JPH0945609A - ベストフォーカス決定方法及びそれを用いた露光条件決定方法 - Google Patents
ベストフォーカス決定方法及びそれを用いた露光条件決定方法Info
- Publication number
- JPH0945609A JPH0945609A JP7211230A JP21123095A JPH0945609A JP H0945609 A JPH0945609 A JP H0945609A JP 7211230 A JP7211230 A JP 7211230A JP 21123095 A JP21123095 A JP 21123095A JP H0945609 A JPH0945609 A JP H0945609A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- best focus
- photosensitive
- reticle
- patterns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70641—Focus
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Exposure In Printing And Copying (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高価な走査型電子顕微鏡を使用せずに、レジ
ストの種類に対応したベストフォーカス位置及び最適の
露光量を短時間で自動的に高精度で決定できるベストフ
ォーカス決定方法及びそれを用いた露光条件決定方法を
得ること。 【解決手段】 レチクルの面上に一方向に垂直な方向に
伸びる一定線幅のジグザグ開口を該方向に一定周期で複
数個並べて成るパターンを配置し、投影レンズの異なる
フォーカス位置で該パターンを感光基板上に転写して複
数の感光パターンを形成し、該複数の感光パターンを光
電変換手段の撮像面に結像し、該光電変換手段から該方
向に沿って１次元電気信号列を順次出力し、該１次元電
気信号列をフーリエ変換して空間周波数成分の位相情報
を算出し、該位相情報より該投影レンズのベストフォー
カス位置を決定する。
ストの種類に対応したベストフォーカス位置及び最適の
露光量を短時間で自動的に高精度で決定できるベストフ
ォーカス決定方法及びそれを用いた露光条件決定方法を
得ること。 【解決手段】 レチクルの面上に一方向に垂直な方向に
伸びる一定線幅のジグザグ開口を該方向に一定周期で複
数個並べて成るパターンを配置し、投影レンズの異なる
フォーカス位置で該パターンを感光基板上に転写して複
数の感光パターンを形成し、該複数の感光パターンを光
電変換手段の撮像面に結像し、該光電変換手段から該方
向に沿って１次元電気信号列を順次出力し、該１次元電
気信号列をフーリエ変換して空間周波数成分の位相情報
を算出し、該位相情報より該投影レンズのベストフォー
カス位置を決定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はベストフォーカス決定方
法及びそれを用いた露光条件決定方法に関し、特にLSI
製造の際のリソグラフィー工程において使用される露光
装置を使用する際に好適なものである。
法及びそれを用いた露光条件決定方法に関し、特にLSI
製造の際のリソグラフィー工程において使用される露光
装置を使用する際に好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、LSI 製造の際のリソグラフィー工
程において使用される露光装置はLSIの回路パターンの
集積度が高まり、転写すべきパターンの線幅もサブミク
ロンの領域になっているので、その投影レンズの解像力
を安定して維持していくためには最良のフォーカス位置
と最適露光量、即ち最適の露光条件を正確に設定するこ
とが極めて重要になっている。
程において使用される露光装置はLSIの回路パターンの
集積度が高まり、転写すべきパターンの線幅もサブミク
ロンの領域になっているので、その投影レンズの解像力
を安定して維持していくためには最良のフォーカス位置
と最適露光量、即ち最適の露光条件を正確に設定するこ
とが極めて重要になっている。
【０００３】従来は試し焼きとして、１ショット毎に露
光条件即ちフォーカス位置と露光量（シャッター時間）
の少なくとも一方を順次変えて、感光基板に露光後、感
光基板を現像して直線状のパターンの線幅を光学顕微鏡
や線幅測定装置で計測して最良のフォーカス位置と最適
の露光量、即ち最適の露光条件を決定していた。
光条件即ちフォーカス位置と露光量（シャッター時間）
の少なくとも一方を順次変えて、感光基板に露光後、感
光基板を現像して直線状のパターンの線幅を光学顕微鏡
や線幅測定装置で計測して最良のフォーカス位置と最適
の露光量、即ち最適の露光条件を決定していた。
【０００４】例えばステップアンドリピート方式の露光
装置においては、ウェハ上のショット領域の配列の横方
向についてはフォーカス値を一定にして露光量（シャッ
ター時間）を一定量ずづ変えて露光を行い、ショット領
域の配列の縦方向については露光量を一定にしてフォー
カス値を一定量ずつ変えて露光する。
装置においては、ウェハ上のショット領域の配列の横方
向についてはフォーカス値を一定にして露光量（シャッ
ター時間）を一定量ずづ変えて露光を行い、ショット領
域の配列の縦方向については露光量を一定にしてフォー
カス値を一定量ずつ変えて露光する。
【０００５】これを現像後に、形成された各ショット内
のラインアンドスペースのレジストパターンの線幅を走
査型電子顕微鏡によるSEM 測長等により検出し、露光装
置の最良焦点位置（ベストフォーカス）と最適露光量を
決定していた。
のラインアンドスペースのレジストパターンの線幅を走
査型電子顕微鏡によるSEM 測長等により検出し、露光装
置の最良焦点位置（ベストフォーカス）と最適露光量を
決定していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の方法においてベストフォーカスの決定及び最適露
光量の決定に際しては、レジストパターンの線幅を露光
基板を現像後にSEM 等で計測するため結果を出すまでに
長時間を要し、且つ必要な測定装置価格が極めて高価で
あるという問題があった。
従来の方法においてベストフォーカスの決定及び最適露
光量の決定に際しては、レジストパターンの線幅を露光
基板を現像後にSEM 等で計測するため結果を出すまでに
長時間を要し、且つ必要な測定装置価格が極めて高価で
あるという問題があった。
【０００７】本発明は、高価な走査型電子顕微鏡を使用
せずに、レジストの種類に対応したベストフォーカス位
置及び最適の露光量を短時間で自動的に高精度で決定で
きるベストフォーカス決定方法及びそれを用いた露光条
件決定方法の提供を目的とする。
せずに、レジストの種類に対応したベストフォーカス位
置及び最適の露光量を短時間で自動的に高精度で決定で
きるベストフォーカス決定方法及びそれを用いた露光条
件決定方法の提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のベストフォーカ
ス決定方法は、 （１−１） 投影レンズの光軸に対して垂直な面内にレ
チクルを配置し、該レチクルの面上に一方向に対して周
期性のあるパターンを配置し、該パターンを該投影レン
ズによって感光基板上に転写して感光パターンを形成す
ることを異なるフォーカス位置で繰り返し、該感光基板
上に転写した複数の感光パターンによって該投影レンズ
のベストフォーカス位置を決定するベストフォーカス決
定方法であって、該パターンは該レチクルの面上で該一
方向に垂直な方向に伸びる一定線幅のジグザグ開口を該
方向に一定周期で複数個並べて成っており、該パターン
を異なるフォーカス位置で該感光基板上に転写して複数
の感光パターンを形成する工程と、該複数の感光パター
ンを光電変換手段の撮像面に結像する撮像工程と、該光
電変換手段より得られる画像信号から該ジグザグ開口の
像の輪郭を構成するジグザグ線の１つの周波数成分に関
する情報を算出する工程と、該情報に基づいてベストフ
ォーカス位置を決定する工程とを有すること等を特徴と
している。
ス決定方法は、 （１−１） 投影レンズの光軸に対して垂直な面内にレ
チクルを配置し、該レチクルの面上に一方向に対して周
期性のあるパターンを配置し、該パターンを該投影レン
ズによって感光基板上に転写して感光パターンを形成す
ることを異なるフォーカス位置で繰り返し、該感光基板
上に転写した複数の感光パターンによって該投影レンズ
のベストフォーカス位置を決定するベストフォーカス決
定方法であって、該パターンは該レチクルの面上で該一
方向に垂直な方向に伸びる一定線幅のジグザグ開口を該
方向に一定周期で複数個並べて成っており、該パターン
を異なるフォーカス位置で該感光基板上に転写して複数
の感光パターンを形成する工程と、該複数の感光パター
ンを光電変換手段の撮像面に結像する撮像工程と、該光
電変換手段より得られる画像信号から該ジグザグ開口の
像の輪郭を構成するジグザグ線の１つの周波数成分に関
する情報を算出する工程と、該情報に基づいてベストフ
ォーカス位置を決定する工程とを有すること等を特徴と
している。
【０００９】特に、 （１−１−１） 前記ジグザグ線の１つの周波数成分に
関する情報を算出する工程は、前記光電変換手段から前
記方向に沿って１次元電気信号列を順次出力する工程
と、該１次元電気信号列をフーリエ変換し、前記パター
ンの周期に対応する空間周波数成分の位相を算出する工
程と、該位相の最大値と最小値を検出する工程を有する
こと。 （１−１−２） 前記感光基板は、レジストが塗布され
たウェハである。 （１−１−３） 前記感光パターンは、現像工程後に形
成されるレジストパターンである。 （１−１−４） 前記感光パターンは、現像工程前にレ
ジスト層に形成される潜像である。 こと等を特徴としている。
関する情報を算出する工程は、前記光電変換手段から前
記方向に沿って１次元電気信号列を順次出力する工程
と、該１次元電気信号列をフーリエ変換し、前記パター
ンの周期に対応する空間周波数成分の位相を算出する工
程と、該位相の最大値と最小値を検出する工程を有する
こと。 （１−１−２） 前記感光基板は、レジストが塗布され
たウェハである。 （１−１−３） 前記感光パターンは、現像工程後に形
成されるレジストパターンである。 （１−１−４） 前記感光パターンは、現像工程前にレ
