JPS5856760B2 - 導電性メッキ膜の作製方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電解メッキ処理を介して基板上に選択的に作製
された導電性メッキ膜の断面形状を制御する技術に関す
るものである。

従来一般的に用いられているＣｕ、Ａｕ等から成る導電
性メッキ膜の選択的作製方法について第１図乃至第４図
とともに以下に説明する。

第１図に示す如く、適当な基板１の主面上に真空蒸着法
等を用いて、メッキ膜のベース層となるＣｕ、Ａｕ等の
導電膜２を全面形成し、導電膜２のメツキネ要部分をレ
ジント等でマスクしてメッキ膜の被着を防止し、必要部
分のみに選択的に電解メッキにて導電性メッキ膜３を作
製する方法、あるいは第２図に示す如く、適当な基板１
の主面上に上記同様メッキ膜のベース層として導電膜２
をメッキの必要な部分のみに形成し、この導電膜２上に
電解メッキにて導電性メッキ膜３を作製する方法がある
。

しかしながら第１図に示す方法に於いては、作製された
導電性メッキ膜３を、第３図に示す如く真空蒸着法、ス
パッタリング法等を用いて、５ｉＯ２Ｓ ｉｏ２．Ａｌ
２０３ 、 Ｓ ｉ３Ｎ、等の絶縁膜４で段差被覆す
る場合、導電性メッキ膜３と導電膜２との接合部分に生
じた切れ込み部５のため完全に段差が被覆されず、また
絶縁膜４上に層設される導電層６が段切れを起こす結果
となる。

導電性メッキ膜３と導電膜２との接合部に生じる切れ込
み部５は導電膜２上をマスクしたレジストを導電性メッ
キ膜３形成後除去した時に、レジスト上に載置した導電
性メッキ膜３の端部がレジスト除去によりその下面側に
空洞を作るために起こるものである。

一方、第２図に示す方法に於いては、作製された導電性
メッキ膜３の端部傾斜が急峻なため、真空蒸着法、スパ
ッタリング法等を用いて上記絶縁膜４で段差被覆した場
合、第４図に示す如く段差部分に絶縁膜４の破断部分が
発生し、同様に完全な段差被覆が行なわれず、絶縁膜４
上に層設される導電層６は段切れを起こす。

本発明は上記問題点に鑑み、メッキ膜のベース層を２層
以上の多層構造とし、各層の電気抵抗率を異なる値に設
定することにより、電解メッキにて作成する導電性メッ
キ膜の段差部形状を改善し、段差被覆を確実ならしめる
ことのできる新規有用な導電性メッキ膜の作製方法を提
供することを目的とするものである。

以下、本発明の１実施例について図面を参照しながら詳
細する。

第５図は本発明の１実施例の説明に供する導電性メッキ
膜の構成断面図である。

基板１上にＣｕ、Ａｕ等より電気抵抗率ρの高い第１の
導電膜７、例えばＦ ｅ 、Ｎ ｉ＋Ｍｎ膜等を真空蒸
着法により層設し、この第１の導電膜７上にＣｕ、Ａｕ
等から成る低抵抗率の第２の導電膜８を真空蒸着法によ
り形成する。

更に化学エツチング法等を用いて第１の導電膜７より第
２の導電膜８の方がエツチング速度が速くなるエツチン
グ液を用いてメツキネ要の導電膜７，８を選択的にエツ
※※、チング除去する。

このようなエツチング液としては、例えば第１の導電膜
７をＮｉ１第２の導電膜８をＣｕで形成した場合、（Ｎ
Ｈ４）２５２０８ （過硫酸アンモニウム）とＨＮＯ３
（硝酸）から成るエツチング液が実施に供される。

尚、参考の為に高抵抗率の第１の導電膜７と低抵抗率の
第２の導電膜８とこの第１の導電膜７より第２の導電膜
８の方がエツチング速度が速くなるようなエツチング液
の実用的な組み合わせを表にして示せば次の通りである
。

このエツチング工程に於いて第１、第２の導電膜７，８
の端部は、エツチング速度が相違するため、第２導電膜
８がより多くエツチング除去されて階段状の形状を呈す
ることとなる。

次にこの第１及び第２の導電膜７，８上に導電性メッキ
膜３を電解メッキにて形成すると、第１の導電膜７に比
べて第２の導電膜８は電気抵抗率ρが低いためより多く
のメッキ層が形成され、逆に第１の導電膜７の端部露出
面側のメッキ層は薄く形成される。

従って結果的に導電性メッキ膜３の端部傾斜は隠やかな
傾斜角を呈することとなる。

また第１及び第２の導電膜７，８の階段形状及び電気抵
抗率を変化させることにより導電性メッキ膜３の断面形
状を適宜制御することが可能となる。

導電性メッキ膜３の端部傾斜が緩慢になると、真空蒸着
法、スパッタリング法等で導電性メッキ膜３の段差被覆
を行なうための絶縁膜４は破断することなく、導電性メ
ッキ膜３の膜厚の数分の１程度の薄い膜厚で充分に段差
被覆することができる。

この状態を第６図に示す。また第７図に示す如く絶縁膜
４上に導電層６を積層した場合、導電層６は段切れを起
こすことなく絶縁層６に沿って連続的に層設することが
できる。

以上詳説した如く本発明によれば品質の良好な絶縁膜に
よる段差被覆が得られるため、導電膜のより一層の多層
化に寄与することができる。

尚ベース層は３層以上の多層構造体とすることも当然に
可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、第３図及び第４図は従来の導電性メッ
キ膜の作製方法を説明する構成断面図である。 第５図は本発明の１実施例の説明に供する構成断面図で
ある。 第６図は第５図に示す導電性メッキ膜を段差被覆した時
の状態を示す構成断面図である。 第７図は第６図に示す絶縁膜上に更に導電層を積層した
時の状態を示す構成断面図である。 １・・・・・・基板、３・・・・・・導電性メッキ膜、
４・・・・・・絶縁膜、７・・・・・・第１の導電膜、
８・・・・・・第２の導電膜。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ メッキベース層上に電解メッキ処理を介して導電性
   メッキ膜を形成する導電性メッキ膜の作成方法に於て、 前記メッキベース層を、前記導電性メッキ膜が被着され
   る側の層の電気抵抗率を小とする二層以上の積層体を前
   記導電性メッキ膜が被着される側の層のエツチング速度
   が犬となるエツチング液で加工することによってその端
   面が階段状に戒るように構威し、 次に前記メッキベース層上に端面傾斜の隠やかな導電性
   メッキ膜を電解メッキにて作成したことを特徴とする導
   電性メッキ膜の作製方法。