JPS5972134A - パタ−ン検出装置 - Google Patents

パタ−ン検出装置

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JPS5972134A
JPS5972134A JP57181337A JP18133782A JPS5972134A JP S5972134 A JPS5972134 A JP S5972134A JP 57181337 A JP57181337 A JP 57181337A JP 18133782 A JP18133782 A JP 18133782A JP S5972134 A JPS5972134 A JP S5972134A
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恒男 寺澤
Shinji Kuniyoshi
伸治 国吉
Akihiro Takanashi
高梨 明紘
Toshishige Kurosaki
利栄 黒崎
Yoshio Kawamura
河村 喜雄
Sumio Hosaka
純男 保坂
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Control Of Position Or Direction (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体集積回路の製造工程の中で使用される
縮小投影露光装置において、ウェーハまたはマスクなど
の位置合わせのための精密位置計測に好適なパターン検
出装置の改良に関するものである。
第1図は、縮小投影露光装置に使用されている従来のパ
ターン検出装置の一例を示したものである。縮小投影露
光装置では、回路パターンの原画であるレティクル2を
照明系1で照明し、縮小レンズ3を通してウェーハ4」
二にパターンを形成していく。このとき前]−程でウェ
ーハ4上に形成されたパターン5の位置に合わぜて新た
なパターンを形成する必要がある。そのためのウェーハ
位置検出は以下の方法で行なわれていた。すなわち、オ
プティカルファイバ等で導かれた光源7を用いて、レテ
ィクル2」二の基阜パターン6および縮寸レンズ3を通
してウェーハ上の位置合わせ用パターン(図示していな
い)を照明する。反射光は拡大光学系8を通してスリッ
ト9を有する往復移動台J1の移動面」二に拡大結像さ
れる。この結像面をスリット9で走査し、スリット9の
移動量をリニアエンコーダ12により計測しながらスリ
ット通過光の明暗を光電変換素子10により電気信号に
変換する。このとき、縦軸に光電変換出力を横軸にスリ
ット位置座標をとると、第2図(A)に示すような検出
信号(取込み信号)が得られる。
この検出信号からパターン位置を求めるためには、従来
は演算回路13により検出信号の対称性の良否を判断す
る方法(参照:特開昭53−69063号公報)を用い
ていた。すなわち、スリット位置Iにおいて得られる検
出値X(I)を用いて、第2図(B)に示すような対称
性の度合を示す関数を求め、これが最小となる位置■を
パターン位置としていた。本方法では、例えば2500
個の点■に対する検出信号x(J)を一度メモリに格納
し、その後に特定の範囲内の点■に対してコンピュータ
を用いて式(1)の演算を行なっていた。しかしながら
弐け)の計算は、信号の雑音の影響を受けすらいという
利点はあるものの演算ステップ数が多いため演算処理時
間が長くなるという欠点があった。
例えば、パターン検出器の分解能をウエーノ・上換算で
004μmとし、検出範囲±5μm内の点■に対して式
(1)の計算を通常使用されるミニコンピユータ(例え
ばHITAC1011;日立製作所製品)で行なうとm
 = 200として演算処理時間は約0.7秒となる。
また縮小投影露光装置に用いられるパターン検出器の機
能としては検出範囲がより広いことが望まれるが、−に
配力法を」二15μmの検出範囲に適用すると演算時間
は約9倍となり、逆に機能低下の要因となりかねない。
特にウェーハ上に形成されている各チップごとに位置合
わせを行なう場合、演算時間が長くなると縮小投影露光
装置のウェーハ処理能力低下の原因となるため、位置計
測に要する演算時間の短縮化が望まれていた。
本発明の目的は、取込まれた検出信号からパターン位置
を求める信号処理において、検出精度を保ちつつ従来か
ら用いられていた対称性演算の回数を低減し、パターン
検出信号の高速処理手段を提供することにある。
」−記目的を達成するために、本発明のパターン検出装
置では取込まれた検出信号に対してその1次モーメント
と積分値との比からパターン位置を高速に検出する手段
を新たに設け、次にその検出値を中心とした狭い範囲内
で対称性演算を行なうことによりパターン位置を高速か
つ正確に求める処理方法を採用した。
まず本発明の原理を図を用いて説明する。第3図は、パ
ターン部のみから大きな信号レベルが得られる矩形波の
検出信号を示したものである。ここでパターン中心位置
は、信号波形と座標軸とで囲まれた図形(斜線部)の重
心位置Gの■座標であると考えることができる。パター
