JPS5867027A - 電子ビ−ム露光装置におけるマ−ク位置検出方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光装置におけるマ−ク位置検出方法Info
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- JPS5867027A JPS5867027A JP16581081A JP16581081A JPS5867027A JP S5867027 A JPS5867027 A JP S5867027A JP 16581081 A JP16581081 A JP 16581081A JP 16581081 A JP16581081 A JP 16581081A JP S5867027 A JPS5867027 A JP S5867027A
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- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子ビーム露光装置におけるマーク位置検出
方法に関するものである。
方法に関するものである。
一般に、電子ビーム露光装置に２けるマークの位置検出
は第１図（ａ）に示すように、あらかじめ試料上に設け
られたマークを電子ビームで多数回走食し、その時得ら
れる後方散乱電子、ｂゎゆる反射４子を利用して上記の
マークの位置を検出す企。
は第１図（ａ）に示すように、あらかじめ試料上に設け
られたマークを電子ビームで多数回走食し、その時得ら
れる後方散乱電子、ｂゎゆる反射４子を利用して上記の
マークの位置を検出す企。
この反射４子を検出する検出器ｘ” 、ｘ’″は、上記
マークの対向する両端部の上方に位置するようにそれぞ
れ配設され、その出力波形は、それぞれ第１図（ｂ）、
（ｃ）に示すよりにＥ８◆、Ｅｘ−のような波形とな
る。
マークの対向する両端部の上方に位置するようにそれぞ
れ配設され、その出力波形は、それぞれ第１図（ｂ）、
（ｃ）に示すよりにＥ８◆、Ｅｘ−のような波形とな
る。
従来からのマークの位置検出では、第１図（ｄ）に示す
ように上記の２つの信号ｇ！＊、Ｅｘ−の差、すなわち
差信号Ｅ、を作り、その差信号に対して適当なスライス
レベルＳ ｔｈ ｙ Ｓ Ｚ ｔを設け、このＳ ｔｈ
＠８ ｔｌがＥ、をよぎる瞬間の位置（いゎゆるエツ
ジ１青報）ｅ、１〜ｅ、、を抽出し、その後４者の平均
Ｔｉ！ｅ求め、ちってマークのＸ方向の位置としていた
。Ｙ方向の位置も同様な方法によｐ１ビームＣマークを
Ｙ方向に足査しその結果傅らｎる差１ｌ号を利用してマ
ークのＹ方向の位置を決定していた。
ように上記の２つの信号ｇ！＊、Ｅｘ−の差、すなわち
差信号Ｅ、を作り、その差信号に対して適当なスライス
レベルＳ ｔｈ ｙ Ｓ Ｚ ｔを設け、このＳ ｔｈ
＠８ ｔｌがＥ、をよぎる瞬間の位置（いゎゆるエツ
ジ１青報）ｅ、１〜ｅ、、を抽出し、その後４者の平均
Ｔｉ！ｅ求め、ちってマークのＸ方向の位置としていた
。Ｙ方向の位置も同様な方法によｐ１ビームＣマークを
Ｙ方向に足査しその結果傅らｎる差１ｌ号を利用してマ
ークのＹ方向の位置を決定していた。
上記の説明ρ為らも分るように、従来では決定されたマ
ークの位置の慣用精度は抽出さ、したマークのエツジ情
報ｅ、、〜ｅ、４の精度（再現性）に依存する。ところ
でマークのエツジ情報はＥ、の波形の傾斜が急峻な程精
度がよくなる。ところが、従来では第２図からも分るよ
うに）Ｅｒ ｘ”ｍＥｘ−の波形の傾斜がゆるやかな部
分を利用してエツジ情報を抽出する形どなるため、差・
＋４号を利用したマークの位置決定の精度は悪くなる人
魚を有する。
ークの位置の慣用精度は抽出さ、したマークのエツジ情
報ｅ、、〜ｅ、４の精度（再現性）に依存する。ところ
