JPS624851B2 - - Google Patents

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JPS624851B2
JPS624851B2 JP4322678A JP4322678A JPS624851B2 JP S624851 B2 JPS624851 B2 JP S624851B2 JP 4322678 A JP4322678 A JP 4322678A JP 4322678 A JP4322678 A JP 4322678A JP S624851 B2 JPS624851 B2 JP S624851B2
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JP
Japan
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signal
chip
dicing area
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detected
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JP4322678A
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English (en)
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JPS54136180A (en
Inventor
Tomohiro Kuji
Yukio Kenbo
Hiroshi Makihira
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Priority to US05/964,353 priority patent/US4213117A/en
Publication of JPS54136180A publication Critical patent/JPS54136180A/ja
Publication of JPS624851B2 publication Critical patent/JPS624851B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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  • Dicing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体ウエハ上のチツプ位置検出方法
に関するものである。
第1図は検出対象例である半導体ウエハ1を示
す。図のようにウエハ1上に形成した複数のチツ
プ2は、ダイシングエリア3により区分されてお
り、半導体生産工程ではこのエリアに切断線すな
わちダイシングラインが入れられ、ウエハは碁盤
目状に切断され、一つ一つのチツプになる。各チ
ツプ2の上には、第1図の部分4の拡大図である
ところの第2図に示すように、その周辺部にボン
デイングパツド5と称する外部との接続端子及び
複雑な回路パターン6が形成される。
このような半導体ウエハのチツプ位置を検出す
る方法で、本発明に最も近い例として、パターン
マツチングによるチツプ位置検出方式をあげる。
第3図にもとづいてこの装置全体の説明をする。
位置合せされる半導体ウエハ1上の検出視野7は
対物レンズ8、リレーレンズ9にて、TVカメラ
10に入力される。映像信号はチツプ位置検出回
路11により、チツプ位置が検出され、位置計算
される。次に計算値に基づいて、モータ制御回路
12に、モータ駆動機構13を介して、搭載テー
ブル14を動かし、位置合せを行なう。
なおランプ15はハーフミラー16を介して検
出視野を照明している。
第4図にチツプ位置検出回路11の機能構成を
説明する。TVカメラ10によつて入力された検
出視野7の映像信号は2値化回路17で2値化さ
れメモリ18上に記憶される。このメモリ18上
の映像信号と、あらかじめ辞書パターンメモリ1
9内に用意してあるチツプの外形の辞書パターン
20を、マツチング回路21によりメモリ18内
を順次走査しながら比較し、両者のマツチング量
を調べて行く。チツプ外形映像信号のメモリ上の
位置を走査した時に辞書パターン20とのマツチ
ング量が最も大きくなるので、チツプ位置22が
検出されることになる。
しかしこの方法では、チツプの外形の変化に応
じて、多くの種類の別の辞書パターン23を持た
ねばならず、そのためのメモリー24が極めて大
きくなる。又精度的にも、TVカメラでは分解能
が小さく、一度の映像人力では、視野3mm□とす
ると、位置検出精度は±10μm位が限度である。
よつてより高精度に位置検出するには、第1回目
の値を粗検出値として、次に、検出光学系を切換
えてその付近のみの拡大視野を再入力して、精検
出を別の方法か、精検出用辞書パターンを用いて
行う必要がある。始めから高倍率の光学系を用い
て狭い範囲のみで上記パターンマツチングを行う
と、チツプ外形の辞書パターンとチツプ内の回路
パターンとの区別が困離で、その判断を行う動作
が必要となり、それでもなお誤認識を生じる危険
性があるため、精度よくダイシングエリア位置を
検出するには、上記のように粗・精の2段階の検
出が必要となる。
