JPS59110141A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS59110141A JPS59110141A JP21991782A JP21991782A JPS59110141A JP S59110141 A JPS59110141 A JP S59110141A JP 21991782 A JP21991782 A JP 21991782A JP 21991782 A JP21991782 A JP 21991782A JP S59110141 A JPS59110141 A JP S59110141A
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- Japan
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- hole
- electrode
- inner hole
- case
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
- H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子をケース内に樹脂封止するとともに
、蓋体にて密封する半導体装置の製造方法に関する。
、蓋体にて密封する半導体装置の製造方法に関する。
一般に素子をケース内に樹脂封止する場合、外部との接
続のために素子よυ電極を取り出さなければならないが
、この電極はモールド用ケースの蓋体に設けられた孔を
介して外部へ導かれるため、電極と孔との気密性を保ち
素子が外部雰囲気による悪影響を受けないようにするこ
とが肝要である。
続のために素子よυ電極を取り出さなければならないが
、この電極はモールド用ケースの蓋体に設けられた孔を
介して外部へ導かれるため、電極と孔との気密性を保ち
素子が外部雰囲気による悪影響を受けないようにするこ
とが肝要である。
従来この気密性を保つ手段として、蓋体の電極が貫通す
る孔に外部よシ種々の封止剤を塗布した９、蓋体の裏面
に孔をとりまく凸部を設けることによシ凸部が樹脂に食
い込むようにして外部雰囲気を遮断していた。しかしな
がら前者は余分な工程を必要とするため作業性が悪く、
また両者とも電極と孔との隙間が狭いため、封止剤おる
いは樹脂が入υにくく信頼性に乏しいという欠点がらっ
だ。
る孔に外部よシ種々の封止剤を塗布した９、蓋体の裏面
に孔をとりまく凸部を設けることによシ凸部が樹脂に食
い込むようにして外部雰囲気を遮断していた。しかしな
がら前者は余分な工程を必要とするため作業性が悪く、
また両者とも電極と孔との隙間が狭いため、封止剤おる
いは樹脂が入υにくく信頼性に乏しいという欠点がらっ
だ。
本発明は上記に鑑みなされたものであシ、その要旨とす
るところは、モールド用ケースの蓋体の電極貫通部に、
外方に向かって先細υの孔を持った凸部を設け、未硬化
の樹脂に該凸部を押し込んで樹脂を孔内の上部に這い上
がらせることによシ、装置の気密性を高め素子を外部よ
シ保護した点にある。
るところは、モールド用ケースの蓋体の電極貫通部に、
外方に向かって先細υの孔を持った凸部を設け、未硬化
の樹脂に該凸部を押し込んで樹脂を孔内の上部に這い上
がらせることによシ、装置の気密性を高め素子を外部よ
シ保護した点にある。
以下に本発明の原理を、蓋体の電極貫通部に設けられ、
外方に向かって先細シの孔を有する凸部の拡大断面図を
示す第１図を参照して説明する。
外方に向かって先細シの孔を有する凸部の拡大断面図を
示す第１図を参照して説明する。
半導体素子を封止した直後の樹脂１は適度に粘性を有す
る軟化状態であるから、これに外方に向かって先細シの
孔を有する蓋体２の凸部８を押し込むと、凸部３の内孔
５は広口であるから、樹脂Ｉａは電極４に沿って比較的
容易に孔内へ侵入する。
る軟化状態であるから、これに外方に向かって先細シの
孔を有する蓋体２の凸部８を押し込むと、凸部３の内孔
５は広口であるから、樹脂Ｉａは電極４に沿って比較的
容易に孔内へ侵入する。
この時内孔５はその径が順次狭くなるように形成されて
いるため・内孔５へ侵入した樹脂１ａは樹脂ｌと空間６
との境界線Ａと、凸部３の内側先端部３ａを通る垂線Ｂ
とから囲まれる凸部の内側部分３ｂ（二点鎖線で示す）
に相応した体積分だけ高さ方向に這い上がる。したがっ
て電極４と樹脂１ａとの接触部分が大きくなり内孔５と
電極４との径の差によυ生じた隙間が樹脂１ａによシ十
分満たされ、気密が保たれる。凸部３の内孔５が広口で
ｂるだめ、樹脂１ａが容易に孔内へ侵入することも相俟
って本発明によれば装置の気密性が向上する。
いるため・内孔５へ侵入した樹脂１ａは樹脂ｌと空間６
との境界線Ａと、凸部３の内側先端部３ａを通る垂線Ｂ
とから囲まれる凸部の内側部分３ｂ（二点鎖線で示す）
に相応した体積分だけ高さ方向に這い上がる。したがっ
て電極４と樹脂１ａとの接触部分が大きくなり内孔５と
電極４との径の差によυ生じた隙間が樹脂１ａによシ十
分満たされ、気密が保たれる。凸部３の内孔５が広口で
ｂるだめ、樹脂１ａが容易に孔内へ侵入することも相俟
って本発明によれば装置の気密性が向上する。
次に本発明の一実施例を第２図に示す半導体装置の断面
図を、参照して説明する。
図を、参照して説明する。
２は電極４の貫通部としての孔７を有する蓋体でろシ、
この蓋体２の裏面には孔７をとシまく凸部８が設けられ
ておシ、孔７に連なる凸部８の内孔５はその先端から順
次狭くなるように形成されている。８は基板９に搭載さ
れ電極４が接続された半導体素子であり、素子８を囲む
ようにして枠体１０を基板に取υ付は蓋体２とともにモ
ールド用ケースを構成している。そしてこのケースに樹
脂１を充填すれば、この直後から樹脂１の硬化反応が進
行する。
この蓋体２の裏面には孔７をとシまく凸部８が設けられ
ておシ、孔７に連なる凸部８の内孔５はその先端から順
次狭くなるように形成されている。８は基板９に搭載さ
れ電極４が接続された半導体素子であり、素子８を囲む
ようにして枠体１０を基板に取υ付は蓋体２とともにモ
ールド用ケースを構成している。そしてこのケースに樹
脂１を充填すれば、この直後から樹脂１の硬化反応が進
行する。
本実施例は上記注入された樹脂が硬化する以前のまだ粘
性を有する軟化状態のとき、前記凸部８を樹脂１に押し
込むようにして、蓋体２を枠体１０に固着することによ
り凸部８の内孔５に樹脂１を侵入させ、蓋体２によるケ
ースの密制と同時に内孔５と電極４との隙間の気密をは
かっている。
性を有する軟化状態のとき、前記凸部８を樹脂１に押し
込むようにして、蓋体２を枠体１０に固着することによ
り凸部８の内孔５に樹脂１を侵入させ、蓋体２によるケ
ースの密制と同時に内孔５と電極４との隙間の気密をは
かっている。
第３図、第４図は本発明の詳細な説明するための蓋体の
凸部拡大断面図でオシ、それぞれ凸部の内孔形状が第２
図実施例に限定されないことを示している。すなわち、
第３図は凸部８の先端を鋭角とし、内孔１１に設けられ
る傾斜部を樹脂１の水平面までとした構造でアシ、第４
図は凸部３の内孔１２に設けられる傾斜部を曲線状に構
成することによシ、孔内の隙間を樹脂が侵入可能な範囲
で小さくし、その這い上がりを高め気密性を向上せんと
したものである。
凸部拡大断面図でオシ、それぞれ凸部の内孔形状が第２
図実施例に限定されないことを示している。すなわち、
第３図は凸部８の先端を鋭角とし、内孔１１に設けられ
る傾斜部を樹脂１の水平面までとした構造でアシ、第４
図は凸部３の内孔１２に設けられる傾斜部を曲線状に構
成することによシ、孔内の隙間を樹脂が侵入可能な範囲
で小さくし、その這い上がりを高め気密性を向上せんと
したものである。
第５図は本発明に係る半導体装置の一例を示す斜視図で
あり、同図では半導体素子を同一ケースに複数個収納し
ておシ、また電極４は蓋体２より突出した位置で折り曲
げられている。このように素子を複数個収納する場合に
は、蓋体２の孔７も素子の数だけ必要となり、それだけ
気密性が要求されてくるが、本発明によれば素子の保護
手段としての樹脂と、蓋体によるケースの密封と同時に
その気密手段として利用するため、孔の数とは無関係に
ばらつきのない均一な封止金しかも特別な工程を必要と
せずに行なうことが可能となる。
あり、同図では半導体素子を同一ケースに複数個収納し
ておシ、また電極４は蓋体２より突出した位置で折り曲
げられている。このように素子を複数個収納する場合に
は、蓋体２の孔７も素子の数だけ必要となり、それだけ
気密性が要求されてくるが、本発明によれば素子の保護
手段としての樹脂と、蓋体によるケースの密封と同時に
その気密手段として利用するため、孔の数とは無関係に
ばらつきのない均一な封止金しかも特別な工程を必要と
せずに行なうことが可能となる。
更にまた本発明の特徴とする凸部８の広口の内孔５は、
蓋体２を枠体１０に固着する際に電極４を外部へ導く案
内手段としての付随効果を有する。
蓋体２を枠体１０に固着する際に電極４を外部へ導く案
内手段としての付随効果を有する。
これは電極４を蓋体２よυ複数個突出する際には、作業
性の面からの効果は大きい。
性の面からの効果は大きい。
以上の説明から明らかな様に本発明によれば、電極が貫
通した蓋体孔内への樹脂の侵入を容易にしその気密性を
向上したため、外部雰囲気による影響を受けない信頼性
の高い半導体装置を容易に得ることが可能となる。
通した蓋体孔内への樹脂の侵入を容易にしその気密性を
向上したため、外部雰囲気による影響を受けない信頼性
の高い半導体装置を容易に得ることが可能となる。
第１図は本発明の詳細な説明する蓋体の凸部拡大断面図
、第２図は本発明の一実施例を説明する半導体装置の断
面図、第８図、第４図は本発明の詳細な説明するだめの
蓋体の凸部拡大断面図、第５図は本発明に係る半導体装
置の一例を示す斜視図である。 １・・・樹脂、２・・・蓋体、３・・・凸部、４・・・
電極、５・・・内孔、７・・・孔、８・・・半導体素子
、９・・・基板、１０・・・枠体。
、第２図は本発明の一実施例を説明する半導体装置の断
面図、第８図、第４図は本発明の詳細な説明するだめの
蓋体の凸部拡大断面図、第５図は本発明に係る半導体装
置の一例を示す斜視図である。 １・・・樹脂、２・・・蓋体、３・・・凸部、４・・・
電極、５・・・内孔、７・・・孔、８・・・半導体素子
、９・・・基板、１０・・・枠体。
Claims (1)
- モールド用ケースの蓋体の電極貫通部に、外方に向かっ
て先細りの孔を゛待った凸部を設け、未硬化の樹脂に該
凸部を押し込んで樹脂を孔内の上部にまで這い上がらせ
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21991782A JPS59110141A (ja) | 1982-12-15 | 1982-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21991782A JPS59110141A (ja) | 1982-12-15 | 1982-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59110141A true JPS59110141A (ja) | 1984-06-26 |
| JPS6238866B2 JPS6238866B2 (ja) | 1987-08-20 |
Family
ID=16743042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21991782A Granted JPS59110141A (ja) | 1982-12-15 | 1982-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59110141A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01296649A (ja) * | 1988-05-24 | 1989-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| US6703310B2 (en) * | 2001-06-14 | 2004-03-09 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device and method of production of same |
| WO2018207279A1 (ja) * | 2017-05-10 | 2018-11-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、及び、その製造方法、並びに、電力変換装置、及び、移動体 |
| JP2021111655A (ja) * | 2020-01-07 | 2021-08-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール |
| EP4270466A1 (en) * | 2022-04-25 | 2023-11-01 | Infineon Technologies AG | Power semiconductor module arrangements and methods for producing power semiconductor module arrangements |
-
1982
- 1982-12-15 JP JP21991782A patent/JPS59110141A/ja active Granted
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01296649A (ja) * | 1988-05-24 | 1989-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| US6703310B2 (en) * | 2001-06-14 | 2004-03-09 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device and method of production of same |
| WO2018207279A1 (ja) * | 2017-05-10 | 2018-11-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、及び、その製造方法、並びに、電力変換装置、及び、移動体 |
| JPWO2018207279A1 (ja) * | 2017-05-10 | 2019-07-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、及び、その製造方法、並びに、電力変換装置、及び、移動体 |
| CN110603638A (zh) * | 2017-05-10 | 2019-12-20 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及其制造方法、以及电力转换装置及移动体 |
| US11239124B2 (en) | 2017-05-10 | 2022-02-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device, power conversion device, and moving body |
| CN110603638B (zh) * | 2017-05-10 | 2023-04-18 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及其制造方法、以及电力转换装置及移动体 |
| JP2021111655A (ja) * | 2020-01-07 | 2021-08-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール |
| US11587841B2 (en) | 2020-01-07 | 2023-02-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor module |
| EP4270466A1 (en) * | 2022-04-25 | 2023-11-01 | Infineon Technologies AG | Power semiconductor module arrangements and methods for producing power semiconductor module arrangements |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6238866B2 (ja) | 1987-08-20 |
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