JPS59119541A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS59119541A JPS59119541A JP23154382A JP23154382A JPS59119541A JP S59119541 A JPS59119541 A JP S59119541A JP 23154382 A JP23154382 A JP 23154382A JP 23154382 A JP23154382 A JP 23154382A JP S59119541 A JPS59119541 A JP S59119541A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- magnetic recording
- recording medium
- permalloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度記録特性の優れた垂直磁気記録媒体をカ
ールのない状態で作製するだめの製造方法に関する。
ールのない状態で作製するだめの製造方法に関する。
従来例の構成とその問題点
短波長記録特性の優れた磁気記録方式として、垂直記録
方式がある。この方式においては、磁気記録媒体の膜面
に垂直方向が磁化容易軸である垂直記録媒体が必要とな
る。垂直記録媒体は、高分子材料あるいは非磁性金属等
の非磁性材料からなる基板上に、CoとOrを主成分と
して膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁性層(以下
この磁性層をCo−0r垂直磁化膜と称す)をスパッタ
リング法あるいは責空蒸着法により形成したものである
。高分子材料よりなる基板上にCo =OrCr垂直磁
化膜空蒸着法により形成する場合には、この基板上にま
ずTi膜を蒸着し、その上KOo−Or膜を蒸着するこ
とにより、Co−Cr垂直磁化膜の特性が改善されるこ
とが知られている。また、基板とco−Cr垂直磁化膜
との間にパーマロイ膜を設けると、パーマロイ膜がない
場合に比べて、記録効率と再生出力が向上する。なお、
前者は二層膜媒体、後者は単層膜媒体とそれぞれ呼ばれ
ている。
方式がある。この方式においては、磁気記録媒体の膜面
に垂直方向が磁化容易軸である垂直記録媒体が必要とな
る。垂直記録媒体は、高分子材料あるいは非磁性金属等
の非磁性材料からなる基板上に、CoとOrを主成分と
して膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁性層(以下
この磁性層をCo−0r垂直磁化膜と称す)をスパッタ
リング法あるいは責空蒸着法により形成したものである
。高分子材料よりなる基板上にCo =OrCr垂直磁
化膜空蒸着法により形成する場合には、この基板上にま
ずTi膜を蒸着し、その上KOo−Or膜を蒸着するこ
とにより、Co−Cr垂直磁化膜の特性が改善されるこ
とが知られている。また、基板とco−Cr垂直磁化膜
との間にパーマロイ膜を設けると、パーマロイ膜がない
場合に比べて、記録効率と再生出力が向上する。なお、
前者は二層膜媒体、後者は単層膜媒体とそれぞれ呼ばれ
ている。
このような二層膜媒体においても、第1図に示されるよ
うにTi膜を設けることにより記録再生特性が改善され
る。第1図(a)に示す媒体は、高分子材料よりなる基
板1上にパーマロイ膜3が形成され、その上にTi膜4
を介してG o −Or垂直磁化膜2が形成された構造
であり、第1図(b)に示す媒体は高分子材料よりなる
基板1上にTi膜4が形成され、その上にパーマロイ膜
3を介してGo−Cr垂直磁化膜2が形成された構造で
ある。
うにTi膜を設けることにより記録再生特性が改善され
る。第1図(a)に示す媒体は、高分子材料よりなる基
板1上にパーマロイ膜3が形成され、その上にTi膜4
を介してG o −Or垂直磁化膜2が形成された構造
であり、第1図(b)に示す媒体は高分子材料よりなる
基板1上にTi膜4が形成され、その上にパーマロイ膜
3を介してGo−Cr垂直磁化膜2が形成された構造で
ある。
一般に高分子材料より成る基板上に金属薄膜を形成する
と、第2図に示すように金属薄膜6が内側あるいは外側
になるようなカールを生じる。以下、第2図(a)の場
合を正カール、同図(b)の場合を逆カールと呼ぶ。こ
のようなカールが生じると、薄膜として強磁性金属を蒸
