JPH0357535B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0357535B2 JPH0357535B2 JP57130670A JP13067082A JPH0357535B2 JP H0357535 B2 JPH0357535 B2 JP H0357535B2 JP 57130670 A JP57130670 A JP 57130670A JP 13067082 A JP13067082 A JP 13067082A JP H0357535 B2 JPH0357535 B2 JP H0357535B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- layer
- noise
- thickness direction
- recording
- Prior art date
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- Expired
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は垂直記録方式に適した磁気記録媒体に
関する。
関する。
従来、短波長記録特性の優れた磁気記録方式と
して、垂直記録方式がある。この方式においては
媒体の膜面の垂直方向が磁化容易軸である垂直記
録媒体が必要となる。このような媒体に信号を記
録すると残留磁化は媒体の膜面に垂直方向を向き
従つて信号が短波長になる程媒体内反磁界は減少
し、優れた再生出力が得られる。垂直記録媒体は
高分子材料あるいは非磁性金属等の非磁性材料か
ら成る基板上に、直接に、あるいはパーマロイ等
の軟磁性層を介して、CoとCrを主成分とし垂直
方向に磁化容易軸を有する磁性層（以下この磁性
層をCo−Cr垂直磁化膜と呼ぶ）をスパツタリン
グ法あるいは真空蒸着法により形成したものであ
る。
して、垂直記録方式がある。この方式においては
媒体の膜面の垂直方向が磁化容易軸である垂直記
録媒体が必要となる。このような媒体に信号を記
録すると残留磁化は媒体の膜面に垂直方向を向き
従つて信号が短波長になる程媒体内反磁界は減少
し、優れた再生出力が得られる。垂直記録媒体は
高分子材料あるいは非磁性金属等の非磁性材料か
ら成る基板上に、直接に、あるいはパーマロイ等
の軟磁性層を介して、CoとCrを主成分とし垂直
方向に磁化容易軸を有する磁性層（以下この磁性
層をCo−Cr垂直磁化膜と呼ぶ）をスパツタリン
グ法あるいは真空蒸着法により形成したものであ
る。
一般にCo−Cr垂直磁化膜は膜厚1000〜10000Å
程度であり、単層構造である。ただし、ここで言
う単層構造とは膜作製時に全膜厚を一度に形成し
た、膜厚方向に不連続のない膜のことである。こ
のような膜を真空蒸着法により、高分子材料より
成る基板上に作製して、信号を記録し再生出力及
びノイズを測定すると、出力、ノイズのいずれも
膜厚が厚くなるに従い大きくなることがわかつ
た。例えば膜厚2000Å及び4000ÅのCo−Cr垂直
磁化膜を作製して、100KFRPI（１インチ当たり
100000回の磁化反転のあるデイジタル信号の記録
密度）の信号を、公知の補助磁極励磁形垂直ヘツ
ドで記録し、リング形ヘツドで再生すると、厚さ
2000Åの膜に対して4000Åの膜は出力が約5dB増
加するが、ノイズも約4dB増加していた。すなわ
ち膜厚を厚くしてもＳ／Ｎ（信号対ノイズ比）は
殆ど変わつていない。
程度であり、単層構造である。ただし、ここで言
う単層構造とは膜作製時に全膜厚を一度に形成し
た、膜厚方向に不連続のない膜のことである。こ
のような膜を真空蒸着法により、高分子材料より
成る基板上に作製して、信号を記録し再生出力及
びノイズを測定すると、出力、ノイズのいずれも
膜厚が厚くなるに従い大きくなることがわかつ
た。例えば膜厚2000Å及び4000ÅのCo−Cr垂直
磁化膜を作製して、100KFRPI（１インチ当たり
100000回の磁化反転のあるデイジタル信号の記録
密度）の信号を、公知の補助磁極励磁形垂直ヘツ
ドで記録し、リング形ヘツドで再生すると、厚さ
2000Åの膜に対して4000Åの膜は出力が約5dB増
加するが、ノイズも約4dB増加していた。すなわ
ち膜厚を厚くしてもＳ／Ｎ（信号対ノイズ比）は
殆ど変わつていない。
以上述べた従来のCo−Cr垂直磁化膜に対し、
本発明の膜は膜厚を厚くすることにより出力は上
記の膜と同様に増加するが、ノイズの増加は少な
いものであり、本発明の膜を用いることにより、
高Ｓ／Ｎの再生信号が得られる。
本発明の膜は膜厚を厚くすることにより出力は上
記の膜と同様に増加するが、ノイズの増加は少な
いものであり、本発明の膜を用いることにより、
高Ｓ／Ｎの再生信号が得られる。
以下に本発明の構成を説明する。第１図に、高
分子材料より成る基板上に膜厚の異なるCo−Cr
垂直磁化膜を形成して、補助磁極励磁形垂直ヘツ
