JPS588127B2 - シユウセキカイロ オヨビ ソノセイサク ノ タメノ マスキングホウホウ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 従来、半導体装置並びに集積回路の製造分野においてか
なりの技術が開発されている。

かかる分野における数多くの問題の１つに製造すべき装
置並びに回路の物理的寸法があげられる。

特に集積回路の製造の場合には、装置又は回路中の異な
った領域の拡散のため酸化物のエッチングする区域を形
成するために繰返して使用される別々のマスクを極めて
正確に一致せしめる必要がある。

集積回路中の単位面積当りの要素数を最大にする、即ち
実装密度を最大にするためには、次々に使用されるマス
クを極めて正確に一致させる必要があり、このために生
産量が低下する。

換言すれば、本来は分離されていなければならない拡散
領域が僅かな不整合によって互に接触してしまうので、
製品の合格率が低下してしまう。

かかる不整合によって回路は使用できなくなり、普通１
個のダイ又はウエハで非常に多くの回路を製作するもの
であるが、マスクの不整合が発生したダイによる回路は
これを全部廃却処分しなければならない。

本発明により、マスク整合にともなう問題を解決するた
めのプロセスが提供される。

多段階拡散プロセスには多段階のマスキング工程が必要
であり、マスクを使用した作業を行った後で、他のマス
クを使用する作業を行う必要がある場合にはマスクの整
合の問題が発生する。

従って、１つのマスクを使用して同一の導電性を有し且
つ異なった不純物濃度を有する多数の異なった領域を構
成すれば、特定の集積回路等の製作に欠くことのできな
いマスクの数が減り、その結果実装密度が実質的に改善
され又同時にプロセスの生産性が向上する。

本発明は、同一の導電性形式を有し且つ異なった不純物
濃度を有する別個の領域を１枚のサブストレートに形成
するのに応用できる。

シリコンサブストレートの作用面上に酸化物を生長させ
て拡散マスキングの役割を果たさせる。

同一の導電性を有する拡散された領域の総てを形成する
最初の感光性抵抗マスクが酸化物上に形成され、第１回
のエッチング工程を実施して、形成された全領域におけ
る酸化物の厚さを所定の厚み迄に減少させる。

異なった不純物濃度を有する領域が仮に３個所とすると
、第１の領域は荒くマスクが施され、残りの被覆されな
い酸化物にエッチングを実施して第２の領域を所定の酸
化物の厚みに減少せしめ、次いで同様にこの第２の領域
にマスキングを施して第３の領域でサブストレートに迄
エッチングを実施する。

更に、感光抵抗性マスクを除去し、次に拡散並びにエッ
チング工程を実施し同一の導電性でしかも異なつた不純
物濃度を有する別個の領域を、第１のマスクにより決定
されるサブストレートの所定位置に形成する。

本発明により、集積回路製作の多段階マスキング工程に
発生する整合に関する従来の問題が解決される。

前後の拡散マスクの正確な整合が困難なので、サブスト
レートに別々の領域を近接して拡散するには現在の所或
る種の制限が存在する。

本発明は１つの初期マスクにより別々の拡散領域を形成
するものであり、整合に関する問題は起らない。

既に形成された領域を次のエッチング工程から守るため
のマキシングは既成の開口を塞ぐだけで良く、正確な整
合作業は不必要である。

本発明におけるエッチング以降のプロセスでは、完全に
エッチングされた領域が先づ普通の領域により拡散され
る。

このとき、他の領域は酸化物でマスクされる。

次に、ウエハ全面の酸化物に十分なエッチングが実施さ
れて、最小量の酸化物を保有する次の領域が露出される
。

この際、拡散された第１の領域も露出されることに留意
されたい。

次に、同じ不純物の追加の拡散を行って第２の領域中に
不純物を拡散して第１の領域中により多くの不純物を拡
散する。

更に、他の領域は同様な要領でエッチング拡散工程が行
われる。

このマスキング及び拡散による最終製品は、第１の導電
形のサブストレートであり、この中には、異なった不純
物濃度を有する第２の導電形の２つ以上の領域が形成さ
れている。

