JPS5870579A - アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 - Google Patents
アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法Info
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- JPS5870579A JPS5870579A JP56115379A JP11537981A JPS5870579A JP S5870579 A JPS5870579 A JP S5870579A JP 56115379 A JP56115379 A JP 56115379A JP 11537981 A JP11537981 A JP 11537981A JP S5870579 A JPS5870579 A JP S5870579A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアモルファスシリコンを用いた太陽電池（以下
ａ−８ｉ太陽電池と記す）に関するものである。
ａ−８ｉ太陽電池と記す）に関するものである。
ａ−８ｉ太陽電池の一般的な製造方法及びその構造につ
いては、主に米国特許第４０６４５２１号明細書によっ
て明らかなごとくシランガス（以下Ｓｉルと記す）をグ
ロー放電分解し、半導体接合を作ることによって製作す
る。
いては、主に米国特許第４０６４５２１号明細書によっ
て明らかなごとくシランガス（以下Ｓｉルと記す）をグ
ロー放電分解し、半導体接合を作ることによって製作す
る。
特開昭５５−６８６８１号公報にも述べられているよう
に、水素（以下比と記す）希釈の８ｉＨ４をペースとし
、グロー放電によって作成されるａ−８ｉ太陽電池に於
て加熱された透明電極、酸化インジウムスズ（以下工■
と記す）膜上に順次Ｐ型層、ｉ層、Ｎ型層を積層する太
陽電池（以下ＩＴＯ／ Ｐ −ｉ −Ｎ型と記す）は透
明電極の劣化のために良好な太陽電池特性が得にくかっ
た。
に、水素（以下比と記す）希釈の８ｉＨ４をペースとし
、グロー放電によって作成されるａ−８ｉ太陽電池に於
て加熱された透明電極、酸化インジウムスズ（以下工■
と記す）膜上に順次Ｐ型層、ｉ層、Ｎ型層を積層する太
陽電池（以下ＩＴＯ／ Ｐ −ｉ −Ｎ型と記す）は透
明電極の劣化のために良好な太陽電池特性が得にくかっ
た。
そこで、この問題をさけるために従来は基板に金属を用
い、順次Ｎ型層、ｉ層、Ｐ型層のアモルファスシリコン
（以下ａ−８ｉと記す）を積層し、しかる後に透明電極
ＩＴＯを蒸着するという方法がとられていた。
い、順次Ｎ型層、ｉ層、Ｐ型層のアモルファスシリコン
（以下ａ−８ｉと記す）を積層し、しかる後に透明電極
ＩＴＯを蒸着するという方法がとられていた。
しかし、例えば民生用太陽電池の場合、ａ −８ｉ太陽
電池の保獲の目的もあって、光の入射側なガラスとする
方が都合良く、基板に金属を用い最後にＩＴＯを蒸着す
る方法に於いてはこれが難しくなる。したがって、この
ようなときはどうしても透明電極ＩＴＯ上にａ −Ｓｉ
を積層する必要がでてくる。
電池の保獲の目的もあって、光の入射側なガラスとする
方が都合良く、基板に金属を用い最後にＩＴＯを蒸着す
る方法に於いてはこれが難しくなる。したがって、この
ようなときはどうしても透明電極ＩＴＯ上にａ −Ｓｉ
を積層する必要がでてくる。
本発明は上記の事情−に鑑みなされたものであって、そ
