JPS5924448A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は膜面に垂直方向に磁化容易軸を有しｃｏとＣｒ
を主成分とする磁性層が高分子制料より成る基板上に、
パーマロイ膜あるいはＴｉ膜とパーマロイ膜を介して形
成された磁気記録媒体の製造方法に関するものであって
、その目的とするところは磁気記録媒体の走行性９巻き
取り性、磁気へソドタソチ等に悪影響を及ぼすカール、
及びノイズの原因になるクラックの発生を防止した製造
方法を提供するものである。

短波長記録特性の優れた磁気記録方式として、垂直記録
方式がある。この方式においては媒体の膜面に垂直方向
が磁化容易軸である垂直記録媒体が必要となる。このよ
うな媒体に信号を記録すると残留磁化は媒体の膜面に垂
直方向を向き、従って信号が短波長になる程媒体内反磁
界は減少し、優れた再生出力が得られる。垂直記録媒体
は高分子材料あるいは非磁性金属等の非磁性桐材から成
る基板上に、ＣＯとＣｒを主成分とし垂直方向に磁化容
易軸を有する磁性層（以下この磁性層をＣｏ　−Ｃｒ垂
直磁化膜と呼ぶ）をスパッタリング法あるいは真空蒸着
法により形成したものである。しかし基板上に直接にＣ
ｏ−Ｃｒ垂直磁化膜を形成した垂直記録媒体（以下この
媒体を単層膜媒体と呼ぶ）は、信号を記録再生する際の
効率が低い。これを改善するために第１図に示すような
構造の媒体（以下この媒体を２層膜媒体と呼ぶ）が開発
されている。これは高分子材料あるいは非磁性金属等の
非磁性材料から成る基板１とＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜３と
の間に、膜面内に磁化容易軸を有するパーマロイ膜より
成る磁性層２を設けたものである。

この様な構造を有する２層膜媒体を用いれば、単層媒体
に比べ記録効率及び再生効率が改善される。

第２図には第１図に示される以外の構造の２層膜媒体を
示す。なお、第２図の４はＴｉ膜である。第２図のよう
な構成にすることにより、Ｃｏ−０ｒ垂直磁化膜のＣ軸
配向性が改善され、記録再生特性が向上する。

本発明は第１図あるいは第２図に示されるような構成の
２層膜媒体の製造方法において、基板を円筒状キャンの
周側面に沿わせて走行させつつパーマロイ膜を真空蒸着
法により形成する際に、高分子材料より成る基板の線膨
張係数とキャンの周側面の温度を最適に設定することに
より、・２−マロイが蒸着された基板においてカールの
発生を防止するものである。

ここで金属薄膜を形成する方法には、メッキ法。

スパッタリング法、および真空蒸着法等があるが、量産
性や安定性を考慮すると真空蒸着法が最も優れている。

真空蒸着法にて生産性が良くかつ安定に薄膜を形成する
には、第３図に示すように、円筒状キャン６の周側面に
沿わせて基板６を矢印Ａの方向へ移動させつつ蒸着を行
なえばよい。なお、７．８はそれぞれ基板６の供給ロー
ルおよび巻き取りロール、９は蒸発源である。

しかし、上記の方法で薄膜を形成すると、一般に第４図
に示す薄膜１ｏが内側あるいは外側になるようなカール
を生じる。以下第４図（ａ）　、　（ｂ）をそれぞれ正
カール及び逆カールと呼ぶ。このようなカールが生じる
と、薄膜として強磁性金属を蒸着し、磁気テープとして
使用する際に走行性２巻き取り性、磁気ヘッドタッチ等
が悪くなるという問題を生じる。第１図あるいｌ−ｉ第
２図に示されるような構造の２層媒体を、第３図に示す
ような真空蒸着装置にて作製する際には、パーマロイ膜
が蒸着された状態でカールを小さくし、（ｉ！、。−１
２）／ｆｌ。

が６チ以下になる必要のあることが実験の結果明らかに
なった。ただし、Ｕは第４図に示されるようにカールし
た状態での長さであり、礼はカールがない状態での長さ
である。（Ａ、　−４）／ｎ。が６％を越える状態であ
ると、パーマロイ膜の上にさらにＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜
を真空蒸着法により形成した場合に、カールが大きくな
るか、あるいはこのような大きなカールを熱処理等の方
法により除去すると磁性層にクラックが入ってしまい、
磁気記録媒体として使用することが不可能である。一方
、パーマロイが形成された状態におけるカール（℃。−
犯＞７札が６％以下になっていれば、パーマロイの上に
さらにＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜を形成した場合に、カール
が非常に少なく、かつクラックのない膜が得られる。本
発明の方法によれば、膜厚６〜１８μｍの高分子材料よ
り成る基板上に直接にあるいは膜厚３００〜１０００人
のＴｉ膜を介してパーマロイを蒸着する際に、基板の線
膨張係数と蒸着時のキャンの周側面の温度を最適に設定
することにより、（ｎｏ−Ｒ）／μ。を６φ以下にする
ことができるものである。その結果、パーマロイ膜の上
に直接にあるいは膜厚３００〜１０００ＡのＴｉ膜を介
してＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜を形成することにより、カー
ルが殆どなくかつクラックのない２層膜媒体を提供でき
る。なお本発明においては高分子材料より成る基板とし
て膜厚を６〜１８μｍに限定し、またＴｉ膜の膜厚を３
００〜１０００八に限定しているが、この理由を以下に
述べる。まず、膜厚６〜１８１ｔｍの高分子材料より成
る基板を選ぶ理由は、本発明の方法により得られた磁気
記録媒体を磁気テープとして使用する場合シては、との
膜厚範囲の基板が最適であるためである。すなわち、膜
厚が６μｍに満たない高分子基板ではスティフネスが小
さすぎ、テープ走行を安定Ｖこすることが困難である。