このプロセスは特に集積回路における分離領域、ベース
領域並びに抵抗領域の形成に応用できる。

本発明により、集積回路における実装密度が実質的に改
善され且つ生産性がかなり向上する。

１例をあげると、１２８×１２１ミルの寸法の在来の集
積回路（ＲＡＭ）を、本発明の方法により８８×９２ミ
ルの寸法で量産することができる。

添付図面に基に本発明の方法並びにそれによって得られ
る製品につき下記説明する。

本発明の方法においては、半導体装置デバイス及び回路
を製造する時、単一のサブストレート中に不純物を拡散
するためのマスキングをする方法が改善されている。

従来技術においては、シリコンサブストレート中に、選
択された不純物を拡散するための領域を構成してサブス
トレート中に異なった導電形と不純物濃度とを有する領
域を形成するためにマスキングが行われている。

かかる方法では、感光性エマルジョンが酸化物上に施さ
れエマルジョンは露出現像されて正確に形成された酸化
物領域を露出し、この領域は次にエッチング液の作用に
よって露出酸化物がエッチング除去され、エマルジョン
はその影響を受けずに残る。

そこで、サブストレートの所定領域のみが露出され、不
純物が加熱により気相又は固体相から拡散される。

別々の拡散領域が同一の導電形及び不純物濃度を有しな
いような場合、各預域に対して上記の工程を反複する必
要がある。

従って、エッチングを施すべき酸化物の各領域を正確に
位置ぎめしなければならない問題が発生する。

この問題は、異なった領域を例えば数１０分の１ミルと
云ったように極めて微細に分割する必要がある集積回路
製造においては非常に重要なものとなる。

本発明により、別々の拡散領域を正確に整合させる即ち
正確に位置ぎめするという先行技術における問題の発生
を最小限におさえることができる、拡散のための多数の
領域を形成する感光性マスキングの単一の初期段階が提
供される。

第１図において、上面にシリコン酸化物層１２を有する
シリコンサブストレート１１が段階Ａとして示されてい
る。

第１図乃至３図に示す如く、このサブストレート１１に
はその全面に上方拡散又は堆積せる層が含まれている。

下記の説明において、「サブストレート」なる用語は、
少くとも上面に所要の導電形と不純物準位とを有するよ
うに作動するダイ等を表わす。

酸化物層１２の頂部には開口１６，１７，１８等を有す
る第１のマスク１３が設けられる。

このマスク１３の開口１６，１７，１８はサブストレー
ト１１中に拡散されるべき領域の面積並びに位置を決定
するために感光処理により正確に位置ぎめされている。

マスク１３は、酸化物のエッチング除去に使用するエッ
チング液にほとんど犯されない材料で構成されている。

ベーキング処理でマスク１３を固定した後、マスク１３
の開口１６，１７，１８の下方の酸化物の層１２を通常
の方法でエッチング除去する。

この際、酸化物層１２の残余の部分は所定の厚みに保持
される。

エッチングした凹所の２１，２２，２３内の酸化物の厚
みはその露出面の色彩により判別されるものであり、１
例をあげると５，２００Åの酸化物の厚みは緑色の特殊
な色合いである。

マスクの各開口１６，１７，１８における酸化物のエッ
チング深さは同一であり、この深さは前以て定められる
。

次に、マスクの１個の開口１８が他のマスク２４により
閉塞される。

この第２のマスキング工程は第１のマスク１３と正確な
一致を必要とせず単にマスク２４が第１図の段階Ｄに示
す如く開口１８を完全に塞げば良く、第１のマスク１３
に重なり合っても良い。

かくして、凹所２３はそれ以上のエッチングに対して保
護される。

そして、他の凹所２１，２２の深さを増加するために第
２のエッチング工程が実施される。

この第２のエッチング工程は、開口１６，１７内の残存
酸化物の厚さが、所定寸法例えば表面が黄緑色を呈する
３６５０Å等の厚さになるまで続行される。

次に、他の開口２２を更に他のマスク２６により閉塞す
る。

このマスク２６はマスク２４上に延びても良く、この場
合、感光抵抗性マスキング内のピンホール類等によりエ
ッチング剤が半導体材料に達するようなことがないこと
が更に保証される。