の目的とするところは透明電極ＩＴＯ上にａ−８ｉを積
層し良好な太陽電池特性を得ることを可能属し且つル希
釈中の８ｉＨ４の濃度を減らすととＫよって８ｉＨ，の
消費を大巾に削減しもって、低価格の民生用ａ−８ｔ太
陽電池に多く用いられる、ガラス／ ＩＴＯ／ ａ −
８ｉ型の良好な太陽電池の製造方法を提供することにあ
る。
の目的とするところは透明電極ＩＴＯ上にａ−８ｉを積
層し良好な太陽電池特性を得ることを可能属し且つル希
釈中の８ｉＨ４の濃度を減らすととＫよって８ｉＨ，の
消費を大巾に削減しもって、低価格の民生用ａ−８ｔ太
陽電池に多く用いられる、ガラス／ ＩＴＯ／ ａ −
８ｉ型の良好な太陽電池の製造方法を提供することにあ
る。
以下、本発明を図面を参照して説明する。
特開昭５５−６８６８１号公報にも述べられているよう
に透明電極Ｉ’ｌ１０上に順次Ｐ型層、１層、Ｎｆ１１
層とａ −８ｉを積層していくと透明電極ＩＴＯが劣化
し、良好な太陽電池が得られないことは前述した。
に透明電極Ｉ’ｌ１０上に順次Ｐ型層、１層、Ｎｆ１１
層とａ −８ｉを積層していくと透明電極ＩＴＯが劣化
し、良好な太陽電池が得られないことは前述した。
さて、この劣化の原因について種々実験の結果、５ｉｌ
（４の希釈に用いた水素がプラズマ中で４性化し、ＩＴ
Ｏ膜を衝撃することによって膜の劣化が生じている事が
わかった（第１図参照）。
（４の希釈に用いた水素がプラズマ中で４性化し、ＩＴ
Ｏ膜を衝撃することによって膜の劣化が生じている事が
わかった（第１図参照）。
例えば第１図によれば窒素（以下Ｎ２と記す）のプラズ
マ中で衝撃を行ってもＩＴＯ膜は劣化しない。また工■
膜劣化の温度依存性は大きく山やＡｒを用いても２ｏｏ
℃以下ではほとんど劣化することがなく、水素プラズマ
中では約２５０ ℃を境とし、それ以上の温度でＩＴＯ
劣化は激しくなる。
マ中で衝撃を行ってもＩＴＯ膜は劣化しない。また工■
膜劣化の温度依存性は大きく山やＡｒを用いても２ｏｏ
℃以下ではほとんど劣化することがなく、水素プラズマ
中では約２５０ ℃を境とし、それ以上の温度でＩＴＯ
劣化は激しくなる。
第２図によれば３００℃以下のときＩＴＯ膜は水素プラ
ズマ中でプラズマ発生用高周波出力が小出力であっても
急速に劣化をおこす。
ズマ中でプラズマ発生用高周波出力が小出力であっても
急速に劣化をおこす。
これらの事は第１図、第２図、第３図などにより水素プ
ラズマによって衝撃された領域のＩＴＯ膜は電気伝導性
が悪くなること及び白濁によって透明性が悪くなること
から判定することができる。
ラズマによって衝撃された領域のＩＴＯ膜は電気伝導性
が悪くなること及び白濁によって透明性が悪くなること
から判定することができる。
本発明者は、また電子顕微鏡（以下ｓｍと記す）を用い
て、プラズマ中で衝撃された領域Ｂと衝撃されていない
領域Ａの観察を行った。第４図から明らかなように、プ
ラズマ衝撃によってＩＴＯ膜が劣化し、シート抵抗（以
下Ｒｓと記す）が１０′Ω以上になっている領域は、既
に工□膜が破れ粒状化していることが分る。
て、プラズマ中で衝撃された領域Ｂと衝撃されていない
領域Ａの観察を行った。第４図から明らかなように、プ
ラズマ衝撃によってＩＴＯ膜が劣化し、シート抵抗（以
下Ｒｓと記す）が１０′Ω以上になっている領域は、既
に工□膜が破れ粒状化していることが分る。
本発明は、更にエレクトロン、プローブ、マイクロ・ア
ナライザー（以下ＥＰＭＡと記す）を用いて、 ＩＴＯ
