耐力
ギャップを3 m / mに保持し、衝撃波耐電圧試験
を行なったところ、各組成とも士120Kv(バラツキ
+:15KV)の絶縁耐力を示した。また、大電流(1
,2K A )のしゃ断後に同様の試験を行なったが、
絶縁耐力に変化はなかった。さらに、進み小電流(80
A)の開閉後に同様の試験を行なったが、絶縁耐力は殆
んど変化しなかった。
を行なったところ、各組成とも士120Kv(バラツキ
+:15KV)の絶縁耐力を示した。また、大電流(1
,2K A )のしゃ断後に同様の試験を行なったが、
絶縁耐力に変化はなかった。さらに、進み小電流(80
A)の開閉後に同様の試験を行なったが、絶縁耐力は殆
んど変化しなかった。
111)耐溶着性
各組成とも130にりの加圧下で、25KA(IRMS
)の電流を3秒間通電(工FiO短時間電流規格)した
後、20(1+の静的な引き外し力で問題なく引き外す
ことができ、その後の接触抵抗の増加は2〜8チにとど
まった。また、LOOOKりの加圧下で、50KA(R
MS)の′#L流を3秒間通電した後の引き外しも問題
なく、その後の接触抵抗の増加は、0〜5チにとどまっ
た。したがって、各組成とも十分な耐溶着性を備えてい
る。
)の電流を3秒間通電(工FiO短時間電流規格)した
後、20(1+の静的な引き外し力で問題なく引き外す
ことができ、その後の接触抵抗の増加は2〜8チにとど
まった。また、LOOOKりの加圧下で、50KA(R
MS)の′#L流を3秒間通電した後の引き外しも問題
なく、その後の接触抵抗の増加は、0〜5チにとどまっ
た。したがって、各組成とも十分な耐溶着性を備えてい
る。
IV)遅れおよび進み小電流しゃ断能力■遅れ小iit
流(誘導性の負荷)のしゃ断面力電流さい断値は、工組
成のものが平均4,2A (a、 =1.2. n=1
00 )を示し、また■組成のものが平均3.8A(σ
、=l、Q、n==100)を示し、さらに旧組成のも
のが平均3.6A(σn==Q、9 、n=1001を
示した。
流(誘導性の負荷)のしゃ断面力電流さい断値は、工組
成のものが平均4,2A (a、 =1.2. n=1
00 )を示し、また■組成のものが平均3.8A(σ
、=l、Q、n==100)を示し、さらに旧組成のも
のが平均3.6A(σn==Q、9 、n=1001を
示した。
■進み小電流(容量性の負荷)のしゃ断面力電圧; 8
4 k v X 1.25/v/’3″、80Aの進み
小電流試M(Jl!tc!181)を、10,000回
行なったが再点弧は0回であった。
4 k v X 1.25/v/’3″、80Aの進み
小電流試M(Jl!tc!181)を、10,000回
行なったが再点弧は0回であった。
■)導電率
各組成とも導電率(IAO8)は、20〜50チのチ導
電率を示した。
電率を示した。
vi)硬度
各組成とも硬度は、1.00−190 HV (INj
’)を示した。
’)を示した。
また、本発明に係る電極を有する真空インタラプタと、
従来のOu −05Bi電極を有する真空インタラプタ
との諸性能を比較したところ、以下に示すようになった
。
従来のOu −05Bi電極を有する真空インタラプタ
との諸性能を比較したところ、以下に示すようになった
。
1)大′ポ流しゃ断面力
双方同程度である。
11)絶縁耐力
従来のものの10 m / mのギャップでの絶縁耐力
が、本発明のものの3 m / mのギャップでの絶縁
耐力と等しくなる。したがって、本発明に係る電極を有
する真空インタラプタは、従来のものの約3倍の絶縁耐
力を有している。
が、本発明のものの3 m / mのギャップでの絶縁
耐力と等しくなる。したがって、本発明に係る電極を有
する真空インタラプタは、従来のものの約3倍の絶縁耐
力を有している。
111)耐溶着性
本発明に係る電極の耐溶着性は、従来のものの80チで
あるが実用上殆んど問題がない。
あるが実用上殆んど問題がない。
iv)遅れおよび進み小電流L〜や断能力■遅れ小電流
しゃ断面力 本発明に係る電極の電流さい断値は、従来のものの40
チと小さいので、さい断サージが殆んど問題とならず、
かつ開閉後もその値が変化しない。
しゃ断面力 本発明に係る電極の電流さい断値は、従来のものの40
チと小さいので、さい断サージが殆んど問題とならず、
かつ開閉後もその値が変化しない。
■進み小電流しゃ断面力
本発明に係る電極は、従来のものに比して2倍のキャパ
シタンス容量の負荷をしゃ断することができる。
シタンス容量の負荷をしゃ断することができる。
なお、タングステンが、5重量%未満の場合には、絶縁
耐力が急激に低下し、かつ40重fチを超える場合には
、大電流しゃ断面力が急激に低下した。
耐力が急激に低下し、かつ40重fチを超える場合には
、大電流しゃ断面力が急激に低下した。
また、クロムが、5重置チ未満の場合には、゛電流さい
断値が大きくなるとともに、遅れ小電流しゃ断面力が低
下し、かつ70重量−を超える場合には、大電流しゃ断
面力が急激に低下した。
断値が大きくなるとともに、遅れ小電流しゃ断面力が低
下し、かつ70重量−を超える場合には、大電流しゃ断
面力が急激に低下した。
さらに、銅が、20重量%未満の場合には、導電率が急
激に低下するとともに、短時間電流試験後の接触抵抗が
急激に増大し、定格電流通電時におけるジュール熱の発
生が大きく、その実用性が低下し、かつ70重itsを
超える場合には、絶縁耐力が低下するとともに、耐溶着