マスク２６を凹所２２に正確に照合一致させる必要はな
く、第１図の段階Ｆに示す如く単に凹所を閉塞すれば良
い。

かくして、この凹所はそれ以上のエッチングから保護さ
れる。

凹所２２のマスキング工程に引き続いて、凹所２３にマ
スク２４をしたままで凹所２１のみに行われる第３のエ
ッチング工程が実施される。

このエッチング工程は、最初のマスク１３の開口１６の
下方のサブストレートから酸化物が全部除去される迄続
行される。

この状況が第１図の段階Ｇに示されている。

そこで、マスク１３，２４，２６が周知の技術によって
除去されて、第１図の段階Ｈに示すように、酸化マスク
のサブストレートが残される。

かくして、このサブストレートは、所定、領域を形成す
る次工程の処理を受けることになる。

前述の如く、各凹所２２，２３の下方の酸化物の厚みは
前以て定められるものであり、１例として凹所２３の下
方の厚みは、５２００Åであり、凹所２２の下方の厚み
は３６５０Åである。

これらの厚みは変更可能なものであるが、厚みの決定に
当り若干の点が考慮されるべきである。

第１に、過度に厚い酸化物層の使用は避けるべきであり
、第２に、後記の連続拡散段階中に半導体をマスクする
よう凹所下方に充分な厚みを構成する必要がある。

更に極めて重要な制限としては、分離領域内における異
種導電形のエミツタマスク拡散の後工程において残存せ
る酸化物マスキングが拡散貫通されないよう充分な厚み
の酸化物を得ることがあげられる。

この点については、後で詳しく説明する。

本発明は、同一の導電形と異なった不純物準位とを有す
る２つ又はそれ以上の領域を単一のサブストレート内で
拡散するプロセスに応用できるものである。

図示の場合は、分離領域と、トランジスタのベース領域
と、抵抗領域とをサブストレート内に拡散するものであ
る。

第２図は、分離領域拡散のために酸化物を貫通する開口
即ち凹所２１と、ベース領域拡散のための凹所２２と抵
抗領域拡散のための凹所２３とを有する半導体ダイの１
部の既略図である。

特に注目すべき点として、分離領域には最高の不純物準
位をあたえ、ベース領域には中間の不純物準位を、抵抗
領域には最低の不純物準位を夫々あたえ、これら全部は
同じ導電形のものに構成することがあげられる。

従って、各凹所２１，２２，２３はこの順序に漸減する
深さを有する。

勿論、凹所の個数は図示のように３個に限るものでなく
、本発明は分離拡散領域を形成するために２個又は３個
乃至はそれ以上の凹所に対しても同様に応用し得るもの
である。

次に第３図を参照して、前述のマスキング処理に続く半
導体領域の拡散について説明する。

第３図の段階Ａには、Ｐタイプのサブストレート３２の
上にＮタイプのエピタキシャル層３１を有するサブスト
レート１１が示され、エピタキシャル層３１は酸化物層
３３でカバーされている。

酸化物層３３には、第１図のプロセスに関聯して図示説
明した凹所２１，２２，２３が形成されている。

凹所２１はサブストレート１１即ちそのエピタキシャル
層３１の上面に達し、凹所２１内にアクセプタ不純物を
堆積拡散させることにより第１拡散工程を実施してエピ
タキシャル層３１内に幅のせまいＰタイプの分離領域３
６を形成する。

この拡散は酸化ふんい気中で実施されるので、酸化物層
３３の表面並びに凹所２１の底部に第３図の段階Ａに示
すように追加の酸化物の層３７が発生する。

分離領域３６はエピタキシャル層３１を貫通してＰタイ
プのサブストレート３２に到る。

上記の如き最初の拡散工程に引続き、第３図の段階Ｂに
示すように、凹所２２がエピタキシャル層３１の表面に
達するように充分な量丈酸化物層３３をエッチングする
。

ここにおいて、凹所２１、２２の両方が酸化物層３３を
貫通している。

この段階に引続き・分離領域３６に頭初使用せるものと
同じタイプで濃度の低いアクセプタ不純物で更に拡散を
実施し、第３図の段階Ｃに示すような小さなベース領域
３８が拡散される。

この第２の拡散工程は分離領域３６にほとんど影響をあ
たえず、又酸化物層３９を再生長せしめ、これを頭初の
酸化物層３３の大半と共に凹所２３がエピタキシャル層
３１の上面に達する程度にエッチング除去する。

