JPS5868976A - 光点弧サイリスタ - Google Patents
光点弧サイリスタInfo
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- JPS5868976A JPS5868976A JP57169444A JP16944482A JPS5868976A JP S5868976 A JPS5868976 A JP S5868976A JP 57169444 A JP57169444 A JP 57169444A JP 16944482 A JP16944482 A JP 16944482A JP S5868976 A JPS5868976 A JP S5868976A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/111—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors
- H01L31/1113—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors the device being a photothyristor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、pベースが隣接しカッー′ドにより接触され
たnエミ、りと、nペースが隣接し7ノードにより接触
されたpエミ、りとを有する半導体素体および半導体素
体の界面に配置されMI8 )ランリスクを介して制御
可能のエミ、クシ、−ト部′とを備え、4)MI8)ラ
ンリスクがn (plエミッターp (mlペースに挿
入されこれと導電接続されたn lpl形の半導体領域
およびp (nlペースのゲートによって被覆された区
域を包含するような光点弧サイリスタに関する。
たnエミ、りと、nペースが隣接し7ノードにより接触
されたpエミ、りとを有する半導体素体および半導体素
体の界面に配置されMI8 )ランリスクを介して制御
可能のエミ、クシ、−ト部′とを備え、4)MI8)ラ
ンリスクがn (plエミッターp (mlペースに挿
入されこれと導電接続されたn lpl形の半導体領域
およびp (nlペースのゲートによって被覆された区
域を包含するような光点弧サイリスタに関する。
この種類のサイリスタは以前の西ドイツ@特許出a P
31181..18.2 号aAim書Km記1eす
tLティル。そのよ5なサイリスタの点弧はしかし、光
インパルスのほかKMIS構造に対する制御電圧インパ
ルスが必要である。光点弧の利点、すなわちサイリスタ
端子を制御電圧を生ずる制御回路から障害がなく高電圧
に耐えるように電気的に+離することの利点を保持する
ために制御回路な一光結合装置として構成されなければ
ならないが、しかしそれは費用がかかる。
31181..18.2 号aAim書Km記1eす
tLティル。そのよ5なサイリスタの点弧はしかし、光
インパルスのほかKMIS構造に対する制御電圧インパ
ルスが必要である。光点弧の利点、すなわちサイリスタ
端子を制御電圧を生ずる制御回路から障害がなく高電圧
に耐えるように電気的に+離することの利点を保持する
ために制御回路な一光結合装置として構成されなければ
ならないが、しかしそれは費用がかかる。
本発明は、点弧が点弧過程の間に必要なエミ。
タシ、2ト部の制御を含めて簡単なやり万でサイリスタ
面の胛明に由来するような最初に挙げた種類のサイリス
タを提供することを目的とする・この目的は光が照射さ
れる界面K m (pllエヤりの縁部区域−p(nl
ベースに挿入されMIS)ランリスクのゲートと接続さ
れた別のalpl形の半導体領域およびその間に位置す
るp (nlベースの部分区域を包含する横方向トラン
ジスタを備え、MIS)ランリスクのゲートがアノード
と接続されていることCでよって達成される。
面の胛明に由来するような最初に挙げた種類のサイリス