でマークのエツジ情報はＥ、の波形の傾斜が急峻な程精
度がよくなる。ところが、従来では第２図からも分るよ
うに）Ｅｒ ｘ”ｍＥｘ−の波形の傾斜がゆるやかな部
分を利用してエツジ情報を抽出する形どなるため、差・
＋４号を利用したマークの位置決定の精度は悪くなる人
魚を有する。
本発明は、か＼る点に層目してなされたものであシ、高
精度なマーク位置検出を可能ならしめる′−一子−ム路
光装置におけるマーク位Ｉｔ横出方法を提供するもので
おる。
精度なマーク位置検出を可能ならしめる′−一子−ム路
光装置におけるマーク位Ｉｔ横出方法を提供するもので
おる。
上記目的を達成するためＶＣ１本発明では、試料上に設
けた位置合せ用マークを１子ど一ムで走置して、該マー
クから二次的に放出される成子を、光軸に対して対称的
に配設されｆｃ検出手段によシ検出し、該検出手段から
の合成出力信号の出力波形Ｖうち、急峻な波形部分から
得られる位置データ（エツジ情報）だけを選択的に抽出
し、これを利用することによりマークの位置を決定する
ように構成したものである。
けた位置合せ用マークを１子ど一ムで走置して、該マー
クから二次的に放出される成子を、光軸に対して対称的
に配設されｆｃ検出手段によシ検出し、該検出手段から
の合成出力信号の出力波形Ｖうち、急峻な波形部分から
得られる位置データ（エツジ情報）だけを選択的に抽出
し、これを利用することによりマークの位置を決定する
ように構成したものである。
以下、本発明を実施例を参照して説明する。
第２図は、第１図に示した検出器ｘ”、ｘ−からの出力
信号ｂ ｘ” ｇ Ｅ ｚ−の和（合成）信号Ｅ１の波
形図を示す。図において、ｅｍｌ”””ａａは、この和
信号Ｅ、に対して適当なスライスレベル８１ｈ。
信号ｂ ｘ” ｇ Ｅ ｚ−の和（合成）信号Ｅ１の波
形図を示す。図において、ｅｍｌ”””ａａは、この和
信号Ｅ、に対して適当なスライスレベル８１ｈ。
８Ｌｔを設け、この８ Ｌｂ ｅ ８ Ｌｔがｈａｆよ
ざる瞬間の位置（エツジ情報）を示す。
ざる瞬間の位置（エツジ情報）を示す。
このようにして抽出されるエツジ情＠ｅ、１〜Ｃ１，の
うち、Ｅ１◆、Ｅ、−（第１図参照）の波形の急峻な部
分を利用したエツジ情報はｅ、ｓ −ｅ 、 ａ、ゆる
やかな部分を利用したエツジ情報はｅ、１〜ｅ、、と、
両者混在するた−め単純にこれらのエツジ情報全てを利
ノーしてマークの位置を決定したのでは、その精度は悪
くなる。そこで、本発明ではＥ、の波形の急峻な部分か
らのエツジ情報にけを利用してマークの位置を決定する
ようにしたもので、そのため方法として下記の２通りが
ある。
うち、Ｅ１◆、Ｅ、−（第１図参照）の波形の急峻な部
分を利用したエツジ情報はｅ、ｓ −ｅ 、 ａ、ゆる
やかな部分を利用したエツジ情報はｅ、１〜ｅ、、と、
両者混在するた−め単純にこれらのエツジ情報全てを利
ノーしてマークの位置を決定したのでは、その精度は悪
くなる。そこで、本発明ではＥ、の波形の急峻な部分か
らのエツジ情報にけを利用してマークの位置を決定する
ようにしたもので、そのため方法として下記の２通りが
ある。
第一は、第３図（ａ）に示すように、段差マークの幅ｄ
ｔ−狭め、その上を４子ビームで走置して得られる検出
器ｘ” 、ｘ−がりの各出力１ｄ号Ｅｚや。
ｔ−狭め、その上を４子ビームで走置して得られる検出
器ｘ” 、ｘ−がりの各出力１ｄ号Ｅｚや。
Ｂ ニー Ｕ１３ Ｅ（ｂ）、 ５ｃ）） （Ｄ和ＱＩ
４＋Ｅ −’ （ｇ ３図（ｄ） ）の波形のうち、急
峻な波形部分から得られるエツジ’Ｉｆ ＠ ｅａ １
ｅ ｅ ｈ’ｓだけを抽出して、マークの位置を決定
する方法でるる。
４＋Ｅ −’ （ｇ ３図（ｄ） ）の波形のうち、急
峻な波形部分から得られるエツジ’Ｉｆ ＠ ｅａ １
ｅ ｅ ｈ’ｓだけを抽出して、マークの位置を決定
する方法でるる。
この時の・−ｄ′は、主に入射′成子のエネルギーによ