ジスト層に形成される潜像である。 こと等を特徴としている。
【００１０】更に、本発明のベストフォーカス決定方法
は、 （１−２） 投影レンズの光軸に対して垂直な面内にレ
チクルを配置し、該レチクルの面上に一方向に対して周
期性のあるパターンを配置し、該パターンを該投影レン
ズによって感光基板上に転写して感光パターンを形成す
ることを異なるフォーカス位置で繰り返し、該感光基板
上に転写した複数の感光パターンによって該投影レンズ
のベストフォーカス位置を決定するベストフォーカス決
定方法であって、該パターンは該レチクルの面上で該一
方向に垂直な方向に伸びる一定線幅のジグザグ開口を該
方向に一定周期で複数個並べて成っており、該複数の感
光パターンを光電変換手段の撮像面に結像し、該光電変
換手段より得られる画像信号から該ジグザグ開口の像の
輪郭を構成するジグザグ線の１つの周波数成分に関する
情報を算出し、該情報に基づいてベストフォーカス位置
を決定すること等を特徴としている。
は、 （１−２） 投影レンズの光軸に対して垂直な面内にレ
チクルを配置し、該レチクルの面上に一方向に対して周
期性のあるパターンを配置し、該パターンを該投影レン
ズによって感光基板上に転写して感光パターンを形成す
ることを異なるフォーカス位置で繰り返し、該感光基板
上に転写した複数の感光パターンによって該投影レンズ
のベストフォーカス位置を決定するベストフォーカス決
定方法であって、該パターンは該レチクルの面上で該一
方向に垂直な方向に伸びる一定線幅のジグザグ開口を該
方向に一定周期で複数個並べて成っており、該複数の感
光パターンを光電変換手段の撮像面に結像し、該光電変
換手段より得られる画像信号から該ジグザグ開口の像の
輪郭を構成するジグザグ線の１つの周波数成分に関する
情報を算出し、該情報に基づいてベストフォーカス位置
を決定すること等を特徴としている。
【００１１】又、本発明の露光条件決定方法は、 （１−３） 投影レンズの光軸に対して垂直な面内にレ
チクルを配置し、該レチクルの面上に一方向に垂直な方
向に伸びる一定線幅のジグザグ開口を該方向に一定周期
で複数個並べて成るパターンを配置し、該投影レンズの
異なるフォーカス位置で該パターンを夫々露光量を変化
させて感光基板上に転写して複数の感光パターンを形成
し、該複数の感光パターンを光電変換手段の撮像面に結
像し、該光電変換手段から該方向に沿って１次元電気信
号列を順次出力し、該１次元電気信号列をフーリエ変換
して空間周波数成分の位相情報と強度情報を算出し、該
パターンの周期に対応する空間周波数成分の位相情報よ
り該投影レンズのベストフォーカス位置を決定し、決定
されたベストフォーカス位置における露光量の異なる感
光パターンをフーリエ変換して得た空間周波数成分の特
性より最適露光量を決定すること等を特徴としている。
チクルを配置し、該レチクルの面上に一方向に垂直な方
向に伸びる一定線幅のジグザグ開口を該方向に一定周期
で複数個並べて成るパターンを配置し、該投影レンズの
異なるフォーカス位置で該パターンを夫々露光量を変化
させて感光基板上に転写して複数の感光パターンを形成
し、該複数の感光パターンを光電変換手段の撮像面に結
像し、該光電変換手段から該方向に沿って１次元電気信
号列を順次出力し、該１次元電気信号列をフーリエ変換
して空間周波数成分の位相情報と強度情報を算出し、該
パターンの周期に対応する空間周波数成分の位相情報よ
り該投影レンズのベストフォーカス位置を決定し、決定
されたベストフォーカス位置における露光量の異なる感
光パターンをフーリエ変換して得た空間周波数成分の特
性より最適露光量を決定すること等を特徴としている。
【００１２】又、本発明のベストフォーカス決定方法
は、 （１−４） ３角型の単位パターンを１次元方向に繰り
返して成る３角状パターンを複数個、一方向に周期的に
配列したパターンをレチクル上に設け、該レチクル面上
のパターンを投影レンズで感光基板上に該感光基板を光
軸方向に位置を種々と変えて投影露光し、該パターンの
該感光基板の一方向における画像情報より該投影レンズ
のフォーカス位置を検出していること等を特徴としてい
る。
は、 （１−４） ３角型の単位パターンを１次元方向に繰り
返して成る３角状パターンを複数個、一方向に周期的に
配列したパターンをレチクル上に設け、該レチクル面上
のパターンを投影レンズで感光基板上に該感光基板を光
軸方向に位置を種々と変えて投影露光し、該パターンの
該感光基板の一方向における画像情報より該投影レンズ
のフォーカス位置を検出していること等を特徴としてい
る。
【００１３】
【実施例】図１は露光条件即ちベストフォーカス及び最
適露光量を決定しようとする露光装置の要部概略図であ
る。又、図２は本発明のベストフォーカス決定方法及び
それを用いた露光条件決定方法の作業フローチャートで
ある。図２に示すように本決定方法では大きく分けて３
つのステップを経る。
適露光量を決定しようとする露光装置の要部概略図であ
る。又、図２は本発明のベストフォーカス決定方法及び
それを用いた露光条件決定方法の作業フローチャートで
ある。図２に示すように本決定方法では大きく分けて３
つのステップを経る。
【００１４】第１のステップは露光装置による測定用パ
ターン（パターン）の試し焼き、第２のステップは試し
焼きしたウエハの現像、第３のステップはウエハ上に焼
付けられたレジストパターンからのベストフォーカス及
び最適露光量の決定である。 （１） 試し焼きステップ 図１は本発明を適用する露光装置の要部概略図である。
本露光装置はフォーカス位置制御手段及び露光制御手段
を有する。図中、２１５は水銀ランプなどの露光光源、
２１４は開閉可能なシャッター、２１２はハーフミラ
ー、２１１はミラー、Ｌ１，Ｌ２は照明光学系である。
ターン（パターン）の試し焼き、第２のステップは試し
焼きしたウエハの現像、第３のステップはウエハ上に焼
付けられたレジストパターンからのベストフォーカス及
び最適露光量の決定である。 （１） 試し焼きステップ 図１は本発明を適用する露光装置の要部概略図である。
本露光装置はフォーカス位置制御手段及び露光制御手段
を有する。図中、２１５は水銀ランプなどの露光光源、
２１４は開閉可能なシャッター、２１２はハーフミラ
ー、２１１はミラー、Ｌ１，Ｌ２は照明光学系である。
【００１５】Rはレチクルであり、その上には回路パタ
ーンや試し焼き用の測定用パターンを形成している。W
はウエハ（感光基板）であり、その表面にはレジストを
塗布している。２０１は投影レンズ（縮小投影レンズ）
であり、レチクルR 上の回路パターン等をウェハW 上に
縮小して転写する。その光軸AXを Z方向とするXYZ 座標
系を設定する。２００はウエハステージであり、ウェハ
W を吸着し、これをX,Y および Z方向に移動させる。な
お、レチクルR は投影レンズ２０１の光軸に対して垂直
な面内に配置している。
ーンや試し焼き用の測定用パターンを形成している。W
はウエハ（感光基板）であり、その表面にはレジストを
塗布している。２０１は投影レンズ（縮小投影レンズ）
であり、レチクルR 上の回路パターン等をウェハW 上に
縮小して転写する。その光軸AXを Z方向とするXYZ 座標
系を設定する。２００はウエハステージであり、ウェハ
W を吸着し、これをX,Y および Z方向に移動させる。な
お、レチクルR は投影レンズ２０１の光軸に対して垂直
な面内に配置している。
【００１６】２０３は半導体レーザなどの高輝度光源で
あり、２０４は照明光学系である。２０５、２０６は折
曲げミラー、２０７はフォーカス位置検出光学系、２０
８は２次元位置検出素子であり、CCD などで構成してい
る。２０９はフォーカス制御回路である。以上の２０３
〜２０９の各要素はフォーカス位置制御手段の一要素を
構成している。
あり、２０４は照明光学系である。２０５、２０６は折
曲げミラー、２０７はフォーカス位置検出光学系、２０
８は２次元位置検出素子であり、CCD などで構成してい
る。２０９はフォーカス制御回路である。以上の２０３
〜２０９の各要素はフォーカス位置制御手段の一要素を
構成している。
【００１７】フォーカス位置制御手段の作用を説明す
る。光源２０３から射出した光は照明光学系２０４より
ピンホールを通過し、その光束は折曲げミラー２０５で
方向を変えられた後、ウェハW の表面に浅い角度で入射
する。ウェハW の測定点で反射した光束は折曲げミラー
２０６で方向を変えられた後、フォーカス位置検出光学
系２０７を介して２次元位置検出素子２０８に入射す
る。２次元位置検出素子２０８はその受光面上の入射位
置を検知する。
る。光源２０３から射出した光は照明光学系２０４より
ピンホールを通過し、その光束は折曲げミラー２０５で
方向を変えられた後、ウェハW の表面に浅い角度で入射
する。ウェハW の測定点で反射した光束は折曲げミラー
２０６で方向を変えられた後、フォーカス位置検出光学
系２０７を介して２次元位置検出素子２０８に入射す
る。２次元位置検出素子２０８はその受光面上の入射位
置を検知する。
【００１８】ウェハW の Z方向の位置変化は、２次元位
置検出素子２０８上で入射位置のずれとして検出できる
ため，２次元位置検出素子２０８からの出力信号に基づ
いてフォーカス制御回路２０９がウェハステージの Z方
向の位置を制御する。
置検出素子２０８上で入射位置のずれとして検出できる
ため，２次元位置検出素子２０８からの出力信号に基づ
いてフォーカス制御回路２０９がウェハステージの Z方
向の位置を制御する。
【００１９】次に露光量制御手段について説明する。２
１３は照度を検出するためのセンサーである。２１０は
積算露光制御回路であり、シャッター２１４を開放中、
センサー２１３からの照度信号を積算して露光を制御す
る。シャッター２１４、ハーフミラー２１２、センサー
２１３、積算露光制御回路２１０等は露光制御手段の一
要素を構成している。
１３は照度を検出するためのセンサーである。２１０は
積算露光制御回路であり、シャッター２１４を開放中、
センサー２１３からの照度信号を積算して露光を制御す
る。シャッター２１４、ハーフミラー２１２、センサー
２１３、積算露光制御回路２１０等は露光制御手段の一
要素を構成している。
【００２０】この露光制御手段の作用を説明する。シャ
ッター２１４が開放になると、光源２１５からの光はレ
チクルR を照射し、投影レンズ２０１によってウエハW
上にレチクルR 上の回路パターン等が露光される。同時
にハーフミラー２１２によって一部分割された露光光は
