JPS5858753A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPS5858753A JPS5858753A JP15765481A JP15765481A JPS5858753A JP S5858753 A JPS5858753 A JP S5858753A JP 15765481 A JP15765481 A JP 15765481A JP 15765481 A JP15765481 A JP 15765481A JP S5858753 A JPS5858753 A JP S5858753A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置およびその製造方法に関し、抵抗体
の抵抗値を測定しつつ容易に制御することが可能な半導
体装置における抵抗体を提供することを目的とする。
の抵抗値を測定しつつ容易に制御することが可能な半導
体装置における抵抗体を提供することを目的とする。
２ ／−
抵抗値の均一性が必要な半導体装置たとえばム／Ｄ変換
器などの抵抗値制御は、一般に抵抗体および配線層を形
成後、レーザー） ＩＪ ミンクにより、多結晶硅素膜
などの抵抗体を溶融除去することにより所定の抵抗値を
得る方法にて行なわれている。
器などの抵抗値制御は、一般に抵抗体および配線層を形
成後、レーザー） ＩＪ ミンクにより、多結晶硅素膜
などの抵抗体を溶融除去することにより所定の抵抗値を
得る方法にて行なわれている。
かかる方法では溶融時の発熱および溶融した抵抗体の飛
散・再付着により抵抗体周辺の素子に悪影響を及ぼすと
いう欠点があった。
散・再付着により抵抗体周辺の素子に悪影響を及ぼすと
いう欠点があった。
捷だ、不純物を拡散した多結晶硅素膜にレーザー照射を
行ない抵抗値を下げる方法がある。この方法では不純物
拡散量およびパターンサイズにより、はとんど抵抗値例
決まってし１い、レーザー照射忙による抵抗値制御は困
難であった。
行ない抵抗値を下げる方法がある。この方法では不純物
拡散量およびパターンサイズにより、はとんど抵抗値例
決まってし１い、レーザー照射忙による抵抗値制御は困
難であった。
本発明は、高融点金属膜上に多結晶半導体膜を形成し、
多結晶半導体膜上に金属配線層を形成するとともに、多
結晶半導体膜の一部を露出し、この露出部分より容易か
つ正確な抵抗値制御を可能とするものである。
多結晶半導体膜上に金属配線層を形成するとともに、多
結晶半導体膜の一部を露出し、この露出部分より容易か
つ正確な抵抗値制御を可能とするものである。
本発明の第１の実施例を第１図にもとづいて説明する。
半導体基板１上の絶縁物膜２上に第１の高融点金属膜３
を形成し所定のパターンを形成した後、多結晶硅素膜４
を重ねて形成し、所定のパターンを形成する。次に、高
融点金属膜３と多結晶硅素膜４の接続領域上を選択的に
露出し、かつ、多結晶硅素膜４と接続する第２の高融点
金属膜６を形成する。次に、高温熱処理により前記第１
および第２の高融点金属膜３および６のシリサイド層（
図示せず）を形成し、第１の高融点金属膜３−シリサイ
ド層−多結晶硅素膜４−７リサイド層−高融点金属膜６
よりなる部分を抵抗体として用いる。そして、第２の高
融点金属膜５形成後、多結晶硅素膜４と第１の高融点金
属膜３の接続領域に第１図のごとくレーザーＸの照射を
行ない、界面を溶融し、シリサイド層の膜厚を制御し所
定の抵抗値を得る。
を形成し所定のパターンを形成した後、多結晶硅素膜４
を重ねて形成し、所定のパターンを形成する。次に、高
融点金属膜３と多結晶硅素膜４の接続領域上を選択的に
露出し、かつ、多結晶硅素膜４と接続する第２の高融点
金属膜６を形成する。次に、高温熱処理により前記第１
および第２の高融点金属膜３および６のシリサイド層（
図示せず）を形成し、第１の高融点金属膜３−シリサイ
ド層−多結晶硅素膜４−７リサイド層−高融点金属膜６
よりなる部分を抵抗体として用いる。そして、第２の高
融点金属膜５形成後、多結晶硅素膜４と第１の高融点金
属膜３の接続領域に第１図のごとくレーザーＸの照射を
行ない、界面を溶融し、シリサイド層の膜厚を制御し所
定の抵抗値を得る。
第２の実施例を第２図にもとづいて説明する。
半導体基板１上に形成された拡散層よりなる一導電体６
上に絶縁物膜２を形成し、仁の絶縁物膜２に選択的に開
孔部を形成し、前記心電体層６を露出する。露出された
導電体層６上に高融点金属膜７および多結晶硅素膜８を
重ねて形成する。高融点金属膜７と多結晶硅素膜８の接
続領域上の多結晶硅素膜を選択的に露出し、かつ多結晶
硅素膜８の一部と接続するアルミニウム、モリブデンな
どの金属配線層９を形成する。次に、多結晶硅素膜８と
高融点金属膜７の接続領域上からレーザー照射Ｘを行な
い第１の実施例と同様に１〜で接続抵抗を制御し、所定
の抵抗値を得る。なお、金属配線層９としてアルミニウ
ムなどの低融点金属を用いた場合、多結晶硅素膜中のア
ルミニウムの拡散速度が速く、後の熱処理およびレーザ
ー照射による湯度上昇のため、高融点金属７および金属
配線層９と多結晶硅素膜の接続領域の間隔を大きくして
おく必要がある。
上に絶縁物膜２を形成し、仁の絶縁物膜２に選択的に開
孔部を形成し、前記心電体層６を露出する。露出された
導電体層６上に高融点金属膜７および多結晶硅素膜８を
重ねて形成する。高融点金属膜７と多結晶硅素膜８の接
続領域上の多結晶硅素膜を選択的に露出し、かつ多結晶
硅素膜８の一部と接続するアルミニウム、モリブデンな
どの金属配線層９を形成する。次に、多結晶硅素膜８と
高融点金属膜７の接続領域上からレーザー照射Ｘを行な
い第１の実施例と同様に１〜で接続抵抗を制御し、所定
の抵抗値を得る。なお、金属配線層９としてアルミニウ
ムなどの低融点金属を用いた場合、多結晶硅素膜中のア