って決定式れるが、例えば、加速−圧ａｏｉｃｖの電子
ｌ／！Ａ露光装置では５μｍ以下が有効でるる。
って決定式れるが、例えば、加速−圧ａｏｉｃｖの電子
ｌ／！Ａ露光装置では５μｍ以下が有効でるる。
第二は、第２図のエツジ情報のうちｅ、１〜ｅ、。
とｅ、、〜ｅ１．の位置の再現性の違いを利用してｅ、
１ｌ−ｅａ、のエツジ情報だけをデータ処理して抽出し
、その後、ｅ１〜ｅ、麿の平均１直を求めマークの位置
を決定する方法である。つｌ）段差マークをｎ回走亙し
て得られる各エツジ情報の２イン間のバラツキをみると
、ｅａｌｌ ””ｅａ４ｔ （ｉ＝１〜ｎ）はそれぞれ
各２イン間のバラツキが大きいが、ｔｍｌｌ〜ｅ、１は
それぞれ各２イ／ｌ＆５のバラツキが上記のｅ−ｕ〜ｅ
ａ４１のバラツキに比較して小さい。
１ｌ−ｅａ、のエツジ情報だけをデータ処理して抽出し
、その後、ｅ１〜ｅ、麿の平均１直を求めマークの位置
を決定する方法である。つｌ）段差マークをｎ回走亙し
て得られる各エツジ情報の２イン間のバラツキをみると
、ｅａｌｌ ””ｅａ４ｔ （ｉ＝１〜ｎ）はそれぞれ
各２イン間のバラツキが大きいが、ｔｍｌｌ〜ｅ、１は
それぞれ各２イ／ｌ＆５のバラツキが上記のｅ−ｕ〜ｅ
ａ４１のバラツキに比較して小さい。
そこで両者のこのバラツキの違いを利用すると、ｅａｌ
ｌ””ｓ４１とｅｍ＠＠””６ｍ＠Ｉの分離は可能とな
る。
ｌ””ｓ４１とｅｍ＠＠””６ｍ＠Ｉの分離は可能とな
る。
なお、以上述べた２方法に−いて使用するスライスレベ
ルは、例えばマーク検出信号の最大値、最小値およびマ
ークの基板部分を反映した信号層（ベースレベル）の３
者で決定し、第３図に示したＳ ｔｈ Ｉ ８ ｉｔを
求めることができる。この２つのスライスレベルでどの
ように使用すりかは検出対象マークの形状、マーク検出
信号の利用法などによプ決められる。
ルは、例えばマーク検出信号の最大値、最小値およびマ
ークの基板部分を反映した信号層（ベースレベル）の３
者で決定し、第３図に示したＳ ｔｈ Ｉ ８ ｉｔを
求めることができる。この２つのスライスレベルでどの
ように使用すりかは検出対象マークの形状、マーク検出
信号の利用法などによプ決められる。
また、本発明では、対象マークが第４図に示すような凸
形状の場合には、検出器ｘ” 、ｘ−からの各出力波形
はＥ□、Ｅ！−で示され、そのオ助言号はＥ、のように
なるので、スライスレベルは８Ｌｈにする必要がめる。
形状の場合には、検出器ｘ” 、ｘ−からの各出力波形
はＥ□、Ｅ！−で示され、そのオ助言号はＥ、のように
なるので、スライスレベルは８Ｌｈにする必要がめる。
さらにまた、対象マ−夕の形状が第５図（娼（ｂ）に示
す如く多数個並んでいる場合であっても、−Ｐ：％明を
適用して有幼なことは云うまでもない。
す如く多数個並んでいる場合であっても、−Ｐ：％明を
適用して有幼なことは云うまでもない。
第６図は、不発明の一実施例の具体的構成を示すブロッ
ク図で６゜。図において、１は電子ビーム、２は式科上
に設けられた位置合せ轡マークで、例えば図示の如きｔ
段差マーク、３は電子ビーム照射Ｖこよってマーク２か
ら二次的に放出される電子、例えば反射′１子を検出す
る検出器、４は電流−磁圧変換器、５．６は電子ビーム
をＸ方向あるいはＹ方向に走査するためのＸ、Ｙ偏向器
、７゜８はディジタル−アナログ変換器（Ｄ／Ａ変供器
ン９は和信号Ｂ ａ’を作成する加算器、１０はアナロ
グ−ディジタル変換器（Ａ／Ｄ変遺器）、１１は入力信
号のデータの確立のためのラッチメモリ、１２．１３は
偏向ゲータを一時記憶するレジスタ、１４はエツジ部分
を抽出するための比較器、１５はス之イスレベルを記憶
するレジスタ、１６はエツジ部分が抽出された時の位置
情報（いわゆるエツジ情報）、すなＱちＸ、Ｙの偏向位
置を記憶す演算回路、１８は本回路系を制御するための