センサー２１３に達し、センサー２１３で露光量の照度
を測定し、積算露光制御回路２１０が露光量を時間的に
積算し、露光量が所定の量に達するとシャッター２１４
を閉じて露光を終了させる。
ッター２１４が開放になると、光源２１５からの光はレ
チクルR を照射し、投影レンズ２０１によってウエハW
上にレチクルR 上の回路パターン等が露光される。同時
にハーフミラー２１２によって一部分割された露光光は
センサー２１３に達し、センサー２１３で露光量の照度
を測定し、積算露光制御回路２１０が露光量を時間的に
積算し、露光量が所定の量に達するとシャッター２１４
を閉じて露光を終了させる。
【００２１】試し焼きのステップについて説明する。図
１の露光装置に試し焼きレチクルRTをセットする。試し
焼きレチクルRT上には図３に示す測定用パターン（パタ
ーン）M を形成している。測定用パターンM はクロムの
不透明膜の中にこの膜面上の一方向（X 方向又はY 方向
＝計測方向）に垂直な方向に伸びる一定線幅のジグザグ
開口を該計測方向に一定周期λp で複数個並べて成って
いる。（このパターンは又３角型の単位パターンを１次
元方向に繰り返して３角状パターンを複数個、一方向に
周期的に配列して成っているとも言える。）図３中、MX
は計測方向 Xのフォーカス及び露光条件を決定するため
のパターンであり、MYは計測方向 Yのそれを決定するた
めのパターンである。
１の露光装置に試し焼きレチクルRTをセットする。試し
焼きレチクルRT上には図３に示す測定用パターン（パタ
ーン）M を形成している。測定用パターンM はクロムの
不透明膜の中にこの膜面上の一方向（X 方向又はY 方向
＝計測方向）に垂直な方向に伸びる一定線幅のジグザグ
開口を該計測方向に一定周期λp で複数個並べて成って
いる。（このパターンは又３角型の単位パターンを１次
元方向に繰り返して３角状パターンを複数個、一方向に
周期的に配列して成っているとも言える。）図３中、MX
は計測方向 Xのフォーカス及び露光条件を決定するため
のパターンであり、MYは計測方向 Yのそれを決定するた
めのパターンである。
【００２２】そしてポジ型のレジストを塗布したウェハ
W をウエハステージ２００にセットし、レチクルRTを図
４に示すようにステップアンドリピート方式でウェハW
上に順次露光（転写）して測定用パターンM の像である
感光パターンM'を形成する。
W をウエハステージ２００にセットし、レチクルRTを図
４に示すようにステップアンドリピート方式でウェハW
上に順次露光（転写）して測定用パターンM の像である
感光パターンM'を形成する。
【００２３】このとき前記のフォーカス位置制御手段及
び露光制御手段を用いて、 X方向のショットS1,i→Sm,i
ではショット毎に露光量を変えて露光し、 Y方向のショ
ットSi,1→Si,nではショット毎にフォーカス位置を一定
量ずつ変えて（ウエハW の位置を光軸方向に種々と変え
て）露光し、所定数のショットをすれば試し焼きは終わ
る。この工程はレチクルRT上のパターンを異なるフォー
カス位置で露光量を変化させて感光基板上に転写して複
数の感光パターンを形成する工程である。 （２） 試し焼きウエハW の現像。
び露光制御手段を用いて、 X方向のショットS1,i→Sm,i
ではショット毎に露光量を変えて露光し、 Y方向のショ
ットSi,1→Si,nではショット毎にフォーカス位置を一定
量ずつ変えて（ウエハW の位置を光軸方向に種々と変え
て）露光し、所定数のショットをすれば試し焼きは終わ
る。この工程はレチクルRT上のパターンを異なるフォー
カス位置で露光量を変化させて感光基板上に転写して複
数の感光パターンを形成する工程である。 （２） 試し焼きウエハW の現像。
【００２４】試し焼きの終わったウエハW は現像する。
W'を現像の終わったウエハとする。図５は現像したウェ
ハW'のレジストパターン（感光パターン）M'の部分拡大
図である。このうち、図５(A) はベストフォーカス位置
のショットにおけるレジストパターンM'の一部拡大図、
図５(B) はベストフォーカスからずれている、所謂デフ
ォーカス位置におけるショットのレジストパターンM'の
一部拡大図を示す。ベストフォーカス位置ではレジスト
パターンM'の角部が直角に形成されているが、デフォー
カス位置ではレジストパターンM'の角部が丸まってい
る。
W'を現像の終わったウエハとする。図５は現像したウェ
ハW'のレジストパターン（感光パターン）M'の部分拡大
図である。このうち、図５(A) はベストフォーカス位置
のショットにおけるレジストパターンM'の一部拡大図、
図５(B) はベストフォーカスからずれている、所謂デフ
ォーカス位置におけるショットのレジストパターンM'の
一部拡大図を示す。ベストフォーカス位置ではレジスト
パターンM'の角部が直角に形成されているが、デフォー
カス位置ではレジストパターンM'の角部が丸まってい
る。
【００２５】エッジanとエッジbnの間はマーク段差の山
部（ライン）を示し、エッジbnとan+1の間は谷部（スペ
ース）を示す。露光条件は示してないが、図５ではa1〜
b1の幅とb1〜a2の幅の比が１：１になっており、これが
最適露光によるショットであることを示している。 （３） ベストフォーカス及び最適露光量の決定のステ
ップ。
部（ライン）を示し、エッジbnとan+1の間は谷部（スペ
ース）を示す。露光条件は示してないが、図５ではa1〜
b1の幅とb1〜a2の幅の比が１：１になっており、これが
最適露光によるショットであることを示している。 （３） ベストフォーカス及び最適露光量の決定のステ
ップ。
【００２６】この工程ではレジストパターン測定装置を
使用する。図６はレジストパターン測定装置の要部概略
図である。図中、W'は現像したウエハであり、その表面
にはレジストパターンM'が形成されている。１０１は拡
大レンズであり、ウエハW'上のレジストパターンM'を拡
大して結像する。その光軸AXをXYZ 座標のZ 方向とす
る。１００はウエハステージであり、ウェハW'を吸着
し、これをX,Y および Z方向に移動させる。
使用する。図６はレジストパターン測定装置の要部概略
図である。図中、W'は現像したウエハであり、その表面
にはレジストパターンM'が形成されている。１０１は拡
大レンズであり、ウエハW'上のレジストパターンM'を拡
大して結像する。その光軸AXをXYZ 座標のZ 方向とす
る。１００はウエハステージであり、ウェハW'を吸着
し、これをX,Y および Z方向に移動させる。
【００２７】１０３は部分照明系であり、ウエハW'上の
レジストパターンM'を照明する。１０２はビームスプリ
ッタであり、ウエハW'上のレジストパターンM'からの反
射光を、側方へ反射する。１０４は検出光学系であり、
拡大レンズ１０１と共に拡大光学系を形成し、レジスト
パターンM'を所定の倍率で２次元の光電変換手段１０５
の撮像面に結像させる。光電変換手段１０５は、例えば
ITV 、２次元イメージセンサ等であり、撮像した像を電
気信号に変換する。
レジストパターンM'を照明する。１０２はビームスプリ
ッタであり、ウエハW'上のレジストパターンM'からの反
射光を、側方へ反射する。１０４は検出光学系であり、
拡大レンズ１０１と共に拡大光学系を形成し、レジスト
パターンM'を所定の倍率で２次元の光電変換手段１０５
の撮像面に結像させる。光電変換手段１０５は、例えば
ITV 、２次元イメージセンサ等であり、撮像した像を電
気信号に変換する。
【００２８】１０６はA/D 変換手段であり、光電変換手
段１０５からの信号を拡大光学系の結像倍率および光電
変換手段１０５の撮像面の画素ピッチにより定まるサン
プリングピッチλS により２次元の撮像面上の画素のxy
方向のアドレスに対応した２次元離散電気信号列に変換
する。
段１０５からの信号を拡大光学系の結像倍率および光電
変換手段１０５の撮像面の画素ピッチにより定まるサン
プリングピッチλS により２次元の撮像面上の画素のxy
方向のアドレスに対応した２次元離散電気信号列に変換
する。
【００２９】１０７はFFT 演算手段であり、入力した電
気信号列Sy(x) を離散フーリエ変換して空間周波数領域
に変換し，そのフーリエ係数を高速に演算する。
気信号列Sy(x) を離散フーリエ変換して空間周波数領域
に変換し，そのフーリエ係数を高速に演算する。
【００３０】１０９は位相検出手段であり、測定用パタ
ーンM の周期λp に対応する空間周波数成分の基準点XS
に関する位相Θを演算して算出する。１１０は最大位相
差検出手段であり、位相の最大値と最小値を決定して最
大の位相差を検出する。１１１は制御手段であり、全体
の動作を制御したり、ベストフォーカス位置を決定した
り、最適露光量を決定したりする。
ーンM の周期λp に対応する空間周波数成分の基準点XS
に関する位相Θを演算して算出する。１１０は最大位相
差検出手段であり、位相の最大値と最小値を決定して最
大の位相差を検出する。１１１は制御手段であり、全体
の動作を制御したり、ベストフォーカス位置を決定した
り、最適露光量を決定したりする。
【００３１】なお、ここではレジストパターン測定装置
を露光装置と別なものとして説明したが図１の露光装置
に上記の各要素１０２〜１１１を備えても良い。（専用
のレジストパターン測定装置を構成すれば、投影レンズ
２０１の収差の影響が少なくなるのでより高精度の測定
が可能となる。）次にこのステップを説明する。図６に
示すように現像後のウェハW'をウェハステージ１００に
載置し、照明系１０３を動作させ、拡大レンズ１０１に
より、ウェハW'上のレジストパターン（感光パターン）
M'を照明する。照明されたレジストパターンM'からの光
は拡大レンズ１０１を逆行し、ビームスプリッタ１０
２、検出光学系１０４を介して光電変換手段１０５の撮
像面に結像する。そこでウエハW'上のレジストパターン
M'の像が所定の倍率で光電変換手段１０５の撮像面上に
得られる。これは感光パターンM'を光電変換手段１０５
の撮像面に結像する撮像工程である。
を露光装置と別なものとして説明したが図１の露光装置
に上記の各要素１０２〜１１１を備えても良い。（専用
のレジストパターン測定装置を構成すれば、投影レンズ
２０１の収差の影響が少なくなるのでより高精度の測定
が可能となる。）次にこのステップを説明する。図６に
示すように現像後のウェハW'をウェハステージ１００に
載置し、照明系１０３を動作させ、拡大レンズ１０１に
より、ウェハW'上のレジストパターン（感光パターン）
M'を照明する。照明されたレジストパターンM'からの光