着し、磁気テープとして使用する際に走行性2巻き取り
性、磁気へソドタッチ等が悪くなるという問題を生じる
。Ti下地層のある単層膜媒体あるいは第1図に示され
るような構造の二層膜媒体を真空蒸着法で作製する際に
は、高分子材料よりなる基板上にTi膜あるいはパーマ
ロイ膜が蒸着された状態で(to−1)/loが6チ以
下と、カールが小さくなければならないことが実験の結
果間らかにな−た。ただし、tは第2図に示されるよう
にカールした状態での長さであり、Loはカールがない
状態での長さである。(to−t)/loが6%を越え
る状態であると、この基板の上[Co−0r垂直磁化膜
を真空蒸着法により形成した場合に、カールがさらに大
きくなるか、あるいは、このような大きなカールを熱処
理等の方法により除去しようとすると、磁性層にクラッ
クが入ってしまい、磁気記録媒体として使用することが
できなくなる。一方、Ti膜あるいはパーマロイ膜が蒸
着された状態におけるカール(io −t ) / t
oがeq6以下になっていれば、これらの膜の上にさら
にGo−Cr垂直磁化膜を形成した場合に、カールが非
常に少なく、かつクラックのない膜が得られる。
と、第2図に示すように金属薄膜6が内側あるいは外側
になるようなカールを生じる。以下、第2図(a)の場
合を正カール、同図(b)の場合を逆カールと呼ぶ。こ
のようなカールが生じると、薄膜として強磁性金属を蒸
着し、磁気テープとして使用する際に走行性2巻き取り
性、磁気へソドタッチ等が悪くなるという問題を生じる
。Ti下地層のある単層膜媒体あるいは第1図に示され
るような構造の二層膜媒体を真空蒸着法で作製する際に
は、高分子材料よりなる基板上にTi膜あるいはパーマ
ロイ膜が蒸着された状態で(to−1)/loが6チ以
下と、カールが小さくなければならないことが実験の結
果間らかにな−た。ただし、tは第2図に示されるよう
にカールした状態での長さであり、Loはカールがない
状態での長さである。(to−t)/loが6%を越え
る状態であると、この基板の上[Co−0r垂直磁化膜
を真空蒸着法により形成した場合に、カールがさらに大
きくなるか、あるいは、このような大きなカールを熱処
理等の方法により除去しようとすると、磁性層にクラッ
クが入ってしまい、磁気記録媒体として使用することが
できなくなる。一方、Ti膜あるいはパーマロイ膜が蒸
着された状態におけるカール(io −t ) / t
oがeq6以下になっていれば、これらの膜の上にさら
にGo−Cr垂直磁化膜を形成した場合に、カールが非
常に少なく、かつクラックのない膜が得られる。
発明の目的
本発明は高分子材料よりなる基板上[Ti膜あるいはT
i膜とパーマロイ膜を蒸着する際に、基板の線膨張係数
と蒸着時のキャンの周側面の温度を最適に設定すること
により、(to−t)/L。
i膜とパーマロイ膜を蒸着する際に、基板の線膨張係数
と蒸着時のキャンの周側面の温度を最適に設定すること
により、(to−t)/L。
を6%以下にすることを目的とする。
発明の構成
本発明は、高分子材料よりなる基板上[T i膜を介し
て垂直磁気記録用のGo−Cr垂直磁化膜が形成された
垂直磁気記録媒体におけるTi膜をこの基板を円筒状キ
ャンの周側面に沿わせて走行させつつ真空蒸着法により
形成する際に、基板と5 して線膨張係数が1.oxlo −g9.xlo
7℃の範囲内のものを使用し、かつキャンの周側面の温
度を10〜120℃とすることを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法であり、本発明の方法を用いることにより
、カールが非常に少なく、かつクラックのない垂直磁気
記録媒体を得ることができる。
て垂直磁気記録用のGo−Cr垂直磁化膜が形成された
垂直磁気記録媒体におけるTi膜をこの基板を円筒状キ
ャンの周側面に沿わせて走行させつつ真空蒸着法により
形成する際に、基板と5 して線膨張係数が1.oxlo −g9.xlo
7℃の範囲内のものを使用し、かつキャンの周側面の温
度を10〜120℃とすることを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法であり、本発明の方法を用いることにより
、カールが非常に少なく、かつクラックのない垂直磁気
記録媒体を得ることができる。
実施例の説明
真空蒸着法においては、高分子材料よりなる基板を円筒
状キャンの周側面に沿わせて走行させつつ蒸着を行なう
と、長尺の垂直磁気記録媒体を作図である。基板1は円