膜のプラズマによって衝撃された領域Ｂと、衝撃されな
い領域大の元素分析を行った。
ナライザー（以下ＥＰＭＡと記す）を用いて、 ＩＴＯ
膜のプラズマによって衝撃された領域Ｂと、衝撃されな
い領域大の元素分析を行った。
これｋよって、プラズマによって衝撃された領域Ｂは酸
素が大巾に減少していることが分ったＯ 酸素以外のインジウム（以下Ｉｎと記す）、スズ（以下
Ｓｎと記す）、Ａｒ等についても観察し島従来、８４Ｈ
４を鴇で希釈して使用する場合、８ｉＨ４濃度は、１０
チ以上とするのが通例であった。
素が大巾に減少していることが分ったＯ 酸素以外のインジウム（以下Ｉｎと記す）、スズ（以下
Ｓｎと記す）、Ａｒ等についても観察し島従来、８４Ｈ
４を鴇で希釈して使用する場合、８ｉＨ４濃度は、１０
チ以上とするのが通例であった。
一般に山希釈８ｉ）ｋ濃度が１０％以上である場合、８
ｉＨ４濃度を一定にしてプラズマ発生用高周波出力を増
大すると、ａ−８ｉ膜の成長速度はほぼそれに比例して
増加することがら、８ｉＨ４は一部のみが分解している
にすぎないことがわかっていた。
ｉＨ４濃度を一定にしてプラズマ発生用高周波出力を増
大すると、ａ−８ｉ膜の成長速度はほぼそれに比例して
増加することがら、８ｉＨ４は一部のみが分解している
にすぎないことがわかっていた。
従ってＳｉＨ，を分解してａ −８１を積層す７る工程
の集取効率を向上させる可能性が残されていたが、前述
のごとく透明電極が劣化する問題もあって、通常ＳｉＨ
，濃度は１０％以上で実施されてきた。
の集取効率を向上させる可能性が残されていたが、前述
のごとく透明電極が劣化する問題もあって、通常ＳｉＨ
，濃度は１０％以上で実施されてきた。
本発明者が実験したと、ころによってもＳｉＨ，濃度が
１０チ以上のときは、太陽電池構造をＩＴＯ／Ｐ−ｉ−
Ｎとし、Ｉ’ｌ’０膜上にＰ型層を積層して、特性を測
定してもＩＴＯ膜は劣化していなかった。
１０チ以上のときは、太陽電池構造をＩＴＯ／Ｐ−ｉ−
Ｎとし、Ｉ’ｌ’０膜上にＰ型層を積層して、特性を測
定してもＩＴＯ膜は劣化していなかった。
勿論、ＩＴＯ膜の劣化は、積層時の温度や、高周波出力
及びＩＴＯ膜の置かれている位置にも大きく関係する。
及びＩＴＯ膜の置かれている位置にも大きく関係する。
しかし、第５図が示すように、ル希釈中のＳｉ八へ度を
１０％より減らしていくと、工■膜の劣化は、激しくな
り、その上に積層したａ−８ｉ膜はうすく白濁して見え
、このように白濁したａ−８ｉ太陽電池は電圧、電流と
も微少なものとなり、はとんど太陽電池としての機能を
失５゜一方、太陽電池の構造をＩＴＯ／ Ｎ −ｉ −
Ｐと逆転すると警くべきことに基板の温度を４００℃と
しても、さらにプラズマガス中のＳｉＨ４の濃度を１０
．９ｇより減少し、２％としてもＩＴＯ膜は劣化せずａ
−８ｉ膜に白濁は見られなかった。
１０％より減らしていくと、工■膜の劣化は、激しくな
り、その上に積層したａ−８ｉ膜はうすく白濁して見え
、このように白濁したａ−８ｉ太陽電池は電圧、電流と
も微少なものとなり、はとんど太陽電池としての機能を
失５゜一方、太陽電池の構造をＩＴＯ／ Ｎ −ｉ −
Ｐと逆転すると警くべきことに基板の温度を４００℃と
しても、さらにプラズマガス中のＳｉＨ４の濃度を１０
．９ｇより減少し、２％としてもＩＴＯ膜は劣化せずａ
−８ｉ膜に白濁は見られなかった。
第１図の凪とＢｇ）（ａのデータはこの結果をはっきり
と裏付けている。
と裏付けている。
−なお、ここでＰ型不純物としてはジボラン（以下Ｂｓ
