JPS5911292A - 記録媒体 - Google Patents
記録媒体Info
- Publication number
- JPS5911292A JPS5911292A JP57120352A JP12035282A JPS5911292A JP S5911292 A JPS5911292 A JP S5911292A JP 57120352 A JP57120352 A JP 57120352A JP 12035282 A JP12035282 A JP 12035282A JP S5911292 A JPS5911292 A JP S5911292A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- titanium
- recording
- phthalocyanine
- titanium phthalocyanine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B7/248—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes porphines; azaporphines, e.g. phthalocyanines
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光学記録媒体、更に詳細には本発明は近赤外域
に吸収を持つ半導体レーザー用記録媒体に関するもので
ある。
に吸収を持つ半導体レーザー用記録媒体に関するもので
ある。
近年半導体レーザーの発展は目ざましく、小型で安定し
たレーザー発振器が安価に入手出来るようになって来て
おシ、各種記録装置の光源として用いられ始めている◇ しかし、このような装置に用いられる場合半導体レーザ
ーの波長は比較的長波長のものに限定されている。短波
長光の発振が可能な半導体レーザーは室温発振での寿命
、出力等に問題があるからである◇ 従って、半導体レーザーを光源とする記録装置では、近
赤外域に吸収を持つ記録媒体が必要であシ比較的短波長
側に吸収を持つ記録媒化例えばｔθθｎｍ以下に吸収を
持つもの、でれ不適当である。
たレーザー発振器が安価に入手出来るようになって来て
おシ、各種記録装置の光源として用いられ始めている◇ しかし、このような装置に用いられる場合半導体レーザ
ーの波長は比較的長波長のものに限定されている。短波
長光の発振が可能な半導体レーザーは室温発振での寿命
、出力等に問題があるからである◇ 従って、半導体レーザーを光源とする記録装置では、近
赤外域に吸収を持つ記録媒体が必要であシ比較的短波長
側に吸収を持つ記録媒化例えばｔθθｎｍ以下に吸収を
持つもの、でれ不適当である。
従来この種の記録媒体としてはＴｏ、Ｒｈ、Ｂｉ等の金
属又は半金属が知られていた◇これらの薄膜にレーザー
光を照射し、照射部分に四部を形成し配録するものであ
る＠このうちＴｅ１ｊ：感度の点で比較的硬れているが
毒性に欠点があると１われている。Ｒｈ、Ｂｉ等は感度
が低く、配録するには高いパワーのレーザー光を必要と
する為。
属又は半金属が知られていた◇これらの薄膜にレーザー
光を照射し、照射部分に四部を形成し配録するものであ
る＠このうちＴｅ１ｊ：感度の点で比較的硬れているが
毒性に欠点があると１われている。Ｒｈ、Ｂｉ等は感度
が低く、配録するには高いパワーのレーザー光を必要と
する為。
半導体レーザーが短寿命化する欠点がある。
感度が高く、低いパワーのレーザー光で記録可能であシ
且つ毒性が問題とならない記録媒体としては、フルオレ
セイン、ブリリアントグリーン又は、特開昭３３−／Ａ
＃？θに示されるディスバーズ・レッド／／等の色素薄
膜が知られてぃる６しかし、これらは−１１１ｔ！５込
み可能表波長域が可視光域に限定されている点等の欠点
がある。
且つ毒性が問題とならない記録媒体としては、フルオレ
セイン、ブリリアントグリーン又は、特開昭３３−／Ａ
＃？θに示されるディスバーズ・レッド／／等の色素薄
膜が知られてぃる６しかし、これらは−１１１ｔ！５込
み可能表波長域が可視光域に限定されている点等の欠点
がある。
半導体レーザー技術が進歩するにつれ、上記の欠点を克
服する近赤外域の光に対し高感度であり、毒性か無く且
つ耐久性のある記録媒体の出現が待ち望まれていた。
服する近赤外域の光に対し高感度であり、毒性か無く且
つ耐久性のある記録媒体の出現が待ち望まれていた。
