JPH0135492B2 - - Google Patents

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JPH0135492B2
JPH0135492B2 JP54061371A JP6137179A JPH0135492B2 JP H0135492 B2 JPH0135492 B2 JP H0135492B2 JP 54061371 A JP54061371 A JP 54061371A JP 6137179 A JP6137179 A JP 6137179A JP H0135492 B2 JPH0135492 B2 JP H0135492B2
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wafer
line
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mask
lines
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JP54061371A
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Deemensu Gyuntaa
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Siemens AG
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7092Signal processing

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、互いに合致させるべき対象物の自動
合致方法および装置、特に半導体製造時のウエー
フア照射の際にマスクの構造をウエーフア上の構
造に対して精密に位置決めするマスク調節作業の
自動化のための自動合致方法に関する。
半導体技術および他の多くの応用分野におい
て、たとえばスケール用として構造を有する板の
製造に際して、構造を有する2枚の板を互いに合
致させるという課題に当面する。その場合、たと
えば、少なくとも一方は透明であり、また双方が
それぞれ1つの表面にマスターを有する2枚の基
板が合致の対象である。
半導体技術においては一般に、その表面に既に
第1のマスターを有しかつそこを感光性樹脂で被
覆されている半導体ウエーフアの上に、マスクに
含まれている第2のマスターが第1のマスターに
対して精密に調節された位置で伝達されなければ
ならない。
この工程は接触照射、間隔照射あるいは投影照
射によつて行われ得る。現在最も普及している間
隔照射の場合、マスクとウエーフアとの間にマス
クの損傷を回避するため約20μの間隔がおかれて
いる。このことはウエーフア・構造へのマスク・
構造のビジユアルな調節を困難にする。その理由
は、1つの構造しか鮮鋭に結像され得ないこと、
または両構造の間に鮮鋭面が位置することであ
る。
通常、マスクをウエーフアに合致させるため、
特殊な調節マークが付されており、その合致が一
定の間隔に設けられている2つの調節用顕微鏡に
より観察される。
ドイツ連邦共和国特許第1919991号明細書には、
構造を有する2枚の板の自動合致をただ3つある
いはただ2つの測定システムで可能とする装置が
記載されている。
本発明の目的は、光学的コントラストが乏しく
像が不鮮鋭な場合にマスク上の構造をウエーフア
上の構造に高精度で全自動的に短時間で合致させ
るための方法を得ることである。さらに、この方
法はできる限りわずかな装置費用で実現可能でな
ければならず、また合致結果が構造の光学的性質
の変動ならびにその分布の乱れにほとんど影響さ
れないものでなければならない。
この目的は、本発明によれば、ウエーフアおよ
びマスク上に種々の互いに直交する直線を付して
おき、それに対してそれぞれ平行に走る行ごとの
電子光学的走査により(たとえばテレビ・カメ
ラ、レーザー・スキヤナにより)調節構造の範囲
あるいは部分範囲内の明度を行あるいは行断片ご
とに積分すること、この積分により得られた値を
記憶し、また相い続く行の積分値から差分を算出
すること、この差分算出により得られた値の当該
範囲内における分布から、明度変化に基づいて生
じている面の重心線の位置を求めること、こうし
て求められた種々の重心線位置の値を、ウエーフ
アまたはマスク上の標線の中心軸線の位置に対応
する平均値に一括すること、および以上の操作を
両方向(x、y)に対して、マスクおよびウエー
フア上にそれぞれ付されている調節構造に基づい
て実行することを特徴とする自動合致方法により
達成される。
積分によつて、コントラストが非常にわずかで
像変換器の雑音に埋もれてしまう場合でも、その
コントラストを識別することができる。行ごとの
積分結果の差分を求めることにより、照明および
受光器感度が不均一であつても、それにほとんど
影響されずに識別が行われる。分布面重心線の位
置を求めることによつて、同様に照明強度の変動
および表面の反射特性にほとんど影響されない識
別結果が得られる。重心線の位置を求めるかわり
に、差分信号が最大ピークとなる位置を求めても
よい。種々の重心線位置または最大ピーク位置か
ら平均値を求めることにより、それが行間隔のシ
ステマテイツクな分解能により与えられている場
合よりもはるかに高い精度が得られる。積分長さ
を大きく選んでおくことにより、縁あるいは絶縁
された点における凹みのような乱れがあつても、
その大きさが積分長さに比して小さい限りは、あ
るいはその縁方向が明らかに行方向からずれてい
る限りは(通常はこのように考えてよい)、ほと
んど影響を生じない。
本発明による方法は、少なくとも2段階すなわ
ち粗調節段階および微調節段階に分割し、粗調節
のためには視野の周縁範囲で行ごとにウエーフア
上の標線を捕らえるための積分を行つて、ウエー
フアまたはマスクの位置の粗調節を行い、また微
調節のためには他の積分範囲たとえば中央で、マ
スクおよびウエーフアの既に密に隣り合つている
標線の位置を精密に合致させるように実施するこ
とができる。
2段階あるいはそれ以上の段階で調節を行うこ
とにより、最後の調節段階において、マスクおよ
びウエーフアの調節マークは、最初の捕捉範囲が
大きい場合にも、互いに非常に近くに位置し、そ
れにより、光学機構もしくは像変換器から生じ得
る許容差はもはやほとんど測定結果に影響しなく
なる。
さらに本発明は、微調節の際に高い精度を得る
ため、ウエーフアの調節線をマスクの調節線の間
に位置させ、またはマスクの調節線をウエーフア
の調節線の間に位置させ、それにより対称性を考
慮に入れた評価を行い得るように実施することが
できる。対称性を考慮に入れることによつて得ら
れる利点は、調節を絶対値によつて行う必要がな
いので、装置にわずかな校正誤差があつても、そ
れが調節結果にほとんど影響しないことである。
たとえば投影照射およびレントゲン−リトグラ
フイのような非常に小さい構造に対して特に精密
な構造伝達方法の能力を完全に利用するために
は、ビジユアルな調節精度はもはや十分でないこ
とが多い。本発明によれば、開示された思想の実
施に際し、たとえば上記方法においても要求精度
を満たす全自動的調節過程が保証されるべきであ
る。
この課題は、本発明によれば、ウエーフア標線
−マスク標線−ウエーフア標線あるいはその逆の
組合わせの多重配置によりそれぞれ先行評価の結
果から対称性を考慮に入れた評価を行い、また個
別結果を最終結果にまとめることにより解決され
る。本発明による解決策では、その際、精度は統
計法則に従つて高められ、個別要素の数とともに
増大する。さらに多重配置により、特にウエーフ
ア上の縁における変化が調節精度に及ぼす影響が
ほとんど消去される。
確実さを高めるため、本発明の範囲内で、評価
に利用される面重心がその数、形状および分布に
関して監視される。
さらに本発明の実施態様として、粗調節の際の
位置検出のために積分が特に、行ごとに作動する
像変換器の視野の外縁に近い範囲で行われ、他方
微調節のための調節構造がこの範囲の外側特に視
野の中央に位置する。このようにしてマスク上の
線とウエーフア上の線との間の一義的な識別可能
性が得られる。さらにそれにより、微調節が光学
軸の範囲で行われることが保証される。
さらに本発明の実施態様によれば、行ごとの明
度積分がアナログ的に演算増幅器を介して実行さ
れ、さらに相い続く積分値の差分の算出が同様に
アナログ的に実現され、次いで各行に属する電圧
値がアナログ−デイジタル変換を受けて計算ユニ
ツト特にマイクロプロセツサに記憶され、そこで
面重心線の決定と中心線への複数本の重心線の一
括と個別面の数、形状および分布に関する監視と
が行われ、またその結果から調節過程に対する操
作量が求められかつ出力される。像をアナログ的
に前処理すること(積分および差分算出)によ
り、像内容の情報損失は生じない。さらに、この
処理はリアルタイムで進行し、像評価全体を比較
的短い時間内で実行することに大きく寄与する。
以下、図面により本発明を説明する。
縁のコントラストが乏しくて、像変換器たとえ
ばテレビカメラの信号として雑音に埋もれてしま
う場合にも、眼ではその縁を判然と識別すること
ができる。しかし、このような場合、電子的にそ
の縁を識別することは著しく困難である。
第1図は、いかにしてこの欠点が直線の縁に対
してほぼ公知の方法により除去され得るかを示
す。そのためには走査方式で作動する画像変換器
(たとえばテレビ−カメラ、レーザー・スキヤナ、
半導体画像変換器)がその走査線方向を識別対象
の縁に対してほぼ平行に向けられて、ある間隔l
にわたりビデオ信号が積分される。
第1a図にはコントラストの乏しい縁1、行
(走査線)の位置n、n+1および積分長さlが
示されている。第1b図には行nおよびn+1の
なかの電圧分布が示されており、ここで行nは識
別対象の縁の前にあり、また行n+1は識別対象
の縁のなかにある。この場合、コントラスト幅は
雑音振幅よりも小さいので、縁を直接電子的に識
別することはできない。第1c図には行nおよび
n+1に対して長さlにわたり積分した結果が示
されている。この積分は一義的に再現可能な電圧
差ΔUを与え、この電圧差は縁を確実に電子的に
識別するのに充分である。
第2図にはマスク(たとえばクローム・構造)
またはデイスク(たとえば酸化物構造)上の線の
識別および位置決定のための原理的方法が示され
ている。酸化層4により形成され、感光性樹脂5
によりおおわれているウエーフア3上の線が識別
対象である。この種の線は、縁において傾斜して
いるために平行な照射光は対物レンズに反射して
戻らないので、通常コントラストの乏しい2本の
暗い線6として現れる(第2b図)。この図面の
左側には走査方向が示されている。走査線は識別
対象の線2または6に対して平行に走る。2本の
走査線の間隔はΔで、またアナログ積分に対する
長さはlで示されている。
アナログ積分の結果は第2c図に示されてい
る。コントラストの弱い線6はこの信号のなかで
わずかな凹みとしてしか現れない。全体として非
対称な分布になつているのは照明または受光器感
度の均一性が完全でないためである。相い次ぐテ
レビ走査線はこの処理段階で相い次ぐ番号1、
2、3などを有する。
第2d図には第2c図の信号から得られた走査
線ごとの差分が示されている。
第2d図の信号を改善するため、隣接する走査
線の差分のかわりに特定の間隔の走査線の差分た
とえば走査線1マイナス3、走査線2マイナス4
などが算出されてもよい。さらに、曲線分布の平
滑化を回路技術的手段により行うことも目的にか
なつている。テレビ走査線はこの処理段階(差分
信号)において相い次ぐ番号1′、2′、3′などを有
する。そのための1つの方法は、複数本の走査線
にわたる差分信号をたとえば1′+2′+3′、3′+4′

5′などのように組み合わせることである。
次の段階として、こうして得られたアナログ画
像信号が走査線ごとにデイジタル化されて、計算
ユニツトたとえばマイクロプロセツサに記憶され
る。第2e図に示されているように、零線の範囲
内の信号は対称的なしきい値を設定することによ
り除去される。それにより各明−暗移行に対し
て、隔離面Fが生じ、この隔離面がそれぞれの範
囲内の明度積分値の変化を示す。
さて線2の位置決定のためには、個々の線に対
する面の重心点が計算機で求められる。面の重心
点を求める方法は、固定的な評価しきい値による
方法にくらべてコントラストの高さおよびその鋭
さと無関係な結果が得られるという利点を有す
る。さらに、この位置決定法は、1本の線のなか
に不均等な強さの走査線があつても、それに全く
あるいはわずかしか影響されない。
面重心線決定の結果は第2f図に示されてい
る。この場合、4つの走査線について重心線S1
ないしS4が示されている。続いて、これらの値
から平均値が求められる。まずS1とS2との間
またはS3とS4との間の平均値が求められ(第
2g図)、さらにこれらの平均値から、識別対称
の線2の立体軸線Ssを示す中心軸線が計算される
(第2g図)。
面重心線を求めることと平均値算出を繰り返す
こととにより、行間隔により予め与えられたシス
テマテイツクな分解能よりもはるかに高い精度が
得られる。
この効果を増大させるために、1本の調節線あ
たり2本以上の暗い標線が生ずるように調節線を
形成することができる。
第3図には、調節過程でウエーフアがマスクに
対して動かされる場合について、可能な調節構造
が相応の評価範囲とともに示されている。第3a
図は、走査方向が互いに直交するように配置され
ている2つの像変換機の格子7を示し、その中央
にマスク上の調節構造8が位置している。マスク
上の調節構造は4角形あるいは4角形状の形であ
る。ウエーフア上の調節構造9は十字であり、こ
の十字は複数本の線から成つてよい。いま、この
十字の位置の粗検出のためには、格子の周縁範囲
Aで行ごとに積分が行われ、線の位置が第2図の
ようにして求められる。このマスクおよびウエー
フアの配置により、積分範囲Aの内側にウエーフ
アの調節構造により、積分範囲Aの内側にウエー
フアの調節構造のみが位置し得ることが保証され
る。
次の段階としてウエーフアは、求められた位置
に応じてマスクの2つの平行な調節マスクの間の
格子部分の中央に動かされる(第3b図)。いま、
微調節のために、格子部分の範囲B内で行ごとの
積分が行われ、またこの信号の評価がマスクおよ
びウエーフア上の調節構造の位置決定のために第
2図の方法により行われる。マスクおよびウエー
フア上の構造の間の区分はその必然的な場所的順
序により可能である。マスクまたはウエーフア構
造のみが存在し得る3つの範囲が一義的に決定可
能である。マスク上のコントラストは一般に非常
に明瞭かつ一定であり、他方ウエーフア上のこの
比率は著しい変動にさらされているので、等しい
振幅を得るためには、3つの範囲内でマスク信号
およびウエーフア信号に対して差分信号の増幅率
を変更することが好ましい。このことは、ウエー
フア範囲内の差分信号の最大値を電子的に求め、
それに応じて増幅率を変更することにより自動的
に行われ得る。
第2図のようにして求められたウエーフアおよ
びマスク上の重心線の位置から、平均値を算出し
かつ対称性を考慮に入れることによつて、微調節
のためにウエーフアからマスクまでの位置偏差が
求められる。
次に、以上の過程における位置に対して垂直な
位置に像が回転され、もしくは以上の過程におけ
る走査方向に対して直交する方向の走査がたとえ
ば第2のテレビカメラの使用により行われる。そ
れ以降の過程は以上に記載した過程と同一であ
る。
互いに直交する走査格子とマスク調節に必要な
2つの視野とを生じさせるための光学機構、メカ
ニズムおよび像変換機の構成および配置には原理
的に次の方法がある(第4図)。ウエーフア3の
上に、適当な調節マークを有する2つの視野10
が位置する。これらは対物レンズ11を介して2
つのテレビカメラ12の上に結像される。像回転
は、各ビームが分岐されかつ回転プリズム13を
介して90゜だけ回転され、その後に反射により再
びもとのビームに戻されることにより行われる。
断続は電機−機械的に揺動スリツト(図示せず)
を介して行われる。
光学的像回転は第4b図では避けられる。この
場合、2つの視野の両光学チヤネルは1つのチヤ
ネル14にまとめられ、あとで再び、走査方向が
互いに直交する2つのテレビカメラに分割され
る。それぞれのチヤネルは同様に電機−機械的に
断続される。
像回転を光学的に行いかつ両チヤネルをやはり
光学的にまとめるならば、やはり1つの像変換器
(第4c図)で十分である。像回転装置はまとめ
られたチヤネルに設けられることもできるし(第
4c図)、その前の個々のチヤネルに設けること
もできる(第4d図)。
テレビカメラのかわりに適当な半導体像カメラ
を使用することもできる。
走査方向を自由に選択可能な像変換器15を使
用する場合は第4e図の構成となり、光学的像回
転は省略され、また像変換器は1つで十分であ
る。
第5a図で16はマスクを示しており、このマ
スクはウエーフア17を向いた側にクロム標線1
8を有する。ある間隔をおいて配置されていてよ
いウエーフア17はたとえばシリコン19から成
り、その上にシリコン酸化物21の空所により生
じ得る2本の線20が存在する。さらに、その上
に感光性樹脂層22が被覆されている。平行光線
23を照射すると、ウエーフア上の標線は、その
斜面で斜め方向に反射が行われるために、暗い2
重線として見える。
第5b図はマスクをウエーフアに重ねた状態で
行ごとに積分した結果を示し、直線中の凹みは斜
面またはクロム標線により生じた暗い線に対応し
ている。
第5c図は隣り合う行の積分値の差分を求めた
結果と、ウエーフアS、マスクMおよびウエーフ
アSの範囲への一義的な対応とを示す。
第5c図の信号経過における振幅値のデイジタ
ル化の後に、そのつどの最大ピークまたは面重心
線の計算が行われる。その結果からxまたはy方
向の位置が求められる(第5b図)。これらはさ
らに第5e図に示されているように一括され、ま
た対称性の考慮(第5f図)により最終結果Δx
またはΔy(第5g図)が求められる。
第6図は、適当な平行な積分範囲を有する2次
元の格子の形態の多重配置と、種々の個別配置に
対する評価過程とを示す図である。この図ではl
で1つの積分範囲の幅が、またI1ないしI3ま
たはI1′ないしI3′で個別積分範囲が示されて
いる。参照記号Δy11…Δy33はy方向の個別の結
果を示し、またΔx11…Δx33はx方向の結果を示
す。本発明による方法では格子要素の数に応じて
3つの行または列でxおよびy方向の積分が行わ
れる。それにより各々新しい値のΔxn、Δynを有
する新しい格子要素が生ずる。これら得られた平
均値が最終結果ΔxおよびΔyを与える。
第7図は結像光学系の視野24の中心における
マスク16およびウエーフア17上の2次元格子
と、平行および直交積分範囲の実現のための2つ
の像変換器たとえばテレビカメラの互いに直交す
る2つの走査範囲とを示す。
第8図には個別規範として個別配置の光学軸線
からの間隔を利用する場合が示されている。すな
わち平均値算出の際に、総合精度を向上するた
め、個々の格子要素からの結果Δxn、Δyoの加重
を、光学軸線から離れている要素からの結果に対
しては加重率が小さくなるように行うことができ
る。マスクおよびウエーフア上の格子を互いにず
らすことにより、また最初に個々の格子要素で行
われたΔxn、Δyoの評価の結果により、個々の線
をとらえる精度は格子要素の小さな範囲にしか関
係しない。得られる総合精度は個々の線の精度と
格子要素あたりの線の数および格子要素の数とか
ら統計法則に従つて定まる。
第9図は再び積分範囲IまたはI′を有する2次
元格子ならびに並列プロセツサμP1ないしμP3
またはμP1′ないしμmP3′の配置ならびにxお
よびy方向の個別結果の一括または平均値算出の
ためのプロセツサμP4′およびμP4を示す。
第6図に示された評価方法の実現のため、マト
リクス−構造の場合には、個々の要素内のΔxn
Δyoの計算のために並列プロセツサμPが使用され
ており、それにそれぞれ行ごとの積分および差分
算出用のアナログ部分が付属している。別のマイ
クロプロセツサが個々の格子要素からの結果から
平均値算出を行う。
調節時間を極力短縮し得るように、第9図には
2次元格子の像処理を極力並列に行つている例が
示されている。この場合、xおよびy方向の各行
または列に対してそれぞれ1つのアナログ評価装
置(A1ないしA3またはA1′ないしA3′)が
設けられており、それにより積分および差分算出
が行われる。それ以降のデイジタル的処理(面重
心線算出、平均値算出、一括および対称性考慮)
のためにはxおよびy方向の各行または列に対し
てマイクロプロセツサ(μP1ないしμP3または
μP1′ないしμP3′)が設けられている。xおよ
びy方向の個別配置からの個別結果の一括はプロ
セツサμP4またはμP4′により行われる。
ΔxおよびΔy方向への矢印は操作要素への位置
検出結果の出力を示す。
精度向上のため、ここに記載する高速並列情報
処理では測定過程の多数回の繰返しと個別結果
(Δx、Δy)からの平均値算出とが行われる。
【図面の簡単な説明】
第1図はコントラストの乏しい縁の識別原理を
示す図、第2図はウエーフアまたはマスク上の線
の検出原理を示す図、第3図は粗調節および微調
節を行う場合のマスクおよびウエーフア上の調節
構造の配置図、第4図は本発明を実施するための
装置の種々の構成を示す図、第5a図ないし第5
g図はウエーフア標線−マスク標線−ウエーフア
標線の個別配置とその評価過程とを示す原理図、
第6図は2次元格子の形態での多重配置を示す
図、第7図は視野の中心におけるマスクおよびウ
エーフア上の2次元格子を示す図、第8図は個別
結果のマトリクス図および可能な重み係数マトリ
クス図、第9図は2次元の積分範囲ならびに並列
プロセツサの配置を示す図である。 1……縁、2……線(識別対称)、3……ウエ
ーフア、4……酸化層、5……感光性樹脂、6…
…線(識別対象)、7……格子、8,9……調節
構造、10……視野、11……対物レンズ、12
……テレビカメラ、13……回転プリズム、16
……マスク、17……ウエーフア、18……クロ
ム標線、19……シリコン、20……線(識別対
象)、21……シリコン酸化物、22……感光性
樹脂、23……平行光線。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 互いに合致させるべき対象物の自動合致方法
    であつて、半導体製造時のウエーフア照射の際に
    マスクの構造をウエーフア上の構造に対して精密
    に位置決めするマスク調節作業の自動化のための
    自動合致方法において、ウエーフアおよびマスク
    上に種々の互いに直交する直線を付しておき、そ
    れに対してそれぞれ平行に走る行ごとの電子光学
    的走査により調節構造の範囲あるいは部分範囲内
    の明度を行あるいは行断片ごとに積分すること、
    この積分により得られた値を記憶し、また相い続
    く行の積分値から差分を算出すること、この差分
    算出により得られた値の当該範囲内における分布
    から、明度変化により生じている面の重心点の位
    置を求めること、こうして求められた種々の重心
    点位置の値をウエーフアまたはマスク上の標線の
    中心軸線の位置に対応する平均値に一括するこ
    と、および以上の操作をx、y両方向に対して、
    マスクおよびウエーフア上にそれぞれ付されてい
    る調節構造に基づいて実行することを特徴とする
    自動合致方法。 2 前記位置決め調節の過程を少なくとも2段階
    すなわち粗調節段階および微調節段階に分割し、
    粗調節のためには視野の周縁範囲で行ごとにウエ
    ーフア上の標線をとらえるための積分を行なつ
    て、ウエーフアまたはマスクの位置の粗調節を行
    い、また微調節のためには視野の中央で、マスク
    およびウエーフアの既に密に隣合つている標線の
    位置を精密に合致させることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項記載の自動合致方法。 3 微調節の際に高い精度を得るため、ウエーフ
    アの調節線がマスクの調節線の間に位置し、また
    はマスクの調節線がウエーフアの調節線の間に位
    置し、それにより対称性を考慮に入れた評価が行
    われることを特徴とする特許請求の範囲第2項記
    載の自動合致方法。 4 確実さを高めるために、評価に利用される面
    重心点がその数、形状および分布に関して監視さ
    れることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の自動合致方法。 5 光学的な像のかわりに電子光学的な像も評価
    に用いられることを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載の自動合致方法。 6 粗調節の際に位置検出のために積分が行ごと
    に作動する像変換器の視野の外側の範囲で行わ
    れ、また微調節のための調節構造が視野の中央に
    位置することを特徴とする特許請求の範囲第2項
    記載の自動合致方法。 7 行ごとの明度積分がアナログ的に演算増幅器
    を介して実行され、さらに相い続く積分値の差分
    の算出が同様にアナログ的に実現され、次いで各
    行に属する電圧値がアナログ−デイジタル変換を
    受けて計算ユニツトに記憶され、そこで面重心点
    の決定と中心線への複数本の重心線の一括と個別
    面の数、形状および分布に関する監視とが行わ
    れ、またその結果から調節過程に対する操作量が
    求められかつ出力されることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項記載の自動合致方法。 8 ウエーフア標線−マスク標線−ウエーフア標
    線あるいはその逆の組合わせの多重配置によりそ
    れぞれ先行の評価から対称性を考慮に入れた評価
    が行われ、また個別結果が最終結果に一括される
    ことを特徴とする特許請求の範囲第3項記載の自
    動合致方法。 9 マスク、ウエーフア、マスクあるいはその逆
    の各個別配置に1つの積分範囲が対応しており、
    その積分方向はそのつどの直線に対して平行に延
    び、またその積分長さは直線の長さに一致してい
    ることを特徴とする特許請求の範囲第8項記載の
    自動合致方法。 10 平均値算出の際に、測定の不確実さが小さ
    いと期待される範囲からの個別結果には大きな係
    数が掛けられるように結果に対する加重が行われ
    ること、2次元格子の場合に、光学軸線に最も近
    い中央部からの結果に対しては光学軸線から離れ
    た個別配置からの結果に対する係数よりも大きな
    係数が掛けられることを特徴とする特許請求の範
    囲第8項または第9項記載の自動合致方法。 11 多重配置として2次元の4角形の格子が同
    一の寸法でウエーフア17およびマスク16に設
    けられており、また平行な行または列内の積分範
    囲が十字状に格子の上に配置されていることを特
    徴とする特許請求の範囲第8項ないし第10項の
    いずれか1項に記載の自動合致方法。
JP6137179A 1978-05-22 1979-05-18 Method of and device for automatically coinciding Granted JPS54152975A (en)

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DE2822269C2 (de) 1983-12-01
JPS54152975A (en) 1979-12-01
DE2822269A1 (de) 1979-11-29

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