JP2006210559A - 非単結晶太陽電池およびその製造方法並びに非単結晶太陽電池製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも一つのp型半導体層3がガリウムドープp層31、i型半導体層32からなるデルタドープ層であることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
"Formation of interface defects by enhanced impurity diffusion in microcrystalline silicon solar cells" Y.Nasuno et.al. Appl.Phys.Lett. 81, 3155 (2002) " Perrin et.al. Surf. Sci. 210, 114(1989)" 前述の課題を解決するために原子半径の小さいボロンに代わって、ガリウムを薄膜シリコン光電変換素子のp型ドーパントとして用いることが、特許文献1に公開されている。ガリウムはボロンと比較して原子が大きく従って拡散が少ないためpi界面で欠陥準位が形成されにくいという特性がある。しかしながら、ガリウムは金属元素であるために薄膜中で偏析しやすいという難点があり、ボロンドープp型薄膜と同等の吸収係数とキャリア濃度を併せ持つガリウムドープp型薄膜を形成することが難しいという問題があった。このため、曲線因子や変換効率の劣る非単結晶太陽電池であった。
、i型半導体層からなるデルタドープ層であることを特徴とする非単結晶太陽電池としたものである。
に別々の系統で真空漕10内へと導入することができるし、真空漕10外の配管中で一系統にまとめられ真空漕内へと導入することもできる(キャリア水素用マスフロー14、シラン用マスフロー15、水素用マスフロー16、ジボラン用マスフロー17等を利用)。またカソード側の電極に多数の孔を空け、そこから源材料を導入(いわゆるカソードシャワー)することもできる。なおガリウム供給原料とボロン供給原料の双方が供給可能な製造装置はこれらに限定されるものではない。
フルオロエチレン共重合樹脂、耐候性ポリエチレンテレフタレート、耐候性ポリプロピレン、ガラス繊維強化アクリル樹脂フィルム、ガラス繊維強化ポリカーボネート、ポリイミド、透明性ポリイミド、フッ素系樹脂、環状ポリオレフィン系樹脂、ポリアクリル系樹脂、SUS薄板、Alフォイルなどを使用することができるが、これらに限定されるわけではない。これらは単独の基材として使用してもよいが、二種以上を積層した複合基材を使用することもできる。
[実施例1]
図1(a)はp型半導体層を含む非単結晶太陽電池の実施例の概略断面図で、図1(b)は、本発明の非単結晶太陽電池に係るp型半導体層の概略断面図である。図2は本発明のp型半導体層を含む非単結晶太陽電池の製造装置の一例を示した説明図である。
成膜後、導入ガスを止め、7×10-5Paまで真空漕10内を排気した後、引き続きバルブ20を開け、シラン用マスフロー15、水素用マスフロー16を通して成膜ガスを真空漕10内へと導入し、以下のパラメータでプラズマCVD法によりi型微結晶シリコン層32を以下の条件で5A設けた(図1(b))。
SiH4流量:15SCCM、H2流量:500SCCM、動作圧力266Pa、投入電力5W、励起周波数54.24MHz、基板温度:250℃
この操作を20回繰り返し、p型半導体層3として、[ガリウムドープp型微結晶層(5A)/i型微結晶層(5A)]からなるデルタドープp型半導体層を20nmの厚さまで積層した(図1(b))。
微結晶i層5作製条件
SiH4流量:15SCCM、H2流量:500SCCM、動作圧力266Pa、投入電力5W、励起周波数54.24MHz、基板温度:250℃、膜厚2μm
n型アモルファス層6作成条件
SiH4流量:10SCCM、H2で希釈したPH3ガス(H2:99%、PH3ガス:1%)流量:20SCCM、動作圧力20Pa、投入電力10W、励起周波数13.56MHz、基板温度:250℃、膜厚25nm
その後、真空漕10から取り出して、スパッタ法で透明導電膜(2)7としてZnO膜を30nm成膜し、さらに金属電極8としてAgを500nm真空蒸着法で設けた。
[比較例1]
図1(a)に比較例のp型半導体層を含む非単結晶太陽電池の概略断面図を図2に本実施例の非単結晶太陽電池を作製するために用いた装置の概略断面図を示す。
さらに、以下の条件で微結晶i層5、アモルファスn層6を作製した。
微結晶i層5作製条件
SiH4流量:15SCCM、H2流量:500SCCM、動作圧力266Pa、投入電力5W、励起周波数54.24MHz、基板温度:250℃、膜厚2μm
n型アモルファス層6作成条件
SiH4流量:10SCCM、H2で希釈したPH3ガス(H2:99%、PH3ガス:1%)流量:20SCCM、動作圧力20Pa、投入電力10W、励起周波数13.56MHz、基板温度:250℃、膜厚25nm
その後、真空漕から取り出して、スパッタ法で透明導電膜(2)7としてZnO膜を30nm成膜し、さらに金属電極8としてAgを500nm真空蒸着法で設けた。
[比較例2]
