JPS5911634A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS5911634A JPS5911634A JP11980482A JP11980482A JPS5911634A JP S5911634 A JPS5911634 A JP S5911634A JP 11980482 A JP11980482 A JP 11980482A JP 11980482 A JP11980482 A JP 11980482A JP S5911634 A JPS5911634 A JP S5911634A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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-
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレジンパッケージ型半導体装置の製造方法に関
する。
する。
半導体装置のパッケージの一形態として、レジンパッケ
ージで主要部を封止する構造が一般に知られ又いる。こ
のレジンパッケージ型半導体装置の製造におい又は、素
子取付部に素子を取り付け、素子の電極と素子取付部の
周縁に内端を臨ませるリードの内端をワイヤで接続した
リードフレームを、下型と上型とからなるモールド型に
挾み込み、下型に設けたゲートからキャピテイに溶融し
たレジンな圧入してキャビティに充満させ、この状態で
キュアを行なっ℃レジンを硬化させ、その後にモールド
型を開くことによって封止(パッケージング)を行なっ
ている。
ージで主要部を封止する構造が一般に知られ又いる。こ
のレジンパッケージ型半導体装置の製造におい又は、素
子取付部に素子を取り付け、素子の電極と素子取付部の
周縁に内端を臨ませるリードの内端をワイヤで接続した
リードフレームを、下型と上型とからなるモールド型に
挾み込み、下型に設けたゲートからキャピテイに溶融し
たレジンな圧入してキャビティに充満させ、この状態で
キュアを行なっ℃レジンを硬化させ、その後にモールド
型を開くことによって封止(パッケージング)を行なっ
ている。
ところで、前記ゲートから溶融したレジンがキャビティ
内に流れ込むと、このレジンによっ℃キャピテイ内の空
気はゲートとは反対の位置に設けられ又いるエアベン・
トから抜は出る。レジンの流入と空気の抜けが対応すれ
ばよい訳であるが、キャビティ内には多数のリード等が
延在していることもあっ又、レジンの流れが乱れてしま
い、レジン中に空気を巻き込んでしまい、レジン硬化後
にリード界面およびレジン中に気泡(ボトド)が発生し
たり、レジンパッケージの外周面に気泡残留付着による
窪みが発生する。
内に流れ込むと、このレジンによっ℃キャピテイ内の空
気はゲートとは反対の位置に設けられ又いるエアベン・
トから抜は出る。レジンの流入と空気の抜けが対応すれ
ばよい訳であるが、キャビティ内には多数のリード等が
延在していることもあっ又、レジンの流れが乱れてしま
い、レジン中に空気を巻き込んでしまい、レジン硬化後
にリード界面およびレジン中に気泡(ボトド)が発生し
たり、レジンパッケージの外周面に気泡残留付着による
窪みが発生する。
これらのボイドあるいは窪みはいずれもレジンパッケー
ジの厚さが2〜3m+nと薄いこともあっ℃、耐湿性の
低下の原因となり、また外観性も低下する。
ジの厚さが2〜3m+nと薄いこともあっ℃、耐湿性の
低下の原因となり、また外観性も低下する。
ところで、本発明者はこれらボイドおよび窪みの発生率
はゲートとゲートに最初に臨むリード側面との間隔に表
有することを繰返し行なう各種の実験によって知見した
。すなわち、第1図は実験によっ℃得た界面ボイドおよ
びレジン中ボイドならびにレジン外面窪みの発生率特性
を示すグラフである。ここでレジン中ボイドおよび窪み
は蛇の目状となり、かつ相互に近似l−だ発生率特性を
示すことからスネークアイと呼ぶことにする。このグラ
フは縦軸に界面ボイドおよびスネークアイの発生率を、
横軸にゲートと最初のリードの側面との距離lをとった
ものであるが、界面ボイド曲線Aはeがtmmを越えた
場合では発生せず、lが1mmよりも小さくなるにつれ
て徐々に発生率が高くなる傾向を示す。また、スネーク
アイ曲線Bはlが1 mm以下の場合は発生しないが、
lが1111mを越え1大きくなるにつれ℃徐々に増大
する傾向を示している。
はゲートとゲートに最初に臨むリード側面との間隔に表
有することを繰返し行なう各種の実験によって知見した
。すなわち、第1図は実験によっ℃得た界面ボイドおよ
びレジン中ボイドならびにレジン外面窪みの発生率特性
を示すグラフである。ここでレジン中ボイドおよび窪み
は蛇の目状となり、かつ相互に近似l−だ発生率特性を
示すことからスネークアイと呼ぶことにする。このグラ
フは縦軸に界面ボイドおよびスネークアイの発生率を、
横軸にゲートと最初のリードの側面との距離lをとった
ものであるが、界面ボイド曲線Aはeがtmmを越えた
場合では発生せず、lが1mmよりも小さくなるにつれ
て徐々に発生率が高くなる傾向を示す。また、スネーク
アイ曲線Bはlが1 mm以下の場合は発生しないが、
lが1111mを越え1大きくなるにつれ℃徐々に増大
する傾向を示している。
この点をさらに検討してみたところ、ゲートとそのゲー
ト幅に対向する最初のリードの側面との間隔に不均一も
一つの要因となつ又いることが明らかにされた。
ト幅に対向する最初のリードの側面との間隔に不均一も
一つの要因となつ又いることが明らかにされた。
そこで、本発明者はこれらのデータからし1、ゲートと
そのゲート幅に対向する最初のリードの側面との間隔を
等距離に設定することを思い立ち本発明を成した。
そのゲート幅に対向する最初のリードの側面との間隔を
等距離に設定することを思い立ち本発明を成した。
したがって、本発明の目的は界面ボイドやスネークアイ
が殆ど発生しない耐湿性が優れ外観性の良好な半導体装
置の製造方法を提供することにある。
が殆ど発生しない耐湿性が優れ外観性の良好な半導体装
置の製造方法を提供することにある。
このような目的を達成するために本発明は、素子取付部
に素子を固足するとともに、この素子取付部の周縁に臨
むリード内端と素子の電極とをワイヤで接続したリード
フレームをモールド型に挾み込み、モールド型枠のゲー
トから溶融レジンを圧入して素子およびリード内端部を
モールドする半導体装置の製造方法におい罠、前記ゲー
トの位置をそのゲートに最初に臨むリードの側面部分と
し、かつ少なくともゲートとそのゲート幅に対向するリ
ード側面との間隔を等距離としたものであって、以下実
施例により本発明を説明する。
に素子を固足するとともに、この素子取付部の周縁に臨
むリード内端と素子の電極とをワイヤで接続したリード
フレームをモールド型に挾み込み、モールド型枠のゲー
トから溶融レジンを圧入して素子およびリード内端部を
モールドする半導体装置の製造方法におい罠、前記ゲー
トの位置をそのゲートに最初に臨むリードの側面部分と
し、かつ少なくともゲートとそのゲート幅に対向するリ
ード側面との間隔を等距離としたものであって、以下実
施例により本発明を説明する。
第2図は本発明の一実施例によるレジンパッケージ型半
導体装置の製造方法を示す平面図、第3図は同じくレジ
ンモールド状態を示す一部の断面図、第4図は完成品で
ある半導体装置を示す正面図である。
導体装置の製造方法を示す平面図、第3図は同じくレジ
ンモールド状態を示す一部の断面図、第4図は完成品で
ある半導体装置を示す正面図である。
この実施例にあっ又は、あらかじめリードフレームの形
状寸法を従来の場合と異るようにし℃おく。すなわち、
リードフレーム1は一般に金属薄板を打ち抜いて所望パ
ターンに形成するが、そのパターンの如何を問わず、こ
れらリードフレーム1は第2図でも示すように、素子2
を取り付ける素子取付部(タブ)3、この素子取付部3
に向かつ工内端を延在させる複数のり一部4、レジンモ
ールド時に圧入される溶融レジンの流出を防止する役割
を果すダム片5、前記素子取付部3を支持するタブリー
ド6、前記各部を支持する枠部7とからなっている。ま
た、リード4はダム片5を隔てて内側をインナーリード
8、外側をアウターリード9と称している。インナーリ
ード8の殆どは後述するレジンモールドによるレジンパ
ッケージで被われ、アウターリード9はレジンパッケー
ジから突出し、製品の電極端子となる。また、レジンモ