は拡大レンズ１０１を逆行し、ビームスプリッタ１０
２、検出光学系１０４を介して光電変換手段１０５の撮
像面に結像する。そこでウエハW'上のレジストパターン
M'の像が所定の倍率で光電変換手段１０５の撮像面上に
得られる。これは感光パターンM'を光電変換手段１０５
の撮像面に結像する撮像工程である。
【００３２】図７はレジストパターンM'を構成するパタ
ーンMX'、MY' 及びそれらの計測領域であるウィンドゥ
Wx，Wyの位置関係の説明図である。又、図８は光電変換
手段１０５の撮像面上に結像するレジストパターンMX'
の像の一部拡大図である。この時撮像面を構成する画素
のxy方向はレジストパターンM'の各計測方向と一致させ
ている。
ーンMX'、MY' 及びそれらの計測領域であるウィンドゥ
Wx，Wyの位置関係の説明図である。又、図８は光電変換
手段１０５の撮像面上に結像するレジストパターンMX'
の像の一部拡大図である。この時撮像面を構成する画素
のxy方向はレジストパターンM'の各計測方向と一致させ
ている。
【００３３】光電変換手段１０５によってレジストパタ
ーンMX' 又はMY' は光電変換され、電気信号列の画像信
号として順次出力され、A/D 変換手段１０６によって、
拡大光学系の結像倍率および撮像面の画素ピッチにより
定まるサンプリングピッチλS により図９に示すような
２次元の撮像面の画素のxy方向のアドレスに対応した２
次元離散電気信号列(X,Y) に変換される。なお、図９は
１つの検出ライン（画素列）からの信号の一例である。
ーンMX' 又はMY' は光電変換され、電気信号列の画像信
号として順次出力され、A/D 変換手段１０６によって、
拡大光学系の結像倍率および撮像面の画素ピッチにより
定まるサンプリングピッチλS により図９に示すような
２次元の撮像面の画素のxy方向のアドレスに対応した２
次元離散電気信号列(X,Y) に変換される。なお、図９は
１つの検出ライン（画素列）からの信号の一例である。
【００３４】２次元離散電気信号列を(X,Y) とすると、
A/D 変換手段１０６からは図９の如き x方向に離散的な
電気信号列が順次FFT 演算手段１０７へ出力する。電気
信号列は撮像面の計測方向の１列単位で出力する（これ
を１次元電気信号列Sy(x) と定義する）。この工程が光
電変換手段から計測方向に沿って１次元電気信号列を順
次出力する工程である。
A/D 変換手段１０６からは図９の如き x方向に離散的な
電気信号列が順次FFT 演算手段１０７へ出力する。電気
信号列は撮像面の計測方向の１列単位で出力する（これ
を１次元電気信号列Sy(x) と定義する）。この工程が光
電変換手段から計測方向に沿って１次元電気信号列を順
次出力する工程である。
【００３５】FFT 演算手段１０７は入力した１次元電気
信号列Sy(x) を離散フーリエ変換し、１次元電気信号列
Sy(x) を空間周波数領域に変換し、そのフーリエ係数を
高速に算出する。その手法は公知の N点(N=2r)の高速フ
ーリエ変換（以下FFT と呼ぶ）によるものであり、サン
プリング周波数fsを１に正規化したときに空間周波数f
(k)≡k/N の複素フーリエ係数X(k)は、 と表され、その周波数強度E(k)は、 Ey(k)＝［Re{Xy(k)}2 ＋Im{Xy(k)}2]1/2 (2) と表される。
信号列Sy(x) を離散フーリエ変換し、１次元電気信号列
Sy(x) を空間周波数領域に変換し、そのフーリエ係数を
高速に算出する。その手法は公知の N点(N=2r)の高速フ
ーリエ変換（以下FFT と呼ぶ）によるものであり、サン
プリング周波数fsを１に正規化したときに空間周波数f
(k)≡k/N の複素フーリエ係数X(k)は、 と表され、その周波数強度E(k)は、 Ey(k)＝［Re{Xy(k)}2 ＋Im{Xy(k)}2]1/2 (2) と表される。
【００３６】又、その位相Θ(k) は Θy(k) ＝tan-1 [Im{Xy(k)}/Re{Xy(k)}] (3) と表わすことができる。ただし、 jは虚数単位、Re{X
(k)}、Im{X(k)}は各々、複素数X(k)の実部、虚部を表
す。
(k)}、Im{X(k)}は各々、複素数X(k)の実部、虚部を表
す。
【００３７】位相検出手段１０９は測定用パターンM の
周期λp に対応する空間周波数成分の基準点XSに関する
位相Θ(k) を、式(3) にしたがって算出する。この工程
が１次元電気信号列をフーリエ変換し、前記パターンの
周期に対応する空間周波数成分の位相を算出する工程で
ある。
周期λp に対応する空間周波数成分の基準点XSに関する
位相Θ(k) を、式(3) にしたがって算出する。この工程
が１次元電気信号列をフーリエ変換し、前記パターンの
周期に対応する空間周波数成分の位相を算出する工程で
ある。
【００３８】そして、この段階で横軸に検出画素ライン
ｙ、縦軸に位相Θ(y) をプロットすると、例えば図１０
に示す曲線Ｂが得られる。この曲線Ｂはレジストパター
ンM'中のジグザグ開口の１つの像の輪郭を構成するジグ
ザグ線の１つ（例えば図５中の曲線a1又は曲線b1）に対
応している。
ｙ、縦軸に位相Θ(y) をプロットすると、例えば図１０
に示す曲線Ｂが得られる。この曲線Ｂはレジストパター
ンM'中のジグザグ開口の１つの像の輪郭を構成するジグ
ザグ線の１つ（例えば図５中の曲線a1又は曲線b1）に対
応している。
【００３９】次に、最大位相差検出手段１１０は位相の
最大値Θ(y)maxと最小値Θ(y)minを検出し、 d
＝Θ(y)max−Θ(y)minの演算によって該ジグザグ線の最
大位相差 dを求める。この最大位相差検出手段１１０で
は位相の最大値と最小値を検出する工程を担当してお
り、又光電変換手段より得られる画像信号から最大位相
差d を求める工程はジグザグ開口の１つの像の輪郭を構
成するジグザグ線の１つに関する情報（最大位相差 d）
を算出する工程である。
最大値Θ(y)maxと最小値Θ(y)minを検出し、 d
＝Θ(y)max−Θ(y)minの演算によって該ジグザグ線の最
大位相差 dを求める。この最大位相差検出手段１１０で
は位相の最大値と最小値を検出する工程を担当してお
り、又光電変換手段より得られる画像信号から最大位相
差d を求める工程はジグザグ開口の１つの像の輪郭を構
成するジグザグ線の１つに関する情報（最大位相差 d）
を算出する工程である。
【００４０】前記のように図３に示す測定用パターンM
をウェハW に焼き付ける際、デフォーカスした状態で焼
き付けると図５(B) に示すように角部が丸められてしま
い、この感光パターンからは図１０の曲線Ｂに示す図形
が得られる。しかし、試し焼きの際には同一露光条件で
フォーカスを振りながら複数のレジストパターンM'を焼
き付けているので、その中にはベストフォーカースで焼
き付けられたものが含まれている。ベストフォーカスで
焼かれたものからは図１０の曲線Ａに近い図形が得ら
れ、最大位相差 dが最大値dmaxを示す。
をウェハW に焼き付ける際、デフォーカスした状態で焼
き付けると図５(B) に示すように角部が丸められてしま
い、この感光パターンからは図１０の曲線Ｂに示す図形
が得られる。しかし、試し焼きの際には同一露光条件で
フォーカスを振りながら複数のレジストパターンM'を焼
き付けているので、その中にはベストフォーカースで焼
き付けられたものが含まれている。ベストフォーカスで
焼かれたものからは図１０の曲線Ａに近い図形が得ら
れ、最大位相差 dが最大値dmaxを示す。
【００４１】そこで、最大位相差検出手段１１０が算出
した各ショットについての最大位相差 dを制御手段１１
１に記憶しておき、すべてのショットについて最大位相
差dを得た後に制御手段１１１はこの最大位相差 dが最
大値dmaxを示すショットを決定し、露光装置においてこ
のショットを行ったウエハW のZ 位置をベストフォーカ
ス位置とするのである。この工程が各ショットの最大位
相差 dに基づいてベストフォーカス位置を決定する工程
である。
した各ショットについての最大位相差 dを制御手段１１
１に記憶しておき、すべてのショットについて最大位相
差dを得た後に制御手段１１１はこの最大位相差 dが最
大値dmaxを示すショットを決定し、露光装置においてこ
のショットを行ったウエハW のZ 位置をベストフォーカ
ス位置とするのである。この工程が各ショットの最大位
相差 dに基づいてベストフォーカス位置を決定する工程
である。
【００４２】曲線ＡとＢは位相がずれているが、これは
ウィンドゥWxとレジストパターンMX' の位置関係が、レ
ジストパターンM'毎に必ずしも一致しないからで、ウィ
ンドゥWxの領域がレジストパターンMX' 領域に含まれて
いれば、最大位相差 dの検出に影響を与えない。
ウィンドゥWxとレジストパターンMX' の位置関係が、レ
ジストパターンM'毎に必ずしも一致しないからで、ウィ
ンドゥWxの領域がレジストパターンMX' 領域に含まれて
いれば、最大位相差 dの検出に影響を与えない。
【００４３】さらに、ウィンドゥWxとレジストパターン
MX' がθだけ傾いた場合は図１１に示すように曲線Ｂは
座標上でθ’＝ｋ・θだけ回転した曲線Ｂ’として得ら
れる。その結果、最大位相差 dは図中、d'のように拡大
されて得られることになる。この場合、曲線Ｂ’自身の
最小自乗直線Ｃを座標上で計算すると、最小自乗直線Ｃ
の傾きがθによる影響そのものを示すことになるので、
曲線Ｂ’と直線Ｃとの差分をとり、その最大位相差をも
とめればθの影響を排除して最大位相差 dを正しく求め
ることができる。
MX' がθだけ傾いた場合は図１１に示すように曲線Ｂは
座標上でθ’＝ｋ・θだけ回転した曲線Ｂ’として得ら
れる。その結果、最大位相差 dは図中、d'のように拡大
されて得られることになる。この場合、曲線Ｂ’自身の
最小自乗直線Ｃを座標上で計算すると、最小自乗直線Ｃ
の傾きがθによる影響そのものを示すことになるので、
曲線Ｂ’と直線Ｃとの差分をとり、その最大位相差をも
とめればθの影響を排除して最大位相差 dを正しく求め
ることができる。
【００４４】本実施例の効果を説明する。ベストフォー
カスの決定に当たって１つの角部の丸みをエッジの位置
変化として画像処理によって認識することはS/N 的に困
難であるが、本実施例のように複数の角部を有するパタ
ーンでFFT 演算を行い、測定用パターンM の周期λp に
対応する空間周波数成分の位相Θ(k) を求めることによ
り、微小な角部のくずれも高精度に検出することができ
る。
