JPS5867046A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS5867046A JPS5867046A JP56165688A JP16568881A JPS5867046A JP S5867046 A JPS5867046 A JP S5867046A JP 56165688 A JP56165688 A JP 56165688A JP 16568881 A JP16568881 A JP 16568881A JP S5867046 A JPS5867046 A JP S5867046A
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- oxide film
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- silicon oxide
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
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- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発Ｆ！Ａ紘多結晶シリコン酸化膜の形成方法を改喪
し九半導体装置の製造方法に関するものである。
し九半導体装置の製造方法に関するものである。
不純物を含んだ多結晶シリコン膜を熱的に酸化すること
によって形成される多結晶シリコン酸化膜ｈｓｚ層多結
晶シリコン構造を用いる半導体集積回路数置で第１層と
第２層多結晶シリコン間を絶縁するために多く用いられ
ている。仁の多結晶シリ；ン酸化展の形成に際してｉ要
とされる点線、（１）第１層と第２層多結晶シリコンの
両層間の絶縁不良を防止するために嵐好な膜質を持つ多
結晶シリコン酸化膜であること、（−）両層間の寄生容
量を低減するために、厚い多結晶シリコン酸化膜が得ら
れることである。従来、多結晶シリコン酸化膜の形成に
は、１ｉＬ燥酸素酸化あるい紘水蒸気酸化が用いられて
いる一１ｌＸ、実際に形成される多結晶シリコン酸化膜
の膜質および膜厚は酸化条件に大きく依存する。第１図
に示すように、多結晶シリコン酸化膜の絶縁破壊強度は
酸化温度に強く依存し。
によって形成される多結晶シリコン酸化膜ｈｓｚ層多結
晶シリコン構造を用いる半導体集積回路数置で第１層と
第２層多結晶シリコン間を絶縁するために多く用いられ
ている。仁の多結晶シリ；ン酸化展の形成に際してｉ要
とされる点線、（１）第１層と第２層多結晶シリコンの
両層間の絶縁不良を防止するために嵐好な膜質を持つ多
結晶シリコン酸化膜であること、（−）両層間の寄生容
量を低減するために、厚い多結晶シリコン酸化膜が得ら
れることである。従来、多結晶シリコン酸化膜の形成に
は、１ｉＬ燥酸素酸化あるい紘水蒸気酸化が用いられて
いる一１ｌＸ、実際に形成される多結晶シリコン酸化膜
の膜質および膜厚は酸化条件に大きく依存する。第１図
に示すように、多結晶シリコン酸化膜の絶縁破壊強度は
酸化温度に強く依存し。
高温の方が高い値を示す、すなわち、酸化温度が９５０
℃よシ低くなると、多結晶シリコン酸化膜の絶縁破壊強
度社急激に低下し、膜質が劣ってくる。さらに乾燥酸素
雰囲気中で形成した多結晶シリコン酸化膜の方が、水蒸
気雰囲気中で形成したものより、高い絶縁破壊強度を示
す、一方、厚い多結晶シリコン酸化膜を得る丸めには、
多結晶シリコンの酸化時に同時形成される単結晶シリコ
ン酸化膜との膜厚比（多結晶シリコン酸化膜厚／単結晶
シリコン酸化膜厚）を大きくすることが必要である。第
２図に示すように、前記の膜厚比Ｆｉ、酸化温度が低い
ほど、乾燥酸素酸化よル水蒸気酸化の方が大きな値とな
る。従って、前記の（１）項に対して望ましい酸化条件
は高温、乾燥酸素酸化であ！Ｄ、（ｉｔ）項にとっては
低温、水蒸気酸化が適している。このため、前記（１）
、 （１）項のそれぞれに対して適する酸化条件は、
同一の酸化方法からは得られないため、前記（１） 、
（Ｍ）項を同時に満足させることは、従来の酸化方法
では不可能であった。
℃よシ低くなると、多結晶シリコン酸化膜の絶縁破壊強
度社急激に低下し、膜質が劣ってくる。さらに乾燥酸素
雰囲気中で形成した多結晶シリコン酸化膜の方が、水蒸
気雰囲気中で形成したものより、高い絶縁破壊強度を示
す、一方、厚い多結晶シリコン酸化膜を得る丸めには、
多結晶シリコンの酸化時に同時形成される単結晶シリコ
ン酸化膜との膜厚比（多結晶シリコン酸化膜厚／単結晶
シリコン酸化膜厚）を大きくすることが必要である。第
２図に示すように、前記の膜厚比Ｆｉ、酸化温度が低い
ほど、乾燥酸素酸化よル水蒸気酸化の方が大きな値とな
る。従って、前記の（１）項に対して望ましい酸化条件
は高温、乾燥酸素酸化であ！Ｄ、（ｉｔ）項にとっては
低温、水蒸気酸化が適している。このため、前記（１）
、 （１）項のそれぞれに対して適する酸化条件は、
同一の酸化方法からは得られないため、前記（１） 、
（Ｍ）項を同時に満足させることは、従来の酸化方法
では不可能であった。
この発明は、前述の従来法による多結晶シリコン酸化膜
の形成による欠点を解消しようとするものであって、高
温酸素酸化を行なった後、低温水蒸気酸化を行表うこと
によ〕、絶縁破壊強度が高く、シかも厚い多結晶シリコ
ン酸化膜を形成できる。半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的としている。
の形成による欠点を解消しようとするものであって、高
温酸素酸化を行なった後、低温水蒸気酸化を行表うこと
によ〕、絶縁破壊強度が高く、シかも厚い多結晶シリコ
ン酸化膜を形成できる。半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的としている。
この目的を達成するために、この発明による半導体装置
の製造方法は、シリコン単結晶基板上にシリコン酸化膜
を介して第１の多結晶シリコン膜を堆積する工程と、こ
の第１の多結晶シリコン膜に不純物を拡散する工程と、
この第１の多結晶シリコン膜を９５０〜１１００℃の高
温、乾燥酸素雰囲気中で熱処理し所定の膜厚の多結晶シ
リコン酸化膜を形成した後に７００〜９００℃の低温。
の製造方法は、シリコン単結晶基板上にシリコン酸化膜
を介して第１の多結晶シリコン膜を堆積する工程と、こ
の第１の多結晶シリコン膜に不純物を拡散する工程と、
この第１の多結晶シリコン膜を９５０〜１１００℃の高
温、乾燥酸素雰囲気中で熱処理し所定の膜厚の多結晶シ
リコン酸化膜を形成した後に７００〜９００℃の低温。
水蒸気雰囲気中で熱処理して多結晶シリコン酸化膜を形
成する工程と、この工程の後に第２の多結晶シリコン膜
を堆積する工程とを含むことを特徴とするものである。
成する工程と、この工程の後に第２の多結晶シリコン膜
を堆積する工程とを含むことを特徴とするものである。
以下、この発明の一実施例につき図を参照して説明する
。
。
第３図Ｃ＆）ないしく・）はこの発明による一実施例を
示す半導体装置の製造工程の各段階の断面図である。ま
ず、第３図（りに示すように、シリコン単結晶基板ｌ上
にシリコン窒化膜を耐酸化マスクとして用いた通常の選
択酸化法によ〕、フィールド酸化膜２によって分離され
た活性領域３を形成する。
示す半導体装置の製造工程の各段階の断面図である。ま
ず、第３図（りに示すように、シリコン単結晶基板ｌ上
にシリコン窒化膜を耐酸化マスクとして用いた通常の選
択酸化法によ〕、フィールド酸化膜２によって分離され
た活性領域３を形成する。
次に、第３図（ｂ）に示すように、活性領域３のシリコ
ン表面を熱酸化することによって、第１のダート酸化膜
４を形成し、さらに第１の多結晶シリコン［１５を化学
気相反応法によル、全面に堆積させる。前記第１の多結
晶シリコン膜５にひ素Ａｓ、Ｊ）んＰ、はう素Ｂなどの
不純物を熱拡散法あるいはイオン注入法によって拡散し
、導電性を持たせる。
ン表面を熱酸化することによって、第１のダート酸化膜
４を形成し、さらに第１の多結晶シリコン［１５を化学
気相反応法によル、全面に堆積させる。前記第１の多結
晶シリコン膜５にひ素Ａｓ、Ｊ）んＰ、はう素Ｂなどの
不純物を熱拡散法あるいはイオン注入法によって拡散し
、導電性を持たせる。
次に、ホトリソグラフィ技術により、ホトレジストをマ
スクとして、第１の多結晶シリコ／Ｉ［５をエツチング
する。ホトレジストを除去した後、残した第１の多結晶
シリコン膜５をマスクとして嬉１ゲート酸化膜４をエツ
チングし、第３図＜ｂ）に示す構造とする０次に、９５
０〜１１００ｔｌ：の乾燥酸素雰囲気中で熱処理を行な
い、第１の多結晶シリコン膜５および活性領域３の・単
結晶シリコンを熱酸化し、所定の膜厚の酸化膜を形成す
る。仁の後、７０９〜９００℃の水蒸気雰囲気中で前記
領域を引き続き熱酸化し、目標とする膜厚の第２ダート
酸化膜７を形成すると同時に、第１０多結晶シリコン上
に多結晶シリ；ン酸化膜６を形成し。
スクとして、第１の多結晶シリコ／Ｉ［５をエツチング
する。ホトレジストを除去した後、残した第１の多結晶
シリコン膜５をマスクとして嬉１ゲート酸化膜４をエツ
チングし、第３図＜ｂ）に示す構造とする０次に、９５
０〜１１００ｔｌ：の乾燥酸素雰囲気中で熱処理を行な
い、第１の多結晶シリコン膜５および活性領域３の・単
結晶シリコンを熱酸化し、所定の膜厚の酸化膜を形成す
る。仁の後、７０９〜９００℃の水蒸気雰囲気中で前記
領域を引き続き熱酸化し、目標とする膜厚の第２ダート
酸化膜７を形成すると同時に、第１０多結晶シリコン上
に多結晶シリ；ン酸化膜６を形成し。
第３図Ｃｅ）に示す構造とする。仁の後、Ｊ１２の多結
晶シリコン膜８の堆積、不純物の拡散、ホトリソグラフ
ィ技術を用いての／ｆメーン形成を前記第１の多結晶シ
リコンＭ５の場合と同様にして行なぺ第３ｒ１ｇ（ｄ）
Ｋ示す構造とする０次に、シリコン単結晶中に不純物を
拡散し拡散層９を形成し、第３図（・）Ｋ示す構造とす
る。さらに図面では示していないが、保護用酸化膜、金
属配線！従来公知の技術によ〕形成し、半導体装置を完
成させる。
晶シリコン膜８の堆積、不純物の拡散、ホトリソグラフ
ィ技術を用いての／ｆメーン形成を前記第１の多結晶シ
リコンＭ５の場合と同様にして行なぺ第３ｒ１ｇ（ｄ）
Ｋ示す構造とする０次に、シリコン単結晶中に不純物を
拡散し拡散層９を形成し、第３図（・）Ｋ示す構造とす
る。さらに図面では示していないが、保護用酸化膜、金
属配線！従来公知の技術によ〕形成し、半導体装置を完
成させる。
以上説明したように、この実施例の半導体装置の製造方
法線条結晶シリコン酸化展の形成を、＊初に高温、乾燥
酸素酸化にょＬ次に引き続き低温、水蒸気酸化によ〕行
なう。この方法によれに。
法線条結晶シリコン酸化展の形成を、＊初に高温、乾燥
酸素酸化にょＬ次に引き続き低温、水蒸気酸化によ〕行
なう。この方法によれに。
絶縁破壊強度が高く、シかも厚い多結晶シリコン酸化膜
が得られるため、従来法の欠点を解消できる。１１４図
は、各種酸化法によって形成した多結晶シリ；ン酸化膜
の特性の比較を示すものである。
が得られるため、従来法の欠点を解消できる。１１４図
は、各種酸化法によって形成した多結晶シリ；ン酸化膜
の特性の比較を示すものである。
８５０℃の水蒸気酸化法は、多結晶と単結晶の酸化膜厚
比を大きくでき、厚い多結晶シリコン酸化膜が得られる
が、絶縁破壊強度が非常に劣るという欠点がある。一方
、９５０℃の乾燥酸素酸化法は絶縁破壊強度を非常に高
くできるが、膜厚比が小さ込ために厚い多結晶シリコン
酸化膜が得られない。しかし、この実施例による９５０
℃の乾燥酸素酸化を行なった後、８５０℃の水蒸気酸化
を行なう方法では、絶縁破壊強度が高い良質な、しかも
厚い多結晶シリコン酸化膜が得られ、前述した従来法の
それぞれの欠点を同時に解決できる。
比を大きくでき、厚い多結晶シリコン酸化膜が得られる
が、絶縁破壊強度が非常に劣るという欠点がある。一方
、９５０℃の乾燥酸素酸化法は絶縁破壊強度を非常に高
くできるが、膜厚比が小さ込ために厚い多結晶シリコン
酸化膜が得られない。しかし、この実施例による９５０
℃の乾燥酸素酸化を行なった後、８５０℃の水蒸気酸化
を行なう方法では、絶縁破壊強度が高い良質な、しかも
厚い多結晶シリコン酸化膜が得られ、前述した従来法の
それぞれの欠点を同時に解決できる。
なお、前述した実施例では、ＭＯ８１１半導体装置の製
造方法について説明したが、この発明は他の半導体装置
の製造方法にも適用でき、この場合でも実施例の製造方
法と同様な効果が得られる。
造方法について説明したが、この発明は他の半導体装置
の製造方法にも適用でき、この場合でも実施例の製造方
法と同様な効果が得られる。
以上説明したように、この発明による半導体装置の製造
方法によれば、絶縁破壊強度が高い良質な、しかも厚い
多結晶シリコン酸化膜を形成できるため％２層多結晶シ
リコン構造を用いた半導体集積回路装置で両多結晶シリ
コン間の絶縁不良の防止、および寄生容量の低減が達成
でき、従って前記半導体装置の歩留向上、４Ｉ性の改善
ができるという効果がある。
方法によれば、絶縁破壊強度が高い良質な、しかも厚い
多結晶シリコン酸化膜を形成できるため％２層多結晶シ
リコン構造を用いた半導体集積回路装置で両多結晶シリ
コン間の絶縁不良の防止、および寄生容量の低減が達成
でき、従って前記半導体装置の歩留向上、４Ｉ性の改善
ができるという効果がある。
第１図は多結晶シリコン駿化膜絶縁強度の酸化温度依存
性を示す図、＃Ｉ２図は多結晶と単結晶シリコン酸化膜
厚比の酸化温度依存性を示す図、ｊＩ３図（＆）ないし
く・）はζＯ発明の一冥施例を工程順に示す断面図、第
４図はこの発明の一実施例による効果を説明するための
図である。 １・・・シリコン単結晶基板、２・・・フィールド酸化
膜、３・・・活性領域、４・・・第１グーＦ酸化膜、５
・・・第１多結晶シリコンｌ［，６・・・多結晶シリコ
ン酸化膜、７−・・第２ダート酸化Ｍ、８・・・第２多
結晶シリコン膜、９・・・拡散層。 牙１図 醇化湯度（・Ｃ） 牙４図 酸化机六 手続補正書 昭和５７年３月３１日 特許庁長官 島田春樹殿 １、事件の表示 昭和５６年 特 許 願第１６５６８８ 号２、発碗
の名称 半導体装置の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人（０２９）沖電
気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日（自発
）６、補正の対象 明細書の特許請求の範囲および発明の詳細な説明の欄 ７、補正の内容 別紙の通り ７゜ 補正の内容 １）明細書の「２、特許請求の範囲」を別紙の通り訂正
する、 ２）明細書３頁１７行「高温酸素酸化」を「高温乾燥酸
素酸化」と訂正する、 ３）同６頁１９行「水蒸気酸化法」會「水蒸気酸化（Ｗ
ｅｔ ） Ｊと訂正する。 ４）同７頁２行「乾燥酸素酸化法」ケ「乾燥酸素酸化（
ｆｕｒｙ ） Ｊと訂正する。 ２、特許請求の範囲 シリコン単結晶基板上にシリコン酸化膜を介して第１の
多結晶シリコン膜を堆積する工程と、この第１の多結晶
シリコン膜に不純物ケ拡散する工程と、この第１の多結
晶シリコン膜を９５０〜１１００℃の高温、乾燥酸素雰
囲気中で熱処理し所定の膜厚の多結晶シリコン酸化膜葡
形成した後に７００〜９００℃の低温、水蒸気雰囲気中
で熱処理して多結晶シリコン酸化ｔＦｉ！に形成する工
程と、この工程の後に第２の多結晶シリコン膜會堆積す
る工程とケ含むことを特徴とする半導体装置の製造方法
。
性を示す図、＃Ｉ２図は多結晶と単結晶シリコン酸化膜
厚比の酸化温度依存性を示す図、ｊＩ３図（＆）ないし
く・）はζＯ発明の一冥施例を工程順に示す断面図、第
４図はこの発明の一実施例による効果を説明するための
図である。 １・・・シリコン単結晶基板、２・・・フィールド酸化
膜、３・・・活性領域、４・・・第１グーＦ酸化膜、５
・・・第１多結晶シリコンｌ［，６・・・多結晶シリコ
ン酸化膜、７−・・第２ダート酸化Ｍ、８・・・第２多
結晶シリコン膜、９・・・拡散層。 牙１図 醇化湯度（・Ｃ） 牙４図 酸化机六 手続補正書 昭和５７年３月３１日 特許庁長官 島田春樹殿 １、事件の表示 昭和５６年 特 許 願第１６５６８８ 号２、発碗
の名称 半導体装置の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人（０２９）沖電
気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日（自発
）６、補正の対象 明細書の特許請求の範囲および発明の詳細な説明の欄 ７、補正の内容 別紙の通り ７゜ 補正の内容 １）明細書の「２、特許請求の範囲」を別紙の通り訂正
する、 ２）明細書３頁１７行「高温酸素酸化」を「高温乾燥酸
素酸化」と訂正する、 ３）同６頁１９行「水蒸気酸化法」會「水蒸気酸化（Ｗ
ｅｔ ） Ｊと訂正する。 ４）同７頁２行「乾燥酸素酸化法」ケ「乾燥酸素酸化（
ｆｕｒｙ ） Ｊと訂正する。 ２、特許請求の範囲 シリコン単結晶基板上にシリコン酸化膜を介して第１の
多結晶シリコン膜を堆積する工程と、この第１の多結晶
シリコン膜に不純物ケ拡散する工程と、この第１の多結
晶シリコン膜を９５０〜１１００℃の高温、乾燥酸素雰
囲気中で熱処理し所定の膜厚の多結晶シリコン酸化膜葡
形成した後に７００〜９００℃の低温、水蒸気雰囲気中
で熱処理して多結晶シリコン酸化ｔＦｉ！に形成する工
程と、この工程の後に第２の多結晶シリコン膜會堆積す
る工程とケ含むことを特徴とする半導体装置の製造方法
。
Claims (1)
- シリコン単結晶基板上にシリコン酸化膜を介して第１の
多結晶シリコン膜を堆積する工程と、この第１の多結晶
シリコン膜に不純物を拡散する工程と、この第１の多−
晶シリコン膜を９５０〜１１００℃の高温、乾燥酸素雰
囲気中で熱処理し所定の膜厚の多結晶シリコン酸化膜を
形成し九後に７００〜９００℃の低温、水蒸気雰囲気中
で熱処理して多結晶シリコン酸化膜を形成する工程と、
この工程の後に第２の多結晶シリコン膜を堆積する工程
とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56165688A JPS5867046A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56165688A JPS5867046A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5867046A true JPS5867046A (ja) | 1983-04-21 |
Family
ID=15817147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56165688A Pending JPS5867046A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5867046A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6329269B1 (en) | 1995-03-27 | 2001-12-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device manufacturing with amorphous film cyrstallization using wet oxygen |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5328382A (en) * | 1976-07-27 | 1978-03-16 | Mitsubishi Electric Corp | Production method of semiconductor devi ce |
| JPS5394780A (en) * | 1977-01-14 | 1978-08-19 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1981
- 1981-10-19 JP JP56165688A patent/JPS5867046A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5328382A (en) * | 1976-07-27 | 1978-03-16 | Mitsubishi Electric Corp | Production method of semiconductor devi ce |
| JPS5394780A (en) * | 1977-01-14 | 1978-08-19 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6329269B1 (en) | 1995-03-27 | 2001-12-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device manufacturing with amorphous film cyrstallization using wet oxygen |
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