筒状キャン6の周側面に沿−で走行する。7,8は基板
を巻くロール、9は蒸発源である。
状キャンの周側面に沿わせて走行させつつ蒸着を行なう
と、長尺の垂直磁気記録媒体を作図である。基板1は円
筒状キャン6の周側面に沿−で走行する。7,8は基板
を巻くロール、9は蒸発源である。
以下に表を用いて本発明の説明を行なう。第1表に高分
子材料よりなる基板の線膨張係数ま、蒸ただし、基板の
膜厚を12μm、Ti膜の膜厚を60OAとした。
子材料よりなる基板の線膨張係数ま、蒸ただし、基板の
膜厚を12μm、Ti膜の膜厚を60OAとした。
第1表から明らかなように、高分子材料よりな5
る基板の線膨張係数dを1.Q X 10 〜J9X1
0/℃とし、かつキャンの周側面の温度を10〜120
℃とした場合に(io−1) / toがeq6以下で
ある膜を得ることができる。なお、高分子材料よりなる
基板の膜厚を9〜26μmの範囲内で変化音せても、ま
たTi膜の膜厚を300〜1500λの範囲内で変化さ
せても、第1表に示しだものとほとんど同じ結果が得ら
れた0 第2表に、α+ Tk変えて、第3図に示される真空
蒸着装置にて、高分子材料よりなる基板上にパーマロイ
膜を形成した場合のカールの状態(zo −t ) /
toの実験結果を示す。
0/℃とし、かつキャンの周側面の温度を10〜120
℃とした場合に(io−1) / toがeq6以下で
ある膜を得ることができる。なお、高分子材料よりなる
基板の膜厚を9〜26μmの範囲内で変化音せても、ま
たTi膜の膜厚を300〜1500λの範囲内で変化さ
せても、第1表に示しだものとほとんど同じ結果が得ら
れた0 第2表に、α+ Tk変えて、第3図に示される真空
蒸着装置にて、高分子材料よりなる基板上にパーマロイ
膜を形成した場合のカールの状態(zo −t ) /
toの実験結果を示す。
第 2 表
ただし、基板の膜厚を12μm1パーマロイ膜の膜厚を
100OAとした。
100OAとした。
第2表から明らかなように、〆を1.OX 10〜2,
9X1♂5/℃とし、かつTを120〜260℃とした
場合に、(to−t)7t、が6%以下である膜を得る
ことができる。なお、高分子材料よりなる基板の膜厚を
9〜26μm の範囲内で変化させても、またパーマロ
イ膜の膜厚を600〜3000λの範囲内で変化させて
も、第2表に示したものとはとんと同じ結果が得られた
。
9X1♂5/℃とし、かつTを120〜260℃とした
場合に、(to−t)7t、が6%以下である膜を得る
ことができる。なお、高分子材料よりなる基板の膜厚を
9〜26μm の範囲内で変化させても、またパーマロ
イ膜の膜厚を600〜3000λの範囲内で変化させて
も、第2表に示したものとはとんと同じ結果が得られた
。
Ti膜およびパーマロイ膜(to−’t )7toが6
チ以下になるような条件で形成することにより、両膜′
fX−重ねて形成しても、(io −t )/loが6
チ以下にな−た。
チ以下になるような条件で形成することにより、両膜′
fX−重ねて形成しても、(io −t )/loが6
チ以下にな−た。
より具体的な例について述べる。
第3図に示すような真空蒸着装置にて、膜厚10trm
の耐熱性高分子材料より成る基板上に、膜厚600Aの
T1膜を形成し、その上に膜厚1200Aのパーマロイ
膜を形成した。ただし、蒸着時の基板の走行速度全10
m/分、Ti膜及びパーマロイ膜蒸着時のキャンの周側
面の温度をそれぞれ80℃、220℃とした。なお、前
記基板の線膨張係数は1.9×10/℃である。得られ
た膜は正カールをしており、その(to−・t)/lO
は4係であ−た。
の耐熱性高分子材料より成る基板上に、膜厚600Aの
T1膜を形成し、その上に膜厚1200Aのパーマロイ
膜を形成した。ただし、蒸着時の基板の走行速度全10
m/分、Ti膜及びパーマロイ膜蒸着時のキャンの周側
面の温度をそれぞれ80℃、220℃とした。なお、前
記基板の線膨張係数は1.9×10/℃である。得られ
た膜は正カールをしており、その(to−・t)/lO
は4係であ−た。
発明の効果
本発明の方法によれば、カールのほとんどない状態でT
1膜さらにはパーマロイ膜を蒸着することができ、その
結果、カールがほとんどなくかつクラックのない垂直磁
気記録媒体を作製することができる。
1膜さらにはパーマロイ膜を蒸着することができ、その
結果、カールがほとんどなくかつクラックのない垂直磁
気記録媒体を作製することができる。