カスの決定に当たって１つの角部の丸みをエッジの位置
変化として画像処理によって認識することはS/N 的に困
難であるが、本実施例のように複数の角部を有するパタ
ーンでFFT 演算を行い、測定用パターンM の周期λp に
対応する空間周波数成分の位相Θ(k) を求めることによ
り、微小な角部のくずれも高精度に検出することができ
る。
【００４５】さらに例えば X方向の計測の場合、右向き
の角部だけではレジストパターンM'のウィンドゥに対す
る横ずれと区別することができないが、レジストパター
ンM'として左向きの角部を用意し、左右の角部で差分を
取ることによって、レジストパターンM'の位置とは無関
係に角部のシャープネスのみの検出を可能にしている。
の角部だけではレジストパターンM'のウィンドゥに対す
る横ずれと区別することができないが、レジストパター
ンM'として左向きの角部を用意し、左右の角部で差分を
取ることによって、レジストパターンM'の位置とは無関
係に角部のシャープネスのみの検出を可能にしている。
【００４６】なお、本実施例ではウエハW 上の感光パタ
ーンの計測方向における画像情報からベストフォーカス
の位置を決定しているとも言える。
ーンの計測方向における画像情報からベストフォーカス
の位置を決定しているとも言える。
【００４７】又、ベストフォーカスの決定に当たって高
価な走査型電子顕微鏡によってレジストパターンM'の線
幅を一々測定しなくてよく、短時間で自動的にベストフ
ォーカスを決定することができる。
価な走査型電子顕微鏡によってレジストパターンM'の線
幅を一々測定しなくてよく、短時間で自動的にベストフ
ォーカスを決定することができる。
【００４８】なお、本実施例ではベストフォーカスの決
定に当たって左右の角部間の計測方向の幅（間隔）を光
強度分布を示す１次元の電気信号列をFFT 演算して得ら
れる位相に変換し、その最大位相差によって検出してい
るが、画像処理により特定の特徴点を検出する他の手法
を用いても同様にベストフォーカスを検出できる。例え
ば、角部部分の画像にマッチしたテンプレートを用意し
て、角部位置を検出してもよい。その場合、図６のFFT
演算手段１０７、周波数強度検出手段１０８、位相検出
手段１０９は角部位置検出手段に置き換えられ、また最
大位相差検出手段１１０は最大角部間距離検出手段に置
き換えれば良い。
定に当たって左右の角部間の計測方向の幅（間隔）を光
強度分布を示す１次元の電気信号列をFFT 演算して得ら
れる位相に変換し、その最大位相差によって検出してい
るが、画像処理により特定の特徴点を検出する他の手法
を用いても同様にベストフォーカスを検出できる。例え
ば、角部部分の画像にマッチしたテンプレートを用意し
て、角部位置を検出してもよい。その場合、図６のFFT
演算手段１０７、周波数強度検出手段１０８、位相検出
手段１０９は角部位置検出手段に置き換えられ、また最
大位相差検出手段１１０は最大角部間距離検出手段に置
き換えれば良い。
【００４９】次に、最適露光量を決定する方法について
述べる。図３に示す測定用パターンM を露光量を変えな
がら焼き付けたとき、レジストパターンM'で顕著に変わ
るのはレジストパターンM'のデューティー（ラインとス
ペースの幅の比率）である。即ち、図５で説明するなら
ば、anとbnの距離とbnとan+1の距離の比が変化するとい
うことである。
述べる。図３に示す測定用パターンM を露光量を変えな
がら焼き付けたとき、レジストパターンM'で顕著に変わ
るのはレジストパターンM'のデューティー（ラインとス
ペースの幅の比率）である。即ち、図５で説明するなら
ば、anとbnの距離とbnとan+1の距離の比が変化するとい
うことである。
【００５０】レジストパターンM'のデューティーの変化
はレジストパターンM'をフーリエ変換したときの周波数
強度の変化となって現れる。そこで最適露光量の決定は
ベストフォーカス位置において露光量を変えて焼き付け
たレジストパターンM'をFFTによってフーリエ変換した
際の特定周波数の強度変化を着目して決定する。
はレジストパターンM'をフーリエ変換したときの周波数
強度の変化となって現れる。そこで最適露光量の決定は
ベストフォーカス位置において露光量を変えて焼き付け
たレジストパターンM'をFFTによってフーリエ変換した
際の特定周波数の強度変化を着目して決定する。
【００５１】最適露光量決定の手順を説明する。ベスト
フォーカス決定の際と同じく、レジストパターン測定装
置にウエハW'をセットし、今度は先に決定されたベスト
フォーカス位置で露光量を順次変えた各ショットの各レ
ジストパターンM'を被検位置にセットし、レジストパタ
ーンM'の像を光電変換手段１０５に取り込む。光電変換
手段１０５からの画像信号はA/D 変換手段１０６によっ
て電気信号列Sy(x) となってFFT 演算手段に入力され、
ここでFFT 演算を実行して各周波数成分の強度分布E(k)
を算出する。
フォーカス決定の際と同じく、レジストパターン測定装
置にウエハW'をセットし、今度は先に決定されたベスト
フォーカス位置で露光量を順次変えた各ショットの各レ
ジストパターンM'を被検位置にセットし、レジストパタ
ーンM'の像を光電変換手段１０５に取り込む。光電変換
手段１０５からの画像信号はA/D 変換手段１０６によっ
て電気信号列Sy(x) となってFFT 演算手段に入力され、
ここでFFT 演算を実行して各周波数成分の強度分布E(k)
を算出する。
【００５２】図１２〜１４は空間周波数に対する強度分
布E(k)の説明図である。図１２は露光量が少なかった場
合、図１３は最適露光量の場合、図１４は露光量が大き
過ぎた場合の強度分布である。この図でｆnp＝n・λs/λ
p の関係がある。
布E(k)の説明図である。図１２は露光量が少なかった場
合、図１３は最適露光量の場合、図１４は露光量が大き
過ぎた場合の強度分布である。この図でｆnp＝n・λs/λ
p の関係がある。
【００５３】このなかで或る周波数成分に着目して、最
適露光量でパターンが焼き付けられたとき（多くの場
合、デューティーが１：１になるとき）、着目した周波
数成分の強度がどうなるか、あらかじめ計測しておく。
例えば、図１５は空間周波数ｆ3pに着目したときの露光
量と空間周波数ｆ3pの強度の関係である。この図から、
最適露光の場合、空間周波数ｆ3pの強度が極小値を示す
ということが予め判っているとする。
適露光量でパターンが焼き付けられたとき（多くの場
合、デューティーが１：１になるとき）、着目した周波
数成分の強度がどうなるか、あらかじめ計測しておく。
例えば、図１５は空間周波数ｆ3pに着目したときの露光
量と空間周波数ｆ3pの強度の関係である。この図から、
最適露光の場合、空間周波数ｆ3pの強度が極小値を示す
ということが予め判っているとする。
【００５４】そこで、ウエハW'上のベストフォーカス位
置で露光量を種々と変えたショットについて空間周波数
ｆ3pの強度を求め、周波数強度が最小になるショットの
露光量を最適露光量と決定する。
置で露光量を種々と変えたショットについて空間周波数
ｆ3pの強度を求め、周波数強度が最小になるショットの
露光量を最適露光量と決定する。
【００５５】周波数強度はショット間の照明光量の違い
や、レジスト厚さの違いによる反射光量の差にも依存す
る。そのような要因に基づく測定誤差が懸念される場合
は、その他の空間周波数の強度、例えば空間周波数g1p
やg2p との強度の比率が最小となる露光量を最適露光量
と定義すれば、安定して露光条件の計測を実施すること
ができる。
や、レジスト厚さの違いによる反射光量の差にも依存す
る。そのような要因に基づく測定誤差が懸念される場合
は、その他の空間周波数の強度、例えば空間周波数g1p
やg2p との強度の比率が最小となる露光量を最適露光量
と定義すれば、安定して露光条件の計測を実施すること
ができる。
【００５６】以上によって露光装置のベストフォーカス
位置及び最適露光量、即ち最適の露光条件を決定でき
る。
位置及び最適露光量、即ち最適の露光条件を決定でき
る。
【００５７】なお、以上の最適露光量の決定方法では、
ベストフォーカス位置を決定した後にそのベストフォー
カス位置で露光量を種々と変えたショットをフーリエ変
換して最適露光量を求めたが、次のように処理しても良
い。即ち、試し焼きしたウエハW'上の各ショットSi,jに
ついて上記の最大位相差di,jと特定空間周波数成分の強
度Ei,jを自動的に検出して制御手段１１１で記憶してお
き、全てのショットについてこれらの値が得られた後
に、制御手段１１１は最大値dmaxを示すショットを決定
してベストフォーカス位置を決定し、次いで記憶データ
の中からそのベストフォーカス位置で露光量を種々と変
えたショットの特定空間周波数成分の強度Ei,jを調べて
最適露光量に該当するショットを決定し、そのデータを
出力する。このようにすれば速やかに最適の露光条件を
決定できる。
ベストフォーカス位置を決定した後にそのベストフォー
カス位置で露光量を種々と変えたショットをフーリエ変
換して最適露光量を求めたが、次のように処理しても良
い。即ち、試し焼きしたウエハW'上の各ショットSi,jに
ついて上記の最大位相差di,jと特定空間周波数成分の強
度Ei,jを自動的に検出して制御手段１１１で記憶してお
き、全てのショットについてこれらの値が得られた後
に、制御手段１１１は最大値dmaxを示すショットを決定
してベストフォーカス位置を決定し、次いで記憶データ
の中からそのベストフォーカス位置で露光量を種々と変
えたショットの特定空間周波数成分の強度Ei,jを調べて
最適露光量に該当するショットを決定し、そのデータを
出力する。このようにすれば速やかに最適の露光条件を
決定できる。
【００５８】この方法で露光条件を決定すれば、レジス
トパターンをフーリエ変換することにより、ベストフォ
ーカスと最適露光量、即ち最適の露光条件を高価な走査
型電子顕微鏡を使わずに短時間で自動的に高精度で決定
することができる。
トパターンをフーリエ変換することにより、ベストフォ
ーカスと最適露光量、即ち最適の露光条件を高価な走査
型電子顕微鏡を使わずに短時間で自動的に高精度で決定
することができる。
【００５９】決定されたベストフォーカス値は露光装置
のフォーカス制御手段にフィードバックし、又決定され
た最適露光量を露光装置の積算露光制御手段にフィード
バックすることでウエハW を常にベストフォーカス位置
に設定して最適露光量で露光することができる。
のフォーカス制御手段にフィードバックし、又決定され