そこで、第３図の段階Ｄに示す如く凹所２１，２２，２
３でエピタキシャル層３１の表面が露出される。

更に低い濃度を有する同一のアクセプタ不純物により更
に第３の拡散工程を実施して領域３６、３８内に追加の
小量の不純物を拡散し、凹所２３の下方に僅小の極く薄
いＰタイプの抵抗領域４１を拡散する。

この拡散中に追加の酸化物層４０が生長する。

上記３つの拡散工程の夫々に実施する拡散量は、出来上
がりの領域３６，３８，４１が最終的に所望の物理的限
度になるようにあらかじめ定められる。

更に、第１の拡散領域即ち分離領域３６における不純物
濃度は第２の拡散領域即ちベース領域３８の濃度より大
きく、この両者は集積回路における抵抗を構成する最後
に拡散された抵抗領域４１における不純物濃度より大き
い点が注目すべきである。

夫々の拡散された領域３６，３８，４１は同一の導電形
即ち図示例の場合Ｐタイプのシリコンであり、各領域は
異なった不純物濃度をもっている。

本発明によるプロセスは集積回路の製作に当り極めて有
用である。

このプロセスを他の拡散プロセスと組合わせて先行技術
による集積回路とほぼ同様な最終形態を形成せしめるこ
とが可能であり、しかも従来より遥かに小さな寸法に形
成することができる。

第４図に、本発明により形成せる集積回路の１部の概略
図示する。

この回路の或る領域は第３図の段階Ｅの拡散された領域
と同じ符号で示されている。

Ｐタイプのサブストレート３２の上にＮタイプのエピタ
キシャル層３１が形成され、Ｐタイプの分離領域３６が
エピタキシャル層の所定の量を分離して形成されている
。

トランジスタのＰタイプのベース領域３８には、Ｎプラ
スタイプのエミツタ領域４２が内部に拡散されて形成さ
れており、Ｎプラスタイプのコレクタコンタクト領域４
３がＮタイプのエピタキシャル層３１内に延びておりエ
ミツタ領域４２とベース領域３８とより構成されるトラ
ンジスタのコレクタ領域を形成している。

又、Ｐタイプの抵抗領域４１が示されている。

上記各領域により構成されるウエハの頂部には図示の如
く各領域にわたり厚みの異なった酸化物層３３が残され
ている。

本発明は又、分離領域中に導電帯を拡散するためのマス
キングにも応用できる。

このような構成は、ウエハに拡散コンダクタを形成し、
これを残余の部分から電気的に隔離することができる点
で非常に有利であり、ウエハ内に拡散した部分に電気的
接続が可能である。

本発明のかかる応用について、第５図の段階Ａに第３図
の段階Ｅの拡済デバイスの１部分が示されている。

この製造段階においては、サブストレート３２のエピタ
キシャル層３１内の分離領域３６およびベース領域３８
上の酸化物層は均等な厚みを有している。

概略を説明したウエハは、酸化物層３３の上に感光抵抗
性のマスク５１を施し、これを現像して凹所２１上に第
５図の段階Ｂに示すように大きな幅の凹所５２を形成し
て処理される。

又、マスク５１にはベース領域３８上の凹所２２内の酸
化物に達する貫通開口５３が形成され、この開口５３の
横方向寸法は完成部分の所望のエミツタ領域の寸法にほ
ぼ等しいものである。

更に、コレクタコンタクト領域を拡散させる最終目的の
ために凹所５４がマスク５１に形成される。

マスク５１はエミツタを拡散して形成するために通常使
用されるので一般にエミツタマスクと呼ばれ、本発明に
おいてはこのマスクは集積回路内の追加の領域の拡散を
形成するために使用される。

このエミツタマスク５１の実施並びに上記の開口および
凹所の形成に引続いて、酸化物層３３がマスク開口を通
じてエッチング処理されエピタキシャル層３１の上面を
凹所２１並びにエミツタマスク５１の開口５３において
露出せしめる。

このエッチング処理により第５図の段階Ｂに点線５６で
示すようにマスクの開口５２における酸化物が除去され
、エピタキシャル層３１に通ずる開口が最初の凹所２１
と同じ寸法に形成される。

