JPS59104465A - 無電流式金属析出のために感光性組成物を使用する方法 - Google Patents

無電流式金属析出のために感光性組成物を使用する方法

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JPS59104465A
JPS59104465A JP58220847A JP22084783A JPS59104465A JP S59104465 A JPS59104465 A JP S59104465A JP 58220847 A JP58220847 A JP 58220847A JP 22084783 A JP22084783 A JP 22084783A JP S59104465 A JPS59104465 A JP S59104465A
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ユルゲン・フインタ−
ヴアルタ−・フイツシヤ−
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    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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    • C08G85/00General processes for preparing compounds provided for in this subclass
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03CPHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
    • G03C5/00Photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents
    • G03C5/58Processes for obtaining metallic images by vapour deposition or physical development
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
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  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は無電流方式金属析出のために感光性組成物を使
用する方法に関し、これによって種々の写像、中でも導
電性の被覆やパターンを作り出すことができるものであ
る。
導電性被覆やパターン、特にプリント回路のためのそれ
は中でも非導電性の無機性または有機性の基材の上に無
電流式金属析出に適した零価の金属析出核を形成させる
ことにより作ることができる。いわゆるフォト形成法(
Photoformation −Verfahren
 )によればこれは、基材の上に場合により酸性媒体中
でハロゲンイオンの存在のもとに種々の金属塩、中でも
例えば蟻酸銅のような卑金属類の塩を析出させ、そして
次いで場合により化学的な還元剤の存在のもとに露光す
ることによって零価の金属析出核に還元することによっ
て行なうことかでさる。これら金属塩の還元のためには
一般に感光性の還元剤、第2の還元★す、および表面活
性剤が用いられる。感光性還元剤としては中でもアンス
ラキノンジスルホン酸およびこのもの\塩を、場合によ
り例えば錫塩のような金属活性化剤と混合して用いるこ
とができる。この場合にその基材は一般に金属の析出に
先立ってエーソチングするか、またはこれにエツチング
可能な接着媒介剤層を設けなければならない(分子内フ
ォト還元法:例えば米国特許z 3,959,547号
、および同第3.993,802号等参照、)。
従来公知のもう一つの方法によれは、非導電性の基材の
上に二酸化チタン含有感光層を形成させるか、または二
酸化チタンをその基材中に含有させる。次いでこの二酸
化チタン含有基材または二酸化チタン含有層をエツチン
グしてその1102粒子を次の処理にかけることができ
る状態にしなけれはならない。次にこのエツチングされ
た材料を所望の金属塩の溶液で処理して露光する(光電
子法)。
最後に、零価の金属析出核はまた、その非導電性基材の
上に先づ最初感光性金属塩、例えは水酸化錫(n)ま1
こは蓚酸鉄等を析出させ、露光することによって潜像ま
たは還元性の金属イオンを形成させ、そしてその上に金
属塩、一般には貴金属塩の還元によって零価の金属析出
核を作り出す(光電気化学法)。そのようにして得られ
た零価の金属核は次に公知の方法で無電流的金属析出に
よって金属化させ、そしてその導電性になって写像の部
分を場合により電解的な金属析出によって更にその厚さ
を増大させる。
更にまた、ペンヅフエノンまたはチオキサントンのよう
なアリールケトンを例えばヒドロキシル基ま1こはアル
゛キルアεノ基のような水素供与体の存在のもとに化学
線の照射によってアリールケチルラジカルに還元するこ
とも公知である。この還元された形のものはまたこれが
例えば金属塩のような他の化合物を還元することができ
る0驚くべきことに本発明者等は周期律表第1b  族
および第Vm族の金属、中でもパラジウムおよび銅のそ
のように還元さ汎た塩が重合体フィルム中に溶解した形
で無電流的な金属析出に適しており、そして良好に接着
する金属性被覆層またはパターンを与えると言うことを
見出した。
従って本発明の対象は無電流的金属析出に感光性組成物
を用い、それによって簡単に種々の写像、中で・も良好
に接着している導電性被覆層やパクーンを作り出すこと
ができるような方法である。
本発明に従い用いられる感光性組成物は(a)  0.
1ないし20重量%の、下記式■〔但しこの式において R1、R2、几、および瓜は互に独立に水素原子、ハロ
ゲン原子、Cl−20−アルキル、−OR7、−N’(
R7) 2、−8R,、’、−No2、−8o2R7’
、−COR7、−COOR7−−C0N(几、)2、C
1−4−ハロゲンアルキル、CI−,4−ヒドロキンア
ルキル、−0−CdH2d −−OCO−C(X)=C
H2、−Co−0[CH2CH(X)O:l −X、−
cc>−ocH2CH= CH2または−N(R7)(
CO−C(X)=\1 CH2Fを表わすか、またはR1とR2および/またけ
R3とR4は一緒になって−Co−0−CC)−または
−Co−N(m7.) −Co−を表jわし、R5およ
びR6はそれぞれ水素原子を表わすか、ま1こは一緒に
なって直接結合、−CH2−1−CH2CH2−1−C
I−1=CH−1−s−1−o−1−CO−゛または−
Nf(−を意味し・ R7は水素、c、−20−アルキル、C1−6−ヒドロ
キシアルキル、アリル、グロパルキル、 −CdH2d ’−oco−c<x)=cH2、フェニ
ル、アルキル基中に1ないし4個の炭素原子を有するア
ルキルフェニル、ベンジル、フェネチルまたはシクロヘ
キンルを意味し、 R7′は水素を除く以外はR7と同じ意味であり、nは
工ないし50の数であり、 dは1ないし4の数であり、 Xは水素またはメチルを意味し、 Yは−CO−または−co−co−を表わす〕の化合物
、 (b)70ないし99.8重量%の、少なくとも200
0ダルトン以上の平均分子量を有し水素供与基を含むポ
リマーか、または少なくとも2000ダルトン以上の平
均分子量を有し水素供与基を含む少なくとも1種のポリ
マー成分と少なくとも3000ダルトン以上の平均分子
量を有する少なくとも1種の等2のポリマー成分とから
なるポリマー混合物、および (c)  0.1ないし10重量%の、周期律表第1b
族または第■族の金属の1種また(才数様の塩を含み、
その際これら重量%の値は上記の(a) + (b)+
(C)の合計に対する値であって、これら成分(a)、
(b)および(c)の合計が100重量%になり、そし
て上記成分(b)は(c)の金属塩と部分的に錯化合物
を形成していてもよい。