た最適露光量を露光装置の積算露光制御手段にフィード
バックすることでウエハW を常にベストフォーカス位置
に設定して最適露光量で露光することができる。
【００６０】レジスト種類、膜厚の変化に応じて、以上
の工程を繰り返し行なうことで、常にベストフォーカス
位置および最適露光量、即ち最適の露光条件が容易に決
定できる。
の工程を繰り返し行なうことで、常にベストフォーカス
位置および最適露光量、即ち最適の露光条件が容易に決
定できる。
【００６１】なお、本実施例においては、試し焼きを行
ったウエハW を現像して、現像後のウェハW'のレジスト
パターンM'を測定するようにしたが、現像前にレジスト
層に形成される潜像を検出してもベストフォーカスおよ
び最適露光量を決定できる。潜像を検出するようにすれ
ば試し焼きのウエハを現像するステップを省くことがで
きるので、露光装置からウエハW を外すことなく最適の
露光条件を自動的に決定することもでき、セットアップ
タイムを大幅に短縮できる。
ったウエハW を現像して、現像後のウェハW'のレジスト
パターンM'を測定するようにしたが、現像前にレジスト
層に形成される潜像を検出してもベストフォーカスおよ
び最適露光量を決定できる。潜像を検出するようにすれ
ば試し焼きのウエハを現像するステップを省くことがで
きるので、露光装置からウエハW を外すことなく最適の
露光条件を自動的に決定することもでき、セットアップ
タイムを大幅に短縮できる。
【００６２】次に、上記のベストフォーカスの決定方法
を利用する投影レンズ２０１の収差の測定方法を説明す
る。図３に示す測定用パターンM は X方向および Y方向
に配列しているので、ウエハW 上の同一位置で X方向と
Y方向のベストフォーカス位置を検出できる。この検出
により投影レンズ２０１の像面上、この部分における非
点収差を計測できる。
を利用する投影レンズ２０１の収差の測定方法を説明す
る。図３に示す測定用パターンM は X方向および Y方向
に配列しているので、ウエハW 上の同一位置で X方向と
Y方向のベストフォーカス位置を検出できる。この検出
により投影レンズ２０１の像面上、この部分における非
点収差を計測できる。
【００６３】さらに露光領域内の中心と外周の複数位置
に測定用パターンM を設けることで投影レンズ２０１の
レジストプロセスを介した像面湾曲と像面傾きを検出す
ることができる。ただし、精度向上の点で測定用パター
ンM のL&S のマーク本数はFFT 処理をする上でも多い方
が望ましく、少なくとも１０本は必要である。
に測定用パターンM を設けることで投影レンズ２０１の
レジストプロセスを介した像面湾曲と像面傾きを検出す
ることができる。ただし、精度向上の点で測定用パター
ンM のL&S のマーク本数はFFT 処理をする上でも多い方
が望ましく、少なくとも１０本は必要である。
【００６４】このような投影レンズ２０１の収差を検出
する際は、感光材料として実際に露光するレジストを使
用しなくても良く、例えば光磁気材やフォトクロミック
材料等の感光する材料でも使用できる。
する際は、感光材料として実際に露光するレジストを使
用しなくても良く、例えば光磁気材やフォトクロミック
材料等の感光する材料でも使用できる。
【００６５】また本実施例では、投影レンズを用いる露
光装置の露光条件を求めたが投影レンズを用いないプロ
キシミティー露光による露光装置の露光条件を求める際
にも本発明を応用できる。その場合は焦点位置を変動さ
せる代わり回路パターンを形成しているマスクとウェハ
W の間隔を変えて試し焼きを行えば良い。
光装置の露光条件を求めたが投影レンズを用いないプロ
キシミティー露光による露光装置の露光条件を求める際
にも本発明を応用できる。その場合は焦点位置を変動さ
せる代わり回路パターンを形成しているマスクとウェハ
W の間隔を変えて試し焼きを行えば良い。
【００６６】
【発明の効果】本発明は以上の構成により、高価な走査
型電子顕微鏡を使用せずに、レジストの種類に対応した
ベストフォーカス位置及び最適の露光量を短時間で自動
的に高精度で決定できるベストフォーカス決定方法及び
それを用いた露光条件決定方法を達成する。
型電子顕微鏡を使用せずに、レジストの種類に対応した
ベストフォーカス位置及び最適の露光量を短時間で自動
的に高精度で決定できるベストフォーカス決定方法及び
それを用いた露光条件決定方法を達成する。
【図１】 本発明を適用する露光装置の要部概略図
【図２】 ベストフォーカス及び最適露光量の決定まで
の工程図
の工程図
【図３】 測定用パターンの説明図
【図４】 試し焼きしたウエハの説明図
【図５】 ウエハ上に焼付けられたレジストパターン
（感光パターン）の一部拡大図 (A) ベストフォーカス (B) デフォーカス
（感光パターン）の一部拡大図 (A) ベストフォーカス (B) デフォーカス
【図６】 本発明のレジストパターン測定装置の要部概
略図
略図
【図７】 ウェハ上のレジストパターンとレジストパタ
ーン測定装置の測定領域を示すウィンドゥとの位置関係
を示す図
ーン測定装置の測定領域を示すウィンドゥとの位置関係
を示す図
【図８】 レジストパターン測定装置の撮像面上に結像
するレジストパターンの一部拡大図 (A) ベストフォーカス (B) デフォーカス 検出画素ラインｍ，ｎと示してあるのはライン毎に光強
度分布を示す電気信号列Sy(x) を時系列に出力する様子
を摸式的に示すためである。
するレジストパターンの一部拡大図 (A) ベストフォーカス (B) デフォーカス 検出画素ラインｍ，ｎと示してあるのはライン毎に光強
度分布を示す電気信号列Sy(x) を時系列に出力する様子
を摸式的に示すためである。
【図９】 光電変換手段から時系列に順次出力される１
次元電気信号列の例
次元電気信号列の例
【図１０】 検出画素ライン毎にフーリエ変換して得ら
れた基本周波数成分に対する位相を検出画素ラインに対
してプロットした図
れた基本周波数成分に対する位相を検出画素ラインに対
してプロットした図
【図１１】 レジストパターン検出ウィンドゥが相対的
に傾いていた場合、最大位相差検出過程で起こる現象
と、それを解決する方法の説明図
に傾いていた場合、最大位相差検出過程で起こる現象
と、それを解決する方法の説明図
【図１２】 露光量不足の場合、レジストパターンをフ
ーリエ変換したときの空間周波数強度分布の例
ーリエ変換したときの空間周波数強度分布の例
【図１３】 適正露光の場合、レジストパターンをフー
リエ変換したときの空間周波数強度分布の例
リエ変換したときの空間周波数強度分布の例
【図１４】 露光量が大き過ぎた場合、レジストパター
ンをフーリエ変換したときの空間周波数強度分布の例
ンをフーリエ変換したときの空間周波数強度分布の例
【図１５】 特定周波数についての露光量と周波数強度
の関係図
の関係図
１００ ウエハステージ １０１ 拡大レンズ １０２ ビームスプリッター １０３ 照明系 １０４ 検出光学系 １０５ 光電変換手段 １０６ A/D 変換手段 １０７ FFT 演算手段 １０８ 周波数強度検出手段 １０９ 位相検出手段 １１０ 最大位相差検出手段 １１１ 制御手段 ２００ ウェハステージ ２０１ 投影レンズ（縮小投影レンズ） ２０３ 高輝度光源 ２０４ 照明光学系 ２０５、２０６ 折り曲げミラー ２０７ フォーカス位置検出光学系 ２０８ ２次元位置検出素子 ２０９ フォーカス制御回路 ２１０ 積算露光制御回路 ２１１ ミラー ２１２ ハーフミラー ２１３ センサー ２１４ シャッター ２１５ 露光光源 L1,L2 照明光学系 W ウエハ W' 焼付け、現像したウエハ M 測定用パターン（パターン） M' レジストパターン R レチクル RT 試し焼きレチクル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 9/02 Ｇ０３Ｆ 9/02 Ｈ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１６Ｄ
Claims (8)
- 【請求項１】 投影レンズの光軸に対して垂直な面内に
レチクルを配置し、該レチクルの面上に一方向に対して
周期性のあるパターンを配置し、該パターンを該投影レ
ンズによって感光基板上に転写して感光パターンを形成
することを異なるフォーカス位置で繰り返し、該感光基
板上に転写した複数の感光パターンによって該投影レン
ズのベストフォーカス位置を決定するベストフォーカス
決定方法であって、 該パターンは該レチクルの面上で該一方向に垂直な方向
に伸びる一定線幅のジグザグ開口を該方向に一定周期で
複数個並べて成っており、 該パターンを異なるフォーカス位置で該感光基板上に転
写して複数の感光パターンを形成する工程と、該複数の
感光パターンを光電変換手段の撮像面に結像する撮像工
程と、該光電変換手段より得られる画像信号から該ジグ
ザグ開口の像の輪郭を構成するジグザグ線の１つの周波
数成分に関する情報を算出する工程と、該情報に基づい
てベストフォーカス位置を決定する工程とを有すること
を特徴とするベストフォーカス決定方法。 - 【請求項２】 前記ジグザグ線の１つの周波数成分に関
する情報を算出する工程は、前記光電変換手段から前記
方向に沿って１次元電気信号列を順次出力する工程と、
該１次元電気信号列をフーリエ変換し、前記パターンの
周期に対応する空間周波数成分の位相を算出する工程
と、該位相の最大値と最小値を検出する工程を有するこ
とを特徴とする請求項１記載のベストフォーカス決定方
法。 - 【請求項３】 前記感光基板は、レジストが塗布された
ウェハであることを特徴とする請求項１、２記載のベス
トフォーカス決定方法。 - 【請求項４】 前記感光パターンは、現像工程後に形成
されるレジストパターンであることを特徴とする請求項
１、２又は３のベストフォーカス決定方法。 - 【請求項５】 前記感光パターンは、現像工程前にレジ
スト層に形成される潜像であることを特徴とする請求項
１、２又は３のベストフォーカス決定方法。 - 【請求項６】 投影レンズの光軸に対して垂直な面内に
レチクルを配置し、該レチクルの面上に一方向に対して
周期性のあるパターンを配置し、該パターンを該投影レ
ンズによって感光基板上に転写して感光パターンを形成
することを異なるフォーカス位置で繰り返し、該感光基
板上に転写した複数の感光パターンによって該投影レン
ズのベストフォーカス位置を決定するベストフォーカス
決定方法であって、 該パターンは該レチクルの面上で該一方向に垂直な方向
に伸びる一定線幅のジグザグ開口を該方向に一定周期で