制御回路である。なお、検出器３は、図では一方向のみ
に配設された一対の検出器しか示していないが、本実施
例では、光軸に対して対称的に位置するように、Ｘ、Ｙ
方向にそれぞれ一対の検出器が配設されている。また、
マークｉは、必ずしも図示の如き段差形状でなくてもよ
く、エツジ情報が得られる形状であれば通用可能でらる
。
ク図で６゜。図において、１は電子ビーム、２は式科上
に設けられた位置合せ轡マークで、例えば図示の如きｔ
段差マーク、３は電子ビーム照射Ｖこよってマーク２か
ら二次的に放出される電子、例えば反射′１子を検出す
る検出器、４は電流−磁圧変換器、５．６は電子ビーム
をＸ方向あるいはＹ方向に走査するためのＸ、Ｙ偏向器
、７゜８はディジタル−アナログ変換器（Ｄ／Ａ変供器
ン９は和信号Ｂ ａ’を作成する加算器、１０はアナロ
グ−ディジタル変換器（Ａ／Ｄ変遺器）、１１は入力信
号のデータの確立のためのラッチメモリ、１２．１３は
偏向ゲータを一時記憶するレジスタ、１４はエツジ部分
を抽出するための比較器、１５はス之イスレベルを記憶
するレジスタ、１６はエツジ部分が抽出された時の位置
情報（いわゆるエツジ情報）、すなＱちＸ、Ｙの偏向位
置を記憶す演算回路、１８は本回路系を制御するための
制御回路である。なお、検出器３は、図では一方向のみ
に配設された一対の検出器しか示していないが、本実施
例では、光軸に対して対称的に位置するように、Ｘ、Ｙ
方向にそれぞれ一対の検出器が配設されている。また、
マークｉは、必ずしも図示の如き段差形状でなくてもよ
く、エツジ情報が得られる形状であれば通用可能でらる
。
本実施例で電子ビームをＸ方向に走査するには、制御回
路１８からレジスタ１２．１３に偏向データを順次転送
し、そのデータを７．８でＤ／Ａ変換し、ビームを目的
の位置に次々移動させることによシ上記の走査を行なう
。また和信号Ｅａ’の取込みは上記の各点のビームの位
置移動に同期してＥ、′信号をＡ／Ｄ変換し、ディジタ
ル化し、順次ラッチメモリ１１に一時記憶する。このデ
ィジタル信号を比＠ａ１４でスライスレベルｓｔｔ’と
比較しエツジ部分に相当する信号１００を検出する。
路１８からレジスタ１２．１３に偏向データを順次転送
し、そのデータを７．８でＤ／Ａ変換し、ビームを目的
の位置に次々移動させることによシ上記の走査を行なう
。また和信号Ｅａ’の取込みは上記の各点のビームの位
置移動に同期してＥ、′信号をＡ／Ｄ変換し、ディジタ
ル化し、順次ラッチメモリ１１に一時記憶する。このデ
ィジタル信号を比＠ａ１４でスライスレベルｓｔｔ’と
比較しエツジ部分に相当する信号１００を検出する。
上記のｓｔ、’はあらかじめ制御回路１８よりレジスタ
１５に転送されている。１００の信号が検出されると、
その信号に同期してその時のビームの偏向データ１０１
，１０２をメモリ１６に取込む。
１５に転送されている。１００の信号が検出されると、
その信号に同期してその時のビームの偏向データ１０１
，１０２をメモリ１６に取込む。
以上述べた方決りこより必要なＸ’、Ｙ方向のエツジ情
報を取込む。このよｍｌして必要な足食回故が旙了する
とメモリ１６には谷走査フィン毎に抽出ぼれたマークの
エツジ１宵報がｍｌ憶されているθで、制御４１回路１
８はマークの位１１ｔ勿算出するマーク位置決定回路に
指合金送り、処理対象マークの位置τ決定する。
報を取込む。このよｍｌして必要な足食回故が旙了する
とメモリ１６には谷走査フィン毎に抽出ぼれたマークの
エツジ１宵報がｍｌ憶されているθで、制御４１回路１
８はマークの位１１ｔ勿算出するマーク位置決定回路に
指合金送り、処理対象マークの位置τ決定する。
す７２：′ｏす、位置決定回路１７では制御回路１８の
指令を受けるとメモリ１６にストアされてぃ◇エツジデ
ータ群を並びかえる。りまり、検出されたエツジデータ
金谷走ｆ−よの位置に並びかえる。
