JPH04181735A - 導体の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 導体の形成方法に関し、 保護層が密着層のエツチングを行う工程であまり影響を
受けないようにすることを目的とし、それぞれ所定の面
積よりも広い面積の密着層と、導体層と、保護層とを基
板の上に順に形成し、該保護層にエツチングレートが遅
くなる表面処理を施し、該保護層に所定の面積のレジス
トを設け、保護層と、導体層と、密着層を順にエツチン
グする構成とする。

〔産業上の利用分野〕

本発明は基板への導体の形成方法に関する。

最近、電子部品の機能向上と小型化を目指して表面実装
技術が進歩しており、表面実装技術では基板へ薄膜状の
銅等の導体を微細なパターンとして形成するようになっ
ている。

この際、導体の基板への密着力を向上するために基板の
上に密着層を設けて本来の導体層を密着層の上に設け、
さらに導体層の表面の酸化による抵抗値の上昇を防止す
るために導体層の表面を保護層で覆うことが多い。

〔従来の技術］ 基板上に密着層、導体層及び保護層を設けた１例は第７
回に示されている。密着層及び保護層は導体層と同じパ
ターンで形成されなければならず、このようなパターン
化はエツチングにより行われる。この処理は、例えば、
第１図のようにベタに密着層、導体層及び保護層を設け
、それから第３図のように保護層の上にレジストを形成
し、第４図のように第１のエツチング液で保護層をエツ
チングし、次に第５図のように第２のエツチング液で導
体層をエツチングし、次に第６図のように第３のエツチ
ング液で密着層をエツチングし、最後にレジストを除去
して第７図のような構造が得られる。エツチング液は被
処理物に応じて選択性のものを使用する。

〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、行程の簡素化のためには、密着層及び保護層を
同じ材料で形成し、第１のエツチング液及び第３のエツ
チング液を同じにするのが好ましいと思われる。しかし
、そうすると、一番上の保護層が同じエツチング液に２
度さらされることになる。そのため、最初にエツチング
を行われた保護層が密着層のエツチングを行う工程でも
エツチングされ、導体層の一部が露出するようになる問
題が生じる。露出した導体層は酸化されやすく、酸化に
よる抵抗値の変化やはんだによる食われ等が発生するの
で好ましくなく、保護層が密着層のエツチングを行う工
程であまり影響を受けないようにするのが望まれる。

本発明の目的は保護層が密着層のエツチングを行う工程
であまり影響を受げないようにした導体の形成方法を提
供することである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明による導体の形成方法は、基板上に密着層と導体
層と保護層とを形成する導体の形成方法であって、それ
ぞれ所定の面積よりも広い面積の密着層と、導体層と、
保護層とを基板の上に順に形成し、該保護層にエツチン
グレートが遅くなる表面処理を施し、該保護層に所定の
面積のレジストを設け、保護層と、導体層と、密着層を
順にエツチングすることを特徴とするものである。

〔作　用〕

上記構成においては、最初に保護層にエツチングレート
が遅くなる表面処理を施し、該保護層に所定の面積のレ
ジストを設け、それから次々に保護層と、導体層と、密
着層を順にエツチングする。

保護層のエツチング時に保護層は所定のパターンに形成
され、次の導体層のエツチング時に導体層は同じパター
ンに形成される。それから次の密着層のエツチング時に
密着層も同じパターンに形成される。このとき、最初の
エツチング時と同しエツチング液を使用しても、保護層
はエツチングレートが遅くなる表面処理を施こされてい
るので実質的にエツチングされず、最初のパターンを維
持することができる。

〔実施例〕

第１図から第７図は本発明の実施例の各工程を示す図で
ある。第１図においては、基板１０上に密着層１２と導
体層１４と保護層１６とをそれぞれ所定の面積よりも広
い面積の層として順に形成する。例えば、基板１０には
セラミック基板を使用し、導体層１４には銅を使用し、
密着層１２及び保護層１６には同じ金属であるクロムを
使用する。これらの密着層１２、導体層１４、及び保護
層１６はそれぞれスパッタリングや蒸着等により形成す
ることができる。

第２図においては、保護層１６にエツチングレートが遅
くなる表面処理を施す。エツチングレートが遅くなる表
面処理の１例は保護層１６の表面の酸化処理である。酸
化処理は０２プラズマや、アッシングや、熱処理等によ
り実施する。また、エツチングレートが遅くなる表面処
理の他の例は保護層１６の表面の窒化処理であり、これ
は例えばアルボンに窒素を少量混ぜたスパッタリングに
より実施する。

第３図においては、保護層１６に所定の面積のレジスト
１８を設ける。レジスト１８は公知のレジスト形成技術
を使用して形成できる。

第４図においては、クロムからなる保護層１６に適した
エツチング液２０を使用して保護層１６をエツチングす
る。次に第５図においては、導体層１４に適したエツチ
ング液２２を使用して導体層１４をエツチングする。

次に第６図においては、クロムからなる密着層１２に適
したエツチング液２０を使用して密着層１２をエツチン
グする。この場合、エツチング液２０は第４図の保護層
１６のエツチング液２０と同じものを使用するが、保護
層１６はエツチングレートが遅くなる表面処理を施こさ
れているので密着層１２をエツチングするのに必要な時
間内では実質的にエツチングされず、第４図のエツチン
グ工程で付与された最初のパターンを実質的に維持する
ことができる。最後に第７図において、レジスト１８を
除去すれば、基板ＩＯ上に密着層１２と導体層１４と保
護層Ｉ６とが形成されている。これらの密着層１２と導
体層１４と保護層１６はレジス目８に対応した所定のパ
ターンで形成されたものであり、後で他の電気部品の電
極（図示せず）に接続されることができる。

［発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば、最初に保護層に
エツチングレートが遅くなる表面処理を施し、該保護層
に所定の面積のレジストを設け、それから次々に保護層
と、導体層と、密着層を順にエツチングするようにした
ので、保護層及び密着層のエツチング工程で同しエツチ
ング液を使用しても保護層が密着層のエツチングを行う
工程であまり影響を受けず、導体層の保護機能を維持す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例の密着層と導体層と保護層の形
成工程を示す図、第２図は保護層の表面処理工程を示す
図、第３図はレジスト形成工程を示す図、第４図は保護
層のエツチング工程を示す図、第５図は導体層のエツチ
ング工程を示す図、第６図は密着層のエツチング工程を
示す図、第７図はレジスト除去工程を示す図である。 １０・・・基板、 １２・・・密着層、 １４・・・導体層、 １６・・・保護層、 １８・・・レジスト。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板（１０）上に密着層（１２）と導体層（１４）
   と保護層（１６）とを形成する導体の形成方法であって
   、それぞれ所定の面積よりも広い面積の密着層と、導体
   層と、保護層とを基板の上に順に形成し、該保護層にエ
   ッチングレートが遅くなる表面処理を施し、該保護層に
   所定の面積のレジスト（１８）を設け、保護層と、導体
   層と、密着層を順にエッチングすることを特徴とする導
   体の形成方法。 ２、保護層と密着層が同じ金属材料で形成され、同じエ
   ッチング液でエッチングすることを特徴とする請求項１
   に記載の導体の形成方法。 ３、該表面処理が酸化処理からなることを特徴とする請
   求項１に記載の導体の形成方法。 ４、該表面処理が窒化処理からなることを特徴とする請
   求項１に記載の導体の形成方法。