丑だ、膜厚が１８７．＋ｍを越えるとスティフネスが大
きすぎて、たとえカールがない状態であってもヘッドタ
ッチが悪くなる。次にＴｉ膜の膜厚を３００〜１０００
人にする理由は、３００人未満の膜厚ではＴｉ膜の効果
が殆どなく、１ｏ０〇八を越える膜厚ではＴｉ膜にクラ
ンクが入ってしまうためである。

以下に次表を用いて本発明を説明する。

上の表は高分子材料より成る基板の線膨張係数α、蒸着
時のキャンの周側面の温度Ｔを変えて、第１図に示した
真空蒸着装置にて、パーマロイ膜を形成した場合のカー
ルの状態（λ。−り／２゜の実験結果を示す。ただし基
板の膜厚は１２μｍ、パーマロイの膜厚は１０００八と
した。表から高分子材料より成る基板の線膨張係数を１
．０×１０−５〜２．９　Ｘ　１０−”７℃とじ、かつ
キャンの周側面の温度を１２０〜２６０℃とした場合に
（ｉ！、ｏ−月／℃。が６係以下の膜が得られることが
わかる。なお高分子基板の膜厚を６〜１８μｍの範囲で
変化させても、また高分子基板とパーマロイ膜との間に
３００〜１０００への膜厚のＴｉ膜を形成しても、また
パーマロイ膜の膜厚を４００〜４０００への範囲で変化
させても、上記と殆ど同じ結果が得られた。

上記の条件にて（２゜−ｐ）／２゜が６係以下になる原
因は、キャンの周側面の温度を１２０〜２６０℃にする
と、熱膨張した状態にある基板にＣｏ　−Ｃｒ膜が付着
し、キャンを離れて温度が下がる際の基板とＣｏ−０ｒ
膜の収縮量が同程度になるためだと考えられる。

次により具体的に本発明の実施例を述べる。

第３図に示したような真空蒸着装置にて、膜厚１０μｍ
の耐熱性高分子材料より成る基板上に、膜厚１３０ｏへ
のパーマロイ膜を形成した。ただ繰 し蒸着時の基本の走行速度を１ｏｔｎ／分　、キャンの
周側面の温度を１８０℃とした。なお、この基板の線膨
張係数は２．Ｉ　Ｘ　１　ｏ、　　７℃である。得られ
た膜は逆カールをしており、その（ｎ、４　）／ｉｔ。

は３係であった。

以上のように本発明の方法によれば、カールのほとんど
ない状態でパーマロイ膜を蒸着することが可能であり、
その結果、カールがほとんどなくかつクラックのない２
層媒体が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は２層媒体の一例を示す断面図、第２図（ａ）　
、　（ｂ）　ｌ　（Ｃ）はそれぞれ同じく２層媒体の他
の例を示す断面図、第３図は真空蒸着装置の内部構造の
概略を示す図、第４背−ルの状態を示す図である。 １　　、５　＋＋＊＋＋ａ＊・基板、２０・・・書パー
マロイ膜、３Φ・・・・・Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜、４・
・・・・・Ｔｉ膜、６−・・・・・円筒状キャン、９・
・・・・・蒸発源。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名２９
７ 第１図 第２図 （ａ）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　（ｂ）第３図 第４図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）膜厚６〜１８μｍの高分子材料よる成る基板上に
   、少なくともパーマロイ膜を介して、膜面に垂直方向に
   磁化容易軸を有しＣｏとＣｒを主成分とする磁性層が形
   成されて成る磁気記録媒体を製造するに際し、上記基板
   を円筒状キャンの周側面に沿わせて走行させつつ上記基
   板上に上記棲パーマロイ膜を真空蒸着法により形成し、
   かつその際、上記基板として線膨張係数１．ＯＸ　１０
   ＝〜２．９Ｘ１０−”７℃の基板を用いかつ上記キャン
   の周側面の温度を１２０〜２６０℃とすることを特徴と
   する磁気記録媒体の製造方法。
2. （２）パーマロイ膜の上下両面の少なくとも一方の