JPH0290007A - 重ね合せ検査方法 - Google Patents
重ね合せ検査方法Info
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- JPH0290007A JPH0290007A JP63243116A JP24311688A JPH0290007A JP H0290007 A JPH0290007 A JP H0290007A JP 63243116 A JP63243116 A JP 63243116A JP 24311688 A JP24311688 A JP 24311688A JP H0290007 A JPH0290007 A JP H0290007A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 3
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 241000190020 Zelkova serrata Species 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔所業上の利用分野〕
本発明はＬＳＩ製造プロセスにおける光リソグラフィー
工程で使用する露光装置の重ね合せ検査方法に関する。
工程で使用する露光装置の重ね合せ検査方法に関する。
従来、この欅の露光装置の検便方法は、第４図１ａｌ
、 ｆｉｌ＋に示す工程に経て行なわれる。すなわち、
予めウェハ１１０１ Ｋ伍布さ７″したレジスト膜上に
入射光（６）ｒ照射し第ｌマーク司を描画する工程とそ
の後ウェハの任意の移＃ケ行った後、もう−度同じ位置
に・ＩＳ！マーク９υを描画する工程ト二つのマーク０
υ、りの右端部の位置の差向と左端部の位置の追−ケＩ
！１１定し重ね合せ精度を評価する工程？含む同様のこ
とを縦方向についても行う。
、 ｆｉｌ＋に示す工程に経て行なわれる。すなわち、
予めウェハ１１０１ Ｋ伍布さ７″したレジスト膜上に
入射光（６）ｒ照射し第ｌマーク司を描画する工程とそ
の後ウェハの任意の移＃ケ行った後、もう−度同じ位置
に・ＩＳ！マーク９υを描画する工程ト二つのマーク０
υ、りの右端部の位置の差向と左端部の位置の追−ケＩ
！１１定し重ね合せ精度を評価する工程？含む同様のこ
とを縦方向についても行う。
右側の差１１をａ、左側の差９着をｂとＴると１位置の
ズレχは次式で表ねされる。
ズレχは次式で表ねされる。
ａ−１）
χ＝ □
ｙ方向についても同様である。
ところで、従来の捲光＠ Ｉ！Ｊの検査方法では。
位ＩＩ：１′のズレの測定を実測に頼っているため、測
定精度が、限られており、今住筐すまず厳しく要求され
る直ね合せ精度の評価に対応しきれなくなりつつある。
定精度が、限られており、今住筐すまず厳しく要求され
る直ね合せ精度の評価に対応しきれなくなりつつある。
本発明は、このような事ｆｌ ＶＣ鑑みてなされたもの
でより高精度の重ね合せ精度の評価ができるｌね合せ検
■方法金捉供することを目的とする。
でより高精度の重ね合せ精度の評価ができるｌね合せ検
■方法金捉供することを目的とする。
本発明に係る東ね合せ検介力法は、所定間隔ｄで・１ち
−の回折格子？描画する工程と、第一の回折格子に、
６丁干渉光を照射し、・その回折光を四側し１回折パタ
ーンの規格化を行う工程と、第一の回折格子と同じ回折
格子：ｆｔｄｒだけ移動させた位置に描画し、カニの回
折格子全形成する工程と、も二の回折格子に口Ｉ干渉ｉ
ｉ照射し。
−の回折格子？描画する工程と、第一の回折格子に、
６丁干渉光を照射し、・その回折光を四側し１回折パタ
ーンの規格化を行う工程と、第一の回折格子と同じ回折
格子：ｆｔｄｒだけ移動させた位置に描画し、カニの回
折格子全形成する工程と、も二の回折格子に口Ｉ干渉ｉ
ｉ照射し。
その回折ｙｔを観測し回折パターンの変化を検出し１重
ね合せ精度を評価する工程ケ含んでいる。
ね合せ精度を評価する工程ケ含んでいる。
本発明によれメブ、第二の回折格子よりの回折パターン
の変化は、２度目の４光時の回折格子グ〕位竹に敏感に
反映するので、高精度の点ね合せ偵倉が可能となる 〔実施列〕 以下１本発明にふ・ける検介方法について、図？用いて
説明する。
の変化は、２度目の４光時の回折格子グ〕位竹に敏感に
反映するので、高精度の点ね合せ偵倉が可能となる 〔実施列〕 以下１本発明にふ・ける検介方法について、図？用いて
説明する。
、１１図１１１１ ＶＣおいて、ｌｌ０１ｉ半導体基板