本発明は前記現状に錯みて表されたもので。
その目的は近赤外域の光に対し、実用に酎える感度を有
し、毒性が々〈月つ耐久性のある新規な配録飾体を提供
するととＫある。
し、毒性が々〈月つ耐久性のある新規な配録飾体を提供
するととＫある。
そこで本発明者らは鮒童努力した結果、このようか配録
媒体の開発に成功し、本発明に至ったのである。
媒体の開発に成功し、本発明に至ったのである。
ＩＩＩち本１ｆｌ明は基板上に記録層を設け、情報をレ
ーザー光線によυ記録し、かつ読取る光学記録媒体にお
いて、核記録層をチタニウム・フタロシアニンからｈる
有機薄膜で構成したことを！徴とする光学記録媒体に関
する。
ーザー光線によυ記録し、かつ読取る光学記録媒体にお
いて、核記録層をチタニウム・フタロシアニンからｈる
有機薄膜で構成したことを！徴とする光学記録媒体に関
する。
以下２本発明について詳述すると本発明において使用さ
れるチタニウム・フタロシアニンは加熱すると比較的長
波長竣に光吸収帯がレフトし、また、鋭い昇華性を有す
るという一般の金属フタロシアニンに々い特性を有する
。
れるチタニウム・フタロシアニンは加熱すると比較的長
波長竣に光吸収帯がレフトし、また、鋭い昇華性を有す
るという一般の金属フタロシアニンに々い特性を有する
。
チタニウム・フタロシアニンの光吸収帯が加熱すると長
波長竣にシフトする様子を第１図に示した＠即ち、パイ
レックス基板上にチタニウム・フタロシアニンを真空蒸
着しその吸収曲線を測定したところ第７図の如くな多、
最大吸収波長は７．２０ｎｍであった。この基板を熱風
乾燥機で３θθ°Ｃ１θ、ｊＨ加熱したところ、最大吸
収波長は７％ｎｍにシフトし、ざ３θｎｍ （半導体レ
ーザーの中心波長）で吸収を持つブロード外ピークが観
察された◇このことけ悄＠読みＪｆ／シ感度向上と８／
Ｎ比（信号／雑音比）の向上を達成できることに他Ａら
々い。次にチタニウム・フタロシアニンの昇華性につい
て第一図に示した。即ちチタニウム・フタロシアニンの
ＴＧ曲線（理学電機製ｃ Ｎ −ｇ０３θ）を測定する
と、第一図の如く約俊０℃から昇路によると思われる減
量が生じていた。
波長竣にシフトする様子を第１図に示した＠即ち、パイ
レックス基板上にチタニウム・フタロシアニンを真空蒸
着しその吸収曲線を測定したところ第７図の如くな多、
最大吸収波長は７．２０ｎｍであった。この基板を熱風
乾燥機で３θθ°Ｃ１θ、ｊＨ加熱したところ、最大吸
収波長は７％ｎｍにシフトし、ざ３θｎｍ （半導体レ
ーザーの中心波長）で吸収を持つブロード外ピークが観
察された◇このことけ悄＠読みＪｆ／シ感度向上と８／
Ｎ比（信号／雑音比）の向上を達成できることに他Ａら
々い。次にチタニウム・フタロシアニンの昇華性につい
て第一図に示した。即ちチタニウム・フタロシアニンの
ＴＧ曲線（理学電機製ｃ Ｎ −ｇ０３θ）を測定する
と、第一図の如く約俊０℃から昇路によると思われる減
量が生じていた。
鯛フタｐレアニンでは第２図の如く、りθθ’Ｃ付（３
） ・ 近ではこのような急激な減量は見られたかった。
） ・ 近ではこのような急激な減量は見られたかった。
このことは基板上に容易に蒸着でき、有機薄膜へのレー
ザー配録も解像度よく行うことができることを示してい
る。
ザー配録も解像度よく行うことができることを示してい
る。
したがって１本発明においてはチタニウム・フタロシア
ニンを基板上に記録層として薄膜状に設けることによシ
配録媒体としての基本的特性を達成することができる。
ニンを基板上に記録層として薄膜状に設けることによシ
配録媒体としての基本的特性を達成することができる。
本発明のチタニウム・フタロシアニンにはチタニウム・
フタロシアニン（Ｔｉｄｅ ）の他モノクロルチタニウ
ム・フタロシアニン（ＴｉｏｔＰｏ） 。
フタロシアニン（Ｔｉｄｅ ）の他モノクロルチタニウ
ム・フタロシアニン（ＴｉｏｔＰｏ） 。
ベンゼン瑣の一つをクロル化したモノクロルチタニウム
・フタロシアニン・モノクロライド（Ｔ１０ｔＰｏＯ１
）等が含まれる◎ 本発明の基板はポリメタクリレート、ポリカーボネート
、ポリエステルフィルム、テフロン勢のプラスチック類
、ガラス又は金Ｒ等よ）成るが、前二者の場合、予め表
面に金属反射層を設けｂことができる。この金属反射層
とはｄ。
・フタロシアニン・モノクロライド（Ｔ１０ｔＰｏＯ１
）等が含まれる◎ 本発明の基板はポリメタクリレート、ポリカーボネート
、ポリエステルフィルム、テフロン勢のプラスチック類
、ガラス又は金Ｒ等よ）成るが、前二者の場合、予め表
面に金属反射層を設けｂことができる。この金属反射層
とはｄ。
Ｔｉ、Ｔｏ％Ｂｉ、Ｒｈ又はムｇ製の薄膜のことであゐ
が（４ｔ） 毒性のない点、使い安さ等を考慮すればｕ＠Ｊ薄膜が好
ましい。
が（４ｔ） 毒性のない点、使い安さ等を考慮すればｕ＠Ｊ薄膜が好
ましい。
本発明において基板上にチタニウム・フタロシアニンか
ら成る有機薄膜を設ける方法としては真空蒸着法やスピ
ンコード法が採用される。
ら成る有機薄膜を設ける方法としては真空蒸着法やスピ
ンコード法が採用される。
前者の場合／θ 〜／θ トル（ｔｏｒｒ）の高真空下
でフタロシアニン化合物を４００〜５００℃に加熱する
ことＫｊル得られ、後者の場合、チタニウム・フタロシ
アニン化合物をピリジン、ジメチルホルム７ミド等の溶
媒に溶したものを用いることによりスピンコーターの回
転数を３ρθθ〜７、θ’００ ｒｐｍにして得られる
・両者には一長一短があシ簡便さの点からは後者が優れ
ているが、得られた被膜の吸光度の点からは前者の方が
優れ、容易によル大きい吸光度を持つものが得られる。
でフタロシアニン化合物を４００〜５００℃に加熱する
ことＫｊル得られ、後者の場合、チタニウム・フタロシ
アニン化合物をピリジン、ジメチルホルム７ミド等の溶
媒に溶したものを用いることによりスピンコーターの回
転数を３ρθθ〜７、θ’００ ｒｐｍにして得られる
・両者には一長一短があシ簡便さの点からは後者が優れ
ているが、得られた被膜の吸光度の点からは前者の方が
優れ、容易によル大きい吸光度を持つものが得られる。
次に本発明を実施例によシ説明するが、本発明はこれに
よシなんら限定されるものではない。
よシなんら限定されるものではない。
実施例／
チタニウム・フタロシアニン（Ｔｉｄｅ ） ヲＪ×／
ρ トルの真空下で約ｌθθ〜Ｓθθ”ＯＫ加熱しパイ
レックス（登録商標以下略）基板上に真空蒸着し九〇水
晶振動式膜厚計による真空蒸着膜厚測定結果から膜厚け
／ ／ ｊ ｎｍであシ。
ρ トルの真空下で約ｌθθ〜Ｓθθ”ＯＫ加熱しパイ
レックス（登録商標以下略）基板上に真空蒸着し九〇水
晶振動式膜厚計による真空蒸着膜厚測定結果から膜厚け
／ ／ ｊ ｎｍであシ。
ＵＶ−Ｖ工Ｓスペクトロメーター（高滓ＵＶ、２ ／θ
Ａ）を用いて畷収曲線を観察すると、最大吸収波長社７
−〇ｎｍであることが判明した◇上記記録媒体に中心波
長に３０ｒｍの半導体レーザー（日立製作新製ＥＬＦ／
４ｔｏθ）を照射した所謂元部の薄膜か昇華しビットが
形成されていることを光学顕微鏡の観察により確認した
。
Ａ）を用いて畷収曲線を観察すると、最大吸収波長社７
−〇ｎｍであることが判明した◇上記記録媒体に中心波
長に３０ｒｍの半導体レーザー（日立製作新製ＥＬＦ／
４ｔｏθ）を照射した所謂元部の薄膜か昇華しビットが
形成されていることを光学顕微鏡の観察により確認した
。
この記録媒体の半導体レーザー光に対する記録感度けＳ
θθｍＪ／讐であった。
θθｍＪ／讐であった。
実施例−
チタニウム・フタロレアニンを実施例／と同様の方法で
ポリメタ７りυレート樹脂（ＰＭＭＡ）基板上に真空蒸
着した。この膜厚を水晶振動式膜厚計で測定すると／−
１ｊｎｍであった・上記記録媒体に中心波長１．３０ｎ
ｒｎの半導体レーザー（日立製作新製ｌ３ＬＰ／４ｔ０
０）を照射した徒、露光部の薄膜が昇華しビットが形成
されていることを走査型電子顕微鏡（日立製作新製８３
／θ）の観察で確認した。この半導体レーザー光に対す
る記録感度は一〇〇酊〜であったＯ
ポリメタ７りυレート樹脂（ＰＭＭＡ）基板上に真空蒸
着した。この膜厚を水晶振動式膜厚計で測定すると／−
１ｊｎｍであった・上記記録媒体に中心波長１．３０ｎ
ｒｎの半導体レーザー（日立製作新製ｌ３ＬＰ／４ｔ０
０）を照射した徒、露光部の薄膜が昇華しビットが形成
されていることを走査型電子顕微鏡（日立製作新製８３
／θ）の観察で確認した。この半導体レーザー光に対す
る記録感度は一〇〇酊〜であったＯ
第１図は本発明の実施例／に於ける、３θθ°Ｃ加熱処
理前徒のチタニウム・フタロレアニン真空蒸着膜の吸光
度（θ〜ＪＡｂａ）と波長との関係を示したものである
。 第一図はチタニウム・フタロシアニン及ヒ銅フタ日シア
ニンのＴＧ曲線である。理学電機製Ｃトゴθにｊを用い
サンプル量／！ｑ、リファレンスＭ２Ｏ３、昇温スピー
ド／θＴ７ｍｉｎの条件下で測定したものである。 ′２θ０ 、 ４Ｉ３００ ＜１００′Ｃ
理前徒のチタニウム・フタロレアニン真空蒸着膜の吸光
度（θ〜ＪＡｂａ）と波長との関係を示したものである
。 第一図はチタニウム・フタロシアニン及ヒ銅フタ日シア
ニンのＴＧ曲線である。理学電機製Ｃトゴθにｊを用い
サンプル量／！ｑ、リファレンスＭ２Ｏ３、昇温スピー
ド／θＴ７ｍｉｎの条件下で測定したものである。 ′２θ０ 、 ４Ｉ３００ ＜１００′Ｃ
Claims (1)
- 基板上に記録層を設け、情報をレーザー光線によシ記録
し、かつ読取る光学記録媒体において、該記録層をチタ
ニウム・フタロシアニンからなる有記満膜で構成したこ
とを％整とする光学記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57120352A JPS5911292A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57120352A JPS5911292A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5911292A true JPS5911292A (ja) | 1984-01-20 |
Family
ID=14784092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57120352A Pending JPS5911292A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5911292A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1985004372A1 (en) * | 1984-03-30 | 1985-10-10 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| JPS61154888A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-14 | インペリアル・ケミカル・インダストリーズ・ピー・エル・シー | 光記録媒体 |
| JPS6322686A (ja) * | 1986-01-13 | 1988-01-30 | Toray Ind Inc | フタロシアニン／ポリマ組成物及びその製造方法 |
| US4783386A (en) * | 1987-01-12 | 1988-11-08 | Hoechst Celanese Corporation | Use of anthracyanine and phenanthracyanine chromophores in optical information media |
-
1982
- 1982-07-09 JP JP57120352A patent/JPS5911292A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1985004372A1 (en) * | 1984-03-30 | 1985-10-10 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| JPS61154888A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-14 | インペリアル・ケミカル・インダストリーズ・ピー・エル・シー | 光記録媒体 |
| JPH0453194B2 (ja) * | 1984-12-18 | 1992-08-25 | Imuperiaru Chem Ind Plc | |
| JPS6322686A (ja) * | 1986-01-13 | 1988-01-30 | Toray Ind Inc | フタロシアニン／ポリマ組成物及びその製造方法 |
| JPH0550994B2 (ja) * | 1986-01-13 | 1993-07-30 | Toray Industries | |
| US4783386A (en) * | 1987-01-12 | 1988-11-08 | Hoechst Celanese Corporation | Use of anthracyanine and phenanthracyanine chromophores in optical information media |
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