タを提供することを目的とする・この目的は光が照射さ
れる界面K m (pllエヤりの縁部区域−p(nl
ベースに挿入されMIS)ランリスクのゲートと接続さ
れた別のalpl形の半導体領域およびその間に位置す
るp (nlベースの部分区域を包含する横方向トラン
ジスタを備え、MIS)ランリスクのゲートがアノード
と接続されていることCでよって達成される。
本発明により得ることができる利点は特に、順阻止&態
でグー・ト容1kK貯えられたエネルギーが点弧のため
に引き出され、それKよって比較的僅かな制御入力で点
弧過程の呼び起こしに至ることにある− 以下図を引用して本発明の詳細な説明する。
でグー・ト容1kK貯えられたエネルギーが点弧のため
に引き出され、それKよって比較的僅かな制御入力で点
弧過程の呼び起こしに至ることにある− 以下図を引用して本発明の詳細な説明する。
第1図に本発明により構成された÷イリスグを示す−そ
れは例えばシリコンのような単結晶半導体材料からなる
素体1を有し、その素体はn形層2m、2bkよび4ど
p形層3−よび5を有する♂二つの部分2mおよび2b
かiなる層はnエミ、夕、層3はpベース、層4はnペ
ースそして層5はpエミッタとも呼ばれる。nエミ、り
の部分2aおよび2bは半導体素体1の界面6に、例え
ばアルミニウムのような導電材料からなり、−諸にサイ
リスクのカンードを形成する被覆7m mよひ7bを備
える。それらは端子にと接続されている・p:L−ミ。
れは例えばシリコンのような単結晶半導体材料からなる
素体1を有し、その素体はn形層2m、2bkよび4ど
p形層3−よび5を有する♂二つの部分2mおよび2b
かiなる層はnエミ、夕、層3はpベース、層4はnペ
ースそして層5はpエミッタとも呼ばれる。nエミ、り
の部分2aおよび2bは半導体素体1の界面6に、例え
ばアルミニウムのような導電材料からなり、−諸にサイ
リスクのカンードを形成する被覆7m mよひ7bを備
える。それらは端子にと接続されている・p:L−ミ。
り5には半導体素体の反対側の界面8で、例えば7、/
I−、:ミニラムのような導電材料からなる7ノード9
か接触している。7ノード9は端子人と備える。
I−、:ミニラムのような導電材料からなる7ノード9
か接触している。7ノード9は端子人と備える。
nエミ、り2a*2bは第1図では、それぞれMISへ
゛界効界形トランジスタ、例えば81.Dl、G1ある
いは82.Dl、G2、界i1i′6まで延びるpペー
ス3の突出部KAおよび界面6上に被着された金属化ブ
リッジMからなる制御可能なエミッタショート部5k4
r:備えている□nエミ、り部2mの81の符号を付し
た縁部、@の区域はその場合ソース声域となる。
゛界効界形トランジスタ、例えば81.Dl、G1ある
いは82.Dl、G2、界i1i′6まで延びるpペー
ス3の突出部KAおよび界面6上に被着された金属化ブ
リッジMからなる制御可能なエミッタショート部5k4
r:備えている□nエミ、り部2mの81の符号を付し
た縁部、@の区域はその場合ソース声域となる。
”n”l’−ピングされたドレイン領域DIおよび界面
6の薄い電気絶縁簀181によって分離された、導電材
料νらなり端子Gと接続されたゲートGlが、導通状態
で突出部に人からMを介してnエミ、り部分2aへの低
抵抗接続を生成するMIS)ランリスクへSJを袖5・
同様な方式で部分82 、 DlおよびG2が、導通状
線でKAとnエミ、夕の部分2bの間の低抵抗接続を生
成する第二のMID)ランリスクを形成す゛ ′る・金
属化ブリッジ¥はその際突出部KAをドレイン領域DI
およびDlと接続する・ 第1図に示す制御可能の工ξ、タシ肩−ト部8Kを含む
サイリスタ面 るならば、MIS@造は環状の諺工ξ、タ部分2mの外
縁および環状のn、エミッタ部分2bの内縁忙それぞれ
接して位置する。この実施態様の発展においてはそのよ
うなMT8構造の複数を多数の環状で同心の11z4.