、ｕｕｈｕ１の回折格子、１ｌｌｊ入射光、ｕ４１ｈ回
折ｘ、ａｕ格格子隔隔ある。また第１図（ｂｊＶｃおい
て、 Ｃ２１は２回目シて描画する回折格子、Ｖ２はｉ
ｒたてできた格子１ｈｊ隔である。
、ｕｕｈｕ１の回折格子、１ｌｌｊ入射光、ｕ４１ｈ回
折ｘ、ａｕ格格子隔隔ある。また第１図（ｂｊＶｃおい
て、 Ｃ２１は２回目シて描画する回折格子、Ｖ２はｉ
ｒたてできた格子１ｈｊ隔である。
本発明の実ＴＰｉ例について１図を用いて動作を説明す
る。
る。
ルー図ＶＣおいて、ウェハ（１０１上に格子間隔ｄの回
折格子１１〕を描画する。次に、回折格子＋ｉ＋ｒ Ｖ
Ｃ、Ｏｆ干渉尤ｌＩ３ヲ人射させる。すると１回折浴子
Ｕυから０回折光（１４１が生じる。この回折光り４を
１図示しない一次元カクンターにより観測すると、第２
図１＆１ ｖｃ示す（ロ）折パターンが得られる。ｚ２
図において、２［１はθ次尤、 Ｃ２Ｕは奇数次回折光
、ｔ８１２は偶数次回折尤？示す。
折格子１１〕を描画する。次に、回折格子＋ｉ＋ｒ Ｖ
Ｃ、Ｏｆ干渉尤ｌＩ３ヲ人射させる。すると１回折浴子
Ｕυから０回折光（１４１が生じる。この回折光り４を
１図示しない一次元カクンターにより観測すると、第２
図１＆１ ｖｃ示す（ロ）折パターンが得られる。ｚ２
図において、２［１はθ次尤、 Ｃ２Ｕは奇数次回折光
、ｔ８１２は偶数次回折尤？示す。
第２図１＆１のパターンを用いて回折パターンの規格化
２行う。
２行う。
次に、ウェハを若干移動させた後、ｉだけ移動させた位
置に配置する。再び格子間隔ｄの回折格子を描画すると
、第１図＋ｔｎ ｖｃ示す回折格子０１ 、 ｌｄｌ
Ｋ示す８種類の回折パターンが得られる。
置に配置する。再び格子間隔ｄの回折格子を描画すると
、第１図＋ｔｎ ｖｃ示す回折格子０１ 、 ｌｄｌ
Ｋ示す８種類の回折パターンが得られる。
以下それぞれの場合に分けて説明する。
１）位置のズレが大きい時は、第２図ｉｂ＋ｒｃ示す回
折パターンが得られる。これは、第２図１＆１と同様な
パターンであり、スケール因子以外の違いはなｈｏ ２）（ｉ２！＆のズレがＩＩ ｆ（近Ｖｓ 時９ 、
第２図１０１ ＶＣ示す回折パターンが得られる。今数
次回折価度が減少し、偶数次回折ｔｇｉ度が増大する。
折パターンが得られる。これは、第２図１＆１と同様な
パターンであり、スケール因子以外の違いはなｈｏ ２）（ｉ２！＆のズレがＩＩ ｆ（近Ｖｓ 時９ 、
第２図１０１ ＶＣ示す回折パターンが得られる。今数
次回折価度が減少し、偶数次回折ｔｇｉ度が増大する。
この強度の増大、Ｍ少の１１１１度により１位首のズレ
を評価できる。
を評価できる。
８）位置のズレが００時は、第２図＋ａ＋ ＶＣ示す回
折パターンが肖られる。奇数次回折光は消滅し、１用数
次同折ｔのみ存在する。
折パターンが肖られる。奇数次回折光は消滅し、１用数
次同折ｔのみ存在する。
さて、得られた回折パターンは１．Ｐ、２図（ル）に栖
すパターンを用いて規格化した後、偶数次と全数次の・
１度化？とる。比（奇数次の強度／偶数次の強度）がＯ
に近いほどｆＲ密に１１（ね合せが実現できている。
すパターンを用いて規格化した後、偶数次と全数次の・
１度化？とる。比（奇数次の強度／偶数次の強度）がＯ
に近いほどｆＲ密に１１（ね合せが実現できている。
これ？χｙｇ方向について行う必要がある。
なお、・π３図に位置のズレの大きさに対する回折光強
度の変化の図を示す。Ｃ１は偶数次ｋＬＩＪ折尤全、
（（ｌｌは奇数次回折光？示す。この変化は。
度の変化の図を示す。Ｃ１は偶数次ｋＬＩＪ折尤全、
（（ｌｌは奇数次回折光？示す。この変化は。
ガクシアン型の分布を示すので、従来の実測による方法
よりもけるかに高いｎ度が得られる。
よりもけるかに高いｎ度が得られる。
なお、上記実施列では、回折格子のスポットの数ＶＣつ
いては述べなかったが、スポットの数が多いほど評価精
度は向上する〇 また粗い評価をするだけならば、回折格子のスポット間
隔？実測すればよい。
いては述べなかったが、スポットの数が多いほど評価精
度は向上する〇 また粗い評価をするだけならば、回折格子のスポット間
隔？実測すればよい。
以上のように１本発明によれば、 ｕ１１折パターンの
変化を観Ｍ１１シ奇数次回折光と、偶数次回折丸との強
度比を利用するこさより、高い屯ね合せ精度を実現する
ことができる。
変化を観Ｍ１１シ奇数次回折光と、偶数次回折丸との強
度比を利用するこさより、高い屯ね合せ精度を実現する
ことができる。
第１図は１本発明の実晩例における評価方法を示す図で