更に、このエッチング処理により、第５図の段階Ｃに示
すようにマスクの開口５４の下方の酸化物層３３がその
厚みの或る中間の深さ迄に除去される。

前述の如き酸化物層３３のエッチング工程は、凹所２１
とエミツクマスクの開口５３の両方が同時にエピタキシ
ャル層に開放される時に終了する。

それ以上にエッチングを続行すると、単に凹所２１と開
口５３との内側の側部だけがエッチングされ、エピタキ
シャル層に対する開口の大きさを所定以上に広げてしま
う。

このエッチング工程により、開口５４の下方の酸化物に
凹所５９が形成され、この凹所５９はエピタキシャル層
には達せずエピタキシャル層の表面をカバーする酸化物
を残している。

開口２１と５３は次に第５図の段階Ｄに符号６１，６２
で示したような感光抵抗性マスクによりマスク処理され
る。

これにより、ウエハの後工程処理時においてウエハの該
当個所が更にエッチングされることが阻止される。

次に、第５図の段階Ｅに示すように、更にエッチングを
実施し開口５９をエピタキシャル層３１の上面に迄延ば
す。

次いで、感光抵抗性マスク除去後、開口２１，５３，５
９のエピタキシャル層の表面にドナー不純物を堆積拡散
させることにより第５図の段階Ｆに示す如くＮタイプの
領域４２，４３，６３を形成する。

通常、これらの領域は拡散プロセス時に生長する酸化物
でカバーされる。

領域４２は、ベース領域３８と、エピタキシャル層３１
としてのコレクタとを含むトランジスタのエミツタを構
成する。

領域６３は、拡散時間が制限されるのでＰタイプの分離
領域３６内に拡散し、そのＮタイプの伝導領域６３の横
方向の寸法はＰタイプの分離領域３６の横方向の寸法よ
り小さくなっている。

同じ酸化物開口を使用してＰタイプの分離領域３６とＮ
タイプの導電領域６３を拡散させる場合、導電領域６３
を形成するドナー不純物の拡散量を、Ｐタイプの分離領
域３６を形成するアクセプタ不純物の拡散より少なくす
るように制限する必要がある。

拡散率並びに時間は普通の半導体技術により容易に実施
し得るものであり本例においても此れを使用する。

領域４３には、トランジスタのコレクタに対する電気的
接触を取付けるための高不純物濃度のコレクタ接触領域
を構成する。

第５図に示し且つ以上概説したプロセスは集積回路の分
離領域内の反対タイプの導電ストリップのコントロール
式拡散のためのものであることが理解されるであろう。

本発明の場合、分離領域の拡散に使用する同じ酸化物開
口を導電ストリツプの拡散にも使用するので拡散工程に
おけるマスク照合心出しの問題が避けられる。

従って導電ストリップの分離領域の中心にそう正確な位
置ぎめが保証される。

単に、導電領域６３を形成する不純物の拡散限度をこの
領域が分離領域３６の横縁に迄延びないように此れを注
意深く制限しさえすれば良い。

本発明は各種の回路に広く応用することが可能である。

その１例として、第７図乃至１３図に示すプロセスによ
って集積回路として形成された簡単な回路が第６図に示
されている。

第６図に示されたものは、ランダムアクセスメモリのセ
ルユニットとして使用する簡単な電子回路７０である。

第６図の回路は第１と第２の同様なトランジスタ７１，
７２を有する。

トランジスタ７１にはコレクタ７３と、ベース７５と、
２つのエミツタ７７，７９とが含まれ、トランジスタ７
２にはコレクタ７４と、ベース７６と、２つのエミツタ
７８，８０とが含まれる。

第１の抵抗８２が電源ターミナル８３と１対の抵抗８４
．８６の接合端との間に接続される。

トランジスタ７１のコレクタ７３とトランジスタ７２の
ベース７６が接合されて抵抗８４の他端に接続され、他
方のトランジスタ７２のコレクタ７４とトランジスタ７
１のベース７５とが接合されて抵抗８６の他端に接続さ
れる。

トランジスタ７１，７２の夫々の第２のエミツタ７９，
８０が接合され、符号８７に示したランダムアクセスメ
モリユニットの「Ｘ」セレクトラインに接続される。

トランジスタ７１のエミツタ７７が符号８８で示すラン
ダムアクセスメモリユニットの検出ラインＮｏ．１に接
続され、トランジスタ７２のエミツタ７８が８９に示せ
るランダムアクセスメモリユニットの検出ラインＮｏ．
２に接続されている。