ドで100KFRPIの信号を記録し、リング形ヘツド
で再生した場合のノイズの相対値と膜厚との関係
を示す。ただし、曲線１は単層構造の膜であり、
曲線２は２層構造の膜である。２層構造の膜と
は、例えば8000Åの膜厚の膜を形成する場合に、
8000Åの膜をスパツタリング法あるいは真空蒸着
法にて、連続して析出せずに、4000Åの膜をまず
形成し、ここで析出を一時停止した後に、その上
にさらに4000Åの膜を形成したものである。曲線
３は４層構造の膜である。単層構造，２層構造，
４層構造の膜の構造を第２図ａ，ｂ及びｃにそれ
ぞれ示す。４は基板、５，６，７はそれぞれ単
層，２層及び４層構造のCo−Cr垂直磁化膜であ
る。２層構造以上の膜を多層構造の膜と呼ぶ。な
お、第１図及び第２図では、各層の膜厚が同じで
ある場合の多層構造の膜について述べているが、
各層の膜厚が異なつていても、本発明の効果は現
われる。第１図から明らかなように、曲線１，
２，３ともに膜厚が増加するに従い、ノイズが大
きくなつているが、層数の多いもの程ノイズが小
さい。なお、膜厚が同じであれば、単層構造の膜
でも多層構造の膜でも信号出力は同じであつた。
以上のように本発明の膜においては、信号出力は
従来の単層構造の垂直磁化膜と同程度であるが、
ノイズは低くなり、その結果Ｓ／Ｎの優れた記録
再生特性が得られる。
分子材料より成る基板上に膜厚の異なるCo−Cr
垂直磁化膜を形成して、補助磁極励磁形垂直ヘツ
ドで100KFRPIの信号を記録し、リング形ヘツド
で再生した場合のノイズの相対値と膜厚との関係
を示す。ただし、曲線１は単層構造の膜であり、
曲線２は２層構造の膜である。２層構造の膜と
は、例えば8000Åの膜厚の膜を形成する場合に、
8000Åの膜をスパツタリング法あるいは真空蒸着
法にて、連続して析出せずに、4000Åの膜をまず
形成し、ここで析出を一時停止した後に、その上
にさらに4000Åの膜を形成したものである。曲線
３は４層構造の膜である。単層構造，２層構造，
４層構造の膜の構造を第２図ａ，ｂ及びｃにそれ
ぞれ示す。４は基板、５，６，７はそれぞれ単
層，２層及び４層構造のCo−Cr垂直磁化膜であ
る。２層構造以上の膜を多層構造の膜と呼ぶ。な
お、第１図及び第２図では、各層の膜厚が同じで
ある場合の多層構造の膜について述べているが、
各層の膜厚が異なつていても、本発明の効果は現
われる。第１図から明らかなように、曲線１，
２，３ともに膜厚が増加するに従い、ノイズが大
きくなつているが、層数の多いもの程ノイズが小
さい。なお、膜厚が同じであれば、単層構造の膜
でも多層構造の膜でも信号出力は同じであつた。
以上のように本発明の膜においては、信号出力は
従来の単層構造の垂直磁化膜と同程度であるが、
ノイズは低くなり、その結果Ｓ／Ｎの優れた記録
再生特性が得られる。
以上に述べた膜は、膜厚方向に組成が一定であ
る場合の結果であるが、膜厚方向に組成を変化さ
せることにより、より特性の優れた膜が得られ
る。第３図は膜厚0.2μmの２層構造を有する膜
の、Cr濃度の膜厚方向の変化を示した図である。
横軸は膜厚方向における膜表面からの深さを表わ
し、原点は膜の表面であり、目盛0.2μmのところ
が、Co−Cr垂直磁化膜と基板との境界である。
破線８は今までに述べた、組成が膜厚方向に一定
の膜である。これに対し実線９は、膜の平均組成
は破線８の膜と同じであるが、それぞれの層にお
いてCr濃度の膜の表面に近い程少なくなるよう
に変化している膜である。このような膜に、補助
磁極励磁形垂直ヘツド100KFRPIの信号を記録
し、リング形ヘツドで再生すると、ノイズは組成
が一定の膜と同程度であるが、信号出力は2dB高
くなつた。すなわち、多層構造の膜において、各
層の組成を膜厚方向に変化させることにより、変
化しない膜に比べ、Ｓ／Ｎを高くすることができ
る。更に、第３図の実線９に対して、第４図の実
線10のようにCr濃度を変化させることにより、
上記と同様の記録再生をすると、前者の分布を有
する膜に対してノイズは同じであるが、信号出力
は1.5dB高くなつた。すなわち、第４図に示す如
く、となり合う層の膜厚方向における組成分布を
逆にすることにより、非常に優れたＳ／Ｎが得ら
れる。
る場合の結果であるが、膜厚方向に組成を変化さ
せることにより、より特性の優れた膜が得られ
る。第３図は膜厚0.2μmの２層構造を有する膜
の、Cr濃度の膜厚方向の変化を示した図である。
横軸は膜厚方向における膜表面からの深さを表わ
し、原点は膜の表面であり、目盛0.2μmのところ
が、Co−Cr垂直磁化膜と基板との境界である。
破線８は今までに述べた、組成が膜厚方向に一定
の膜である。これに対し実線９は、膜の平均組成
は破線８の膜と同じであるが、それぞれの層にお
いてCr濃度の膜の表面に近い程少なくなるよう
に変化している膜である。このような膜に、補助
磁極励磁形垂直ヘツド100KFRPIの信号を記録
し、リング形ヘツドで再生すると、ノイズは組成