又マツチングを行うには計算量が多く、計算時
間がかかつてしまう。
以上のように、パターンマツチングによる方法
では、メモリ、計算回路等複雑で、高価であり、
高精度検出をするには、更に光学系切換と、別の
電気処理系、あるいは辞書パターンを必要とし、
ますます複雑、高価になつてしまう。
又、辞書パターンを種々用意しなくてはなら
ず、実用性に乏しい。
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点をな
くし、半導体ウエハ上のチツプ位置を容易にか
つ、多種のウエハにわたつて検出できるようにし
た半導体ウエハ上のチツプ位置検出方法を提供す
るにある。
本発明は半導体ウエハ上のダイシングエリア、
あるいは、チツプの位置を検出するのに、複雑な
電気的処理、あるいは、光学系の切換えによら
ず、光電変換素子からの検出信号を簡単な電気的
処理により平滑化した信号を用いることにより、
位置検出を、より確実に、安く、容易に、かつ多
種類の半導体ウエハへの適用を可能にしたもので
ある。即ち、本発明は、半導体チツプ上に対して
少なくとも周囲の斜め方向から光を照射し、その
チツプ上からの乱反射光像を撮像装置で撮像して
チツプ間に存在するダイシングエリアの長手方向
に亘つて総計された映像信号を上記ダイシングエ
リアの長手方向に直角な方向に走査して得、この
走査映像信号を多階調のデイジタル信号に変換し
て第1の記憶手段に記憶し、この第1の記憶手段
に記憶された多階調のデイジタル信号を読み出し
て各走査位置における前後一定の間に亘つての平
滑化処理を行い、それを上記走査線に亘つて行つ
て第2の記憶手段に記憶させ、この第2の記憶手
段に記憶された平滑化信号を読み出してこの平滑
化信号の最低値を示す位置X0に最も近い前後の
上記平滑化信号を所定の閾値で2値化して得られ
る位置X1,X2からその中心であるダイシングエ
リアの粗位置XC1を検出し、上記第1の記憶手段
に記憶された多階調のデイジタル信号を読み出し
て所定の閾値で2値化して得られる位置の内、上
記検出されたダイシングエリアの粗位置XC1に最
も近い前後の位置X3,X4からその中心であるダ
イシングエリアの精位置XC2を検出することを特
徴とする半導体ウエハ上のチツプ位置検出方法で
ある。
第5図は本発明の一実施例を示している図であ
る。ウエハ1上の検出視野7は対物レンズ8、シ
リンドリカルレンズ25からなる光学系を介し、
一定方向に光束が圧縮された状態で一次元撮像素
子(ラインスキヤナ)26に結像され、一次元撮
像素子26で光電変換された像信号は位置検出回
路27により、チツプ2の位置が計算され、この
検出値に基づいてモータ制御回路12、モータ駆
動機構13を介してテーブル14を移動させるこ
とによりウエハ1上のチツプ2の位置決めがなさ
れる。照明は同図では、位置検出方向と直角方向
からの斜め照明28と位置検出方向と平行な左右
両方向からの斜め照明29を用いる場合を示す
が、位置検出方向と平行な方向からの斜め照明2
9だけでもよいし、又一般に顕微鏡に用いられる
リング状のミラーとリング状のレンズによる暗視
野照明でもよい。このような斜め照明を行うと、
照明方向と直角なパターン段差および表面が“ナ
シ地”のパターンだけが明るく、照明方向と平行
なパターン段差および表面が平坦なパターンは暗
く検出される。したがつて同図に示すような斜め
四方向からの照明、およびリング状のミラーとリ
ング状のレンズによる暗視野照明の場合、すべて
のパターン段差が明るく、又位置検出方向と平行
な方向からの斜め照明だけの場合は、位置検出方
向と直角な方向のパターンのみが明るい。
次に第6図を用いて、このような斜め照明2
8,29によるチツプ2の位置検出について説明
する。
チツプ2の位置は、X、Y方向2軸検出したい
わけであるが、ここでは簡単のため、1軸のみ、
すなわち第2図において横方向の位置検出につい
てのみ説明する。この場合、ダイシングエリア3
のうち縦のラインを検出すればよい。
第6図aは第5図の検出エリア7の一部であ
る。パターンは図のようにボンデイングパツド5
等配線パターンの表面と、回路パターン6および
ダイシングエリアのエツジ45が光つて検出さ
れ、残りの部分は暗いので検出されない。
この像をシリンドリカルレンズ25で縦方向に
圧縮すると、一次元撮像素子(ラインスキヤナ)
10上には、第6図bに示す像が結像される。
すなわち、縦方向にいくつも並ぶボンデイング
パツド5と、縦方向に長く続くダイシングエリア
3のエツジ45はたし合されて明るい像47とな
り、回路パターン部分は圧縮平均化されてやや明
るく、ダイシングエリア3およびその付近は暗い
像48,49となる。したがつて、第6図bに示
す一次元パターンが結像された一次元撮像素子2
6からは、第6図cに示すような像信号を得るこ
とができる。第6図cでは、横方向は像の位置に
対応し、縦方向は明るさのレベルに対応し上が明
るいことを示している。
この像信号において、ダイシングエリアに相当
する部分が常に最も低いレベルであれば、ダイシ
ングエリア位置を検出するための信号処理は簡単
である。すなわち最も低いレベルV0を検出し、
V0を示す位置X0をダイシングエリアの粗位置と
して、さらに例えば、V0に適当な値DV1を加えた
V1のレベルで信号を切ると、ダイシングエリア
のエツジ位置に対応したX1,X2が検出される。