指令を受けるとメモリ１６にストアされてぃ◇エツジデ
ータ群を並びかえる。りまり、検出されたエツジデータ
金谷走ｆ−よの位置に並びかえる。
この時エツジデータの処理法として前述した第１の方法
を採用すると、各ラインで検出さｎｆｃエツジデータの
数が、例えば第３図（ｄ）の例の即＜２１１４１でめる
ことをチェックし、もし２個と等しくない債合は、その
ラインに属している全データを沫云する。その後、伐っ
た全エツジデータ０ｊＩｉ純平均を求め、マークの位置
とする。
を採用すると、各ラインで検出さｎｆｃエツジデータの
数が、例えば第３図（ｄ）の例の即＜２１１４１でめる
ことをチェックし、もし２個と等しくない債合は、その
ラインに属している全データを沫云する。その後、伐っ
た全エツジデータ０ｊＩｉ純平均を求め、マークの位置
とする。
また、エツジデータの６理去として前述した第２の方法
を採用すると、整列されたエツジデータ群は再現性のよ
いデータ群と再現性の余りよくないデータ群とに分けら
れる。次に、各２インで検出されたエツジデータの数が
、例えば６１固で抄りことを確認し、もし６遁と等しく
ない場合は、そのツインに属している全データを除去す
る。残ったデータ群に対して相互の相関をみるためコン
ボリューション処理を行なう。その時のコンボリューシ
ョン処理を行なう時の積分の範囲は再現性のよいエツジ
データ群の分数の２〜６倍程度に決定される。そＱｔｂ
と新たなス２イス７ベルを収けて再現性のよいデータ群
だけを抽出する。その後、／４７’−タ群内で単純平均
を行ない、各群から１個の代表エツジデータを抽出し、
Ｊ＆ｍに、それらの代表エツジデータの１赦をチェック
後単純平均を求めマークの位置とする。
を採用すると、整列されたエツジデータ群は再現性のよ
いデータ群と再現性の余りよくないデータ群とに分けら
れる。次に、各２インで検出されたエツジデータの数が
、例えば６１固で抄りことを確認し、もし６遁と等しく
ない場合は、そのツインに属している全データを除去す
る。残ったデータ群に対して相互の相関をみるためコン
ボリューション処理を行なう。その時のコンボリューシ
ョン処理を行なう時の積分の範囲は再現性のよいエツジ
データ群の分数の２〜６倍程度に決定される。そＱｔｂ
と新たなス２イス７ベルを収けて再現性のよいデータ群
だけを抽出する。その後、／４７’−タ群内で単純平均
を行ない、各群から１個の代表エツジデータを抽出し、
Ｊ＆ｍに、それらの代表エツジデータの１赦をチェック
後単純平均を求めマークの位置とする。
以上述べ九ようをこ、本発明によれば、光軸に対して対
称的に配設された少なくとも一対の検出器ρ為らの合成
出力信号に基づき、その出力波形の息峻な波形部分から
得られる位置データを利用することにより、ン−りの位
置を極めて高精度に検出でさるものでろυ、電子線描画
装置等をはじめとする荷電粒子線諸装置に適用してその
効果は大きい。なお、上ｉ己来施例では、電子ビーム照
射によってマークから放出される反射電子の検出を主体
に説明したが、本質的にぜま、二次−子、透過−子等に
対しても本発明は通用可能でちる。また、それを検出す
る検出器については、必ずしも上記実施例の如＜ｘ、ｙ
方向にそｎぞれ一対ずつ設ける必要はなく、光軸に対し
て軸対称に１状形検出器を設けることによっても可能で
ｂｐ、その場合、では第６図中の加算器９は不要となる
。
称的に配設された少なくとも一対の検出器ρ為らの合成
出力信号に基づき、その出力波形の息峻な波形部分から
得られる位置データを利用することにより、ン−りの位
置を極めて高精度に検出でさるものでろυ、電子線描画
装置等をはじめとする荷電粒子線諸装置に適用してその
効果は大きい。なお、上ｉ己来施例では、電子ビーム照
射によってマークから放出される反射電子の検出を主体
に説明したが、本質的にぜま、二次−子、透過−子等に