もしR3・几2、R3、几。、R7またはR7′が1な
いし20個の炭素原子を含むアルキル基を表わす場合に
は、これらは直鎖状または分岐鎖状の基であることがで
き、例えばメチル、エチル、n−プロピル、イングロビ
ル、n−ブチル、5ec−ブチル、tert−ブチル、
 n−ペンチル、2−または3−ペンチル、n−ヘキシ
ル、2−エチルヘキシル、n−ヘプチル、2−または3
−ヘプチル、n−オクチル、1,1,3.3−テトラメ
チルブチル、n−ノニル、n−デシル、2−デシル、n
−ドデシル、n−テトラデシル、n−ヘキサデシル、n
−オクタデシル、トリデカ−7−イル、ヘプタデカ−9
−イル、2 、6.10−トリメチルドデシル、および
2.6.10,14−テトラメチルヘキサデシル等であ
る。
好才しく 61アルキル基R1ないしR4、R7および
R7/は1ないし10個の炭素原子を有しているのかよ
い。アルキル基部ないし馬としては1ないし4個の炭素
原子を有するもの、また中でもメチル基まfこはエチル
基が特に好ましい。
基R1ないしR4かハロケン原子を意味するか、または
これらの基かハロゲン原子で置換されている場合に、こ
れは弗素原子、そして中でも塩素原子ま1こは臭素原子
である。
ハロゲンアルキル基であるR1ないしR4の例としては
、−CCt3、−CBr3、−CF3、−C)(,2C
H2Ct。
−CH2CH2B r、−(CH2)3Ct、および−
C82C)l(CA)CI−(2CT(3があげられる
RユないしR4或いは几〆FL7′かヒトロキシアルキ
ル基であるときは、これらは例えばヒドロキシメチル基
、2−ヒドロキシエチル基、2−または3−ヒドロキシ
エチル基、4−ヒドロキシブチル基、5−ヒドロキシペ
ンチル基、または2−ヒドロキシヘキシル基である。n
は好ましくは工ないし1゜の数、中でも工ないし4の数
である。
もしR1ないしR4が−CdH2d−COOHを意味す
るか、またはR7/ R7’が−CdH2d−OCO−
C(X)=CF(2またはアルキルフェニル基を意味す
る場合には、これらの基の中の−cdH,,d−または
アルキル基は直鎖状であっても、または分岐鎖状であっ
ても工い。好ましくはこれらの基は直鎖状であるのがよ
い。アルキルフェニル基としては中でもそのアルキル基
中に1ないし2個の炭素原子を有する基例えばメチル基
およびエチル基があげられる。もし現またはR7’がが
フェニルエチルを表わす場合には、これは中でも2−フ
ェニルエチル基であるのがよい。
好ましくは、式lにおいて R3および瓜 が水素であり%RIがハロゲン原子、特
に塩素または臭素C1−4−アルキル、−8R,’、−
COOH7、−CON (R7) 2、工ないし2個の
炭素原子を含むクロロアルキルまたはブロモアルキル、
−Co−0−rcH2CH(X)O)2−X  または
7CO−0−CH2CH−CH2であり、\1 R2は水素、C1−4−アルキル、01−3−アルコキ
ン、−COOR7、フェニルスルホニル、−No2、−
0rCH2CH(X)味X 、 −Co−OrcH2c
H(X)O)、−XまR1とR2とは互にオルソの位置
において結合されており、そして−緒になって−co−
o−co−または−Co−N(R7’) Co−の基を
表わし、R3およびR6にそれぞれ水素であるか、また
は−緒になって−CH2−1−s−5−o−1−CO−
1または−NH−を表わし、 R7はCI−/。−アルキル、C1−4−ヒドロキシア
ルキル、C1−4−アルキル−0CO−C(X)2= 
CH,z、シクロヘキシルまたはアリルを表わし、 幅′は水素を除く以外はR7と同じ意味であり、nは1
ないし10の数を表わし、 Yは−CO−であり、そして 交が水素またはメチルを意味する ような化合物を使用するのがよい。
中でも、式IにおいてR2が2−位置に結合していて、
−Co−C1−6−アルキル、中でも−Coo−n−ブ
チよび几。は水素であり、R6とFL6とが一緒になっ
て−CO−を表わし、そしてYが一〇〇−であるような
化合物を4ないし7重量%、そして成分(b)を87な
いし93重量%、および成分(c)を3ないし6重量%
含んでいる配合物を用いるのが特に好ましい。
更にもう一つの好ましい態様に従えば、式■においてR
3とR4とが水素であり、R1とR2とは1−12−1
および/または3−位置に結合しており、そしてR1は
−COO−C1−6−アルキルであってR2が水素、フ
ェニルスルホニルまたは−NO2を意味するか、または
R1とR2とがそれぞれ3−および4−位置に結合して
いてそれぞれ−COO−Ct−6−アルキルまたはnが
2または3である一COO−(CH2CH20)n−C
H3を意味するか、或は−緒になって一〇〇−N(几、
)−co−を表わし、その際R7はC2−8−アルキル
またはア・リルであって、R6とR6とは一緒になって
−8−を、そしてYは−CO−を意味するような化合物
を4ないし7重量%、そして成分(b)を87ないし9
3重量%および成分−(c)を3ないし6重量%の量で
含んでいるような感光性組成物、中でも式■においてR
1が1−位置に結合していてこ詐が−C0−C,6−ア
ルキル、特に−COO−n−ブチルを意味し、R2が3
−位置に結合していて水素−NO2またはフェニルスル
ホニ/L4表わすか、またはR1とR2とがそれぞれ3
−および4−位置に結合していてそれぞれ−coo−c
、−6−アルキルまたは−COO−(CH2CH20)
2 CHs  を表わすか、または−緒になって−CO
−N(C2−a−アルキル)−co−を意味し、R3と
へとは水素であり、R5とR6とは一緒になって−8−
を表わし、そしてYが−Co−を意  味するような化
合物を4ないし7重量%、成分(b)を87ないし93
重量%、および成分(C)を3ないし6重量%の量で含
んでいるような感光性組成物が使用される。
上記式■の化合物は公知であるか、または公知の方法で
製造することができる。式Jのチオキサントンおよびキ
サントンは例えばドイツ特許出願公開331.1756
8(Al)号公報に記述されている方法と同様にして得
ることができる。
水素供与基を有する前記のように定義さnた重合物とし
ては中でもヒドロキシル基、NH基、N−’アルキル基
、特にN(CH3) 2基を有する重合物があげられ、
これらは例えばゼラチンまたは部分鹸化されたセルロー
ズエステル類、例えば酢酸セルローズ等である。水素供
与基を有する重合物としては更に、種々の重合生成物、
重縮合物および重付加物を使用することができる。これ
らの重合生成−物としては中でも下記式■ 〔但し上式において Zは水素、塩素またはメチル基を表わし、zlは水素、
塩素、メチル基、−0H1−CN 、 −COOHl−
CONF(2、フェニル、メチルフェニル、メトキシフ
ェニル、シクロへキセニル、イミダゾリル、ピロリドニ
ル、アルキル基中に1ないし12個の炭素原子を含む−
000−アルキル、−000−フェニル、−COOCH
2−CH−CH2、アルキ\1 レン基中に2ないし12個の炭素原子を含む−coo−
アルキレンー〇H′、pが徳ないし4である一COO−
(CH2CH20)p−Hまたは−COOCCH2CH
CCH3)OヤH、アルキル基中に1ないし4個の炭素
原子を含む一0CO−アルキル、−0CO−フェニル、
アルキル基中に1ないし4個の炭素原子を含む一〇〇−
アルキル、c、−12−アルコキシ、フェノキシ、ヒド
ロキシメチルフェニル、=coNH−c 、 −、−ア
ルキレン−OH。
−COO−C+ −4−アルキレン−N(Q’)(Q”
)またはXが2ないし5である一〇〇〇(CH2)X−
OHを表わし、Q′は水素またはC1−3−アルキルを
、そして976士01−5−アルキルを表わし、その際
Z、はこの式Hの構造要素の少なくとも20%以上にお
いて一0H1−COO−C,、−12−7/L/ キー
/ :/ −OH。
−Coo(CH2CH20)−Hl−CoOCCH2C
H(CHs )OrH1Xが2ないし5である−000
(CH2)、−OH、ヒドロキシメチルフェニル、−C
ONH−C、+ 、−アルキレン−OHまたは一〇〇〇
−C+−じアルキレン−N(Q’)(Q“)を意味する
〕 の同一または異った構造要素よりなる重合物かあけられ
る。