このX1,X2の中間をXC1としてダイシングエリア
中心位置とすればよい。ところが実際の信号で
は、ダイシングエリアに相当する信号が、必ずし
も最も低いレベルとは限らない。
第7図に、得られる信号の例を示すように、そ
の形状はウエハの種類により異なり、ダイシング
エリアの両側の部分が低かつたり、非対称であつ
たり、回路パターン部分に最も低いレベルがあつ
たりする。したがつてここでは、このような信号
からダイシングエリアに相当する信号の部分をダ
イシングエリアの粗位置として簡単に認識できる
機能が最も重要なこととなる。
第8図にそのための位置検出回路27の一実施
例を示す。一次元撮像素子26の各絵素に撮像さ
れた映像信号がドライブ回路50よりの走査信号
により順次読み出され、アンプ51により増幅さ
れ、A/D変換回路52によりデイジタル信号に
変換され、上記走査に同期したサンプリングパル
スをカウントするアドレスカウンタ54から得ら
れる座標値と共に上記デイジタル信号がメモリ
(第1の記憶手段)53に多階調で記憶される。
このメモリ53の内容はアドレスカウンタ
54により順次読みとり、平滑化演算回路55に
送られる。平滑化演算回路55では送られて来た
データをその都度たし合せる。一方平滑化回路5
5に送るデータの個数2nはプリセツトカウンタ
56により設定され、第1番地から第2n番地ま
でのデータが送られるとデータの転送は停止し、
アドレスカウンタ54はつぎに第2番地からス
タートするようセツトされ待機する。
平滑化演算回路55でこの時までにたし合され
た値は2nで割られ、平滑化が行われてその値が
メモリ(第2の記憶手段)57に入れられる。
この時メモリ57に平滑化データとともに入れ
られるデータアドレスはアドレスカウンタ58
によりn番地と指定される。つぎにアドレスカウ
ンタ54はメモリ53内の第2番地から第
(2n+1)番地のデータを平滑化演算回路55に
送り、平滑化されたデータはアドレスカウンタ
58により第(n+1)番地のデータとしてメモ
リ57に入れられる。
このようにして順次検出信号の平滑化を行い、
メモリ53に入つているデータの個数をm個と
すると、メモリ57に入れられるデータが(m
−n)番地〔データの個数は(m−2n)個〕に
なるまで続けられる。これはある1カ所の出力を
決定するのに、その前後±n個の出力の単純平均
をもつて代表しているわけで、第9図にこの処理
の完了した後のメモリ53とメモリ57の内
容を対比して示してある。同図では縦軸に出力値
を、横軸に番地すなわち1絵素1μmのサンプリ
ングが周期を示す。プリセツトカウンタ56の値
は2n=100の場合を示すが、この値は平滑化の目
的にかなうよう可変にしておくとよい。同図に示
すように、平滑化によつて、ダイシングエリアの
エツジ相当信号72はなくなり、ダイシングエリ
ア相当信号71の部分で最も低い値になり、又回
路パターンの暗い部分に相当する幅のせまい落込
み信号74も高いレベルとなる。かくしてアドレ
スカウンタ58でメモリ57の内容を読み出
し、最低値検出回路59で最低値V0とそのアド
レスX0を検出し最低値レジスタ60に入れる。
つぎに閾値演算回路61で、あらかじめセツトさ
れた閾値設定用レジスタ62に入れられたDV1
値を用い、V0+DV1=V1の値を作り、閾値レジス
タ63に入れ、この値とメモリ57の平滑化後
の各値とを2値化回路に入れて比較し、0→1あ
るいは1→0に変わるアドレスをアドレスレジス
タ65に入れる。アドレス比較回路66でX0
と比較し、X0より小さければ、このアドレス値
を一度アドレスレジスタ67にストアし、つぎ
に0→1あるいは1→0に変わるアドレスがアド
レスレジスタ65に入り、アドレス比較回路で
X0と比較し、このアドレス値がX0より小さけれ
ばアドレスレジスタ67の内容をクリアして、
この新しいアドレス値をストアし、大きければ、
今までアドレスレジスタ67に入つていた値を
X1、アドレスレジスタ65の値をX2として、
エツジアドレスレジスタ68に入れ、演算回路6
9によつてXC1=(X2−X1)/2を求め、これをダ
イシングエリア中心の粗検出位置としてダイシン
グエリア中心位置レジスタ70に入れる。つぎに
この粗検出位置をアドレス比較回路66に入れ、
メモリの内容をアドレスカウンタに従つて2
値化回路64に入れ、以下粗検出とまつたく同じ
手順と回路を使用し、2値化以後を行うことによ
つて、X3,X4を検出し、XC2=(X4−X3)/2に
より精度よくダイシングエリアの中心位置XC2
検出することができる。なお、X0とXC1の位置は
大きく異ならないので、X0を求めたら、ただち
にXC2を求めるようにしてもよい。又精度を追求
しないなら、X0あるいはXC1をダイシングエリア
の中心位置とすることもできる。
この実施例ではシリンドリカルレンズ25で位
置検出方向に対して直角方向に画像を圧縮して結
像し、一次元撮像素子26で位置検出方向に対し
直角な方向にわたつて見て総計した映像信号を検
出しているが、例えばTVカメラや固体撮像素子
等のように2次元的に走査する撮像装置の場合に
は、水平同期信号を基準にして絵素に切出し、位
置検出方向に対して直角な方向にわたつてみて、
それ等をカウンタで計数して圧縮しても同様な映
像信号を得ることができる。
本発明の方式により、半導体ウエハにおいて、
視野5mm□で±3μm以内の位置検出精度を得る
