JPS5922221A - 垂直記録用磁気記録媒体 - Google Patents
垂直記録用磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS5922221A JPS5922221A JP57130670A JP13067082A JPS5922221A JP S5922221 A JPS5922221 A JP S5922221A JP 57130670 A JP57130670 A JP 57130670A JP 13067082 A JP13067082 A JP 13067082A JP S5922221 A JPS5922221 A JP S5922221A
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- JP
- Japan
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- film
- layer
- magnetic
- noise
- recording
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- Granted
Links
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- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 14
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は垂直記録方式に適した磁気記録媒体に関する。
従来、短波長記録特性の優れた磁気記録方式として、垂
直記録方式がある。この方式においては媒体の膜面の垂
直方向が磁化容易軸である垂直記録媒体が必留となる。
直記録方式がある。この方式においては媒体の膜面の垂
直方向が磁化容易軸である垂直記録媒体が必留となる。
このような媒体に信号を記録すると残留磁化は媒体の膜
面に垂直方向を向き従って信号が短波長になる稈媒体内
反磁界は減少し、優れた丙生出カが得られる。垂直記録
媒体は高〃千材料あるいは非磁性金属等の非磁性材料か
ら成る基板上に、直接に、あるいはパーマロイ盾の軟磁
１生１曽を介して、ＣＯとＯｒを主成分とし垂直方向に
磁化容易軸を有す・古磁１生層（以下この磁１イ１層ｆ
Ｃｏ −Ｏｒ垂直磁化１１Ｍと呼ぶ）をスパッタリン
グ法あるいは真空蒸着法により形成したものである。
面に垂直方向を向き従って信号が短波長になる稈媒体内
反磁界は減少し、優れた丙生出カが得られる。垂直記録
媒体は高〃千材料あるいは非磁性金属等の非磁性材料か
ら成る基板上に、直接に、あるいはパーマロイ盾の軟磁
１生１曽を介して、ＣＯとＯｒを主成分とし垂直方向に
磁化容易軸を有す・古磁１生層（以下この磁１イ１層ｆ
Ｃｏ −Ｏｒ垂直磁化１１Ｍと呼ぶ）をスパッタリン
グ法あるいは真空蒸着法により形成したものである。
一般にＧｏ −Ｏｒ垂直磁化膜は膜厚１０００〜１００
００人程度であり、単層構造である。ただし、ここで言
う単層構造とは膜作製時に全膜厚全一度に形成した、膜
厚方向に不連続のない膜のことである。このような膜を
真空蒸着法により、高分子材料より成る堰板上に作製し
て、信号を記録し再生出力及びノイズを測定すると、出
カ、ノイズのいずれも膜厚が厚くなるに従い人きくなる
ことがわかった。例えば膜厚２０００八及び４０００人
のＣ０−０ｒ垂直磁化膜を作製して、１００ＫＦＲＰＩ
（１インチ当たり１０００００回の磁化反転のあるディ
ジタル信号の記録密度）の信号を、公知の補助磁極励磁
形垂直ヘッドで記録し、リング形ヘッドで再生すると、
厚さ２０００人の膜に列して４０００Ａの膜は出力が約
５ ｄＢ 増加するが、ノイズも約４ｄＢ 増加して
いた。すなわち膜厚を厚くしてもｓ／ｈ（信号対ノイズ
比）は殆ど変わっていない。
００人程度であり、単層構造である。ただし、ここで言
う単層構造とは膜作製時に全膜厚全一度に形成した、膜
厚方向に不連続のない膜のことである。このような膜を