このランダムアクセスメモリユニットについては当該技
術分野で良く知られているので詳しい説明はこれを避け
るものであり、第６図の回路は集積回路ランダムアクセ
スメモリユニットの１部分として本発明により形成され
る回路の１例を単に示すものである。

第７図乃至１３図において、先づ第７図には、多数の集
積ランダムアクセスメモリユニットが形成される半導体
ダイの１部を平面図示にて、しかもかかるユニットの単
一メモリセルユニットに形成すべき型の部分のみを概略
図示する。

第７図は、開口１６，１７，１８がサブスレート１１上
の酸化物の層１２に凹所２１，２２，２３を形成する感
光抵抗性マスク１３中の開口となるような第１図の段階
Ｃにおけるセルユニット７０を平面図にて示している。

第７図において凹所２１，２２，２３の形状を識別する
ことができる。

第７図に戻って、凹所２１は最終的には分離領域を形成
し、凹所２２は最終的に２つのトランジスタ７１，７２
のベース領域を形成し、凹所２３は最終的にはレジスタ
８２，８４，８６を構成するものである。

第８図は、第１図の段階Ｅにおける如く追加の感光抵抗
性マスク２４が使用され、最初の感光抵抗性マスク１３
にある開口１８のほぼ全部をカバーした状態にする次の
処理段階におけるセルユニット７０の平面図である。

実際の回路製作に当り、第２のマスク２４は第８図の面
域９１，９２，９３，９４に示すようにレジスタ８２，
８３，８４の端部をカバーしない。

第７図の左より右にかけて斜め上方に走る平行線で第１
の感光抵抗性マスク１３が示されており、第２の感光抵
抗性マスク２４は第８図において右より左にかけ斜め上
方に走る平行線で示されている。

第２のマスク２４は、最終的にレジスタ８２，８４，８
６を含む凹所２３の内レジスタの接触に使用すべき両端
部を除いてこれをカバーする。

従って、２つのマスク１３，２４を定位置に保持して実
施するエッチングにより酸化物は凹所２２及びレジスタ
端９１乃至９４のために同じ所定の厚みにエッチング処
理低下される。

レジスター堆積よりもベース堆積に接触のみを構成する
方が遥かに容易なので次の面域又は凹所２２内のベース
堆積をレジスタ端部に発生させることは完全に製造技術
に属する問題である。

第９図は第６図の回路を第１図の段階Ｆ及び段階Ｇに示
すような製造段階において示す。

第９図で判るように、追加のマスク又は第３の感光抵抗
性マスキング材料の層２６がユニットに設けられており
、第９図で平行水平線でこの第３マスキング層が示され
ている。

更に、第９図に示すマスク２６は既述の如く単に凹所２
２をカバーする丈でなく凹所２３上のマスク２４をもカ
バーする。

第９図形状を更にエッチングを施し凹所２１を酸化物マ
スキング１２を完全に貫通して半導体材料１１に延ばし
最終の分離領域形状を区画構成する。

次いで、感光抵抗性マスク１３，２４，２６を除去し、
第２図に概略図示せる如き所定の深さをもつ凹所２１，
２２，２３を残し、第３図に示すような次の拡散工程を
実施し第１０図に示すような分離領域３６とベース領域
３８並びに抵抗領域４１を形成する。

第１０図に示されたものにおいては、同一の導電性を有
する分離領域、ベース領域並びに抵抗領域がサブストレ
ート中に拡散され、ダイか第５図の段階Ｂに示されてい
るエミツタマスキングの準備がととのっており、このマ
スキングは第１０図において左より右にかけ斜め上方に
走る破線並びに符号５１で示されている。

第１０図において、トランジスタ７１，７２のエミツタ
領域の拡散のために開口５３が設けられ、開口２１は分
離領域３６の１部の導電領域６３を拡散するため酸化物
を貫通して延びており、同時に酸化物マスキング厚みは
５２に示すように選択した分離領域にそって減少せしめ
られている。

第１１図に示すチップ又は少くともその１部は第５図の
段階Ｅに対応する処理段階が示され、実際には面域５９
を除きセルユニットの上を横切って完全に延びる追加の
感光抵抗性マスキング６１，６２が施され、開口５９が
サブストレートの上に迄延びるようにエッチングを実施
してある。