対しても本発明は通用可能でちる。また、それを検出す
る検出器については、必ずしも上記実施例の如＜ｘ、ｙ
方向にそｎぞれ一対ずつ設ける必要はなく、光軸に対し
て軸対称に１状形検出器を設けることによっても可能で
ｂｐ、その場合、では第６図中の加算器９は不要となる
。
＃１１図は、従来のマーク位置検出を説明する波形図、
第２図および第３図は、本発明の詳細な説明する図、第
４図は、マークが凸状である場合に？ける適用例を説明
する図、第５図は、複数個のマークを示す図、第６図は
、本発明の一実施例を説明するブロック図である。 ・・・検出器、５，６・・・Ｘ、Ｙ偏向器、９・・・加
算器、１１・・・ラッテメモ！７．１４・・・比較器、
１６・・・メモリ、１７・・・演算回路、１８・・・制
御回路。 肩 １ （２） １−ｄ→ ＶＪ Ｚ 口 ｅａ＋ ｅｓｚ ｅｔＬ＊ ４！ＪＪ第 ３ 図 ｅｎ＋ ｅａｚ 第１頁の続き ０発 明 者 小笹進 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 松田維人 武蔵野市緑町３丁目９番１１号日 本電信電話公社武蔵野電気通信 研究所内 ０発 明 者 大久保恒夫 武蔵野市緑町３丁目９番１１号日 ０出 願 人 日本電信電話公社
第２図および第３図は、本発明の詳細な説明する図、第
４図は、マークが凸状である場合に？ける適用例を説明
する図、第５図は、複数個のマークを示す図、第６図は
、本発明の一実施例を説明するブロック図である。 ・・・検出器、５，６・・・Ｘ、Ｙ偏向器、９・・・加
算器、１１・・・ラッテメモ！７．１４・・・比較器、
１６・・・メモリ、１７・・・演算回路、１８・・・制
御回路。 肩 １ （２） １−ｄ→ ＶＪ Ｚ 口 ｅａ＋ ｅｓｚ ｅｔＬ＊ ４！ＪＪ第 ３ 図 ｅｎ＋ ｅａｚ 第１頁の続き ０発 明 者 小笹進 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 松田維人 武蔵野市緑町３丁目９番１１号日 本電信電話公社武蔵野電気通信 研究所内 ０発 明 者 大久保恒夫 武蔵野市緑町３丁目９番１１号日 ０出 願 人 日本電信電話公社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、試料上に設けた位置合せ用マークを電子ビームで走
査して、該マークから二次的に放出される電子を、光軸
に対して対称的に配設された検出手段に与り検出し、該
検出手段からの合成出力信号の出力波形のうち急峻な波
形部分から得られる位置データだけを選択的に抽出し、
該位けるマーク位置検出方法。 ２、上記マークを、５μｍ以下゛の幅を有する段差マー
クを用いて構成したことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の４子−一ム露光装置におけるマーク位置検出
方法。 ３、上記検出手段を、光軸に対して対称的に配設された
少なくとも一対の検出器を用いて構成したことを特徴と
する特許請求の範囲第１項又は第２項記載の電子ビーム
露光装置におけるマーク位置検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16581081A JPS5867027A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 電子ビ−ム露光装置におけるマ−ク位置検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16581081A JPS5867027A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 電子ビ−ム露光装置におけるマ−ク位置検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5867027A true JPS5867027A (ja) | 1983-04-21 |