ある。 第２図は５本発明の′火旌列において得られる回折パタ
ーンを示す図である。 第３図は１本発明の天褌例ＶＣおいて得られる回折光強
度を示す図である。 第４図は、従来の重ね合せ精度評価方法？示す図である
。 ｕｔｌは弔−の回折格子、ｄ３１け入射光、０４１は回
折光、 １１２１は４２の回折に１子。
ある。 第２図は５本発明の′火旌列において得られる回折パタ
ーンを示す図である。 第３図は１本発明の天褌例ＶＣおいて得られる回折光強
度を示す図である。 第４図は、従来の重ね合せ精度評価方法？示す図である
。 ｕｔｌは弔−の回折格子、ｄ３１け入射光、０４１は回
折光、 １１２１は４２の回折に１子。
Claims (1)
- 露光装置の重ね合せ精度を評価するプロセスにおいて、
半導体基板上に所定間隔ｄで回折格子を形成する工程と
前記回折格子と同じ回折格子をｄ／２だけ移動させた位
置に形成する工程と、ここで形成されたピッチｄ／２の
新たな回折格子からの回折光を観測する工程と、前記回
折光の奇数次と偶数次の回折光の比をとる工程を含むこ
とを特徴とした重ね合せ検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63243116A JPH0749927B2 (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 重ね合せ検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63243116A JPH0749927B2 (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 重ね合せ検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0290007A true JPH0290007A (ja) | 1990-03-29 |
| JPH0749927B2 JPH0749927B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=17099037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63243116A Expired - Lifetime JPH0749927B2 (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 重ね合せ検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0749927B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7139155B2 (en) | 2002-10-07 | 2006-11-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Head drum assembly of a tape recorder having a resilient body to preload bearings thereof |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009041295A1 (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-02 | Nikon Corporation | 表面検査方法および表面検査装置 |
-
1988
- 1988-09-27 JP JP63243116A patent/JPH0749927B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7139155B2 (en) | 2002-10-07 | 2006-11-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Head drum assembly of a tape recorder having a resilient body to preload bearings thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0749927B2 (ja) | 1995-05-31 |
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