真空蒸着法により、高分子材料より成る堰板上に作製し
て、信号を記録し再生出力及びノイズを測定すると、出
カ、ノイズのいずれも膜厚が厚くなるに従い人きくなる
ことがわかった。例えば膜厚２０００八及び４０００人
のＣ０−０ｒ垂直磁化膜を作製して、１００ＫＦＲＰＩ
（１インチ当たり１０００００回の磁化反転のあるディ
ジタル信号の記録密度）の信号を、公知の補助磁極励磁
形垂直ヘッドで記録し、リング形ヘッドで再生すると、
厚さ２０００人の膜に列して４０００Ａの膜は出力が約
５ ｄＢ 増加するが、ノイズも約４ｄＢ 増加して
いた。すなわち膜厚を厚くしてもｓ／ｈ（信号対ノイズ
比）は殆ど変わっていない。
以」二述べた従来のｃｏ −Ｃｒ垂直磁化膜に対し、本
発明の膜は膜厚を厚くすることにより出力は」二組の膜
と同様に増加するが、ノイズの増加は少ないものであり
、本発明の膜を用いることにより、高Ｓ／Ｈの再生信号
が得られる。
発明の膜は膜厚を厚くすることにより出力は」二組の膜
と同様に増加するが、ノイズの増加は少ないものであり
、本発明の膜を用いることにより、高Ｓ／Ｈの再生信号
が得られる。
以下に本発明の詳細な説明する。第１図に、品分イ材料
より成る基板上に膜厚の異なるＣ０−０ｒ垂直磁化膜を
形成して、補助磁極励磁形垂直ヘッドで１００ＫＦ’Ｒ
ＰＩの信号を記録し、リング形ヘッドで再生した場合の
ノイズ゛の相対値と膜厚との関係を示す。ただし、曲線
１は単層構造の膜であり、曲線２Ｃ：２層構造の膜であ
る。２層構造の膜とＱ：Ｌ、例えば５ｏｏｏ 入の膜捏
の膜を形成する場合に、８０００人の膜をスパッタリン
グ法あるいは真空蒸着法にて、連続して析出ぜずに、４
０００Δの膜をまず形成し、ここで析出を一時停止トシ
た後に、その、１−にさらに４０００人の膜を形成した
ものである。曲線３け４層構造の膜である。単層構造、
２層構造、４層構造の膜の構造を第２図ｆａｌ 、 （
ｂ）及び（ｃ）にそれぞれ示す。４は基板、６．６．７
はそれぞれ単層、２層及び４層構造のＧｏ −Ｃｒ垂直
磁化膜である。２層構造以上の膜を多層構造の膜と呼ぶ
。なお、第１図及び第２図では、各ｊ―の膜厚が同じで
ある場合の多層構造の膜について述べているが、各層の
膜厚が異なっていても、本発明の効果は現われる。第１
図から明らかなように、曲線１，２．３ともに膜厚が増
加するに従い、ノイズが人きくなっているが、層数の多
いもの程ノイズが小さい。なお、膜厚が同じであれば、
単層構造の膜でも多層構造の膜でも信号出力は同じであ
った。以上のように本発明の膜においては、信号出力は
従来の単層構造の垂直磁化膜と１１１１＋“１層度であ
るが、ノイズは低くなり、その結果Ｓ／Ｎの優れた記録
再生特性が得られる。
より成る基板上に膜厚の異なるＣ０−０ｒ垂直磁化膜を
形成して、補助磁極励磁形垂直ヘッドで１００ＫＦ’Ｒ
ＰＩの信号を記録し、リング形ヘッドで再生した場合の
ノイズ゛の相対値と膜厚との関係を示す。ただし、曲線
１は単層構造の膜であり、曲線２Ｃ：２層構造の膜であ
る。２層構造の膜とＱ：Ｌ、例えば５ｏｏｏ 入の膜捏
の膜を形成する場合に、８０００人の膜をスパッタリン
グ法あるいは真空蒸着法にて、連続して析出ぜずに、４
０００Δの膜をまず形成し、ここで析出を一時停止トシ
た後に、その、１−にさらに４０００人の膜を形成した
ものである。曲線３け４層構造の膜である。単層構造、
２層構造、４層構造の膜の構造を第２図ｆａｌ 、 （
ｂ）及び（ｃ）にそれぞれ示す。４は基板、６．６．７
はそれぞれ単層、２層及び４層構造のＧｏ −Ｃｒ垂直
磁化膜である。２層構造以上の膜を多層構造の膜と呼ぶ
。なお、第１図及び第２図では、各ｊ―の膜厚が同じで
ある場合の多層構造の膜について述べているが、各層の
膜厚が異なっていても、本発明の効果は現われる。第１
図から明らかなように、曲線１，２．３ともに膜厚が増
加するに従い、ノイズが人きくなっているが、層数の多
いもの程ノイズが小さい。なお、膜厚が同じであれば、
単層構造の膜でも多層構造の膜でも信号出力は同じであ
った。以上のように本発明の膜においては、信号出力は
従来の単層構造の垂直磁化膜と１１１１＋“１層度であ
るが、ノイズは低くなり、その結果Ｓ／Ｎの優れた記録
再生特性が得られる。
以」二に述べた膜は、膜厚方向に組成が一定である場合
の結果であるが、膜厚方向に組成を変化させることによ
り、より特性の優れた膜が得られる。
の結果であるが、膜厚方向に組成を変化させることによ
り、より特性の優れた膜が得られる。
第３図は膜厚０．２ｔＪ１ の２層構造を有する膜の、
Ｏｒ 濃度の膜厚方向の変化を示した図である。横軸は
膜厚方向における膜表面からの深さを表わし、原点は膜
の表面であり、目盛０．２μｍのところが、ｃｏ−Ｃｒ
垂直磁化膜と基板との境界である・破線８は今までに述
べた、組成が膜厚方向に一定の膜である。これに対し実
線９は、膜の平均組成は破線８の膜と同じであるが、そ
れぞれの層においてＣｒ ａ度が膜の表面に近い程少な
くなるよりに変化している膜である。このような膜に、
補助磁極励磁形垂直ヘッドで１００ＫＦＲＰＩの信号を
記録し、リング形ヘッドで再生すると、ノイズは組成が
一定の膜と同程度であるが、信号出力は２ｄＥ高くなっ
た。すなわち、多層構造の膜において、各層の組成を膜
厚方向に変化させることにより、変化しない膜に比べ、
Ｓ／Ｎ−ｉ高くすることができる。更に、第３図の実線
９に列して、第４図の実線１ＱのようにＣｒ濃度を変化
させることにより、上記と同様の記録再生をすると、前
者の分布を４１する膜に対してノイズは同じであるが、
信号出力は１．５ｄＢ 高くなった。すなわち、第４図
に示す々［１く、となり合う層の膜厚方向における組成
分布を逆にすることにより、非常に優れたＳ／Ｎが得ら
れる。
Ｏｒ 濃度の膜厚方向の変化を示した図である。横軸は
膜厚方向における膜表面からの深さを表わし、原点は膜
の表面であり、目盛０．２μｍのところが、ｃｏ−Ｃｒ
垂直磁化膜と基板との境界である・破線８は今までに述
べた、組成が膜厚方向に一定の膜である。これに対し実
線９は、膜の平均組成は破線８の膜と同じであるが、そ
れぞれの層においてＣｒ ａ度が膜の表面に近い程少な
くなるよりに変化している膜である。このような膜に、
補助磁極励磁形垂直ヘッドで１００ＫＦＲＰＩの信号を
記録し、リング形ヘッドで再生すると、ノイズは組成が
一定の膜と同程度であるが、信号出力は２ｄＥ高くなっ
た。すなわち、多層構造の膜において、各層の組成を膜
厚方向に変化させることにより、変化しない膜に比べ、
Ｓ／Ｎ−ｉ高くすることができる。更に、第３図の実線
９に列して、第４図の実線１ＱのようにＣｒ濃度を変化
させることにより、上記と同様の記録再生をすると、前
者の分布を４１する膜に対してノイズは同じであるが、
信号出力は１．５ｄＢ 高くなった。すなわち、第４図
に示す々［１く、となり合う層の膜厚方向における組成
分布を逆にすることにより、非常に優れたＳ／Ｎが得ら
れる。
なお以上においては、非磁性基板上にＣｏ −Ｃｒ垂直
磁化膜を直接形成した場合の実験結果について述べたが
、非磁性基板とＧｏ −Ｃｒ垂直磁化膜との間にパーマ
ロイ等の軟磁性層を有する膜につい ′ても同様のこと
が言える。すなわちこの場合にも、Ｇｏ−Ｃｒ層を多層
構造にすることにより、単層構造の場合に比べ優れたＳ
／Ｎが得られる。
磁化膜を直接形成した場合の実験結果について述べたが
、非磁性基板とＧｏ −Ｃｒ垂直磁化膜との間にパーマ
ロイ等の軟磁性層を有する膜につい ′ても同様のこと
が言える。すなわちこの場合にも、Ｇｏ−Ｃｒ層を多層
構造にすることにより、単層構造の場合に比べ優れたＳ
／Ｎが得られる。
以上の如く本発明はＧｏ−Ｃｒ垂直磁化膜において、膜
を多層構造にすることに」＝す、記録再生特性の優れた
媒体が得られる効果がある。
を多層構造にすることに」＝す、記録再生特性の優れた
媒体が得られる効果がある。
第１図はノイズの相対値とＣｏ−０ｒ垂直磁化膜の膜厚
との関係を示す図、第２図（ａ） 、 （ｂ） 、 （
Ｃ）は垂直磁化膜の多層構造を示す図、第３図、第４図
はそれぞれ垂直磁化膜の膜厚方向における組成分布を示
す図である。 ４・・・・・・基板、５．６．７・・・・・・垂直磁化
膜。 代理人の氏名 ノτ・埋土 中 尾 敏 男 ほか１８
謄 厚（メ町 第２図
との関係を示す図、第２図（ａ） 、 （ｂ） 、 （
Ｃ）は垂直磁化膜の多層構造を示す図、第３図、第４図
はそれぞれ垂直磁化膜の膜厚方向における組成分布を示
す図である。 ４・・・・・・基板、５．６．７・・・・・・垂直磁化
膜。 代理人の氏名 ノτ・埋土 中 尾 敏 男 ほか１８
謄 厚（メ町 第２図
Claims (3)
- （１）基板上に膜面に垂直方向に磁化容易軸を有するＣ
ＯとＯｒを主成分とする磁性層が形成され、かつ上記磁
性層が多層構造を有することを特徴とする垂直記録用磁
気記録媒体。 - （２）磁性層の各層の組成が膜厚方向に変化しているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の垂直記録用
磁気記録媒体。 - （３） となり合う磁性層の膜厚方向における組成分
布が逆になっていることを特徴とする特許ｉｉ１’ｌ求
の範囲第２項記載の垂直記録用磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57130670A JPS5922221A (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | 垂直記録用磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57130670A JPS5922221A (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | 垂直記録用磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5922221A true JPS5922221A (ja) | 1984-02-04 |
| JPH0357535B2 JPH0357535B2 (ja) | 1991-09-02 |
Family
ID=15039803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57130670A Granted JPS5922221A (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | 垂直記録用磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5922221A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4847161A (en) * | 1986-12-19 | 1989-07-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Magnetically anisotropic recording medium |
| JPH0249215A (ja) * | 1988-05-27 | 1990-02-19 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1982
- 1982-07-26 JP JP57130670A patent/JPS5922221A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4847161A (en) * | 1986-12-19 | 1989-07-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Magnetically anisotropic recording medium |
| JPH0249215A (ja) * | 1988-05-27 | 1990-02-19 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0357535B2 (ja) | 1991-09-02 |
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