が一定の膜と同程度であるが、信号出力は2dB高
くなつた。すなわち、多層構造の膜において、各
層の組成を膜厚方向に変化させることにより、変
化しない膜に比べ、Ｓ／Ｎを高くすることができ
る。更に、第３図の実線９に対して、第４図の実
線10のようにCr濃度を変化させることにより、
上記と同様の記録再生をすると、前者の分布を有
する膜に対してノイズは同じであるが、信号出力
は1.5dB高くなつた。すなわち、第４図に示す如
く、となり合う層の膜厚方向における組成分布を
逆にすることにより、非常に優れたＳ／Ｎが得ら
れる。
なお以上においては、非磁性基板上にCo−Cr
垂直磁化膜を直接形成した場合の実験結果につい
て述べたが、非磁性基板とCo−Cr垂直磁化膜と
の間にパーマロイ等の軟磁性層を有する膜につい
ても同様のことが言える。すなわちこの場合に
も、Co−Cr層を多層構造にすることにより、単
層構造の場合に比べ優れたＳ／Ｎが得られる。
垂直磁化膜を直接形成した場合の実験結果につい
て述べたが、非磁性基板とCo−Cr垂直磁化膜と
の間にパーマロイ等の軟磁性層を有する膜につい
ても同様のことが言える。すなわちこの場合に
も、Co−Cr層を多層構造にすることにより、単
層構造の場合に比べ優れたＳ／Ｎが得られる。
以上の如く本発明はCo−Cr垂直磁化膜におい
て、膜を多層構造にすることにより、記録再生特
性の優れた媒体が得られる効果がある。
て、膜を多層構造にすることにより、記録再生特
性の優れた媒体が得られる効果がある。
第１図はノイズの相対値とCo−Cr垂直磁化膜
の膜厚との関係を示す図、第２図ａ，ｂ，ｃは垂
直磁化膜の多層構造を示す図、第３図，第４図は
それぞれ垂直磁化膜の膜厚方向における組成分布
を示す図である。 ４……基板、５，６，７……垂直磁化膜。
の膜厚との関係を示す図、第２図ａ，ｂ，ｃは垂
直磁化膜の多層構造を示す図、第３図，第４図は
それぞれ垂直磁化膜の膜厚方向における組成分布
を示す図である。 ４……基板、５，６，７……垂直磁化膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上の膜面に対し、垂直方向に磁化容易軸
を有する。CoとCrを主成分としかつCrの組成分
布が膜厚方向に変化している磁性層が、複数層繰
り返して形成された垂直記録用磁気記録媒体。 ２ となり合う磁性層の、膜厚方向におけるCr
の組成分布が逆になつている特許請求の範囲第１
項記載の垂直記録用磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57130670A JPS5922221A (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | 垂直記録用磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57130670A JPS5922221A (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | 垂直記録用磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5922221A JPS5922221A (ja) | 1984-02-04 |
| JPH0357535B2 true JPH0357535B2 (ja) | 1991-09-02 |
Family
ID=15039803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57130670A Granted JPS5922221A (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | 垂直記録用磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5922221A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4847161A (en) * | 1986-12-19 | 1989-07-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Magnetically anisotropic recording medium |
| JP2728498B2 (ja) * | 1988-05-27 | 1998-03-18 | 株式会社日立製作所 | 磁気記録媒体 |
-
1982
- 1982-07-26 JP JP57130670A patent/JPS5922221A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5922221A (ja) | 1984-02-04 |
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