ことができる。又信号の平滑化処理ということだ
けで、パターンマツチングのような複雑高価な処
理を必要とせず、精度よく検出するための光学系
の切換えも必要としない。
【図面の簡単な説明】
第1図は検出対象の半導体ウエハを示す図、第
2図は第1図の部分拡大図、第3図は従来技術の
一例を示す概念図、第4図は従来技術の一例の信
号処理回路の概念図、第5図は本発明の半導体ウ
エハ上のチツプ位置検出方法を実施する装置の一
実施例を示す図、第6図aは暗視野照明下でのパ
ターンの見え方を示す図、bは一次元に圧縮集光
した像を示す図、cは像信号を示す図、第7図は
実際に検出される像信号の種々を示す図、第8図
は本発明の位置検出回路の一実施例を示す図、第
9図は処理を施す前後の信号を示す図である。 符号の説明、1……ウエハ、2……チツプ、3
……ダイシングエリア、26……一次元撮像素
子、50……ドライブ回路、51……アンプ、5
2……A/D変換器、53……メモリ、54…
…アドレスカウンタ、55……平滑化演算回
路、56……プリセツトカウンタ、57……メモ
リ、58……アドレスカウンタ、59……最
低値検出回路、60……最低値レジスタ、61…
…閾値演算回路、64……2値化回路。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 半導体チツプ上に対して少なくとも周囲の斜
    め方向から光を照射し、そのチツプ上からの乱反
    射光像を撮像装置で撮像してチツプ間に存在する
    ダイシングエリアの長手方向に亘つて総計された
    映像信号を上記ダイシングエリアの長手方向に直
    角な方向に走査して得、この走査映像信号を多階
    調のデイジタル信号に変換して第1の記憶手段に
    記憶し、この第1の記憶手段に記憶された多階調
    のデイジタル信号を読み出して各走査位置におけ
    る前後一定の幅に亘つての平滑化処理を行い、そ
    れを上記走査線に亘つて行つて第2の記憶手段に
    記憶させ、この第2の記憶手段に記憶された平滑
    化信号を読み出してこの平滑化信号の最低値を示
    す位置X0に最も近い前後の上記平滑化信号を所
    定の閾値で2値化して得られる位置X1,X2から
    その中心であるダイシングエリアの粗位置XC1
    検出し、上記第1の記憶手段に記憶された多階調
    のデイジタル信号を読み出して所定の閾値で2値
    化して得られる位置の内、上記検出されたダイシ
    ングエリアの粗位置XC1に最も近い前後の位置
    X3,X4からその中心であるダイシングエリアの
    精位置XC2を検出することを特徴とする半導体ウ
    エハ上のチツプ位置検出方法。
JP4322678A 1977-11-28 1978-04-14 Position detecting method for chip on semiconductor wafer Granted JPS54136180A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4322678A JPS54136180A (en) 1978-04-14 1978-04-14 Position detecting method for chip on semiconductor wafer
US05/964,353 US4213117A (en) 1977-11-28 1978-11-28 Method and apparatus for detecting positions of chips on a semiconductor wafer

Applications Claiming Priority (1)

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JP4322678A JPS54136180A (en) 1978-04-14 1978-04-14 Position detecting method for chip on semiconductor wafer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS54136180A JPS54136180A (en) 1979-10-23
JPS624851B2 true JPS624851B2 (ja) 1987-02-02

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Families Citing this family (3)

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JPS5854648A (ja) * 1981-09-28 1983-03-31 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置合わせ装置
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5429977A (en) * 1977-08-10 1979-03-06 Hitachi Ltd Detection system for position

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