| JPH0261133B2 JPH0261133B2 (ja) | 1990-12-19 |
Family
ID=15819419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16581081A Granted JPS5867027A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 電子ビ−ム露光装置におけるマ−ク位置検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5867027A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60249008A (ja) * | 1984-05-25 | 1985-12-09 | Hitachi Ltd | 荷電粒子マイクロプロ−ブ装置 |
| US5708276A (en) * | 1995-07-20 | 1998-01-13 | Fujitsu Limited | Electron-beam exposure device and a method of detecting a mark position for the device |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0495627U (ja) * | 1991-01-11 | 1992-08-19 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5534430A (en) * | 1978-08-31 | 1980-03-11 | Fujitsu Ltd | Positioning method in electron beam exposure |
| JPS56162837A (en) * | 1980-05-20 | 1981-12-15 | Nec Corp | Electron beam exposure device |
-
1981
- 1981-10-19 JP JP16581081A patent/JPS5867027A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5534430A (en) * | 1978-08-31 | 1980-03-11 | Fujitsu Ltd | Positioning method in electron beam exposure |
| JPS56162837A (en) * | 1980-05-20 | 1981-12-15 | Nec Corp | Electron beam exposure device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60249008A (ja) * | 1984-05-25 | 1985-12-09 | Hitachi Ltd | 荷電粒子マイクロプロ−ブ装置 |
| US5708276A (en) * | 1995-07-20 | 1998-01-13 | Fujitsu Limited | Electron-beam exposure device and a method of detecting a mark position for the device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0261133B2 (ja) | 1990-12-19 |
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