図1(a)に他の比較例のp型半導体層を含む非単結晶太陽電池の概略断面図を図2に本実施例の非単結晶太陽電池を作製するために用いた装置の概略断面図を示す。
さらに、以下の条件で微結晶i層5、アモルファスn層6を作製した。
微結晶i層5作製条件
SiH4流量:15SCCM、H2流量:500SCCM、動作圧力266Pa、投入電力5W、励起周波数54.24MHz、基板温度:250℃、膜厚2μm
n型アモルファス層6作成条件
SiH4流量:10SCCM、H2で希釈したPH3ガス(H2:99%、PH3ガス:1%)流量:20SCCM、動作圧力20Pa、投入電力10W、励起周波数13.56MHz、基板温度:250℃、膜厚25nm
その後、真空漕から取り出して、スパッタ法で透明導電膜(2)7としてZnO膜を30nm成膜し、さらに金属電極8としてAgを500nm真空蒸着法で設けた。
[試験および結果]
このように作製した本発明のp型半導体層を有する微結晶シリコン太陽電池とガリウムをドープした微結晶p層、ボロンをドープした微結晶p層を用いた微結晶シリコン太陽電池の特性をそれぞれ比較した。比較例を表1に示す。
2・・・・透明導電膜
3・・・・p型半導体層
31・・・・ガリウムドープp型微結晶シリコン層
32・・・・i型微結晶シリコン層
5・・・・微結晶i層
6・・・・アモルファスn層
7・・・・透明導電膜(2)
8・・・・金属電極
10・・・真空漕
11・・・試料
12・・・ドーパント用材料容器
13・・・恒温漕
14・・・キャリア水素用マスフロー
15・・・シラン用マスフロー
16・・・水素用マスフロー
17・・・ジボラン用マスフロー
18・・・自動圧力制御装
19・・・バルブ
20・・・バルブ
21・・・上部電極
22・・・下部電極
23・・・電源
Claims (3)
- シリコンもしくはゲルマニウムを主成分とするp型半導体層、実質的に真性なi型半導体層、n型半導体層を積層したpin接合を少なくとも一つ有する非単結晶太陽電池において、少なくとも一つのp型半導体層がガリウムドープp層、i型半導体層からなるデルタドープ層であることを特徴とする非単結晶太陽電池。
- シリコンもしくはゲルマニウムを主成分とするp型半導体層、実質的に真性なi型半導体層、n型半導体層を積層したpin接合を少なくとも一つ有する太陽電池の製造方法において、少なくとも一つのp型半導体層の形成を、ガリウムドープp層と、i型半導体層とをデルタドーピングして形成することを特徴とする非単結晶太陽電池の製造方法。
- ガリウム供給原料とボロン供給原料の双方が供給可能な請求項1記載のp型半導体材料を作製することを特徴とする非単結晶太陽電池の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005019368A JP2006210559A (ja) | 2005-01-27 | 2005-01-27 | 非単結晶太陽電池およびその製造方法並びに非単結晶太陽電池製造装置 |
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JP2005019368A JP2006210559A (ja) | 2005-01-27 | 2005-01-27 | 非単結晶太陽電池およびその製造方法並びに非単結晶太陽電池製造装置 |
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ID=36967075
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013536566A (ja) * | 2010-06-15 | 2013-09-19 | カリフォルニア インスティチュート オブ テクノロジー | 多層ドーピングを用いる量子排除による表面不活性化 |
CN103594540A (zh) * | 2013-11-28 | 2014-02-19 | 上海空间电源研究所 | 一种含有界面δ掺杂的异质结太阳电池 |
CN108493284A (zh) * | 2018-05-03 | 2018-09-04 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种晶格失配的多结太阳能电池及其制作方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0574707A (ja) * | 1991-09-17 | 1993-03-26 | Nippondenso Co Ltd | 非晶質半導体薄膜の製造方法 |
JP2004297008A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | p型半導体材料、その作製方法、その作製装置、光電変換素子、発光素子、および薄膜トランジスタ |
-
2005
- 2005-01-27 JP JP2005019368A patent/JP2006210559A/ja active Pending
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