第1図は二層膜媒体の構造を示す図、第2図はカールの
状態を示す図、第3図は連続巻取式真空蒸着装置内部の
構造の概略図である。 1・・・・高分子材料よりなる基板、2・・・・・Go
−Or垂直磁化膜、3・・・・パーマロイ膜、4・・・
・Ti膜、6・・・・円筒状キャン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名。 第1図 ? 2 ((1)
(b)第2図 ノ 第3図 旨7
状態を示す図、第3図は連続巻取式真空蒸着装置内部の
構造の概略図である。 1・・・・高分子材料よりなる基板、2・・・・・Go
−Or垂直磁化膜、3・・・・パーマロイ膜、4・・・
・Ti膜、6・・・・円筒状キャン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名。 第1図 ? 2 ((1)
(b)第2図 ノ 第3図 旨7
Claims (1)
- 高分子材料よりなる基板上にπ膜を介して垂直磁気記録
用の(3o −Cr垂直磁化膜が形成された垂直磁気記
録媒体における前記TJを、前記基板を円筒状キャンの
周、側面に沿わせて走行させつつ真のを使用し、かつ前
記キャンの周側面の温度を10〜120℃とすることを
特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23154382A JPS59119541A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 磁気記録媒体の製造方法 |
US06/473,766 US4477488A (en) | 1982-03-16 | 1983-03-10 | Method of manufacturing magnetic recording medium |
DE8383102560T DE3382296D1 (de) | 1982-03-16 | 1983-03-15 | Magnetisches aufzeichnungsmedium und verfahren zur herstellung eines magnetischen aufzeichnungsmediums. |
EP83102560A EP0089609B1 (en) | 1982-03-16 | 1983-03-15 | Magnetic recording medium and method of manufacturing a magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23154382A JPS59119541A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59119541A true JPS59119541A (ja) | 1984-07-10 |
Family
ID=16925140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23154382A Pending JPS59119541A (ja) | 1982-03-16 | 1982-12-27 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59119541A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5059930A (en) * | 1989-03-29 | 1991-10-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electromagnetic contactor and fabrication method therefor |
-
1982
- 1982-12-27 JP JP23154382A patent/JPS59119541A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5059930A (en) * | 1989-03-29 | 1991-10-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electromagnetic contactor and fabrication method therefor |
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