この場合にそれらが共重合物であるときはその各人った
構造要素は統計学的な分布またはブロック状配置(ブロ
ック共重合物またはグラフト共重合物)で存在している
ことができる。
アルコキシ基Z1およびこの基Z1中のアルキル基また
はアルキレン基は直鎖状であっても分岐鎖状であっても
よい。
Zlが定義に従って−coo−アルキル、−coo−ア
ルキレン−OH、−Coo(CH2CH,,0)−H、
−COO[CH2CH(CH3)O]  H1−OCO
−アルキル、−CQ−アルキル、アルコキシ、−CON
H−CH−4−アルキレ:/ −OH、−COO−7・
アルキレン−N(Q’) (Q”)または−0CO(C
H2)−OHを表わす場合にこれらは例えば次のような
残基であるニーcoo−メチル、−COO−エチル、−
Coo−n−プロピル1、coo−イソプロピル、−C
oo−n−ブチル、−Coo−n −ペンチル、−CO
O−n−ヘキシル、−COO−2−エチルヘキシル、−
Coo−n−オクチル、−Coo−n−デシル、−Co
o−n−ドデシ/リ−COOCH2CH20H、−CO
OCH2CH(OH)CH3、−COOCCH2)3−
OH、−COOCH<CH3)2−OH1−COOCH
2CH(CH3)2−OH1−Coo(CH2)、−O
H、−coo(OH2)a −OH−−COO(CH2
) s −OH−−Coo(CH2) 10− OH−
−COO(CH2) + 20HニーOCOCH3、−
0COC2H5、−0CO−n−プロピル、−oco−
イソプロピル、−0CO−n−ブチルニーCOCH3、
−COC,、H,−1−CO−n−プロピル、−co−
イソプロピル、−Co−n−ブチル;メトキシ、エトキ
シ、n−プロポキシ、インプロポキシ、n−ブトキシ、
n−ヘキシルオキシ、2−エチルへキシルオキシ、n−
オクチルオキシ、n−デシルオキシ、n−ドデシルオキ
シ: −CONH−(CH2)2−OH−−CONH−
(CH2)3−OH、・、 −CONH−(CH2) 
4−OH; −Coo (CH2) 2 N (CH,
J 2、−Coo(’CH2)2N(C2HJ2、−C
oo(CH2)3N(CH3)2、−C00(CH2)
 2 N (n−プロピル)2、−Coo(CH2)4
N(CH3)2、−〇〇〇(CH2CH20)2−Hl
 −COO〔CH2Cl(CH3)O〕2−Hl−Co
o(CH,、CH20)3’−H、、−COOCC’H
2CH2(CHa)O〕3−H−−OCO(CH2) 
2−0)1、−oco (CH2鮎OHまたは一0CO
(CH2)TOHo zlは上記式1の構造要素の20ないし97.5%、中
でも20ないし70%において一0H1−COO−C2
=12−アルキレン−OH、ヒドロキシメチルフェニル
、−COONF(−C+−、−アルキレン−OH、−C
oo−CI−4−アルキレン−N(Q’)(Q“)、−
coo(CH2c:H2o)−H,−coo−cCH2
Cl(C1(3)O)−HlまたはXが2ないし5であ
る一0CO(CH2)−OHを意味するのが好ましい。
前記式HにおいてZが水素、塩素またはメチル基であり
、Zlが水素、塩素、−CN、メチル、フェニル、メチ
ルフェニル、メトキシフェニル、−COOリ −Coo−C2−’12−アルキレン−OH,1ないし
4個、中でも1個または2個の炭素原子を有する一〇〇
−アルキル、工ないし8個、中でもlないし4個の炭素
原子を有するアルコキシ、フェノキシ、ヒドロキシメチ
ルフェニル、−CONH(CH2)2−OH、Xが2な
いし5である一0CO−(CH2)x−OH1または一
〇〇〇−Cl−4−アルキレン−阻C1−4−アルキル
)2を表わし、その際z1が−COO−C2−12−ア
ルキL/:/ −QH,ヒドロキシメチルフェニル、−
CONH(CH2)20H、−0CO(CH2)ioH
または−〇〇〇−C,,−アルキレンーN(CI−4−
アルキル)2である場合にこの基の割合が20ないし7
0%を占めるような構造要素からなる重合物が好ましい
0式HにおいてZが水素またはメチル基を、そしてZl
がメチル、フエモル、メチルフェニル、−COO−c、
−10−アルキル、−COO−C2−12−アルキレン
−OH、ヒドロキシメチルフェニル、または−coo−
c、4.−アルキレン−N (CH3) 2を表わし、
その際−COO−C2−1□−アルキレン−OH、ヒド
ロキシメチルフェニル、または−Coo−CI−4−ア
ルキレン−N(CH3)2の基の割合が20ないし70
%を占めるーような構造要素よりなる重合物が特に好ま
しい。
全・、構造要素の55−65%において式Hの2が水素
、または特にメチル基であり、そしてZ、が−Coo(
CH2)2N(CHs)2  または中でも一〇〇〇 
(CH2) 20H1−CH2CH2CH(CH3) 
−OR、または−〇〇〇 (CH2) s OHであっ
て、またそれら構造要素の35ないし45%において2
が水素またはメチル基であり、そしてzlがフェニルま
たは−CoO−01−8Co用キル、中でも−000−
メチル、−COO−xチル、または−〇〇〇−2−エチ
ルヘキシルを意味するような式11の構造要素からなる
重合物を用いるのが中でも特に好ましい。
重縮合物才たは重付加物としては中でも下記の式■、■
、■または■ + No−A−NH−Co−A、 Co÷      
 (Ill)、−E−01(2CH(OH,)C12−
0−A2−0−)E−CH2C1−((OH)CH,、
−A3サー1(IV)、 ÷CH2CH(OH)CH2−N=A−N −)   
  <V)または1 ÷CH2CE((OH)CH2−OCO−A1−COO
−3−(Vl)のうちの同一の、もしくは種々の構造要
素および場合により下記式■ ÷Co−Al −CO”0−44−0 ”r   ’ 
   (■)の構造要素を有するものがあげられ、但し
これらの式において Yは1または2の数であり、 Aはmが2ないし12であるーCmH2m−の基、シク
ロヘキシレン、ナフチレン、場合によりメチル基、メト
キシ基もしくはニトロ基で置換されていてもよいフェニ
レン、1,3−もしくは1,4−キシ:リレン、または
4,4′−シア・ミノンシノクΩヘキンルメタン、4,
4′−ジアミ゛ノジフェニルメタン、4,4′−シアば
ノジ  ゛フェニルエーテル、4,4′−ジアミノジフ
ェニルスルホンもしくはインホロンシアεジノ各残基を
表わし、 A、は直接結合、mが2ないし12の一〇mH2m−基
、シクロヘキシレン、シクロヘキセニレン、エンドメチ
レンシクロヘキセニレン、またはフェニレン(但しこれ
らは−cH3で置換されていてもよい)を意味し、 A2はmが2ないし12である一〇mH2mの基、フェ
ニレン、 下記式 を表わし、 [但し上式においてY′は水素またはメチル、Ylおよ
びY2は互に独立に水素、塩素またζま臭素、Y3は−
(CH2) 2−l−CH2CH(CH,)−またIま
−CCH2)4− 、そして0は1ないし50の数であ
る〕 A3は v の基、またはエチレン尿素、プロピレン尿素、5.5−
ジメチルヒダントインもしくは2−ヒドロキシエチル−
もしくは2−ヒドロキシプロピル−5,5−ジメチルヒ
ダントインの各残基を表わし、そして A4はmが2ないし12であるーCmH2rrl−の基
、rが1ないし40であるー(CH2CH20)r−C
H2CH2−の基、 −CH(CH3)CH20CH2CH(CH3) −、
シクロヘキシレン、−CH2−C(CH3) 2−CH
20CO−C(CH3)2−CHI!−、ナフチレン、
ビフェニレン、または場合によりメチル基、メトキシ基
もしくはニトロ基テ置換されているフェニレンを表わす
上記式■ないし■の重合物においてA1人0、A2、A
3およびA4は全て同一であっても異っていてもよく、
そしてこれらの重合物において各繰返し構造要素は統計
力学的分布またはブロック状の配置を有していることが
できる。本発明の定義に従い・水素供与基を有する重合
物と水素供与基を含まない重合物との混合物、例えば上
記式■ないし■の構造要素を有する各重合物と上記式■
の繰返し構造要素からなる重合物との混合物として存在
していることも可能であるO A’%A1、A2・またはA4が一〇mH2m−である
場合にこれらは直鎖状であっても分岐鎖状であってもよ