ンの検出領域をI、≦1≦12とすれば、重心の定義か
らが成立する。得られる信号がディジタル値の場合は弐
け)の積分表示を加算表示にすればよい。すなわち と表わせる。式(2)の分子2分母をそれぞれ検出信号
波形の1次モーメント、積分値と呼ぶことにする。
実際の検出信号は、第4図(A)に示すようにパターン
部以外からもバックグランドレベルに相当する信号が取
込まれる。この場合は検出信号の低周波成分を除去する
フィルタ(雑音除去演算部)を通して、同図(B)に示
すようなパターン部の信号変化のみを示す信号を取出し
、その後に式(3)を適用すればパターン位置が求めら
れる。
以下、本発明を実施例を用いて詳細に説明する。
本実施例では、低周波成分を除去した検出信号の絶対値
をメモリに格納し、次にメモリに格納された信号の値の
和すなわち信号の積分値、および信号の値とそれを格納
しているメモリアドレスを示すカウンタ値との積の和す
なわち信号の1次モーメントをそれぞれ求め、後者と前
者で除算した値を求めている。この除算値はパターン位
置の近似値を表わしている。最後に上記近似値を中心と
した狭い範囲内で対称性演算を行う処理方法を採用して
いる。
第5図は、本発明の実施例を示すパターン検出信号処理
回路のブロック図を示している。図において、20は検
出信号取込み部であり、光電変換素子10の出力は増幅
器21を通してA/D変換器22でディジタル値に変換
されメモリ23に格納される。
第6図(A)は格納された取込み信号X(I)を示して
いる。ここにX(I)は1番目のメモリ番地に格納され
ているディジタル値を示す。信号X(I)はウェーハ上
のパターン段差による微細な明暗の変化のほかに、一般
にウェーハ上に塗布されたホトレジスト厚さの変化に伴
う等浮子渉縞が現われて低周波の明暗の変化も含む。そ
こで低周波成分を除去するために、低周波成分除去演算
回路24を用いて、但し、n=100 (nの値は経験
的にこの位に選ぶと、信号処理に不必要な低周波成分が
除去できる。)なる演算を行ない、パターン段差による
明暗の変化のみを含む信号XC(I)をメモリ25に格
納する。
第6図(B)はメモリ25に格納された検出信号XC(
I)を示している。
次に、予め指定したメモリ番地内において検出信号の絶
対値を求める変換回路26によりXC(I)の絶対値を
求め、かつ絶対値信号からパターンのない部分の信号レ
ベルすなわち雑音成分の信号レベルに相当する一定値を
差引き、結果が負の場合にはこれを零と置きかえる。な
お、取込み信号の変化分に対して雑音成分が小さい場合
には、この処理は必ずしも必要ではなく、省略してもよ
い。
以上の処理を施した信号をY (I)とすると、第6図
(C)に示す波形となる。ただし信号Y(I)はメモリ
に格納する必要はな(、以下に示す演算を行なうとき、
信号XC(I)からその都度Y (I)を求めてよい。
第5図における27はメモリのアドレスを示すカウンタ
である。予め指定した11≦I≦12内にある全ての格
納番地Iに対して乗算回路28によりY、(I) −Y
(I) X I           t51なる演算
を行ない、更に加算回路29.30によりY+(I)お
よびY(I)を加算していく。加算結果をそれぞれM、
 Sとし、演算回路(除算回路)31により を求める。Mは信号Y(I)の1次モーメント、  S
は信号Y(I)の積分値に相当し、Igは信号Y(I)
と座標軸とで囲まれた図形の重心位置を示している。
式(6)の除算を1回行なった時点で真のパターン位置
に近い値の検出(粗検出)が終了する。
本実施例では、ウェーハ上幅40μmにわたって信号を
取込み、幅6μmのパターン位置を算出した。
実験の結果、パターンが±15μmの検出範囲内のどこ
にあろうとも式(6)で与えられる昂は、真のパターン
位置を中心として±1μmの範囲内にあることが確認で
きた。
第7図は上記本発明による粗検出の精度すなわちパター
ン位置と検出値Igの検出誤差との関係の例を示したも
のである。
パターンの正確な位置を求める方法としては、従来の対
称性の良否を求める式(1)の演算を実行すればよく、
演算回路(対称性演算部)32によりメモリ25に格納
されている検出信号に対して演算を実施する。この場合
、式(1)を計算する■の範囲は−+1 i 7Im程
度と狭くてきるため、対称性演算に要する時間は約4と
なる。
本実施例では、検出信号の重心位置を求めることにより
χ・j体性演算の計算範囲を」二1μmと狭くできるた
め、」−5μmの範囲内にわたって対称性演算を施す従
来法に比べて演算処理時間の短縮化が実現できた。更に
従来の対称性演算をそのまま±15μmにまで検出範囲
を広げて実施すると、演算範囲および式(1)の加算幅
mがそれぞれ3倍となるため演算処理時間は約9倍とな
るが、本実施例ではパターンが±15μmの範囲内のど
こにあろうとも短時間で位置検出できる。
なお、本実施例では、検出信号取込み部20に取込まれ
た信号X(I)からパターン段差による明暗の変化のみ
を示す検出信号XC(I)を求める方法として、式(4
)による低周波成分を除去する方法を採用した。しかし