ルミニウムの拡散速度が速く、後の熱処理およびレーザ
ー照射による湯度上昇のため、高融点金属７および金属
配線層９と多結晶硅素膜の接続領域の間隔を大きくして
おく必要がある。
上記第１および第２の実施例において、第３図に示すよ
うに、多結晶硅素膜８上に選択的に開孔部１ｏおよび１
１を形成しておき、開孔部に選択的に、たとえば開孔部
１１のみにレーザー照射してもよい。電極配線となる高
融点金属膜７と金属配線層９間の抵抗値は、レーザー末
照射領域１３とレーザー照射領域１４の抵抗の並列接続
となり、レーザー照射領域シリサイド層１４および多結
晶硅素膜８の抵抗値変化が大きくても金属配線層間の抵
抗制御は容易である。
うに、多結晶硅素膜８上に選択的に開孔部１ｏおよび１
１を形成しておき、開孔部に選択的に、たとえば開孔部
１１のみにレーザー照射してもよい。電極配線となる高
融点金属膜７と金属配線層９間の抵抗値は、レーザー末
照射領域１３とレーザー照射領域１４の抵抗の並列接続
となり、レーザー照射領域シリサイド層１４および多結
晶硅素膜８の抵抗値変化が大きくても金属配線層間の抵
抗制御は容易である。
以上のようにして、本発明によれば導電体層間に形成し
た抵抗体の抵抗値をレーザー照射によるシリサイド層の
膜厚制御により制御する。シリサイド層の抵抗は多結晶
硅素膜の抵抗よりも低く、したがってレーザー照射によ
り抵抗体の抵抗値を低い値に制御することができる。ま
た導電体層間の接続領域でたて方向に抵抗体を形成する
ため、半導体装置の面積を増大させることな〈実施でき
る。レーザー照射をシリサイトド、★の形成に使用し、
多結晶硅素膜の除去は行なわないので従来と異なり抵抗
体周辺の素子に悪影響を及ぼすことはない。
た抵抗体の抵抗値をレーザー照射によるシリサイド層の
膜厚制御により制御する。シリサイド層の抵抗は多結晶
硅素膜の抵抗よりも低く、したがってレーザー照射によ
り抵抗体の抵抗値を低い値に制御することができる。ま
た導電体層間の接続領域でたて方向に抵抗体を形成する
ため、半導体装置の面積を増大させることな〈実施でき
る。レーザー照射をシリサイトド、★の形成に使用し、
多結晶硅素膜の除去は行なわないので従来と異なり抵抗
体周辺の素子に悪影響を及ぼすことはない。
また本発明の方法で、多結晶硅素膜への不純物導入を行
なった場合は、レーザー１１α射により多結晶 ′硅素
膜の抵抗値を制御することができる。
なった場合は、レーザー１１α射により多結晶 ′硅素
膜の抵抗値を制御することができる。
説明するだめの構造断面図、第３図（ム）＝典は本発明
の他の実施例の抵抗体の構造断面図、同（Ｂ）は平面図
である。 １・・・・・・半導体基板、３，５．７・・・・・・高
融点金属膜、４，８・・・・・・多結晶硅素膜、９・・
・・・・金属配線層。
の他の実施例の抵抗体の構造断面図、同（Ｂ）は平面図
である。 １・・・・・・半導体基板、３，５．７・・・・・・高
融点金属膜、４，８・・・・・・多結晶硅素膜、９・・
・・・・金属配線層。
Claims (1)
- （１）高融点金属膜と金属配線層間に抵抗体となる多結
晶硅素膜を形成し、前記多結晶硅素膜上の前記金属配線
層を選択的に除去し、前記多結晶硅素膜を露出した構造
を有することを特徴とする半導体装置。 ？）高融点金属膜上に多結晶半導体膜を形成し、前記多
結晶半導体膜上に選択的に高融点金属膜を形成し、前記
多結晶硅素膜へのレーザー照射により抵抗値を制御して
前記多結晶硅素膜よりなる抵抗体を形成することを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15765481A JPS5858753A (ja) | 1981-10-02 | 1981-10-02 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15765481A JPS5858753A (ja) | 1981-10-02 | 1981-10-02 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5858753A true JPS5858753A (ja) | 1983-04-07 |
| JPS6259893B2 JPS6259893B2 (ja) | 1987-12-14 |
Family
ID=15654445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15765481A Granted JPS5858753A (ja) | 1981-10-02 | 1981-10-02 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5858753A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59232456A (ja) * | 1983-06-16 | 1984-12-27 | Hitachi Ltd | 薄膜回路素子 |
-
1981
- 1981-10-02 JP JP15765481A patent/JPS5858753A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59232456A (ja) * | 1983-06-16 | 1984-12-27 | Hitachi Ltd | 薄膜回路素子 |
| JPH0454980B2 (ja) * | 1983-06-16 | 1992-09-01 | Hitachi Ltd |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6259893B2 (ja) | 1987-12-14 |
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