複数個並べて成っており、 該複数の感光パターンを光電変換手段の撮像面に結像
し、該光電変換手段より得られる画像信号から該ジグザ
グ開口の像の輪郭を構成するジグザグ線の１つの周波数
成分に関する情報を算出し、該情報に基づいてベストフ
ォーカス位置を決定することを特徴とするベストフォー
カス決定方法。 - 【請求項７】 投影レンズの光軸に対して垂直な面内に
レチクルを配置し、該レチクルの面上に一方向に垂直な
方向に伸びる一定線幅のジグザグ開口を該方向に一定周
期で複数個並べて成るパターンを配置し、該投影レンズ
の異なるフォーカス位置で該パターンを夫々露光量を変
化させて感光基板上に転写して複数の感光パターンを形
成し、該複数の感光パターンを光電変換手段の撮像面に
結像し、該光電変換手段から該方向に沿って１次元電気
信号列を順次出力し、該１次元電気信号列をフーリエ変
換して空間周波数成分の位相情報と強度情報を算出し、
該パターンの周期に対応する空間周波数成分の位相情報
より該投影レンズのベストフォーカス位置を決定し、決
定されたベストフォーカス位置における露光量の異なる
感光パターンをフーリエ変換して得た空間周波数成分の
特性より最適露光量を決定することを特徴とする露光条
件決定方法。 - 【請求項８】 ３角型の単位パターンを１次元方向に繰
り返して成る３角状パターンを複数個、一方向に周期的
に配列したパターンをレチクル上に設け、 該レチクル面上のパターンを投影レンズで感光基板上に
該感光基板を光軸方向に位置を種々と変えて投影露光
し、該パターンの該感光基板の一方向における画像情報
より該投影レンズのフォーカス位置を検出していること
を特徴とするベストフォーカス決定方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21123095A JP3269343B2 (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | ベストフォーカス決定方法及びそれを用いた露光条件決定方法 |
| US08/685,464 US5750294A (en) | 1995-07-26 | 1996-07-24 | Best focus determining method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21123095A JP3269343B2 (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | ベストフォーカス決定方法及びそれを用いた露光条件決定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945609A true JPH0945609A (ja) | 1997-02-14 |
| JP3269343B2 JP3269343B2 (ja) | 2002-03-25 |
Family
ID=16602446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21123095A Expired - Fee Related JP3269343B2 (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | ベストフォーカス決定方法及びそれを用いた露光条件決定方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5750294A (ja) |
| JP (1) | JP3269343B2 (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10176974A (ja) * | 1996-12-19 | 1998-06-30 | Nikon Corp | 投影光学系の収差測定方法 |
| WO1999005707A1 (fr) * | 1997-07-22 | 1999-02-04 | Nikon Corporation | Procede de mise au point, procede d'exposition et regleur |
| JP2000171683A (ja) * | 1998-12-02 | 2000-06-23 | Nec Corp | 最適フォーカス位置測定方法およびフォーカス位置測定用マスク |
| JP2003257834A (ja) * | 2002-03-04 | 2003-09-12 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
| US6940586B2 (en) | 2003-01-06 | 2005-09-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
| US6975384B2 (en) | 2002-03-26 | 2005-12-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
| US7050151B2 (en) | 2003-03-14 | 2006-05-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US7106419B2 (en) | 2003-12-15 | 2006-09-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus |
| US7423726B2 (en) | 2006-04-04 | 2008-09-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| JPWO2007043535A1 (ja) * | 2005-10-07 | 2009-04-16 | 株式会社ニコン | 光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに検査装置及び計測方法 |
| JP2010082190A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Fujifilm Corp | 超音波信号処理装置及び方法 |
| JP2011227213A (ja) * | 2010-04-17 | 2011-11-10 | Hitachi High-Technologies Corp | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のアライメント方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
| JP2016208854A (ja) * | 2015-04-30 | 2016-12-15 | 富士フイルム株式会社 | 撮像装置および方法並びに撮像制御プログラム |
| JP2018091896A (ja) * | 2016-11-30 | 2018-06-14 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置および露光装置用遮光部材 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW357262B (en) | 1996-12-19 | 1999-05-01 | Nikon Corp | Method for the measurement of aberration of optical projection system, a mask and a exposure device for optical project system |
| JP4136067B2 (ja) * | 1997-05-02 | 2008-08-20 | キヤノン株式会社 | 検出装置及びそれを用いた露光装置 |
| JP2001166454A (ja) * | 1999-12-07 | 2001-06-22 | Nikon Corp | マスク、露光方法、線幅測定方法、並びに半導体デバイスの製造方法 |
| US6459480B1 (en) * | 2000-09-14 | 2002-10-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Measurement method of Zernike coma aberration coefficient |
| TWI285299B (en) * | 2001-04-04 | 2007-08-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic manufacturing process, lithographic projection apparatus, and device manufactured thereby |
| US6917901B2 (en) * | 2002-02-20 | 2005-07-12 | International Business Machines Corporation | Contact hole profile and line edge width metrology for critical image control and feedback of lithographic focus |
| JP2005159213A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-16 | Canon Inc | シアリング干渉を利用した測定方法及び装置、それを利用した露光方法及び装置、並びに、デバイス製造方法 |
| JP4968335B2 (ja) * | 2007-06-11 | 2012-07-04 | 株式会社ニコン | 計測部材、センサ、計測方法、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| US9046788B2 (en) * | 2008-05-19 | 2015-06-02 | International Business Machines Corporation | Method for monitoring focus on an integrated wafer |
| WO2011135867A1 (ja) | 2010-04-30 | 2011-11-03 | 株式会社ニコン | 検査装置および検査方法 |