高周波成分のみを示す検出信号を取出すためには他の方
法も考えられ、例えば取込み信号の差分信号(微分した
信号)を検出信号としてメモリ25に格納しても同様の
効果が得られる。
以上のように、本発明を実施すれば検出すべきパターン
の位置が検出範囲内のどこにあろうとも検出信号と座標
軸とで囲まれた図形の重心位置を求める演算により±1
μm程度の狭い範囲内に位置検出できる。その結果、従
来最も演算時間を要する対称性演算(1)を実行する範
囲を±1t、tm程度と狭くでき、演算処理時間の短縮
化が実現できる。
【図面の簡単な説明】 第1図は従来のパターン検出装置の一構成例を示した説
明図、第2図(A)、 (B)はそれぞれ取込み信号、
従来の処理信号を示す図、第3図及び第4図(A)、 
(B)はいずれも本発明の詳細な説明するだめの信号波
形図、第5図は本発明の信号処理回路を示したブロック
図、第6図(A)、 (B)、 (C)は本発明で処理
した信号波形図、第7図は本発明で実施した粗検出精度
を示す図である。 10・・・光電変換素子−20・検出信号取込み部21
  増幅器      22・・A/D変換器23・・
・メモリ 24・・低周波成分除去演算回路 25・・メモリ26・・・変換回路 27・・カウンタ     28・・・乗算回路29、
3C]  加算回路 31・・演算回路(除算回路) 32・・演算回路(対称性演算部) 代理人弁理士 中村純之助 1Pl  図 1’2図 1’3v!1 1F4図 1+   le   12I オ6図 Jp7図 バターンイ立運シa州) 第1頁の続き 0発 明 者 河村喜雄 国分寺市東恋ケ窪−丁目280番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 の発 明 者 保坂純男 国分寺市東恋ケ窪−丁目280番 地株式会社日立製作所中央研究 所内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)試料を照明し該試料からの反射光あるいは透過光
    の強度分布を光電変換し検出信号として取込む検出信号
    取込み部と、該取込まれた検出信号から試料位置を計測
    するための信号処理を行なう演算処理部を備えたパター
    ン検出装置において、上記演算処理部は、」1記検出信
    号の1次モーメントを求める手段と積分値を求める手段
    および該手段により求められた1次モーメントを積分値
    で除算する手段を有してなる検出信号の重心位置演算部
    と、該重心位置演算部で算出された検出信号の重心位置
    近傍で試料位置を精密に検出するための対称性演算部を
    具備して構成したことを特徴とするパターン検出装置。
  2. (2)前記検出信号取込み部は、光電変換信号をディジ
    タル値に変換するA/D変換器とA/D変換された検出
    信号の値を格納するメモリを有し、前記1次モーメント
    を求める手段は、上記メモリに格納された信号の値とメ
    モリアドレスを示すカウンタ値とを乗算する乗算回路と
    乗算結果を加算する加算回路を有して構成したものであ
    る特許請求の範囲第1項記載のパターン検出装置。
  3. (3)前記演算処理部には、低周波成分除去演算回路と
    該演算回路通過後の信号の値を格納するメモリと該メモ
    リからの信号を絶対値に変換する変換回路とを有してな
    る雑音除去演算部をも具備したものである特許請求の範
    囲第1項記載のパターン検出装置。
  4. (4)前記演算処理部には、取込まれた検出信号の差分
    信号を求める回路と、該回路で求めた差分信号の値を格
    納するメモリと該メモリからの信号を絶対値に変換する
    変換回路を有してなる雑音除去演算部をも具備したもの
    である特許請求の範囲第1項記載のパターン検出装置。
JP57181337A 1982-10-18 1982-10-18 パタ−ン検出装置 Granted JPS5972134A (ja)

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US06/539,760 US4597669A (en) 1982-10-18 1983-10-07 Pattern detector
DE8383110336T DE3369378D1 (en) 1982-10-18 1983-10-17 Pattern detector
EP83110336A EP0106346B1 (en) 1982-10-18 1983-10-17 Pattern detector

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JPH0332910B2 JPH0332910B2 (ja) 1991-05-15

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EP0106346B1 (en) 1987-01-21
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