性が急激に悪化した。
激に低下するとともに、短時間電流試験後の接触抵抗が
急激に増大し、定格電流通電時におけるジュール熱の発
生が大きく、その実用性が低下し、かつ70重itsを
超える場合には、絶縁耐力が低下するとともに、耐溶着
性が急激に悪化した。
以上の如く本発明は、20〜70重量%の銅、5〜40
重量%のタングステンおよび5〜70重i%のクロムの
合金からなる真空インタラプタの電極であるから、従来
のOu −0,5Bi 電極に比して、真空インタラ
プタの絶縁耐力を飛蹟的に高めることができるとともに
、真空インタラプタを大電流のしゃ断能力に優れ、かつ
遅れおよび進み小電流のしゃ断能力にも優れたものとす
ることができる。
重量%のタングステンおよび5〜70重i%のクロムの
合金からなる真空インタラプタの電極であるから、従来
のOu −0,5Bi 電極に比して、真空インタラ
プタの絶縁耐力を飛蹟的に高めることができるとともに
、真空インタラプタを大電流のしゃ断能力に優れ、かつ
遅れおよび進み小電流のしゃ断能力にも優れたものとす
ることができる。
また、5〜40重量%のタングステンの粉末と5〜70
重量%のクロムの粉末とを相互に拡散結合した多孔質の
基材に、20〜70重嵐チの銅を溶浸させてなる真空イ
ンタラプタの電極であるから、上述したものの効果に加
えて機械的強度および導電率を高めることができる等の
効果を奏する。
重量%のクロムの粉末とを相互に拡散結合した多孔質の
基材に、20〜70重嵐チの銅を溶浸させてなる真空イ
ンタラプタの電極であるから、上述したものの効果に加
えて機械的強度および導電率を高めることができる等の
効果を奏する。
図は本発明に係る電極を備えた真空インタラプタの縦断
面図である。 4・・・真空容器、5・・・電極。 /b −一一一一ノ 11 /“
面図である。 4・・・真空容器、5・・・電極。 /b −一一一一ノ 11 /“
Claims (2)
- (1)20〜70重量%の銅、5〜40重量%のタング
ステンおよび5〜70重M:チのクロムの合金からなる
真空インタラプタの電極。 - (2)5〜40重量%のタングステンの粉末と5〜70
重′1にチのクロムの粉末とる相互に拡散結合して成る
多孔質の基材に、20〜70重量%の銅を溶浸させてな
る真空インタラプタの電極。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23264082A JPS59119625A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 真空インタラプタの電極 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23264082A JPS59119625A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 真空インタラプタの電極 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59119625A true JPS59119625A (ja) | 1984-07-10 |
JPS6359216B2 JPS6359216B2 (ja) | 1988-11-18 |
Family
ID=16942463
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23264082A Granted JPS59119625A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 真空インタラプタの電極 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59119625A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015133262A1 (ja) * | 2014-03-04 | 2015-09-11 | 株式会社明電舎 | 電極材料 |
JP6075423B1 (ja) * | 2015-09-03 | 2017-02-08 | 株式会社明電舎 | 真空遮断器 |
EP3106249A4 (en) * | 2014-03-04 | 2018-01-24 | Meidensha Corporation | Method for producing electrode material |
EP3106534A4 (en) * | 2014-03-04 | 2018-01-24 | Meidensha Corporation | Alloy |
Citations (1)
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-
1982
- 1982-12-24 JP JP23264082A patent/JPS59119625A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58115728A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-09 | 三菱電機株式会社 | 真空しや断器用接点 |
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