ールドにあっ工は、溶融したレジンは第2図 ゛
および第3図の矢印10で示すように、リードフV−A
l(F)一部の枠部7に臨むモールド型11のゲート1
2から圧入される。モールド型11は上。
状寸法を従来の場合と異るようにし℃おく。すなわち、
リードフレーム1は一般に金属薄板を打ち抜いて所望パ
ターンに形成するが、そのパターンの如何を問わず、こ
れらリードフレーム1は第2図でも示すように、素子2
を取り付ける素子取付部(タブ)3、この素子取付部3
に向かつ工内端を延在させる複数のり一部4、レジンモ
ールド時に圧入される溶融レジンの流出を防止する役割
を果すダム片5、前記素子取付部3を支持するタブリー
ド6、前記各部を支持する枠部7とからなっている。ま
た、リード4はダム片5を隔てて内側をインナーリード
8、外側をアウターリード9と称している。インナーリ
ード8の殆どは後述するレジンモールドによるレジンパ
ッケージで被われ、アウターリード9はレジンパッケー
ジから突出し、製品の電極端子となる。また、レジンモ
ールドにあっ工は、溶融したレジンは第2図 ゛
および第3図の矢印10で示すように、リードフV−A
l(F)一部の枠部7に臨むモールド型11のゲート1
2から圧入される。モールド型11は上。
型13と下型14とからなり、下型14に設けられたゲ
ート溝15とリードフレーム10枠部7とによっ又ゲー
ト12を形作るとともに、上型13と下型14とによっ
℃レジンを圧入する空間(キャビティ)16を形作る。
ート溝15とリードフレーム10枠部7とによっ又ゲー
ト12を形作るとともに、上型13と下型14とによっ
℃レジンを圧入する空間(キャビティ)16を形作る。
そこで、この実施例ではゲート12の先端、すなわちゲ
ート溝15が重なるリードフレーム1の枠部7部分の内
周面と、ゲート12に最初に臨むリード(ゲート対面リ
ード17)の側面との間隔lの長さを、第1図で示すグ
ラフにおいて示されルヨウに、レジンモールド時に界面
ボイド、スネークアイが発生しない長さ、すなわち1m
mとする。
ート溝15が重なるリードフレーム1の枠部7部分の内
周面と、ゲート12に最初に臨むリード(ゲート対面リ
ード17)の側面との間隔lの長さを、第1図で示すグ
ラフにおいて示されルヨウに、レジンモールド時に界面
ボイド、スネークアイが発生しない長さ、すなわち1m
mとする。
このため、ゲート対面リード17のゲート対面部18は
リードフレーム1の枠部71C向かつて突出しかつその
線は枠部7の内周面に平行に延在し℃いる。
リードフレーム1の枠部71C向かつて突出しかつその
線は枠部7の内周面に平行に延在し℃いる。
このようなリードフレーム1を用いて半導体装置を製造
するには、第1図に示すように、素子取付部3に素子(
ベレット)2を固定するとともに、この素子2の電極と
これに対石するリード4の内端とをワイヤ19で接続す
る。その後、第3図で示すように、このリードフレーム
1をモールド型11に挾み込んだ後、ゲート12からキ
ャビティ16内に溶融レジン20を圧入した後、キエア
し又溶融レジン20を硬化させる。つぎに、モールド型
11からリードフレーム1を取り出し℃不要なダム片5
.枠部7を切断除去し、レジンパッケージ21から突出
するリード4(アウターリード9)を折り曲げて第4図
に示すような半導体装置22を製造する〇 このような実施例によれば、レジンモールド時に空気の
押し出しが充分に行なえるため、完成品となった状態で
のレジンパッケージ21には界面ボイドおよびスネーク
アイは発生しない。したがって、耐湿性が向上するとと
もに、レジンパッケージ21の表面に窪みもないことか
ら外観不良品となることもなくなり、歩留も向上する。
するには、第1図に示すように、素子取付部3に素子(
ベレット)2を固定するとともに、この素子2の電極と
これに対石するリード4の内端とをワイヤ19で接続す
る。その後、第3図で示すように、このリードフレーム
1をモールド型11に挾み込んだ後、ゲート12からキ
ャビティ16内に溶融レジン20を圧入した後、キエア
し又溶融レジン20を硬化させる。つぎに、モールド型
11からリードフレーム1を取り出し℃不要なダム片5
.枠部7を切断除去し、レジンパッケージ21から突出