く、そしてこれらは好ましくは2ないし10個の炭素原
子を有するのがよい0この様な基の例とし゛ては−(C
H2) 2−1−CH2CH(CH3)−1−(c’、
H2) s、−(CH2)!−1−(CH2)2−C(
CHs)2−(CH2)2−5− (CH2) a−1
−、C(CHa) 2−l−CH2C(CH3) 2−
CH2−CH(CHs) (CH2)2−1−CH2C
H(CH3)CH(CI43)CH2CH−(CH3)
’CH2−1−(CH2)7−1−(CH2)Il−1
7(CH’2) 、。−およt゛“−(C)(2) 、
□−があげられる。
A2および/またはA4が−CmH2m−の基を表わす
場合にはこれらは中でもエチレングリコール、I H4
−ブタンジオール、ネオペンチルグリコールまたは1,
6−ヘキサンジオールの残基である。A1が−crrl
H2m−の基であるときにこのような基として中でもこ
はく酸、アジピン酸・ピメリン酸・アゼライン酸および
セパチン酸の残基があげられるQ−CmH2m−の残基
としてのAは好ましくは−(CH2) 2−、トリメチ
レン、テトラメチレン、ヘキサメチレン、−CH2CI
((CE(3) cH(cm、)−CH2C)((CH
3)cI(2−1または−CH2C(CH3)’2 C
H2CH(CH3)CH2CH2−であるのがよい。
A4がシクロヘキシレンを意味するときは、これは−中
でも1,2−シクロヘキサンジオールの残基であるのが
好ましい。シクロヘキシレン基AおよびA1としては中
でも1.3−および特に1,4−シクロヘキシレンがあ
げられるO A4がナフチレン、ビフェニレン、または場合により1
個のメチル基、メトキシ基またはニトロ基によって置換
されているフェニレンを表わす場合には、これらの基と
して例えばl、4−1l、6−11.8−および2,6
−シヒドロキシナフタリン、2.2′−ビフェニル、レ
ゾルシン、2,5−ジヒドロキシアニソール、1,2−
ジヒドロキシ−4−二トロベンゾール、および2,5−
ならびに3゜4−ジヒドロキシドルオールの残基があげ
られる。
好ましくはA4は−(CH2)2−1−(CH2)4 
m、−(CH2)6−1−C■(2CH20CH2CH
2−、 マr:ハ1.β−フェニレンを意味する。
A1が場合によりメチル基で置換されたシクロヘキセニ
レン、フェニレン、マたはエンドメチレンシクロヘキシ
レンを意味する場合、これらとして例えばテトラヒドロ
フタル酸、フタル酸、メチル−テトラヒドロフタル酸、
エンドメチレンテトラヒドロフタル酸、イソフタル酸、
ま1こはテレフタル酸の残基があげられる。好ましくは
A1はmが2ないし10であるような−(CH2)m−
1または1,3−マf、ニー6t 1 、4−フェニレ
ン、或いはi、3−または1.4−シクロヘキシレンで
あるのがよい。
Aがナフチレンであるか、または場合により1個のメチ
ル基、メトキシ基、またはニトロ基で置換されたフェニ
レンを意味する場合に、これらの基としては例えば、1
,2−11,3−ま、たは14−フェニレン、4−メト
キシ−1,3−フェニレン、2−ニトロ−1,4−フェ
ニレン、〇−またはm−トリレン、或は1,5−または
1,8−ナフチレンがあげられる。好ましくはA ij
 m力S2ないしlOであるよ゛うな一〇mH2m−1
1,3−または1,4−フェニレンの基、または4,4
′−ジアミノジフェニルメタン、4 、4’−ジアミノ
ジフェニルエーテル、またはインホロンジアミンの各残
基を表わす。
A2がフェニレンであるときはこれは中でもl。
3−フェニレンであるのが好ましいOA2が下記式を意
味するときにこの式のYlおよび¥2は好ましくはそれ
ぞれz、2’−q置に結合されている塩素または臭素を
表わす0しかしながら特に好ましG1ものは、Ylと¥
2とが水素を意味するような基である。
A2が−(Y2O)。−Y3を表わすときは、Y3は好
ましくは−(CH2)2−または−CH2CH(CH3
)−であり、そして0が中でも1ないし40、特に2な
いし20の数であるのがよい。A2は好ましくはmが2
,4または6であるような一〇mH2m−または−であ
るのがよいが、但し特に好ましいものは下記式 %式%) (但しY′は水素または特にメチル基、0は1〜40、
中でも2〜20である)の基である。
A3は中でもトリグリシジルイソシアヌレート、5.5
−ジメチルヒダントイン、2−ヒドロキシエチル−また
は2−ヒドロキシプロピル−5,5−ジメチルヒダント
インの各残基であるのが好ましい。
特に好ましいものはHO−A、−ORのジオール類、H
OOC−A、 −COOHのジカルボン酸類、カルボキ
シル末端基を含む下記式■ )10−(Co−A、−Co−0−A、−018−Co
−A、−COOH(■)のオリゴエステル類および/ま
たはH2N−A−NH2のジアミン類と、下記式■ のジグリシジル化合物との付加生成物であり、但しこれ
らの式において Aはmが4ないし10であるー(CH2)、、−の基、
または4,4′−ジアミノジフェニルメタン、4゜4′
−ジアミノジフェニルエーテルまたはインホロンジアミ
ンの各残基を表わし、 A1はmが2ないし10である−(CH2)m−の基、
l。
3−ま7’、ljl、4−フェニレン、または1゜3−
または1,4−シクロヘキシレンを意味し、 Sは工ないしlOO,中でもlないし20の数を表わし
、 A2′はmが2,4または6である一cmH2m−の基
、下記式 および/または −〔CH2Cl(CH3)O〕o−CH2Cl(CH3
)−(但しY′は水素または中でもメチル基を2表わし
、0は1なG礼40の数、中でも2なG1シ20の数で
ある)の基、また4を下目己式X(以下余白) 中 (但しtは1または2なりし12の数を、Ylは水素ま
たは中でもメチノQ基を意味する)のオリゴマー残基を
表わし、そして A4はmが2ないし12である一CrrlH2m−の基
、rが1ないし40、中でも工ないし20である− (
CH2Cl、、 O)r= CH20H2−の基、−C
F((CH3) CH20H2cH(CH3)−11,
2−シクロヘキシレン、2゜2′−ビフェニレンまたは
1,3−フェニレンを表わす。
更になお特に好ましいものは下記式刈 (以下余白) のジオール類と下記式X■またはX■ (Xll) (Xlll) のジグリシジル化合物との付加生成物であり、但しこれ
らの式において2は工ないし8の数、0は1ないし10
の数である。
その他の適当な付加生成物はグリシジルーフェノールノ
ボラック類および同一クレゾールノボラック類並ひにジ
オール類または上述した類のジカルボン酸類とトリグリ
シジルイソンアヌレートとの付加生成物である。
本発明に従い用いられる重合物が線状重合物であるとき
はこれは1,000,000まで、中でも2,0.00
ないし150,000ダルトンの平均分子量を有するの
が好ましい。これらの重合物の平均分子量は公知の方法
で、例えば浸透圧法または光散乱法によって測定するこ
とができる。
本発明に従い用いられる感光性組成物はまた他の添加剤
、中でも溶剤および/または架橋化剤を含有することが
できる。適当な溶剤は例えばその酸部分中に1ないし3
個の炭素原子を有する脂肪族モノカルボン酸のN、N−
ジアルキルアミド類、例えばN、N−ジメチルホルムア
ミド、N、N−ジメチルアセトアミド、およびN、N−
ジエチルアセトアミド等、アルキル基中にそれぞれlな
いし4個の炭素原子を有するエチレングリコールおよび
ジエチレングリコールあモノアルキルまたはジアルキル
エーテル、例えばエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、同モノエチルエーテルおよび同モノーn−フチルエ
ーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、同ジエ
チルエーテル、ジエチレンクリコール七ツメチルエーテ
ル、同モノエチルエーテル、同モノーイングロビルエー
テル、ジエチレングリコールジメチルエーテルおよび同
ジエチルエーテル等、更にはまた環状アミド類、例えば
N−メチルピロリドン等、ジアルキルスルホキシド類、
例えばジメチルスルホキシドおよびジメチルスルホキシ
ド等、クロロペンゾール、および炭酸のエステル類、例
えばプロピレングリコールの炭酸エステルおよびジエチ
ルカーボネート等である。
架橋化剤としてはそれらの重合物の中に存在する官能基
の種類に従って2価以上のアルコール類すたけアミン類
、ジカルボン酸、トリカルボン酸才たはテトラカルボン
酸、或はそれらの酸無水物のような種々の誘導体を使用
することができる。
適当な多価化合物の例としては、ジオール類HO−A2
70H或はHO−A、 −OH%  ジカルボン酸類H
OOC−A、 −COOHおよびそれらの誘導体、式■
において51A1A、、A2およびA4が前述の意味を
有するようなオリゴールエステル並びにジアミン類H2
N 、−A−NH2、更にはまたグリセリン、トリス−
(ヒドロキシメチル)−エタン、同一プロパン、ペンタ
エリスリト−ル、ジエチレントリアミン、゛ゞトリエチ
レンテトラミン、無水こはく酸、無水グルグル酸、無水
フタル酸、無水テトラヒドロフタル酸、無水へキサヒド
ロフタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸
およびベンゾフェノンテトラカルポン酸ジ無水物があげ
られる。0I−1基または末端グリシジル基を有する重
合物の架橋化のため□には好ましくはジーまたはポリカ
ルボン酸類或いは無水カルボン酸類、例えば無水へキサ
ヒドロフタル酸または無水フタル酸或いは2価または多
価のアルコール類、特にビスフェノールA等を使用する
のが好ましい。
本発明に従い用いられる感光性組成物の一定の架橋化は
その式Iの感光性化合物を水素供与基の含ま詐た重合物
の存在のもとで露光した際に形成される水素供与性ラジ
カルの再結合によってもたらされ得る。この種の架橋化
の1こめには比較的低い光線エネルギーを要する。場合
によってはこの種の架橋化は室温において既にも1こら
される。けれども化学的な架橋化の方か好ましい。
周期律表第1bおよびv■族の金属の塩類としてはこれ
らの金属と有機酸または無機酸との塩類、或はそ扛らの
混合物、即ちたとえば蟻酸塩、酢酸塩、ステアリン酸塩
、グルコン酸塩、およびくえん酸塩のようなカルボン、
酸塩類、ハロゲン化物、硝酸塩、硫酸塩および過塩素酸
塩等が適している。
それらの例としては、酢酸、くえん酸、グルコン酸、硝
酸、硫酸および過塩素酸の鉄面塩、塩化鉄(■)、塩化
鉄(2)、蓚酸鉄(■)、塩化ルテニウム(2)、酢酸
−1硝酸−または硫酸コバルト(nL塩化−または臭化
コバルト(I)、酢酸ロジウム(■)、塩化ロジウム(
至)、酢酸ニッケル(■)、臭化−または塩化ニッケル
(■)、硫酸ニッケル(■)、塩化−またはよう化パラ
ン1クム(■)、酢酸−または硝酸パラジウム、蟻酸−
または酢酸@(II)、’塩化−1臭化−またはよう化
銅(■または■)、硝酸−または硫酸銅(■)、酢酸−
1塩化−1臭化−1硝酸−または硫酸銀があげられる。
特に好ましいものは銅(II)カルボキシレート、中で
も酢酸銅(fl)であり、単独でまたはハロゲン化銅(
■)、特に臭化銅(II)との混合物として用いられる
既に述べたように、本発明に従い使用される水素供与基
を有する重合物はこれらの金属塩と部分的に錯化合物を
形成してもよい。
本発明はまた、種々の有機性または無機性の基材の上に
種々の写像、中でも導電性の被覆層やパターン、特にプ
リント回路を作り出す方法をも対象とするものであり、
この場合に前述の本発明に、従い用いられる組成物を露
光して零価の非導電性の金属核を形成させ、そして次に
この上に銅、ニッケル、コバルト、銀、錫等の金属を無
電流的に析出させるのである。そのようにして得られた
写像は所望の場合に電解的な金属析出によって通常の金
属析出浴を用いて増強させることができる。
この場合に前記式■の化合物と、水素供与基を含む重合
体または重合体混合物と、および金属塩と、並びに場合
により架橋化剤とからなるこのような組成物は好ましく
は適当な溶剤に溶解して基材の上に塗覆し、次いでこれ
をフォトマスクを通して露光する。溶剤としては例えば
前述の類のものを使用することができる。適当な基材は
例えばガラス、例えはアルミニウム酸化アルミニウムお
よび銅のような金属や金属酸化物、セラミック材料、紙
1および有機高分子材料等である。有機高分子材料とし
ては例えば酢酸セルローズ、プロピオン酸セルローズ、
酪酸セルローズおよびたとえばメチルセルロース等のセ
ルローズエーテル類ノようなセルローズ材料、α、β−
不飽和酸から誘導された重合物、例えばポリアクリレー
トおよびポリメタクリレート、ポリアクリルアミドおよ
びポリアクリロニトリル、スチロール重合物およびその
共重合物、例えばスチロール−ブタジェン共重合物およ
びアクリロニトリル/ブタジェン/スチロール共重合物
等、ビニル重合物およびビニリデン重合物並びにそれら
の共重合物、例えばポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデ
ン、塩化ビニル/塩化ビニリデン共重合物、塩化ビニル
/酢酸ビニル共重合物、不飽和アルコール類およびアミ
ン類より誘導され1こ重合物ならびにそれらの誘導体、
例えハホリビニルアルコール、ポリビニルアセテート、
およびポリアクリルアミド、架橋化されたエポキシ樹脂
、ポリアセタール類、ポリアルキレンオキサイドおよび
ポリフェニレンオキサイド、ポリアミド類、ポリイミド
類、ポリアミド−ポリイミドブロック共重合物、ポリス
ルホンおよびポリエステル類、アルキド樹脂類、例えは
グリセリン/フタル酸樹脂およびこれらとメラミン/ホ
ルムアルデヒド樹脂、メラミン−ホルムアルデヒド樹脂
、尿素−ホルムアルデヒド樹脂、或いはフェノール−ホ
ルムアルデヒド樹脂との混合物等のような天然または合
成の種々の重合物があげられる。
本発明に従う組成物の露光のためには任意の適当な光源
を使用することができ、こtらは例えば1キヤノンラン
プ、金属ハロゲン化物ランプ、および特に水銀高圧ラン
プおよび同中圧ランプ等である。
実施例1ないし9 a)母材重合物の製造ニ ア8.0Fのメタクリル酸−2−ヒドロキシエチルエス
テルおよび73.6ii’のアクリル酸−2−エチルヘ
キシルエステルを600.ydのジオキサン中に溶解し
、そして攪拌しながら不活性ガスのもとて70℃に加熱
し、次にこれに1..42fのアゾイツブチロニトリル
を加える。70℃において2時間の後にその生成物を氷
水中に強く攪拌しながら滴加することによって沈澱させ
る。収量142.9 r(理論値の94%)、Tg=4
2℃、N、N−ジメチルホルムアミド中25℃における
〔η]=O059dt/グ、平均分子量=、 12.0
.O’00 ダルトン(光散乱法で測定)O b)金属性写像の形成: 上記 a)に従って作られた重合物に、各5重量%の、
下記表1に記載する式Iのそれぞれの化合物と、および
5重量%の酢酸銅(II)とをN、N−ジメチルホルム
アミド中で加える。この溶液の固型分含量は30重量%
である。この溶液を50μmの厚さの湿った被覆層とし
てポリエステルフィルムの上にローラ塗装装置を用いて
塗覆し、乾燥させ、そして5 kWの水銀高圧ランプ(
西ドイツ国Netr−Isenburgの5taub 
AG社製)を用いて21段階の光楔板(21段階感度ガ
イド5touffer )を通して90℃において露光
する。得られた写像を、12y/lの硫酸銅、8?/l
のホルムアルデヒド、151/1のNaOH、14r/
zの酒石酸ナトリウムカリウム、20 t/L O)エ
チレンジアミンテトラ酢酸および1 f/lのは’;n
=1のオクチルフェノールポリエチレンクリコールエー
テル(ローム+ハース社のTryton X 100■
)の組成を有する無電流式銅析出浴中で49℃において
導電性の金属性像に増強するみ得られた結果を下記表■
にあげる〇(以下余白) 実施例11ないし14 a)母材重合物の製造: 125.9 fのメタクリル酸ヒドロキシグロピルエス
テル(2−および3−ヒドロキシグロピルエス゛チルの
混合物)と58.3 Fのメタクリル酸メチルエステル
とを416−のジオキサンの中に溶解して攪拌しながら
不活性ガスのもとて70℃に加熱し、次いでこれに0.
929のアゾイソブチロニトリルを加える。70℃で1
2時間保持した後、この混合物を5007!のジオキサ
ンで稀釈する。
次にその重合物を6tの氷水中で沈澱させることにより
分離する。収量=169.:M(理論値の91.5%)
、Tg=90℃、N、N−ジメチルホルムアミド中25
℃での[η] = 0,65 d4/l、平均分子量=
120.000ダルトン(光散乱法で測定)Ob)金属
性写像の形成: 上記 a)に従って作られた重合物をN、N−ジメチル
ホルムアミド中に溶解してこれに下記表■にあげたチオ
キサントン化合物をそれぞれ5重量%、およびこれと当
量の酢酸銅(1)を加える。この溶液の固型分含量は3
0−重量%である。次にこの溶液をローラ塗装装置を用
いて50μmの厚さの湿塗膜としてポリエステルフィル
ムの上に塗装してそしてフォトマスク(Sto’uff
er社の21段階の感度ガイド)を通して真空加熱テー
ブルの上で90℃において露光する。光源として5 k
Wの水銀高圧ランプ(ドイツ国Neu −Isenbu
rgの5taub社製)を用いる。そのようにして得ら
れた銅析出核よりなる像を、12 t/lの硫酸銅、8
t/lのホルムアルデヒド、15 ?/lのNaOHz
  14 t/lの酒石酸ナトリウムカリウム、20 
t/lのエチレンジアミンテトラ酢酸、及びi t/b
のオクチルフェノールポリエチレンクリコールエーテル
の組成の無電流金属析出浴中で49℃において導電性金
属性写像に増強する。得られた結果は表■に挙げる。
実施例15ないし24 a)  0.1モル(22,835’)のビスフェノー
ルA及び0.09モル(31,191i’)のビスフェ
ノールA−ジグリンジルエーテルを0.2mAのN、N
−ジメチルヘンシルアミンと一緒に150−のエチレン
クリコールモノエチルエーテルの中に溶解して150℃
において4時間攪拌する。そのようにして得られた予備
付加生成物を40℃に冷却させてこれに5.48 eq
Aqのエポキシ当量を有するポリエチレングリコールジ
グリシジルエーテルヲ3.652加′える。もう一度こ
れを攪拌しながら150℃に加熱し、次いで150℃に
おいて更に3時間攪拌し、そしてその重合物を冷却した
後、水中で沈澱させる。収量= 56.s ′?(理論
値の98%)、平均分子量(浸透圧法で測定)=3.4
’50ダルトン、Tg=59℃、エポキシ当量−0,0
88eq/に9゜b)上記 a)と同様にして0.12
モルのビスフェノールA、o、o9モルのビスフェノー
ルA−ジグリシジルエーテル’、 o、o 8 Val
−の、エポキシ当量5.48 eq/にりを有するポリ
エチレングリコールジグリシジルエーテルから重合物を
製造する。収量=68.12(理論値の93.06%)
、平均分子量(浸透圧法で測定)=2,988ダルトン
、Tg=49℃、エポキシ当量= 0.13 eqlK
?。
C)感光性の試験のために、51i′の重合物と、20
07n9の酢酸鋼(II)と、及び式■の化合物の一つ
の250■とをN、N−ジメチルホルムアミドの中に溶
解して、ローラ塗装装置を用いてフィルム状にポリエス
テル支持材の上に塗装する。このフィルムを段階光楔板
(21段階)を通して5kWの金属ハロゲン化物−水銀
ランプによって90℃において露光し、次いて前記例工
ないし10において記述したように無電流の銅析出浴中
で処理する。
d)架橋化した系を製造するために各反応成分を上記 
C)に記載し1こようにN、N−ジメチルホルムアミド
中に溶解してこれにヘキサヒドロ無水フタル酸を加える
。得られた溶液からフィルムを作って120℃において
2時間乾燥する。前記例1ないし10に記述したように
して露光し無電流の金属析出を行った後に種々の金属像
が得られる。
e)上記 d)に従う種々の配合組成物に更に追加的に
各0.51の、平均分子量が3,280ダルトン(浸透
圧法で測定)を有するポリエチレングリコールを加えて
上記 d)、のところで記述したと同様にして処理する
。得られた結果を表■に挙げる。
(以下余白) 実施例25 エポキシ当量0゜629eq/kgの予め鎖延長したビ
スフェノールA−ヒスフェノールA−ジグリシジルエー
テル樹脂10f、3 、3’ 、 4 、4’−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸ジ無水物2.02及び酢酸銅
([1)0.691を20rn1.のN−メチルピロリ
ドンの中に溶解する。ローラ塗装装置を用いて50μm
の厚さの湿ったフィルムを形成させ、こ、f’L’;1
20℃において乾燥する。前述した段階光楔板を用いて
90℃において3t)0秒間露光し、そして次に前記例
1ないし10に記述したと同様にして無電流の金属析出
を行った後に、その得られた写像の最後の段階は第3段
目、である。
上記例10及び例19ないし14において用いた新規な
チオキサントン誘導体は次のようにして作ることができ
る。
40、Ofの3−ニド・ロフタルイミド及び49.52
のチオサリチル酸ジナトリウム塩(チオサリチル酸をI
Nの水酸化ナトリウム溶液の2尚量中に溶解して濃縮し
、最後にキジロールを用いて2回再結晶することにより
製造)を200−〇N、N−ジメチルホルムアミト(D
MF )の中で80℃において8時間攪拌する。この混
合物を70℃において回転蒸発装置で濃縮し、そしてそ
の残渣を濾過して水で洗滌し乾燥する。ジオキサンから
再結 ′晶し1こ後に50,2 r (理論値の81%
)の3−(2−カルボキンフェニルチオ)−フタルイミ
ドが得られ、このもの5融点は289−.290℃であ
る。
20.05’(66,8ミリモル)の3−(2−カルボ
キンフェニルチオ)−フタルイミドを1302のポリ燐
酸中に懸濁させ、そして150℃において90分間攪拌
する。−この反応混合物を冷却し、注意深く500−の
水を加えて攪拌し、そしてその沈澱を濾過して水で可回
も洗滌する。150℃において真空乾燥機中で乾燥し1
こ後にキジロールから再結晶させる。12,4 f ’
(理論値の66%)のチオキサントン−3,4−ジカル
ボン酸イミドが得られ、このものN融点は348−35
0℃である。
4.80 f (17,1<リモル)のチオキサントン
−3,4−ジカルボン酸イミドを511rn1.の0.
I NのNaOH溶液中で90分間還流のもとに保持す
る。
生じたアミド−及びジカルボン酸ナトリウム塩の混合物
を濃塩酸を用いて酸性にし、そして還流のもとに18時
間保持する。その粗製のチオキサントン−3,4−ジカ
ルボン酸を濾過分離し、水で洗滌し、そしてキジロール
中で11−の無水酢酸を用いて還流のもとに煮沸するこ
とによって無水物に変え、これをその溶液の部分的な濃
縮によって析出させる。
4.32ft’(理論値の90%)のチオキサントン−
3,4−ジカルボン酸無水物が得られ、このもの5融点
は330−33i℃である。
2.9 f (10゜3ミリモル)のチオキサントン−
3゜4−ジカルボン酸無水物、58Tn!、のn−ブタ
ノール、15−のドルオール、及び0.87−の濃硫酸
を20時間水分離器をつけて煮沸する。この混合物を部
分的に濃縮し、そしてその残渣を水/塩化メチレン中に
投入する。その有機抽出液を塩水で洗滌し、硫酸ナトリ
ウムの上で乾燥させ、そして濃縮する。残渣を150℃
において高真空のもとで乾燥させ、その際融点49−5
1℃のチオキサントン−3,4−ジカルボン酸−’)−
n−ブfルエステル3.92 ii’ (理論値の92
%)か得られる0元素分析結果(C25H2+OsSと
して;分子量412.50):計算値 C=66.97
 8=5,86 0=19.39 8=7.77%実測
値 C=67.10 8=5.88 0=19.14 
8=7.63%1f(3,5ミIJモル)のチオキサン
トン−3゜4−ジカルボン酸無水物、5dのジエチレン
グリコールモノエチルエーテル、及び5滴の濃硫酸を上
記例 1)に記述したようにして反応させ、そしてその
生成物を分離する。863m’j’C理論値の48%)
のチオキサントン−3,4−ジカルボン酸−ビス−[2
−(2−メトキシエトキシ)エチル〕エステル(液状、
数週間後に部分的に結晶する)が得られる。
分析結果(C25H280QSとして;分子量504.
55) :計算値 C=59.51  N=5.59%
実測値 C=59.30  N=5.50%2 r (
7,1ミリモル)のチオキサントン−3゜4−ジカルボ
ン酸無水物、0.921(7,1ミl)モル)の2−エ
チル−1−ヘキシルアミン、及び2゜−のキジロールを
生成水の分離のもとに還流しながら30分間保持する。
冷却に際して2.35 f(理論値の85%)のチオキ
サントン−3,4−ジカルボン酸−N−(2−エチル−
n−ヘキシル)イミドが沈澱する。融点=1’89−1
90℃分析結果(C23H23NO3Sとして;分子量
393.50 ) : −計算値 C=70.20 、
 N=5.89  N=3,568=8.15%実測値
 C==70.05  N=5.57  N=3.54
 8=8.17%4、Or CI 4.2ミリモル)の
チオキサントン−3,4−ジカルボン酸イミド、4.1
2 f (21;3ミリモル)の1−オクチルブロマイ
ド、5.89f(42,7、’ IJモル)の炭酸カリ
ウムおよび40ymのDMFを80℃において1日間攪
拌する。この混合物を蒸発濃縮し、その残渣を2Nの塩
酸中に投入し、そして塩化メチレンで抽出する。その有
機相を飽和NaHCO3溶液および飽和NaCA溶iで
洗滌し、乾燥し、そして蒸発濃縮する。シクロヘキサン
から再結晶した後で5゜282(理論値の95%)のチ
オキサントン−3,4−ジカルボン酸−N−n−オクチ
ルイミドが得られる(融点−188\−190℃)。
分析結果(C23H23NO3S(!;シて;分子量3
93..50 > :計算値: C=7.0.20  
N=5.89  N=3.560=12,20 8=8
.15% 実測値: C=70.05  N=5.86  N=3
.’710=12.77 8=8.11% 0.62 F(1゜8ミリモル)の3−ニドロチオキサ
ントン−1−カルボン酸−(2−ヒドロキシエチル)エ
ステル、0,44tC2,7ミリモル)のナトリウムベ
ンゾスルフィネート、および6−のN、N−ジメチルホ
ルムアミドを100℃において3時間攪拌する。この混
合物を蒸発濃縮し、その残渣をテトラヒドロフラン/ド
ルオールの中ニ取り入れ、そしてその有機相をNaHC
O3溶液で洗浄し、硫酸すl−IJウムの上で乾燥させ
、そして蒸発濃縮する。テトラヒドロフラン/ドルオー
ルかう再結晶して0.69ii’(理論値の87%)の
生成物が得られ、このもの5融点は231−3℃である
5゜43’?、C’12゜3ミリモル)の3−フェニル
スルホニルチオキサントン−1−カルボン酸−(2−ヒ
ドロキシエチル)エステル、3.87f(37ミリモル
)の新しく蒸留したメタクリル酸塩化物70−のジオキ
サン、および1−のピリジンを80℃において10時間
攪拌する。この混合物を真空中で最高50℃において蒸
発濃縮する。残渣を□CH2Ct2  の中に取り入れ
てpH6の水で洗滌する。
その有機相を硫酸ナトリウムの上で乾燥させた懐に蒸発
濃縮し、そしてトリオールから再結晶する。
収量−5,,02r (理論値の80%)、融点=15
0−1℃。
この3−ニドロチオキサントン−1−カルボン酸−(2
−ヒドロキシエチル)エステルは次のようにして作るこ
ともできる: 6.022(20ミリモル)の3−二トロチオキサント
ン−1−カルボン酸、60−のエチレングリコール、お
よび2滴の濃硫酸を還流のもとに3時間保持する。この
混合物を冷却し、水に投入してpI−(7に調節し、そ
して沈澱を濾過分離して乾燥する。この沈澱を次に塩化
メチレン中に溶解し、この溶液を硫酸す) l)ラムの
上で乾燥して蒸発濃縮する。残渣をシリカゲルの上で1
0%アセトン/90%CH2Ct2  を用いてクロマ
゛トクラフ分離する。最初に2.15 r (理論値の
31%)の3−ニドロチオキサントン−1−カルボン酸
−(’2−ヒドロキシエチル)エステルが溶離される(
融点−20:1−3℃)。次に2.33 P (理論値
の30%)の3−ニドロチオキサントン−1−カルボン
酸−〔2−(2−ヒドロキシエトキシ)−エチル〕エス
テルが得られる(融点j51−4℃)。
特許出願人

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1](a)  0.1ないし20重量%の下記式Iの
    化合物〔但しこの式において R1、R2、R3およびR4は互に独立に水素原子、ハ
    ロゲン原子、C1−−−アルキル、0 一0R7、−N(R7)2、=SR7’、−No2、−
    8O2R7’、−COR7、−C00R7、−CON(
    R7)2、C1−4−ハロゲンアルキル、C4−4−ヒ
    ドロキシアルキル、−0−C(IH2d−COOH’s
     −o[、cH2cH(x)o:]n−X 、 −0C
    H2CH−CH2、−〇C0−C(X)−CH2、\1 または−N(R7)r Co−C(X)”CH2:lを
    表わすか、またはR1とR2および/またはR3とR4
    は一緒になって−co−o−co−または−Co−N(
    R7)’−CO−を表わし、 R5およびR6はそれぞれ水素原子を表わすか、または
    −緒になって直接結合、−CH2−1−CH2CH2−
    1−CH=CH−1−S−1−〇−1−CO−または−
    NH−番意味し、 几7は水素、Cl−20−アルキル、C1−6−ヒドロ
    キシアルキル、アリル、プロパルギル、−CdH2d−
    OCO−C(X)=CH2、フェニル、アルキル基中に
    1ないし4・個の炭素原子を有スルアルキルフェニル、
    ベンジル、フェネチルまたはシクロヘキシルを意味し、
    R7′は水素を除く以外はR7と同じ意味であり、nは
    1ないし50の数であり、 dは工ないし4の数であり、 Xは水素またはメチルを意味し、 Yは−C〇−または−〇〇−CO−を表わす〕70ない
    し99.8重量%の、少なくとも2000ダルトン以上
    の平均分子量を有し水素供与基を含むポリマーか、また
    は少なくとも2000ダルトン以上の平均分子量を有し
    水素供与基を含む少なくとも1種のポリマー成分と少な
    くとも3000ダルトン以上の平均分子量を有する少な
    くとも1種の第2のポリマー成分−とからなるポリマー
    混合物、および(c)  0.1ないし10重量%の、
    周期律表等1’b族または第■族の金属の1種または数
    種の塩を含む感光性組成物〔但しこれら重量%の値は上
    記の(a) + (b) 、+ (c)の合計に対する
    値であって、これら成分(a)、(b)および(C)の
    合計が100重量%になり・そして上記成分(b)は(
    C)の金属塩と部分的に錯化合物を形成していてもよい
    〕に像を露光して非導電性の零価の金属の核を形成させ
    、そして次にこの上に無電流的に金属を析出させること
    を特徴とする無機または有機基村上への写像形成方法。 (2)前記感光性組成物が、上記式Iにおいて、R,3
    およびR4が水素であり、R1がハロゲン原子、特に塩
    素または臭素、C1−4−アルキル、−8R7′、−C
    00R7、−CON(R7)2.1ないし2個の炭素原
    子を含むクロロアルキルまたはブロモアルキル、−〇〇
    −0−〔CH3OK(X)0″Jn−XR2は水素、C
    1−4−アルキル、C1−3−アルコキシ、−COOR
    7、フェニルスルホニル、−NO2、−O[CH3OK
    (X)O)。−X、 −Co−0−[CH3OK(X)
    01゜−〇 R1とR2とは互にオルソの位置において結合されてお
    り、そして−緒になって−co、−o−co−または一
    〇〇−N(R7”)−Co−の基を表わし、R5および
    R6はそれぞれ水素であるか、または−緒になって−C
    H2−1−s−1−〇−1−CO,,,、または−NH
    −を表わし、 R7はc、 −10−アルキル、C1−4−ヒドロキ・
    ジアルキル、C’1−4−アルキル−0CO−C(X)
    2=CH2、シクロヘキシルまたはアリルを表わし、R
    7’は水素を除く以外はR7と同じ意味であり、nは1
    ないし10の数を表わし、 Yは一〇〇−であり、そして Xが水素またはメチルを意味する ような化合物を含むことを特徴とする請求の範囲第1項
    に記載の方法。 (3)前記感光性組成物が、式IにおいてR1が2−位
    置に結合していて、−Co−C2−a−アルキル、中で
    も一〇〇〇−n−ブチル、または−6cH2c<層、I
    cH2を表わし、R2、几、およびR4水素であり、R
    6とR6とが一緒になって一〇〇−を表わし、そしてY
    が−C〇−である、ような化合物を4ないし7重量%、
    そして成分(b)を87ないし93重量%および成分(
    c)を3ないし6重量%含んでいることを特徴とする特
    許請求の範′囲第1項に記載の方法0(4)前記感光性
    組成物が、式IにおいてR3とR4とが一水素であ゛す
    、R1とR2とは1−12−1および/または3−位置
    に結合しており、そしてR1は−Coo−C+−aCo
    o−C+−ミーアルキル素、フェニルスルホニルまたは
    −NO2を意味するか、またはR1とR2とがそれぞれ
    3−および4−位置に結合していてそれぞれ−Coo−
    C+−aCoo−C+−ミーアルキルは3である一〇〇
    〇−(CH2CH20)n −CHsを意味するか、或
    は−緒になって−CO−N(R7)−CO−を表わし、
    その際R7はC2−8−アルキルまたはアリルであって
    、R5とR6とは一緒になって−8−を、そしてYは−
    CO−を意味するような化合物を4ないし7重量%、そ
    して成分(b)を87ないし93重量%および成分(c
    )を3ないし6重量%の量で含んでいることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項に記載の方法。 (5)前記感光性組成物か、式lにおいてR1は1−位
    置に結合していてこれが−co−c、−’、−アルキル
    、特に−COO−n−ブチルを意味し、R2が3−位置
    に結合していて水素、−NO□またはフェニルスルホニ
    ルを表わすか、またはR1とR2とがそれぞれ3−およ
    び4−位置に結合していてそれぞれ−COO−c、−e
    −アルキルまたは一〇〇〇−(CH2CH20) 2 
    CE(sを表わすか、または−緒になって−Co−NC
    C2−、s −アルキル)−CO−を意味し、R3と几
    。とは水素でありs R,と几。とは−緒になって−S
    −を表わし、そしてYが一〇〇−を意味するような化合
    物を4ないし7重量%、成分(b)を87ないし93重
    量%、および成分(c)を3ないし6重量%の量で含ん
    でいることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の
    方法。 (6)  前記感光性組成物が、下記式■〔但し上式に
    おいて Zは水素、塩素またはメチル基を表わし、Z、は水素、
    塩素、メチル基、−0H1−CN、−COOH、−CO
    NH2、フェニル、メチルフェニル、メトキシフェニル
    、シクロへキセニル、イミダゾリル、ピロリドニル、ア
    ルキル基中に1ないし12個の炭素原子を含む一〇〇〇
    −アルキル、−coo−フェニル、−COOC)I2−
    個の炭素原子を含む−C00−アルキレン−0H1pが
    2ないし4である一〇〇〇−(CH2CH20すHまた
    は−COOCCH2CH(CH3)0〜−H、アルキル
    基中に1ないし4個の炭素原子を、含む−oco 7ア
    ルキル、−0CO−フェニル、アルキル基中に1ないし
    4個の炭素原子を含む一〇〇−アルキル、c、−12−
    アルコキシ、フェノキシ、ヒドロキシメチルフェニル、
    −CONH−C、”’ 、−アルキレン−OH−−Co
    o−C+−4−アルキレン−N(Q’) (Q“)また
    はXが2ないし5である一oco (CH2CH2c C1−6−アルキルを、そしてQ//はC1−5−アル
    キルを表わし、その際Z1はこの式■の構造要素の少な
    くとも20%以上において一0H1−Coo−C2−’
    +2−アルキレンーOH。 −Coo(CH2CH20)−H、−C00rCI(2
    CI((CH3)O寸H1Xが2ないし5である一〇〇
    〇(CH2)X OH、ヒドロキシメチルフェニル、−
    CONH−C+−4−アルキレン−OHまたは−coo
    −c、 −、−アルキレン−N(Q’) (Q″)を意
    味する〕 の同一または異った構造要素の繰り返しよりなる重合物
    を含んでいることを特徴とする特許請求の範囲第1項に
    記載の方法。 (力 前記式HにおいてZが水素またはメチル基であり
    、zlがメチル、フェニル、メチルフェニル、−Coo
     C+−1o−アルキル、−COO−C2−12−アル
    キレン−OH、ヒドロキシメチルフェニル、または−C
    oo Cl4−アルキレン−N(CH3)2を表わし、
    その際−coo−c2’−、□−アルキレンー〇H、ヒ
    ドロキシメチルフェニル、または−coo−c、−,−
    アルキレン−N(CH3)2の基の割合が20ないし7
    0%であることを特徴とする特許請求の範囲第6項に記
    載の方法。 (8)前記式Hの構造要素の55ないし65%において
    この式のZが水素または特にメチル基であり、そしてZ
    lか一〇〇〇 (CH2)2 N (CH’3 )2 
    または中でも−Coo(CH2)30H、−CH2CH
    2CH(CH3)Of−1または一〇〇〇 (CH2)
    30Hを意味し、そしてこの構造要素の35−45%に
    おいてZが水素またはメチル基であってZlがフェニル
    または−coo−c、−8−アルキル、中でも−COO
    −メチル、−COO−エチルまたは−COO−2−エチ
    ルヘキシルであることを特徴とする特許請求の範囲第6
    項に記載の方法。 (9)前記感光性組成物が下記式用、■、■、または■ ÷NH−A−NH−Co−A、Co÷    (III
    )、÷CH2CH(OH)CH2−0−人、−0++−
    CF(2CH(OH)CH2−A3≠1(1’V) ÷CH2CH(OH)CH2−0CO−A、−COO+
      (Vl)のうちの同一の、もしくは種々の構造要素
    および場合により下記式■ ÷Go−A、 −Go−0−A、−0±     (■
    )の構造要素を有する縮重合物または重付加物を含み、
    但しこれらの式において Yは1または2の数であり、 ′Aはmが2ないし12である一CmH2m−の基、シ
    ’/)ロヘキシレン、ナフチレン、場合によりメチル基
    、メトキシ基もしくはニトロ基で置換されていてもよい
    フェニレン、l。 3−もしくは1,4−キシリレン、または4.4′−ジ
    アミノジシクロヘキシルメタン、4.4′−ジアミノジ
    フェニルメタン、4゜4I−ジアミノジフェニルエーテ
    ル、4,4′−シアミノジフェニルスルホンもしくはイ
    ンホロンシアミンの各残基を表わし、 A1は直接結合、mが2ないし12の−cm)12m−
    の基、シクロヘキシレン、シクロヘキセニレン、エンド
    メチレンシクロヘキセニレン、マタハフエニレン(但し
    これらは−CH3で置換されていてもよい)を意味し、 A2はmが2ないし12である一CmH2m−の基、フ
    ェニレン、 を表わし、 〔但し上式においてY′は水素またはメチル、Ylおよ
    びY2は互に独立に水素、塩素または臭素、Y3は−(
    CH2)2−1−CH2CH(CH3)−または−(C
    H2)、 −、そして0は1ないし50の数である〕 A3は の基、またはエチレン尿素、プロピレン尿素、5,5−
    ジメチルヒダントインもしくは2−ヒドロキシエチル−
    もしくは2−ヒドロキシプロピル−5,5−ジメチルヒ
    ダントインの各残基を表わし、そして A4はmが2ないし12である一〇、H2m−の基、r
    が1ないし40である−(CH2CH20)rCH2C
    H2−の基、−CH(CHs )CH20CH20H(
    CH3) −嘔シクロヘキシレン、−CH2−C(CH
    s ) 2− CH20CO−C(CHs ) 2−C
    H,、−、 ナフチレン、ビフェニレン、または場合によりメチル基
    、メトキシ基もしくはニトロ基で置換されているフェニ
    レンを表わすことを特徴とする特許請求の範囲第1項に
    記載の方法。 QOI  前記感光性組成物がHO−A、−OHのジオ
    ール類、HOOC−A 、 −C,00Hのジカルボン
    酸類、カルボキシル末端基を含む下記式■ HO−[C0−A、、−Co−0−A、−0)、−Co
    −A、−COOH(■)のオリゴエステル類および/ま
    たはH2N−A−NH2のジアミン類と、下記式■ のジグリシジル化合物との付加生\成物を含み、但しこ
    れらの式において Aはmが4ないし1oである−(CH2) 41基、ま
    たは4,4′−ジアミノジフェニルメタン、4.4′−
    ジアミノジフェニルエーテルまたはインホロンシアダン
    の各残基を表わし、A、はmが2ないし10である−(
    CI’(2′)m−の基、1.3−または1,4−フェ
    ニレン、または1.3−4たは1.4−シクロヘキシレ
    ンを意味し、 Sは工ないし1oo、中でも工ないし2oの数を表わし
    、 A2′はmが2,4または6である一c H,−の基、
     2m 下記式 および/または −〔CHtCH(CHs )0)。−〇〇、CH(CH
    3)−(但しY′は水素または中でもメチル基を表わし
    、0は工ないし40の数、中でも2ないし20の数であ
    る)の基、ま゛たは下記式%式%) (但しtは1または2ないし12の数を、Y′は水素ま
    たは中でもメチル基を意味する)のオリコマ−残基を表
    わし、そして A4はmが2ないし12である一CmH2,−の基、r
    が1ないし40、中でも1ないし2oである−(CH2
    Cl、、0)r−CH2CH2−の基、7−CH(CH
    3>CH20CH2CH(CH3)−11,2−ンクロ
    ヘキシレン、2 、.2’−ビフェニレンまたは1,3
    −フェニレンを表わす ことを特徴とする特許請求の範囲第9項に記載の方法。 ・ Uυ 前記感光性組成−が下記式″X (以下余白) 工 のジオール類と下記式■またはxm (XI[l) のジグリンジル化合物との付加生成物を含み、但しこれ
    らの式において2は1ないし8の数、0は1ないし10
    の数であることを特徴とする特許請求の範囲第9項に記
    載の方法。 (12)前記金属塩が銅(II)カルボキシレート、中
    でも酢酸銅(■)であって、単独でまたはハロゲン化鋼
    (■)、中でも臭化鋼(n)との混合物として存在する
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の方法。 α3.1  前記感光性組成物が付加的に溶剤および/
    または架橋化剤を含んでいることを特徴とする特許請求
    の範囲第1項に記載の方法。
JP58220847A 1982-11-25 1983-11-25 無電流式金属析出のために感光性組成物を使用する方法 Pending JPS59104465A (ja)

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