夕部分がそれぞれ相互から分離できることも当然である
。しかしnエミ、夕部分2 m’ F2bは条状に形成
して条状MIS構造により擁護するこ、ともで會る(フ
ィンガ構播)、さらに第1図に示す装置を、互から分離
されたnエミッタ部分2麿および2bの代りに1できる
だけ一様に分布された多数の一口部OFおよびov′を
備えた連続したn工4ツタ2龜、2bを用意するよ5に
構成することもできる。この場合、符号D!およびDl
は、軸11に中心対称に形成された一つで同じ環状のn
+ドーピングされたドレイン領域の異なる断頁を示すだ
けにすぎないG81および82はその時は開口部OFを
―む醜工1.り1.s、 2bの一つでWI11′T:
、緑帯域の異なる断面を意味する。制御可能のエミ、り
短N1部SKの制御と原理上の作動様式はこの実施変形
に影響されないままである。
6の薄い電気絶縁簀181によって分離された、導電材
料νらなり端子Gと接続されたゲートGlが、導通状態
で突出部に人からMを介してnエミ、り部分2aへの低
抵抗接続を生成するMIS)ランリスクへSJを袖5・
同様な方式で部分82 、 DlおよびG2が、導通状
線でKAとnエミ、夕の部分2bの間の低抵抗接続を生
成する第二のMID)ランリスクを形成す゛ ′る・金
属化ブリッジ¥はその際突出部KAをドレイン領域DI
およびDlと接続する・ 第1図に示す制御可能の工ξ、タシ肩−ト部8Kを含む
サイリスタ面 るならば、MIS@造は環状の諺工ξ、タ部分2mの外
縁および環状のn、エミッタ部分2bの内縁忙それぞれ
接して位置する。この実施態様の発展においてはそのよ
うなMT8構造の複数を多数の環状で同心の11z4.
夕部分がそれぞれ相互から分離できることも当然である
。しかしnエミ、夕部分2 m’ F2bは条状に形成
して条状MIS構造により擁護するこ、ともで會る(フ
ィンガ構播)、さらに第1図に示す装置を、互から分離
されたnエミッタ部分2麿および2bの代りに1できる
だけ一様に分布された多数の一口部OFおよびov′を
備えた連続したn工4ツタ2龜、2bを用意するよ5に
構成することもできる。この場合、符号D!およびDl
は、軸11に中心対称に形成された一つで同じ環状のn
+ドーピングされたドレイン領域の異なる断頁を示すだ
けにすぎないG81および82はその時は開口部OFを
―む醜工1.り1.s、 2bの一つでWI11′T:
、緑帯域の異なる断面を意味する。制御可能のエミ、り
短N1部SKの制御と原理上の作動様式はこの実施変形
に影響されないままである。
デート電圧、すなわちGを介してG1および02K A
かれる電圧がpベース3のその下Kfi置する部分に相
対的に零であるならば、電界効果形トランジスタ活、G
l、DIおよび82.G2.D2け阻止状叢であり、エ
ミ賃タショート部は遮断され、サイリスタは高い点弧感
度をもつ状態に存在する。正のゲート電圧の印加によっ
て短絡部は導通し□、サイリス;は点弧感度をもたない
安定した状態に移される。MI8電界効果形トランジス
タの制御のために、この電界効果形トランジスタめ制御
端子Gは高抵抗の電流制限抵抗RとダイオードD3を介
して7ノード端子Aと接続されている。付加してGから
nエミ曽夕2aの内ff1(きわめて近接して存在する
別のfl +”−ピングされた帯域12の端子への*
続が存在する。2aの内縁は光制御のgxpa横方向ト
ランジスタのエミ、りを、領域12はコレクタを。
かれる電圧がpベース3のその下Kfi置する部分に相
対的に零であるならば、電界効果形トランジスタ活、G
l、DIおよび82.G2.D2け阻止状叢であり、エ
ミ賃タショート部は遮断され、サイリスタは高い点弧感
度をもつ状態に存在する。正のゲート電圧の印加によっ
て短絡部は導通し□、サイリス;は点弧感度をもたない
安定した状態に移される。MI8電界効果形トランジス
タの制御のために、この電界効果形トランジスタめ制御
端子Gは高抵抗の電流制限抵抗RとダイオードD3を介
して7ノード端子Aと接続されている。付加してGから
nエミ曽夕2aの内ff1(きわめて近接して存在する
別のfl +”−ピングされた帯域12の端子への*
続が存在する。2aの内縁は光制御のgxpa横方向ト
ランジスタのエミ、りを、領域12はコレクタを。
そしてこの領域の間で表面に出るサイリスクのpペース
の部分はペースなそれぞれ形成する。そこで7ノード9
に正の電圧を印加するやいなや、この電圧は抵抗Bとダ
イオード3を介して制御端子GKも達し%−サイリスタ
が点弧感度のない状態に移されるよ5に導く・ゲー)
Gl 、i G2の容量への電圧はその場合高くとも領
域、臣とpイー330間のpnn会合ブレークダウン電
圧、゛すなわちIOないし20Vの程度の大きさになり
得る。
の部分はペースなそれぞれ形成する。そこで7ノード9
に正の電圧を印加するやいなや、この電圧は抵抗Bとダ
イオード3を介して制御端子GKも達し%−サイリスタ
が点弧感度のない状態に移されるよ5に導く・ゲー)
Gl 、i G2の容量への電圧はその場合高くとも領
域、臣とpイー330間のpnn会合ブレークダウン電
圧、゛すなわちIOないし20Vの程度の大きさになり
得る。
点弧な起こすために@1因に符号13で示されているよ
うにサイリスタに光を照射するならば、光の大部分は照
射されたnエミータ領域から層3および40間のpml
ik合まで進み、公知のようにサイリスタの点弧電流と
して役立つ光電流の発生に導く・同時にnpn横方向ト
ランジスタのベース領域を照射するならば、そ□れはこ
のトランジスタの導通とMIS)ランリスクのゲート容
量の放電をひきおこ丁・MIS−)シンリスクはそれに
よって阻止状mKなり1サイリスタは点弧感度をもつ状
態に変換される一MI8 )ランリスクの比較的大きい
ゲート容量のため、その際付加的な点弧1!扼インパル
スとし゛〔−動く強力な放電電流がpベース3(流れる
。外部コンデンサCの並列接続によってこの付ハ」的な
点弧W荒インパルスはなお増大される。
うにサイリスタに光を照射するならば、光の大部分は照
射されたnエミータ領域から層3および40間のpml
ik合まで進み、公知のようにサイリスタの点弧電流と
して役立つ光電流の発生に導く・同時にnpn横方向ト
ランジスタのベース領域を照射するならば、そ□れはこ
のトランジスタの導通とMIS)ランリスクのゲート容
量の放電をひきおこ丁・MIS−)シンリスクはそれに
よって阻止状mKなり1サイリスタは点弧感度をもつ状
態に変換される一MI8 )ランリスクの比較的大きい
ゲート容量のため、その際付加的な点弧1!扼インパル
スとし゛〔−動く強力な放電電流がpベース3(流れる
。外部コンデンサCの並列接続によってこの付ハ」的な
点弧W荒インパルスはなお増大される。
へfl8)ランリスクの作動電圧は、点弧の後に7ノー
ド9に印加される順電圧が工!、タ短絡部を再び有効に
接続するのに十分である41と小さくなけれはならない
。そのとぎ?fけサイリスタe譚断につづくAに印加す
る正の電圧の回復しての急上昇番こおいて、゛サイリス
タをd′v/dt点弧がら保護する。 、 サイリスタが冗全に導通状態になる前に光@13を4!
9rすると、エミ・、夕勺絡部が直ちに有効になり、5
q方向への、へ友弧の拡大の妨害に導くことを阻止しな
ければたチ1cい。これは、MI8’ll量と充電抵抗
Rから形成されるR(”回路の時定数なρ弧前面の拡大
時間より太き(選定することKよって行わ〕t;ひる、
。
ド9に印加される順電圧が工!、タ短絡部を再び有効に
接続するのに十分である41と小さくなけれはならない
。そのとぎ?fけサイリスタe譚断につづくAに印加す
る正の電圧の回復しての急上昇番こおいて、゛サイリス
タをd′v/dt点弧がら保護する。 、 サイリスタが冗全に導通状態になる前に光@13を4!
9rすると、エミ・、夕勺絡部が直ちに有効になり、5
q方向への、へ友弧の拡大の妨害に導くことを阻止しな
ければたチ1cい。これは、MI8’ll量と充電抵抗
Rから形成されるR(”回路の時定数なρ弧前面の拡大
時間より太き(選定することKよって行わ〕t;ひる、
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一般にサイリスクの順阻止状@に7ノード9に印’a’
lJ L”れる電圧はl1pn)ランリスクのブレーク
ダウン電圧よりかなり大キ(、そのことがサイリスタの
望ましくない点弧虻導(。・それ故抵抗RはDを介して
流れる電流を、それがサイリ、スタの7弧にもルクター
ベース間ダイオードDの破壊にも導かないほど小さいよ
5に選ばれる。
lJ L”れる電圧はl1pn)ランリスクのブレーク
ダウン電圧よりかなり大キ(、そのことがサイリスタの
望ましくない点弧虻導(。・それ故抵抗RはDを介して
流れる電流を、それがサイリ、スタの7弧にもルクター
ベース間ダイオードDの破壊にも導かないほど小さいよ
5に選ばれる。
本発明の発lJ!によれば、サイリスタの点弧終度をも
つ彎S領域に、端子Gと接続されたn“ドーピング領域
14を有する第二のダイオードD4が備えられる一D4
のブレークダウン電圧はコレクターペース間ダイオード
Dのそれより低(選定されろ。従ってD4はGl−およ
びG2に加わるゲー)W圧を制限する1回路の変形忙よ
りD4を外部ダイオードに置き換えてもよい。 ゛ 第1図に示された装置の等価回路図が第2図に示されて
いる。サイリスタTHは負荷抵抗RLを介して7ノード
電圧源UAと接続されている。MIS)ランリスクMS
Tはサイリスタのカソード7a、7bとpイー330間
に接続された短絡部SKをあられす。RBは照−された
工2.タ領斌2mの内縁から第一の短絡構造までの、す
なわち二重矢印I5に沿っての径路抵抗を% CoはM
IS)ランジスタMSTのゲート容量4.Rは充電抵抗
を、そしてD3はそれを介して容量COがサイリスタの
7ノード電圧により充電されるダイオードなiれぞれ意
−味する。
つ彎S領域に、端子Gと接続されたn“ドーピング領域
14を有する第二のダイオードD4が備えられる一D4
のブレークダウン電圧はコレクターペース間ダイオード
Dのそれより低(選定されろ。従ってD4はGl−およ
びG2に加わるゲー)W圧を制限する1回路の変形忙よ
りD4を外部ダイオードに置き換えてもよい。 ゛ 第1図に示された装置の等価回路図が第2図に示されて
いる。サイリスタTHは負荷抵抗RLを介して7ノード
電圧源UAと接続されている。MIS)ランリスクMS
Tはサイリスタのカソード7a、7bとpイー330間
に接続された短絡部SKをあられす。RBは照−された
工2.タ領斌2mの内縁から第一の短絡構造までの、す
なわち二重矢印I5に沿っての径路抵抗を% CoはM
IS)ランジスタMSTのゲート容量4.Rは充電抵抗
を、そしてD3はそれを介して容量COがサイリスタの
7ノード電圧により充電されるダイオードなiれぞれ意
−味する。
D4はゲート電圧制限のための集積ダイオードまたは外
部接続ダイオードである。TRはnpn横方向トランジ
スタをあられし、そのエミ、りはサイリスタエミ、りの
内側の縁部領域から形成される。す関の電圧は、トラン
ジスタTR中にもサイリスタ中に(HA著な電子注入が
起針ないほど僅かである。
部接続ダイオードである。TRはnpn横方向トランジ
スタをあられし、そのエミ、りはサイリスタエミ、りの
内側の縁部領域から形成される。す関の電圧は、トラン
ジスタTR中にもサイリスタ中に(HA著な電子注入が
起針ないほど僅かである。
トランジスタTT?のルクタには、ルクターベース接合
あるいはダイオードD4のブレークダウン電圧が、両者
のうちのどちらがより小さいかに応じて現われる。M、
I8)ランリスタMATのゲート容量はこの電圧で充電
されており、MI19)う′ンリスタMATは従って導
通状]IIKある・サイリスタの点弧のために%サイリ
スクのpペース3とnpm )シンリスタのペースに同
時に光(p)が入射される・ TFLは通電しs Co
の端子Kを介しての放電に導く。COの放電電流′が十
分大きければ、それは、照明された工ξ、タ領斌の内縁
部16におけるサイリスタの点弧に導く。
あるいはダイオードD4のブレークダウン電圧が、両者
のうちのどちらがより小さいかに応じて現われる。M、
I8)ランリスタMATのゲート容量はこの電圧で充電
されており、MI19)う′ンリスタMATは従って導
通状]IIKある・サイリスタの点弧のために%サイリ
スクのpペース3とnpm )シンリスタのペースに同
時に光(p)が入射される・ TFLは通電しs Co
の端子Kを介しての放電に導く。COの放電電流′が十
分大きければ、それは、照明された工ξ、タ領斌の内縁
部16におけるサイリスタの点弧に導く。
CGの放電電流はnpn)ランリスタ’rRIF)電a
増輻係教pだ汁照明により発生ずる光′N流によるもの
より大きいから、電流tII!#1係数βだけが十分大
きいならば・放電電離゛を小さ色光入力に”゛″C′比
較的大きくあり得る・それ放水発明を補セれた。
増輻係教pだ汁照明により発生ずる光′N流によるもの
より大きいから、電流tII!#1係数βだけが十分大
きいならば・放電電離゛を小さ色光入力に”゛″C′比
較的大きくあり得る・それ放水発明を補セれた。
電流増幅と共忙行うことが↑き、その場合泊弧エネルギ
ーの一部は導通期間時よびW1阻止期間の間アノード電
圧源UAから供給、され、点弧までMISトランジスタ
のゲート容量番で貯えられる・さらにエミ、タシ望−ト
部8にならびに上述の、り5にも配電されていることが
できる。この回路変形の説明のために1半導体領域のP
iL電形?それぞれ逆のものによって置き換え、端子A
とKYlに交換しそして上述の電圧、電流をそれぞれ炉
の極性をもって導< 、、jxらば家1図を引用するこ
とができる・ ′・
ーの一部は導通期間時よびW1阻止期間の間アノード電
圧源UAから供給、され、点弧までMISトランジスタ
のゲート容量番で貯えられる・さらにエミ、タシ望−ト
部8にならびに上述の、り5にも配電されていることが
できる。この回路変形の説明のために1半導体領域のP
iL電形?それぞれ逆のものによって置き換え、端子A
とKYlに交換しそして上述の電圧、電流をそれぞれ炉
の極性をもって導< 、、jxらば家1図を引用するこ
とができる・ ′・
fp1図は本発明によるサイリスタの一実施例の付;V
回路を含めた断面図、第2図は第1図に示すサイリスタ
の等価回路図である。 l・・・半導体素体s 2m、2b・・・ロエミツタ、
3・・・pペース、6・・・半導体素体界面、7m、7
b+・・・カソード。 9・・・γノード、12 、14・・・n 領域、MA
T・・・MI8)ランリスタ、 TR・・・横方向トラ
ンジスタ。 代理人fj裡十山 口 Jl(命 I01 3
回路を含めた断面図、第2図は第1図に示すサイリスタ
の等価回路図である。 l・・・半導体素体s 2m、2b・・・ロエミツタ、
3・・・pペース、6・・・半導体素体界面、7m、7
b+・・・カソード。 9・・・γノード、12 、14・・・n 領域、MA
T・・・MI8)ランリスタ、 TR・・・横方向トラ
ンジスタ。 代理人fj裡十山 口 Jl(命 I01 3
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 l)pペースが隣接しカソードにより接触されたnエミ
、りと、nペースが隣接し7ノードにより接触されたp
工′ミ、りとを有する半導体素体および半導体素体の界
面に配置されMI8 )ランリスクを介して制御可能の
エミ、タシ、−ト郁を備え、各MI8)ランリスクがn
(pllエヤり、p (nlペースに挿入されこれと
導電接続された鳳(−形の半導体領域およびp(nlペ
ースのゲートによって被後された区域を包含するものに
おいて、光が照射される界面Kn(pllエヤりの縁部
区域、plalベースに挿入されMII9 )ランリス
クのゲートと接続された別のn (pl形の半導体領域
およびその間に位置するp(slペースの部分区域を包
含する横方向トランジスタを備え、MI8)ランリスク
のゲートが7ノードと接続されたことを特徴とする光点
弧サイリスタ。 2、特許請求の範囲第1項記載のサイリスタにおいて、
MI8 )ランシスタのゲートが充電抵抗およびダイオ
、−ドの直列接続を介して7ノードと接続されたことを
特徴とする光点弧サイリスタ。 S>*許請求の範囲第1項または第2項記載のサイリス
タにおいて、MI8 )ランリスクのゲートがコンデン
サを介してカソードと接続されたことを特徴とする光点
弧サイリスタ・ 4)特許請求の範囲第1項ないし第3項のいずれかに記
載のサイリスタKmいて%1)(1111ペースとp(
j11ペースに挿入された別のn (pl形の半導体領
域、の間の9a接合に、p(nlペース中に集積される
のが望ましい別のダイオードが並列接続されたことを特
徴とする光点弧サイリスタ・
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE31387632 | 1981-09-29 | ||
DE19813138763 DE3138763A1 (de) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | Lichtzuendbarer thyristor mit steuerbaren emitter-kurzschluessen und zuendverstaerkung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5868976A true JPS5868976A (ja) | 1983-04-25 |
Family
ID=6142949
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57169444A Pending JPS5868976A (ja) | 1981-09-29 | 1982-09-28 | 光点弧サイリスタ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4509069A (ja) |
EP (1) | EP0075720B1 (ja) |
JP (1) | JPS5868976A (ja) |
DE (1) | DE3138763A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60767A (ja) * | 1983-06-17 | 1985-01-05 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
FR2584237B1 (fr) * | 1985-06-28 | 1987-08-07 | Telemecanique Electrique | Dispositif integre mos-bipolaire normalement passant |
US4951110A (en) * | 1987-11-03 | 1990-08-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Power semiconductor structural element with four layers |
SE463235B (sv) * | 1989-02-23 | 1990-10-22 | Asea Brown Boveri | Mos-faelteffekttransistorstyrd tyristor |
JPH07112150B2 (ja) * | 1989-04-28 | 1995-11-29 | 株式会社東芝 | 光トリガースイッチング回路 |
JP3023858B2 (ja) * | 1991-03-29 | 2000-03-21 | 矢崎総業株式会社 | 光静電誘導サイリスタの駆動回路 |
US5450308A (en) * | 1994-02-23 | 1995-09-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gate power supply circuit |
US5444272A (en) * | 1994-07-28 | 1995-08-22 | International Rectifier Corporation | Three-terminal thyristor with single MOS-gate controlled characteristics |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE392783B (sv) * | 1975-06-19 | 1977-04-18 | Asea Ab | Halvledaranordning innefattande en tyristor och en felteffekttransistordel |
US4122480A (en) * | 1975-11-05 | 1978-10-24 | Licentia Patent-Verwaltungs-G.M.B.H. | Light fired thyristor with faulty firing protection |
JPS5574168A (en) * | 1978-11-28 | 1980-06-04 | Oki Electric Ind Co Ltd | Pnpn switch |
DE2945366A1 (de) * | 1979-11-09 | 1981-05-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Thyristor mit steuerbaren emitter-kurzschluessen |
DE2945335A1 (de) * | 1979-11-09 | 1981-06-04 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Lichtzuendbarer thyristor |
US4489340A (en) * | 1980-02-04 | 1984-12-18 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation | PNPN Light sensitive semiconductor switch with phototransistor connected across inner base regions |
-
1981
- 1981-09-29 DE DE19813138763 patent/DE3138763A1/de not_active Withdrawn
-
1982
- 1982-08-18 EP EP82107550A patent/EP0075720B1/de not_active Expired
- 1982-09-09 US US06/416,333 patent/US4509069A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-09-28 JP JP57169444A patent/JPS5868976A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4509069A (en) | 1985-04-02 |
EP0075720B1 (de) | 1987-03-11 |
EP0075720A2 (de) | 1983-04-06 |
EP0075720A3 (en) | 1984-06-13 |
DE3138763A1 (de) | 1983-06-30 |
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