この追加のマスキング６１，６２は右より左に上昇する
破線で示されている。

次に、感光抵抗性マスク５１，６１，６２を既述の如く
本発明プロセスにより除去し、Ｐタイプの不純物を開口
２１，５３，５９を介して拡散し第５図の段階Ｆに示す
ように領域６３，４２，４３を形成する。

上記の如く、全部の領域をサブストレート又はサブスト
レート上のエピタキシャル層に拡散させた後、これに引
続き在来のコンタクトマスク作業を実施し、各種構成部
分が互に接続され、第６図に示す回路を完成するように
構成部をウエハ中に形成露出させるよう酸化物を貫通す
る開口を作成する。

第１２図には、開口を、半導体材料上の保護酸化物層を
介して２本の交差線で示し、上記の回路完成のため電気
的に接触されるべき面域に迄形成した状態の第６図のセ
ルユニットが平面図示されている。

第１３図には、アルミニウム等をセルの上面に堆積し、
アルミニウムの不要部分を除去すべく適当にエッチング
を施し、水平破線をかこみ電気接点１０１を含む線内に
示された部分を残すように形成した完成回路が示される
。

第１３図においては、半導体トランジスタ７１，７２の
部分は第６図に使用したものと同じ番号で照合され、抵
抗８２，８４，８６の端部接点はこれらの後の数字で示
される。

更に、検出ラインＮｏ．１と検出ラインＮｏ．２とは第
６図の符号８８，８９により示され、電源ターミナルＶ
ｃｃは第６図に対応する符号８３で示され、「Ｘ」のセ
レクトラインは第６図に対応する符号８７で示されてい
る。

第１３図に物理的形態を全体的又は少くとも概略的に示
した回路は第６図のセル７０の電子回路に直接対応する
。

以上の如く、本発明により集積回路の製造並びにその構
成における顕著な向上が得られる。

先行技術によるマスク照合心出しの問題は本発明により
実質的に低減される。

このため実装密度の最大化即ちあらゆる回路における物
理的スペースの最小化が可能になるのみならず集積回路
の製造組立の生産高が増大する。

本発明の好適実施例につき以上説明したが当業者には明
かな如く本発明はかかる図示実施例に制限されるもので
なく本発明の範囲内で数多くの変更が実施できるもので
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のマスキング及びエッチング工程におけ
る連続的段階をＡ乃至Ｈに概略図示し、第２図は第１図
の段階に次ぐ１部形成された集積回路を示す斜視図、第
３図は本発明による回路製作工程における拡散工程を概
略的に図示し、第４図は本発明を含む処理により形成せ
る集積回路の１部分を示す断面図、第５図は集積回路内
に分離領域中の導電領域を含む拡散領域を形成する連続
段階をＡ乃至Ｆに概略図示し、第６図は２５６ビット双
極ランダムアクセスメモリ集積回路に使用するメモリセ
ルユニットの回路概略図、第７図乃至１３図は本発明に
より第６図の回路を形成する工程における連続的段階を
示す。 １２・・・・・・酸化物層、１３・・・・・・マスク、
１６，１７，１８・・・・・・開口、２１，２２，２３
・・・・・・凹所、２４・・・・・・マスク、２６・・
・・・・マスク。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 集積回路の製造方法において、 （ａ）半導体上の酸化物層の表面にこの酸化物層に到る
   少くとも２個の開口を有する耐エッチング性のマスクを
   設ける段階と、 （ｂ） 第１の凹所と第２の凹所とを形成するために
   前記開口を介して酸化物層を所定の厚さまでエッチング
   処理する段階と、 （Ｃ） 前記第１の凹所の下方の酸化物層のそれ以上
   のエッチングを阻止するために前記開口の第１の開口を
   更に他のマスクによって覆う段階と、（ｄ） 前記半
   導体の上面が第２の凹所を介して露出されるまで酸化物
   層をエッチング処理する段階と、 （ｅ）拡散用の酸化物マスクを形成するように前記他の
   マスクを除去する段階と、 （ｆ） 前記第２の凹所を介して半導体の上面に不純
   物を拡散する段階と、 （ｇ） 半導体の上面が前記第１の凹所を介して露出
   されるまで酸化物層を更にエッチング処理する段階と、 （ｈ） 前記第１の四所を介して半導体の上面に不純
   物を拡散する段階とを有する集積回路の製造方法。