Ｈａと記す）を、Ｎ型不純物としてはフォスフイン（以
下島と記す）を用いた。
Ｈａと記す）を、Ｎ型不純物としてはフォスフイン（以
下島と記す）を用いた。
ＩＴＯ／Ｎ −ｉ −Ｐ構造とすることによって、ａ−
８ｉ太陽電池の製造基板温度領域を拡大し、８ｉＨ，濃
度を大巾に減少し得た。このことはＳｉＨ。
８ｉ太陽電池の製造基板温度領域を拡大し、８ｉＨ，濃
度を大巾に減少し得た。このことはＳｉＨ。
の消費を半分以下に削減することを可能にし、且つ低価
格民生用ａ−８ｉ太陽電池に多く採用されているガラス
基盤上にＩＴＯ膜を付け、更にこの上にａ −８ｉを積
層する太陽電池（以下ガラス／ ＩＴＯ／ ａ −Ｓｉ
太陽電池と記す）にも本発明は応用し得るものであるこ
とを意味している。
格民生用ａ−８ｉ太陽電池に多く採用されているガラス
基盤上にＩＴＯ膜を付け、更にこの上にａ −８ｉを積
層する太陽電池（以下ガラス／ ＩＴＯ／ ａ −Ｓｉ
太陽電池と記す）にも本発明は応用し得るものであるこ
とを意味している。
なお、上記においては透明電極としてＩＴＯのみを考慮
してきたが、これはＩＴＯの成分でもある酸化スズ膜（
以下８ｎＯ２と記す）、酸化インジウム膜（以下Ｉｎｓ
＋Ｏｓと記す）についても同様であった。
してきたが、これはＩＴＯの成分でもある酸化スズ膜（
以下８ｎＯ２と記す）、酸化インジウム膜（以下Ｉｎｓ
＋Ｏｓと記す）についても同様であった。
本発明に関する実施例
（１）グロー放電ガスをル、Ａｒ、Ｎ２１，３２Ｈａ
＋ Ｈａ、ＰＨ３＋ Ｎ２と変えてプラズマによるＩＴ
Ｏ膜の衝撃実験を行った。
＋ Ｈａ、ＰＨ３＋ Ｎ２と変えてプラズマによるＩＴ
Ｏ膜の衝撃実験を行った。
この結果ＩＴＯ膜の劣化については温度の効果が大きく
、例えば水素プラズマ中では最も低温ｏ約２５０℃テＩ
ＴＯ膜は劣化し、次ＶＣＢ＋Ｈａ＋Ｈａ、Ａｒの順であ
った。
、例えば水素プラズマ中では最も低温ｏ約２５０℃テＩ
ＴＯ膜は劣化し、次ＶＣＢ＋Ｈａ＋Ｈａ、Ａｒの順であ
った。
Ｎ、及びＰＨ，Ｓ＋ｌＦ（＋１のプラズマ中では室温か
ら４００℃までの間ＩＴＯ膜はほとんど劣化することが
なかった。
ら４００℃までの間ＩＴＯ膜はほとんど劣化することが
なかった。
これらの結果を第１図に示す。
なお、ＩＴＣ）膜の劣化の度合にほぼ比例してＩＴＯ膜
は白濁した。
は白濁した。
（２） ＩＴＯ膜の温度を３００℃に固定し、ル、Ａ
ｒ、Ｎ２、Ｂ、Ｈ，−）−Ｎ２、ＰＨ！ｌ ＋Ｈ２のプ
ラズマ中で衝撃時間を変えてＩ’ｌ’Ｏ膜の劣化を調査
した。
ｒ、Ｎ２、Ｂ、Ｈ，−）−Ｎ２、ＰＨ！ｌ ＋Ｈ２のプ
ラズマ中で衝撃時間を変えてＩ’ｌ’Ｏ膜の劣化を調査
した。
その結果、 Ｎ２中ではＩＴＯ膜は１分以内で完全に劣
化をきたしＢ２Ｈ６＋ＨＩＩ中では７〜８分から劣化が
はじまった。Ａｒ 、 Ｎａ、 ＰＨ５＋Ｈ２中では６
分までの間でＩＴＯ膜はほとんど劣化することがなかっ
た。
化をきたしＢ２Ｈ６＋ＨＩＩ中では７〜８分から劣化が
はじまった。Ａｒ 、 Ｎａ、 ＰＨ５＋Ｈ２中では６
分までの間でＩＴＯ膜はほとんど劣化することがなかっ
た。
この結果を第３図に示す。
（３） ＩＴＯ膜の温度を３００℃とし、プラズマ衝
撃時間を５分に固定して、プラズマ発生パワーを変化さ
せ、ＩＴＯ膜劣化との関連を調整した。
撃時間を５分に固定して、プラズマ発生パワーを変化さ
せ、ＩＴＯ膜劣化との関連を調整した。
この結果Ｉ（２及びＢ２Ｈ１１＋ Ｈｚ中ではＩＯＷ以
下の小出力で■■膜は劣化した。Ａｒ中では約４０Ｗか
ら劣化がはじまった。
下の小出力で■■膜は劣化した。Ａｒ中では約４０Ｗか
ら劣化がはじまった。
２１２、ＰＨ，十ル中では、ｓｏｗ以上の高出力でもＩ
ＴＯ膜はほとんど劣化することがなかった。
ＴＯ膜はほとんど劣化することがなかった。
これを第２図に示す。
（４） ＳｉＨ，をルで希釈して用いる場合、必ずル
が入ルノテ、Ｉ′ＩｌＯ膜ノ劣化カ５ｉＨ４トル及ヒＢ
２）（６（またはＨ（３）の混合ガス中のＳｉＨ４濃度
とどのように関係するのかを太陽電池を作りその特性を
評価することによって調べたところ、ＩＴＯ／ Ｐ −
ｉ −Ｎ型太陽電池ではプラズマガス中ＳｉＨ４濃度が
約８チから工■膜の白濁゛が始まりそれ以下の濃度で太
陽電池特性も急速に低下していくことがわかった。
が入ルノテ、Ｉ′ＩｌＯ膜ノ劣化カ５ｉＨ４トル及ヒＢ
２）（６（またはＨ（３）の混合ガス中のＳｉＨ４濃度
とどのように関係するのかを太陽電池を作りその特性を
評価することによって調べたところ、ＩＴＯ／ Ｐ −
ｉ −Ｎ型太陽電池ではプラズマガス中ＳｉＨ４濃度が
約８チから工■膜の白濁゛が始まりそれ以下の濃度で太
陽電池特性も急速に低下していくことがわかった。
ところが警いたことに、太陽電池の構造をＩＴＯ／Ｎ
−ｆ −Ｐと逆転したところプラズマガス中のＳｉＨ，
濃度が８チはおろか２％以下になってもＩＴＯｊＪの白
濁はおこらず、太陽電池特性も全く良好な結果を示した
。
−ｆ −Ｐと逆転したところプラズマガス中のＳｉＨ，
濃度が８チはおろか２％以下になってもＩＴＯｊＪの白
濁はおこらず、太陽電池特性も全く良好な結果を示した
。
この結果を第５図に示す。
なお、混合ガス中のＳｉ）％濃度が８％のときノ５ｉｆ
ＬＫ対ｔ ルＢ２Ｈ６（７） 濃度は約０．５８ ％で
あった。
ＬＫ対ｔ ルＢ２Ｈ６（７） 濃度は約０．５８ ％で
あった。
ｐＨ，の場合も同じ割合であった。
（５） ＨｚやＡｒなとプラズマで激しく衝撃された
領域Ｂと衝撃されていない領域大を８ＥＭで観察したと
ころ、激しく衝撃さしてシート抵抗ｆＬｓが１１？Ω以
上になっている領域では、ＩＴＯ膜が破れ粒状化してい
ることが分った。
領域Ｂと衝撃されていない領域大を８ＥＭで観察したと
ころ、激しく衝撃さしてシート抵抗ｆＬｓが１１？Ω以
上になっている領域では、ＩＴＯ膜が破れ粒状化してい
ることが分った。
これを第４図に示す。
更）ｃ、ＥＰＭＡで観察したところ、プラズマで衝撃さ
れた領域Ｂでは特に酸素量が大巾に減少していることが
分った。Ａｒや８ｎ、Ｉｎについても観察を行った。
れた領域Ｂでは特に酸素量が大巾に減少していることが
分った。Ａｒや８ｎ、Ｉｎについても観察を行った。
本発明では以上詳述した結果より、ａ−８ｉ太陽電池の
製造の基板温度領域を拡大し高価なＳｉＨ４の消費を大
巾に削減し、且つ低価格の民生用ａ−８ｉ太陽電池に多
く用いられる、ガラス／ＩＴＯ／ ａ −８ｉ型の良好
な太陽電池を製作することができた。
製造の基板温度領域を拡大し高価なＳｉＨ４の消費を大
巾に削減し、且つ低価格の民生用ａ−８ｉ太陽電池に多
く用いられる、ガラス／ＩＴＯ／ ａ −８ｉ型の良好
な太陽電池を製作することができた。
なお、ここにおける発明は基板等を清浄にする目的でａ
−８ｉをＩ’ｌ’０膜上に積層する前に行われる基板の
Ｎ、グロー放電にも適用できることは明らかである。
−８ｉをＩ’ｌ’０膜上に積層する前に行われる基板の
Ｎ、グロー放電にも適用できることは明らかである。
第１図はシート抵抗と温度との関係説明図、第２図はシ
ート抵抗とプラズマ発生のための出力との関係説明図、
第３図はシート抵抗とプラズマ衝撃時間との関係説明図
、第４図は１１’Ｏ膜におけるプラズマによって衝撃さ
れていない領域Ａとプラズマによって衝撃されている領
域Ｂと を示す顕微鏡写真図、第５図は太陽電池の電流
とＳｉＨ４濃度との関係説明図である。 出願人 小松電子金属株式会社 出願人 株式会社 小松製作所 代理人 弁理士 米 原 正 章 弁理士 浜 本 忠 第１図 第２図 第３図 Ｔ（ｍｉ／ｎ） 第４図 第５図 ５ｊＨａ （％） 手続補正書（方式） 昭和５６年′１′ン月２３日 特許庁長官 島田春樹 殿 １、事件の表示 特願昭５６− １１５３７９号３、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都港区赤坂２丁目３番６号氏 名 小松電
子金属株式会社（ほか１名）昭和５６年１１月５日（発
送日 昭和５６年１１月２４日）ｌ補正の内容 （１） 願書添付の明細書生薬１４頁４〜７行目の「
第４図・・・・・・顕微鏡写真図、」の部分を次のよう
に訂正する。 「 第４図はＩＴＯ膜におけるプラズマによって衝撃さ
れてい力い領域Ａとプラズマによって衝撃されている領
域Ｂとを示す説明図、」に訂正する。 （２）願書添付の図面中筒４＠を別紙のように訂正１１
、この第４図の参考写真を別紙のように提出する。 ・°１ ・！Ｌ゛〆Ｉ Ａ へ 〜
ート抵抗とプラズマ発生のための出力との関係説明図、
第３図はシート抵抗とプラズマ衝撃時間との関係説明図
、第４図は１１’Ｏ膜におけるプラズマによって衝撃さ
れていない領域Ａとプラズマによって衝撃されている領
域Ｂと を示す顕微鏡写真図、第５図は太陽電池の電流
とＳｉＨ４濃度との関係説明図である。 出願人 小松電子金属株式会社 出願人 株式会社 小松製作所 代理人 弁理士 米 原 正 章 弁理士 浜 本 忠 第１図 第２図 第３図 Ｔ（ｍｉ／ｎ） 第４図 第５図 ５ｊＨａ （％） 手続補正書（方式） 昭和５６年′１′ン月２３日 特許庁長官 島田春樹 殿 １、事件の表示 特願昭５６− １１５３７９号３、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都港区赤坂２丁目３番６号氏 名 小松電
子金属株式会社（ほか１名）昭和５６年１１月５日（発
送日 昭和５６年１１月２４日）ｌ補正の内容 （１） 願書添付の明細書生薬１４頁４〜７行目の「
第４図・・・・・・顕微鏡写真図、」の部分を次のよう
に訂正する。 「 第４図はＩＴＯ膜におけるプラズマによって衝撃さ
れてい力い領域Ａとプラズマによって衝撃されている領
域Ｂとを示す説明図、」に訂正する。 （２）願書添付の図面中筒４＠を別紙のように訂正１１
、この第４図の参考写真を別紙のように提出する。 ・°１ ・！Ｌ゛〆Ｉ Ａ へ 〜
Claims (8)
- （１）ルで希釈した８ｉＨ４を用い、グセ−放電によっ
てａ−８ｉ膜を積層してアモルファスシリコン太陽電池
を製造する方法において、透明電極上に最初ＶｃＮ型層
を積層することを特徴とするアモルファスシリ−７太陽
電池の製造方法。 - （２）透明電極上に最初ＫＮ型層を積層する不純物とし
て島を使用する特許請求の範囲の記載１のアモルファス
シリコン太陽電池の製造方法。 - （３） プラズマガス中の８６浪度を８嘔以下とする
特許請求の範囲の記載１のアモルファスシリ；ン太陽電
池の製造方法 - （４）透明電極としてＩＴＳ、 ８ｎＯａ、Ｉｎ２Ｏ５
Ｏうちいずれかを使用する特許請求の範囲の記載ｌまた
は３のアモルファスシリコン太陽電池の製造方法。 - （５） ａ−８ｉ膜の積層温度を２００℃以上５００
℃以下の範囲とする特許請求の範囲の記載１または３の
アモルファスシリコン太陽電池の製造方法。 - （６） Ｈａで希釈したＳｉＨ，を用いグロー放電に
よってａ −８！膜を積層してアモルファスシリコン太
陽電池を製造する方法において、透明電極上に最初ＫＮ
型層を積層する前に透明電極なＮ２グロー放電により処
理するよ５Ｋしたことを特徴とするアモルファスシリコ
ン太陽電池の製造方法。 - （７）透明電極としＩＴＯ１８ｎＯ２、Ｉｎ５Ｏｓのう
ちのいずれかを使用する特許請求の範囲の記載６のアモ
ルファスシリコン太陽電池の製造方法。 - （８） ａ−８ｔ膜の積層温度を２００℃以上５００
℃以下の範囲とする特許請求の範囲の記載６のアモルフ
ァスシリコン太陽電池の製造方法。 □′ゝ（９
） ）Ｉ２で希釈したＳｉＨ，を用いグロー放電によ
ってａ−８ｉ膜を積層してアモルファスシリコン太陽電
池を製造する方法においてガラス基盤上に透明電極をつ
け、該透明電極上に最初にＮ型層を積層したことを特徴
とするアモルファスシリコン太陽電池の製造法。 ｃｌｌ プラズマガス中のＳｉＨ４濃度を８−以下に
する特許請求の範囲の記載９のアモルファスシリコン太
陽電池の製造方法。 α１）Ｈａで希釈した５ｔＨ４を用いグロー放電によっ
てａ−８１膜を積層してアモルファスシリコン太陽電池
を製造する方法において、ガラス基盤上に透明電極をつ
け透明電極上に最初にＮ型層を積層する前に、透明電極
をＮ２グロー放電により処理し、ａ−８ｉを積層するよ
うにしたことを特徴とするアモルファスシリコン太陽電
池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56115379A JPS5870579A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56115379A JPS5870579A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5870579A true JPS5870579A (ja) | 1983-04-27 |
Family
ID=14661064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56115379A Pending JPS5870579A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5870579A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5544793A (en) * | 1978-09-25 | 1980-03-29 | Rca Corp | Amorphous silicon solar battery |
-
1981
- 1981-07-24 JP JP56115379A patent/JPS5870579A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5544793A (en) * | 1978-09-25 | 1980-03-29 | Rca Corp | Amorphous silicon solar battery |
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