するリード4(アウターリード9)を折り曲げて第4図
に示すような半導体装置22を製造する〇 このような実施例によれば、レジンモールド時に空気の
押し出しが充分に行なえるため、完成品となった状態で
のレジンパッケージ21には界面ボイドおよびスネーク
アイは発生しない。したがって、耐湿性が向上するとと
もに、レジンパッケージ21の表面に窪みもないことか
ら外観不良品となることもなくなり、歩留も向上する。
なお、本発明は前記実施例に限定されない。たとえば、
リードは十文字状に4方向に延在する構造でもよい、 以上のように、本発明によれば、界面ボイドやスネーク
アイが殆ど発生しないことから耐湿性が優れ、外観性が
良好な半導体装置を製造することができるため、歩留向
上によるコスト低減が図れる。
リードは十文字状に4方向に延在する構造でもよい、 以上のように、本発明によれば、界面ボイドやスネーク
アイが殆ど発生しないことから耐湿性が優れ、外観性が
良好な半導体装置を製造することができるため、歩留向
上によるコスト低減が図れる。
第1図は界面ボイドおよびスネークアイの発生率を示す
グラフ、 第2図は本発明の一実施例による半導体装置の製造方法
を示す平面図、 第3図は同じくモールド状態の一部を示す断面図そし工
、 第4図は完成品である半導体装置の正面図である。 1・・・リードフレーム、2・・・素子、4・・・リー
ド、7・・・枠部、11・・・モールド型、12・・・
ゲート、15・・・ゲ−)溝、16・・・キャビティ、
17・・・ケート対面リード、18・・・ゲート対面部
、19・・・ワイヤ、20・・・溶融レジン、21・・
・レジンパッケージ、22・・・半導体装置。 代理人 弁理士 薄 1)利 !゛1第 1 図 聞1南ア(次1ルン 第 2 図 第 3 図 第 4 図
グラフ、 第2図は本発明の一実施例による半導体装置の製造方法
を示す平面図、 第3図は同じくモールド状態の一部を示す断面図そし工
、 第4図は完成品である半導体装置の正面図である。 1・・・リードフレーム、2・・・素子、4・・・リー
ド、7・・・枠部、11・・・モールド型、12・・・
ゲート、15・・・ゲ−)溝、16・・・キャビティ、
17・・・ケート対面リード、18・・・ゲート対面部
、19・・・ワイヤ、20・・・溶融レジン、21・・
・レジンパッケージ、22・・・半導体装置。 代理人 弁理士 薄 1)利 !゛1第 1 図 聞1南ア(次1ルン 第 2 図 第 3 図 第 4 図
Claims (1)
- 1、 素子取付部に素子を固定するとともに、この素子
取付部の周縁に臨むリード内端と素子の電極とをワイヤ
で一統した、リードフレームをモールド型に挾み、モー
ルド型枠のゲートから溶融レジンを圧入して素子および
リード内端部をモールドする半導体装置の製造方法にお
いて、前記ゲートの位置をそのゲートに最初に臨むリー
ドの側面部分とし、かつ少なくともゲートとそのゲート
幅との間隔を1111[11としてレジンモールドを対
向するリード側面との間隔は等距離にあることを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11980482A JPS5911634A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11980482A JPS5911634A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5911634A true JPS5911634A (ja) | 1984-01-21 |
Family
ID=14770630
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11980482A Pending JPS5911634A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5911634A (ja) |
-
1982
- 1982-07-12 JP JP11980482A patent/JPS5911634A/ja active Pending
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