JPS59115588A - 立体配線形成方法 - Google Patents

立体配線形成方法

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Publication number
JPS59115588A
JPS59115588A JP22554682A JP22554682A JPS59115588A JP S59115588 A JPS59115588 A JP S59115588A JP 22554682 A JP22554682 A JP 22554682A JP 22554682 A JP22554682 A JP 22554682A JP S59115588 A JPS59115588 A JP S59115588A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
forming
insulating layer
hole
glass
low
Prior art date
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Pending
Application number
JP22554682A
Other languages
English (en)
Inventor
工 鈴木
小山 正孝
東夫 反町
清 佐藤
力武 恭一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS59115588A publication Critical patent/JPS59115588A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明はサーマルプリンタのサーマルヘッド等に用いら
れる立体配線の形成方法の改良に関するものである。
従来技術と問題点 この種の立体配線の形成方法として、従来法の各種の方
法が採用されている。
(a)  薄膜を用いたフォトリソグラフ法(b)  
厚膜印刷法 (C)  テープキャリアボンディング法(d)  チ
ップ搭載法 しかしながら、これらの従来の方法には次のような欠点
があった。
すなわち、(a)の場合は上下導体間に介在する絶絶層
の信頼性が低くかつスルーホールでのコンタクト(通常
蒸着法)不良が発生し易く、(b)の場合は上部導体間
隔を狭くできないためサーマルヘッド等の適用対象が大
型化し、(e) 、 (d)の場合はボンディング点数
が多くかつ導体間隔を狭くできないため適用対称が大型
化する。
発明の目的 本発明は上述の欠点を解決するためのもので、ボンディ
ングを必要とせずに完全な立体配線を形成することがで
き、しかも・適用対象の小型化を実現できる立体配線の
形成方法を提供することを目的としている。
発明の構成 本発明では、上述の目的を達成するため、上下導体間に
介在させる絶縁層を低融点ガラスで構成するとともに該
絶縁層にエツチングによシスルーホールを形成し、その
後低融点ガラスの融点付近まで加熱して絶縁層を軟化さ
せて絶縁層形成時に生ずるピンホールを埋め、最後に絶
縁層の上に上部導体を下部導体とスルーホールを介し接
続させて形成するようになっている。
発明の実施例 以下、図面に関連して本発明の詳細な説明する。
立体配線の形成に際しては、まず第1図に示すように、
基板1の表面に下部導体2を形成する。
次に第2図に示すように、この上全面にスクリーン印刷
により低融点ガラスの絶縁層3tl−形成した後、この
上全面に第3図に示すようにスルーホール形成用パター
ン4をフォトリソグラフ法により形成する。5はスルー
ホール形成用の穴であるが、この工程では、目的とする
穴5の他にピンホール6が発生する。
次に第4図に示すように、パターン4をマスクとしてエ
ツチングを行って穴50部分に下部導体2に達するスル
ーホール7を形成するが、この工程ではピンホール6も
下部導体2に達するまで成長する。
次に第5図に示すようにパターン4を除去した後、絶縁
層4を形成する低融点ガラスの融点付近まで加熱して該
低融点ガラスを徐々に軟化させると、第6図に示すよう
にスルーホール7は円錐状に変形する。この場合、スル
ーホール7に比較して非常に小さいピンホール6は埋ま
る。
最後に、第7図に示すようにこの上に上部導体8を形成
して立体配線が構成される。
発明の効果 以上述べたように、本発明によれば、次のような各種の
優れた効果を奏することが可能である。
(1)絶縁層を低融点ガラスよシ形成し、該低融点ガラ
スを軟化させることにより該絶縁層に生じたピンホール
を埋めるようになっているため、絶縁層の信頼性を向上
させて完全な立体配線を形成することが可能である。
(2)  スルーホールのピッチを狭くすることができ
、適用対象を小型化することが可能である。
(3)  ボンディングを必要としないため、作業の容
易化と信頼性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第一図乃至第7図は本発明に係る立体配線形成方法の実
施例を作業順に示した工程図で、図中、1は基板、2は
下部導体、3は低融点ガラスの絶縁層、4はスルーホー
ル形成用ノくターン、5はスルーホール形成用穴、6は
ピンホール、7はスル−ホール、8は上部導体である。 特許出願人 富士通株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板上に下部導体を形成した後、その上全面に低融点ガ
    ラスによシ絶縁層を形成し、次にその上にスルーホール
    形成用パターンを形成し該パターンをマスクとしてエツ
    チングを行って前記絶縁層にスルーホールを形成し、次
    に前記パターンを除去した後、前記低融点ガラスの融点
    付近まで加熱して該低融点ガラスを軟化させ、最後にそ
    の上に上部導体を形成することを特徴とする立体配線形
    成方法。
JP22554682A 1982-12-22 1982-12-22 立体配線形成方法 Pending JPS59115588A (ja)

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JPS59115588A true JPS59115588A (ja) 1984-07-04

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06310865A (ja) * 1992-12-28 1994-11-04 Internatl Business Mach Corp <Ibm> プリント配線板およびその製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06310865A (ja) * 1992-12-28 1994-11-04 Internatl Business Mach Corp <Ibm> プリント配線板およびその製造方法

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