| US10352875B2 (en) | 2010-10-26 | 2019-07-16 | Nikon Corporation | Inspection apparatus, inspection method, exposure method, and method for manufacturing semiconductor device |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5044750A (en) * | 1990-08-13 | 1991-09-03 | National Semiconductor Corporation | Method for checking lithography critical dimensions |
| CA2078732A1 (en) * | 1991-09-27 | 1993-03-28 | Koichi Sentoku | Displacement measuring device and displacement measuring method |
| DE19512245C2 (de) * | 1994-04-01 | 2002-12-05 | Hyundai Electronics Ind | Photomaske zum Messen der Auflösung von Belichtungseinrichtungen |
| US5656403A (en) * | 1996-01-30 | 1997-08-12 | United Microelectronics Corporation | Method and template for focus control in lithography process |
-
1995
- 1995-07-26 JP JP21123095A patent/JP3269343B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-07-24 US US08/685,464 patent/US5750294A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10176974A (ja) * | 1996-12-19 | 1998-06-30 | Nikon Corp | 投影光学系の収差測定方法 |
| WO1999005707A1 (fr) * | 1997-07-22 | 1999-02-04 | Nikon Corporation | Procede de mise au point, procede d'exposition et regleur |
| JP2000171683A (ja) * | 1998-12-02 | 2000-06-23 | Nec Corp | 最適フォーカス位置測定方法およびフォーカス位置測定用マスク |
| CN100382242C (zh) * | 2002-03-04 | 2008-04-16 | 株式会社东芝 | 半导体器件的制造装置 |
| JP2003257834A (ja) * | 2002-03-04 | 2003-09-12 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
| US6975384B2 (en) | 2002-03-26 | 2005-12-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
| US6940586B2 (en) | 2003-01-06 | 2005-09-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
| US7050151B2 (en) | 2003-03-14 | 2006-05-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US7106419B2 (en) | 2003-12-15 | 2006-09-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus |
| JPWO2007043535A1 (ja) * | 2005-10-07 | 2009-04-16 | 株式会社ニコン | 光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに検査装置及び計測方法 |
| US7423726B2 (en) | 2006-04-04 | 2008-09-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| US8107052B2 (en) | 2006-04-04 | 2012-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| JP2010082190A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Fujifilm Corp | 超音波信号処理装置及び方法 |
| JP2011227213A (ja) * | 2010-04-17 | 2011-11-10 | Hitachi High-Technologies Corp | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のアライメント方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
| JP2016208854A (ja) * | 2015-04-30 | 2016-12-15 | 富士フイルム株式会社 | 撮像装置および方法並びに撮像制御プログラム |
| JP2018091896A (ja) * | 2016-11-30 | 2018-06-14 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置および露光装置用遮光部材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5750294A (en) | 1998-05-12 |
| JP3269343B2 (ja) | 2002-03-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3269343B2 (ja) | ベストフォーカス決定方法及びそれを用いた露光条件決定方法 | |
| JP6527808B2 (ja) | 検査方法および検査装置 | |
| US6613483B2 (en) | Mask for measuring optical aberration and method of measuring optical aberration | |
| KR20180113915A (ko) | 패턴 검사 장치, 패턴 위치 계측 장치, 공간상 계측 시스템, 공간상 계측 방법, 패턴 위치 보수 장치, 패턴 위치 보수 방법, 공간상 데이터 처리 장치, 공간상 데이터 처리 방법, 패턴의 노광 장치, 패턴의 노광 방법, 마스크의 제조 방법 및 마스크의 제조 시스템 | |
| JP6364193B2 (ja) | 焦点位置調整方法および検査方法 | |
| JPWO2005008753A1 (ja) | テンプレート作成方法とその装置、パターン検出方法、位置検出方法とその装置、露光方法とその装置、デバイス製造方法及びテンプレート作成プログラム | |
| US10444647B2 (en) | Methods and apparatus for determining the position of a target structure on a substrate, methods and apparatus for determining the position of a substrate | |
| JPWO2002091440A1 (ja) | 光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法 | |
| TW201734657A (zh) | 使用調變技術的度量衡之替代目標設計 | |
| JP2017129629A (ja) | パターン検査装置 | |
| JP3297545B2 (ja) | 露光条件及び投影光学系の収差測定方法 | |
| JP2011124345A (ja) | 測定装置、露光装置及びデバイスの製造方法 | |
| TW202331425A (zh) | 包含目標配置之基板及相關聯之至少一個圖案化裝置、微影方法及度量衡方法 | |
| US8077290B2 (en) | Exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| JP3230094B2 (ja) | 投影光学系の光学特性測定方法、光学特性測定装置、露光方法及びマスク | |
| JP3900601B2 (ja) | 露光条件選択方法、及び該方法で使用される検査装置 | |
| JP2006512760A (ja) | 照明系の性能測定方法 | |
| JP2000114158A (ja) | 露光条件測定方法及びそれを用いた露光装置 | |
| JPH06267824A (ja) | 露光方法 | |
| US20240012339A1 (en) | Metrology method for measuring an etched trench and associated metrology apparatus | |
| US11927892B2 (en) | Alignment method and associated alignment and lithographic apparatuses | |
| JP2004165483A (ja) | データ抽出方法及び装置、位置検出方法及び装置、並びに露光装置 | |
| JPH08335548A (ja) | 露光装置、露光条件決定方法および収差測定方法 | |
| JP2004072114A (ja) | 露光装置において照明源を特性付けるための方法 | |
| WO2023012338A1 (en) | Metrology target, patterning device and metrology method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |