DE2822269C2 - Verfahren zur automatischen Ausrichtung von zwei aufeinander einzujustierenden Objekten - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur automatischen Ausrichtung von zwei aufeinander einzujustierenden Objekten nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 sowie eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens.

In der Halbleitertechnologie und in vielen anderen Anwendungsfällen, z. B. bei der Herstellung von strukturierten Platten für Skalen, "steht man vor der Aufgabe, zwei strukturierte Platten mit hoher Genauigkeit zueinander auszurichten. Hierbei handelt es sich beispielsweise um zwei Substratplatten, von denen wenigstens eine transparent ist und die beide an einer Oberflächenseite ein Muster tragen.

In der Halbleitertechnologie muß im allgemeinen auf eine Halbleiterscheibe, die an ihrer Oberfläche bereits ein erstes Muster trägt und dort mit einem lichtempfindlichen Lack beschichtet ist, ein zweites in einer Maske enthaltenes Muster in einer zum ersten Muster genau justierten Lage übertragen werden.

Die Übertragung kann durch Kontaktbelichtung, Abstandsbelichtung oder Projektionsbelichtung erfolgen. Bei der Abstandsbelichtung, der z. Z. die größte

Bedeutung zukommt, besteht zwischen Maske und Halbleiterscheibe zur Vermeidung von Maskenbeschädigungen ein Abstand von etwa 20 um. Für die visuelle Justierung der Strukturen auf den Masken relativ zu den Strukturen auf den Halbleiterscheiben ist dies erschwerend, da nur eine Struktur scharf .abgebildet werden kann, bzw. die Schärfenebene zwischen den beiden Strukturen liegt.

Normalerweise werden zur gegenseitigen Ausrichtung von Maske zu Halbleiterscheibe spezielle Justiermarken mit zwei Justiermikroskopen verwendet, die in einem festen Abstand angeordnet sind.

In der DE-PS 19 19 991 ist eine Anordnung beschrieben und dargestellt, bei der die automatische Ausrichtung von zwei mit Strukturen versehenen Platten zueinander mit nur drei oder sogar nur zwei Meßsystemen möglich ist

In der DE-OS 22 46 152 sind ein Verfahren und eine Vorrichtung zum optischen Ausrichten von Gegenständen beschrieben, bei dem verschiedene orthogonal zueinander verlaufende Linien auf Halbleiterscheibe und Maske mit dazu parallel verlaufenden Zeilen optoelektronisch abgetastet werden und bei dem mittels der der Lage der Linien auf Halbleiterscheibe und Maske entsprechenden elektrischen Signale Halbleiterscheibe und Maske automatisch zueinander ausgerichtet werden.

Ein optoelektronisches Abtastverfahren mit Zeilen, die parallel zu auf der Halbleiterscheibe angeordneten Linien sind, zeilen- oder zeilenabschnittsweiser Aufintegration der Helligkeitswerte und Differenzbildung dieser Helligkeitswerte für aufeinanderfolgende Zeilen ist Gegenstand der älteren Anmeldung P 28 16 324.8-33.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei geringsten optischen Kontrasten und unscharfer Abbildung Strukturen auf einer Maske zu den Strukturen auf einer Halbleiterscheibe mit hoher Genauigkeit vollautomatisch in kurzer Zeit zu justieren. Außerdem soll das Verfahren mit möglichst geringem apparativen Aufwand realisierbar sein und das Justierergebnis von Schwankungen der optischen Eigenschaften der Strukturen sowie von Störungen in deren Verlauf weitgehend unbeeinflußt sein.

Diese Aufgabe wird bei einem gattungsgemäßen Verfahren durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.

Durch die Integration kann man sehr geringe Kontraste beherrschen, die sogar unter der Rauschamplitude eines Bildwandlers liegen. Durch die zeilenweise Differenzbildung wird man weitgehend unabhängig von Beleuchtungs- und Empfängerinhomogenitäten. Die Flächenschwerpunktsbildung leitet die Lageerkennung einer Kante nicht von dem Ergebnis einer Zeile ab, sondern beinhaltet die Zusammenfassung mehrerer zeilenweisen Integrale und deren Differenz im Bereich der Lage der gesuchten Kante, um eine gewisse örtliche Statistik zu erzielen. Die Flächenschwerpunktsbildung macht die Ergebnisse ebenfalls weitgehend unabhängig von Schwankungen der Beleuchtungsintensität und den Reflektionseigenschaften der Oberfläche. Anstelle der Flächenschwerpunktsbildung kann auch die Erfassung der Maximalwerte aus dem Differenzsignal herangezogen werden. Durch die Mittelwertbildung aus verschiedenen Schwerelinien bzw. der Lage der verschiedenen Maxima erreicht man wesentlich höhere Genauigkeit als sie durch die systematische Auflösung des Zeilenabstandes gegeben ist. Durch die große Integrationslänge werden Störungen, wie Einbuchtungen in Kanten oder isolierte Punkte, unterdrückt, sofern deren Größe klein im Verhältnis zur Integrationslänge ist, oder deren Kantenorientierung deutlich von den Zeilenrichtungen abweichen, was in der Regel zutrifft.

Nach einer Weiterbildung der Erfindung erfolgt das Verfahren in mindestens zwei Schritten, und zwar einer Grobjustierung und einer Feinjustiening. Zur Grobjustierung wird zunächst im Randbereich des Gesichtsfeldes zeilenweise zur Erfassung der Linien auf der Halbleiterscheibe integriert und dann Halbleiterscheibe und Maske gegeneinander verschoben. Zur Feinjustierung in einem anderen Integrationsbereich, z. B. in der Mitte, wird anschließend die Lage der dann schon eng benachbarten Justierlinien von Maske zu Halbleiterscheibe zueinander ermittelt

Darch die zwei- oder mehrstufige Justierung wird erreicht, daß die Justiermarken von Maske und Halbleiterscheibe beim letzten Justierschritt auch bei einem großen anfänglichen Einfangbereich sehr nahe beieinander liegen und dadurch Verzeichnungsfehler, die entweder aus der Optik oder dem Bildwandler resultieren können, kaum mehr in das Meßergebnis eingehen.

Nach einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung liegen zur Erzielung einer hohen Genauigkeit bei der Feinjustierung die Justierlinien der Halbleiterscheibe zwischen denen der Maske bzw. umgekehrt, so daß eine Symmetriebetrachtung durchgeführt werden kann. Der Vorteil der Symmetriebetrachtung liegt darin, daß die Justierung nicht mit absoluten Werten durchgeführt werden muß, so daß evtl. geringfügige Eichfehler der Anlage kaum in das Justierergebnis eingehen.

Zur Erhöhung der Sicherheit werden im Rahmen der Erfindung die zur Auswertung herangezogenen Flächenschwerpunkte bezüglich ihrer Anzahl, Form und Verteilung überwacht.

Nach einer weiteren Ausbildung der Erfindung wird für die Lageerkennung bei der Grobjustierung die Integration vorzugsweise in den äußeren Bereichen des Gesichtsfeldes eines zeilenweise arbeitenden Bildwandlers durchgeführt, während die Justierstruktur für die Feinjustierung außerhalb dieses Bereiches vorzugsweise in der Mitte des Gesichtsfeldes liegt Auf diese Weise entsteht eine eindeutige Unterscheidungsmöglichkeit zwischen Linien auf der Maske und der Halbleiterscheibe. Ferner wird dadurch gewährleistet, daß die Feinjustierung im Bereich der optischen Achse der zur Justierung verwendeten optischen Einrichtung vorgenommen wird.

Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung werden die zeilenweise Integration der Helligkeitswerte und die Differenzbildung der aufeinanderfolgenden Integrale analog über Operationsverstärker durchgeführt. Anschließend werden die je Zeile vorliegenden analogen Spannungswerte digitalisiert und in digitaler Form in einer Recheneinheit, vorzugsweise einem Mikroprozessor, gespeichert und, dort die Flächenschwerpunktsbestimmung, die Zusammenfassung mehrerer Schwerelinien zu Mittellinien und die Überwachung der Einzelflächen bezüglich Zahl, Form und Verteilung durchgeführt und daraus die Stellgrößen für den Justiervorgang ermittelt und ausgegeben. Durch die analoge Bildvorverarbeitung (Integration und Differenzbildung) entsteht kein Informationsverlust des Bildinhalts. Außerdem läuft diese Verarbeitung in Echtzeit ab und trägt wesentlich dazu bei, daß die gesamte Bildauswertung in relativ kurzer Zeit durchgeführt werden kann.

Die Erfindung wird anhand der Figuren erläutert. Es zeigt

F i g. 1 ein Prinzip der Erkennung kontrastarmer Kanten,

F i g. 2 ein Prinzip der Erfassung von Linien auf einer Halbleiterscheibe bzw. Maske,

F i g. 3 die Anordnung von Justierstrukturen auf Maske und Halbleiterscheibe mit verschiedenen Auswertebereichen grob/fein und

F i g. 4 Aufbauvarianten für den optischen Strahlengang bei der Durchführung des Justiervorganges.

Mit dem Auge können kontrastarme Kanten noch durchaus gut wahrgenommen werden, obwohl sie im Signal eines Bildwandlers, z. B. einer Fernsehkamera, unter der Rauschamplitude liegen. Eine elektronische Erkennung wird dadurch äußerst erschwert.

Die F i g. 1 zeigt, wie dieser Nachteil für geradlinige Kanten mit annähernd bekannter Winkelorientierung behoben werden kann. Dazu wird ein zellenförmig arbeitender Bildwandler (z. B. TV-Kamera, Laser Scanner, Halbleiterbildwandler) in seiner Zeilenrichtung etwa parallel zur gesuchten Kante orientiert und über eine gewisse Strecke 1 das Videosignal integriert.

In Fig. la sind eine kontrastarme Kante 1, die Lage der Zeilen η und π + 1 sowie die Integrationslänge / dargestellt. Aus Fig. Ib ist der Spannungsverlauf innerhalb der Zeilen η und π + 1 ersichtlich, wobei die Zeile η vor der gesuchten Kante und die Zeile π + 1 in der gesuchten Kante liegt. Der Kontrast ist hier geringer als die Rauschamplitude und dadurch die Kante nicht unmittelbar elektronisch erfaßbar. Fig. lc zeigt das Ergebnis einer Integration über die Länge /für die Zeilen π und η + 1. Diese Integration liefert einen eindeutigen wiederholbaren Spannungsunterschied AU, der zur sicheren elektronischen Kantenerkennung ausreichend ist.

Die Fig.2 zeigt das prinzipielle Verfahren zur Erkennung und Lagebestimmung der Linien auf einer Maske (z. B. Chromstruktur) bzw. einer Halbleiterscheibe (z. B. Oxidstruktur). Anhand einer Linie 2 auf einer Halbleiterscheibe 3, die durch eine Oxidschicht 4 gebildet ist und mit Fotolack 5 abgedeckt ist, wird das Verfahren demonstriert. Optisch erscheinen Linien dieser Art in der Regel aufgrund ihrer Böschungen an den Rändern, die paralleles Auflicht nicht in das abbildende Objektiv zurückreflektieren. In diesem Fall ergeben sich aus der seitlichen Begrenzung für die Linie 2 zwei dunkle kontrastarme Striche 6 (F i g. 2b). Links in dieser Darstellung ist die Abtastrichtung angedeutet Sie läuft parallel zur gesuchten Linie 2 bzw. 6. Der Abstand zwischen zwei Zeilen ist mit 9 und die Länge für die analoge Integration mit /bezeichnet

Das Ergebnis der analogen Integration zeigt die F i g. 2a Die kontrastschwachen Striche 6 erscheinen in diesem Signal nur als schwache Einbuchtungen. Die unsymmetrische Gesamtverteilung soll eine nicht vollkommen homogene Beleuchtung bzw. eine Empfängerinhomogenität darstellen. Die fortlaufenden Fernsehzeilen haben in diesem Verarbeitungsstadium die fortlaufenden Nummern 1,2,3 und so weiter.

Das Bild 2d zeigt die zeilenweise Differenz aus dem Signa! 2c.

Zur Verbesserung des Signals 2d kann auch anstatt der Differenz der benachbarten Zeilen die Differenz von Zeilen mit einem bestimmten Abstand gebildet werden, z. B. die Zeilen 1 minus 3, Zeilen 2 minus 4 usw. Die Fernsehzeilen haben in diesem Verarbeitungsstadium (Differenzsignal) die fortlaufenden Nummern Γ, 2', 3' usw. Ferner ist es zweckmäßig, an dieser Stelle aus Zeitgründen eine Glättung des Kurvenverlaufs mit schaltungstechnischen Mitteln vorzunehmen. Ein Weg hierzu bestünde beispielsweise darin, das Differenzsignal über mehrere Zeilen zusammenzufassen und ineinanderzufügen, wie beispielsweise durch die Operation Γ + 2' + 3'; 2' + 3' + 4', 3' + 4' + 5' usw. angedeutet ist.
Als nächster Schritt wird das so vorliegende und

ίο vorverdichtete analoge Bildsignal zeilenweise digitalisiert und in einer Recheneinheit, z. B. einem Mikroprozessor, gespeichert. Wie im Bild 2e dargestellt, wird das Signal im Bereich der Nullinie durch eine symmetrische Schwelle der Höhe Λ abgetrennt. Es entstehen dadurch für jeden Hell- und Dunkelübergang eine isolierte Fläche F, die die Änderung der Helligkeitsintegrale in den jeweiligen Bereichen darstellt.

Zur Lagebestimmung der Linie 2 werden nun die Flächenschwerpunkte der einzelnen Flächen F im Rechner bestimmt. Die Flächenschwerpunktsbildung hat im Vergleich zu einer festen Bewertungsschwelle den Vorteil, daß die Ergebnisse unabhängig von der Höhe des Kontrastes und von dessen Schärfe sind. Ferner wird die Lagebestimmung nicht oder nur unwesentlich von ungleichmäßig stark ausgeprägten Strichen innerhalb einer Linie beeinflußt.

Die Ergebnisse der Flächenschwerelinienbestimmung sind in F i g. 2f dargestellt. In diesem Fall handelt es sich um vier Zeilennummern und zwar Sl bis 54. Weitere Mittelwertbildungen aus diesen Werten schließen sich an. Zunächst wird der Mittelwert zwischen S1 und 52 bzw. S 3 und 5 4 gebildet (F i g. 2g) und daraus wiederum die Mittelachse errechnet (F i g. 2g), die die körperliche Achse 5s der gesuchten Linie 2 darstellt.

Durch die Flächenbestimmung sowie durch die wiederholte Mittelwertbildung werden Genauigkeiten erzielt, die weit größer sind als die durch den Zeilenabstand vorgegebene systematische Auflösung.

Eine Verstärkung dieses Effekts kann dadurch erreicht werden, daß man die Justierlinien so gestaltet, daß mehr ais zwei dunkle Striche pro Linie entstehen.

In der F i g. 3 ist eine mögliche Justierstruktur mit den entsprechenden Auswertebereichen dargestellt für den Fall, daß beim Justiervorgang die Halbleiterscheibe zur Maske verfahren wird. F i g. 3a zeigt das Raster 7 zweier zeilenweise arbeitenden Bildwandler, deren Abtastrichtungen senkrecht zueinander angeordnet sind, in dessen Mitte sich die Justierstruktur 8 auf der Maske befindet Die Justierstruktur auf der Maske stellt ein Quadrat oder ein quadratähnliches Gebilde dar. Die Justierstruktur 9 auf der Halbleiterscheibe ist ein Kreuz, das auch aus mehreren Linien bestehen kann. Für die grobe Lageerkennung dieses Kreuzes wird nun in den Randbereichen A des Rasters zeilenweise integriert und die Lage der Linien nach F i g. 2 bestimmt Durch diese Anordnung von Maske und Halbleiterscheibe wird gewährleistet, daß innerhalb der Integrationsbereiche A sich nur Justierstrukturen der Halbleiterscheibe befinden können.

Als nächster Schritt wird die Halbleiterscheibe entsprechend der ermittelten Lage der Justierstruktur 9 auf der Halbleiterscheibe ins Zentrum des Rasterfeldes zwischen die beiden parallelen Justiermarken der Maske gefahren (Fig.3b). Zur Feinjustierung erfolgt

nun eine zeilenweise Integration im Bereich B des Rasterfeldes und eine Auswertung dieses Signals zur Lagebestimmung von Justierstruktur auf Maske und Halbleiterscheibe nach dem Verfahren in der Fig.Z

Die Unterscheidung zwischen Strukturen auf Maske und Halbleiterscheibe ist durch deren zwangsläufige örtliche Reihenfolge möglich. Es sind drei Bereiche eindeutig definierbar, in denen nur Masken- bzw. Halbleiterscheibenstrukturen vorhanden sein können. Da die Kontraste auf der Maske im allgemeinen sehr deutlich und konstant sind, während diese Verhältnisse auf der Halbleiterscheibe starken Schwankungen unterworfen sind, wird zweckmäßigerweise in den drei Bereichen für Maskensignale und Halbleiterscheibensignale eine unterschiedliche Verstärkung im Differenzsignal vorgenommen, um annähernd gleiche Amplituden zu bekommen. Dies kann automatisch durch eine elektronische Bestimmung des maximalen Wertes des Differenzsignals im Halbleiterscheibenbereich in Verbindung mit einer anschließenden Nachführung der Verstärkung erfolgen.

Aus der nach F i g. 2 ermittelten Lage der Schwerelinien auf Halbleiterscheibe 3 und Maske werden durch entsprechende weitere Mittelwertbildungen und symmetrische Betrachtungen die Positionsabweichungen von Halbleiterscheibe zu Maske für die Feinjustierung bestimmt.

Für die Position senkrecht dazu werden entweder das Bild gedreht oder eine orthogonal dazu erzeugte Abtastrichtung, z. B. durch einen zweiten Bildwandler, verwendet. Der weitere Ablauf ist entsprechend.

Für den Aufbau und die Anordnung bezüglich Optik, Mechanik und Bildwandler ergeben sich für die Erzeugung der senkrecht zueinander liegenden Abtastraster und den beiden für die Maskenjustierung erforderlichen Gesichtsfeldern prinzipiell folgende Möglichkeiten (F i g. 4):

Auf der Halbleiterscheibe 3 befinden sich die zwei Gesichtsfelder 10 mit den entsprechenden Justiermarken. Diese werden über Objektive 11 auf zwei Bildwandler 12 abgebildet. Die Bilddrehung erfolgt dadurch, daß der jeweilige Strahl aufgeteilt und über Drehprismen 13 um 90° gedreht und dann wieder in den ursprünglichen Strahleneingang eingespiegelt wird. Die Ein- und Ausblendung erfolgt elektromechanisch über Schwenkblenden (nicht gezeichnet).

Eine optische Bilddrehung wird in F i g. 4b vermieden. Hier werden die beiden optischen Kanäle der zwei Gesichtsfelder in einem Kanal 14 zusammengefaßt und dann wieder auf zwei Bildwandler 12 aufgeteilt, deren Abtastrichtung senkrecht zueinander angeordnet ist. Die jeweiligen Kanäle werden ebenfalls elektromechanisch ein- und ausgeblendet.
Es genügt auch ein Bildwandler 12 (F i g. 4c), wenn man die Bilddrehung optisch durchführt und die beiden Kanäle auch optisch zusammenfaßt. Die. Bilddreheinrichtung kann entweder in dem zusammengefaßten Stellengang erfolgen (Fig.4c) oder davor für jeden einzelnen Kanal (F i g. 4d).

Als Bildwandler können Fernsehkameras oder Halbleiterbildkameras verwendet werden.

Bei der Verwendung eines Bildwandlers 15 mit frei wählbarer Abtastrichtung ergibt sich eine Anordnung nach Fig.4e, die optische Bilddrehung entfällt, ein Bildwandler ist ausreichend.

Hierzu 4 Blatt Zeichnungen

Claims (10)

Patentansprüche:

1. Verfahren zur automatischen Ausrichtung von zwei aufeinander einzujustierenden Objekten, insbesondere zur Automatisierung der Maskenjustierung, um bei der Belichtung von Halbleiterscheiben in der Halbleiterfertigung die Struktur der Maske zur Struktur auf der Halbleiterscheibe präzise zu positionieren, bei dem verschiedene orthogonal zueinander verlaufende gerade Linien auf Halbleiterscheibe und Maske optoelektronisch abgetastet werden, dadurch gekennzeichnet, daß eine punktförmige Abtastung zeilenweise in zu den gesuchten Kanten parallel verlaufenden Geraden vorgenommen wird, daß diese Abtastung mit Bildwandlern wie Fernsehkameras oder vergleichbaren Einrichtungen erfolgt, daß dabei jeweils für die beiden zueinander orthogonalen Richtungen der Linien auf Halbleiterscheibe und Maske entstehenden Helligkeitswerte zeilenweise oder zeilenabschnittsweise integriert werden, daß die daraus resultierenden Werte gespeichert, die Differenz aus dem Ergebnis von aufeinanderfolgenden Zeilen gebildet und diese Differenzen als Funktion der fortlaufenden Zeilenzahlen aufgetragen werden, daß aus dem dabei entstehenden Kurvenverlauf in den Bereichen Flächenschwerpunkte gebildet werden, die aufgrund der Helligkeitsänderung an den Linien auf Halbleiterscheibe bzw. Maske entstanden sind und daß die so erhaltenen Lagen der verschiedenen Flächenschwerpunkte weiter zu einem Mittelwert zusammengefaßt werden, der jeweils der Lage der Mittelachse einer der zueinander orthogonalen Linien auf der Halbleiterscheibe bzw. Maske zuzuordnen ist.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren in mindestens zwei Schritten, und zwar einer Grobjustierung und einer Feinjustierung erfolgt, und daß zur Grobjustierung im Randbereich des Gesichtsfeldes zeilenweise zur Erfassung der Linien auf der Halbleiterscheibe integriert wird und dann Halbleiterscheibe und Maske gegeneinander verschoben werden und daß anschließend zur Feinjustierung in einem anderen Integrationsbereich, z. B. in der Mitte, die Lage der dann schon eng benachbarten Justierlinien von Maske zu Halbleiterscheibe ermittelt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzielung einer hohen Genauigkeit bei der Feinjustierung die Justierlinien der Halbleiterscheibe zwischen denen der Maske liegen bzw, umgekehrt, so daß eine Symmetriebetrachtung durchgeführt werden kann.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erhöhung der Sicherheit die zur Auswertung herangezogenen Flächenschwerpunkte bezüglich ihrer Anzahl, Form und Verteilung überwacht werden.

5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß anstatt von lichtoptischen Bildern auch elektronenoptische Bilder zur Auswertung gelangen.

6. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß für die Lageerkennung bei der Grobjustierung die Integration in den äußeren Bereichen des Gesichtsfeldes eines zeilenweise arbeitenden Bildwandlers durchgeführt wird und daß die Justierstruktur für die Feinjustierung außerhalb dieses Bereiches vorzugsweise in der Mitte des Gesichtsfeldes liegt

7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zeilenweise Integration der Helligkeitswerte analog über Operationsverstärker durchgeführt wird, ferner die Differenzbildung der aufeinanderfolgenden Integrale ebenfalls analog realisiert wird, daß dann die je Zeile vorliegenden Spannungswerte digitalisiert und in digitaler Form in einer Recheneinheit, vorzugsweise in einem Mikroprozessor, gespeichert werden und daß dort die Flächenschwerpunktsbestimmung, die Zusammenfassung mehrerer Schwerelinien zu Mittellinien und die Überwachung der Einzelflächen bezüglich Zahl, Form und Verteilung durchgeführt werden und daraus die Stellgrößen für den Justiervorgang ermittelt und ausgegeben werden.

8. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für jeden Justierbereich eine Optik mit Beleuchtung vorgesehen ist, die den Bereich von Maske und Halbleiterscheibe, der mit Justierstrukturen versehen ist, auf einen zellenförmig abtastenden Bildwandler abbildet

9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzielung von orthogonal aufeinander stehenden Abtastrichtungen zwei entsprechend angeordnete Fernsehkameras feder Festkörperbildwandler vorhanden sind, bzw. daß Bildwandler mit frei wählbarer Abtastrichtung, wie beispielsweise eine Bildsondenröhre, d. h. eine Bildaufnahmeeinheit mit beliebigem Bildpunktzugriff, Verwendung findet oder daß das optische Bild durch eine entsprechende Anordnung gedreht und auf einem Bildwandler mit fester Abtastrichtung abgebildet wird.

10. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Halbleiterscheibe als Justierstruktur ein Kreuz verwendet wird, das auch aus mehreren Linien bestehen kann und dessen Länge etwa dem Fangbereich der Positioniereinrichtung entspricht, und daß für die Maske eine quadratische Linienstruktur verwendet wird.