JPS5852848A - 多層配線構造 - Google Patents
多層配線構造Info
- Publication number
- JPS5852848A JPS5852848A JP15061481A JP15061481A JPS5852848A JP S5852848 A JPS5852848 A JP S5852848A JP 15061481 A JP15061481 A JP 15061481A JP 15061481 A JP15061481 A JP 15061481A JP S5852848 A JPS5852848 A JP S5852848A
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- JP
- Japan
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- wiring
- insulating film
- layer
- film
- polyimide resin
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は多層配線構造に関し、主として有機樹脂絶縁膜
を用いた２層Ａノ（アルミニウム）配線を対象とする。
を用いた２層Ａノ（アルミニウム）配線を対象とする。
牛導体集積回路装置（ＩＣ）ＶＣおいて、２層のＡノ配
線の層間絶縁膜としてポリイミド系樹脂等の有機樹脂膜
を用いた構造が知られている。例えば第１図において、
１は８１牛導体基板、２は牛導体酸化物（８ｉ０１）＆
Ｃ下地リンガラス（リン酸化物含有無機ガラス）を被着
した下地絶縁膜、３は基板の一部にオーミック接続する
第１層Ａノ配線、４は眉間絶縁膜としてのポリイミド系
樹脂膜、５は第２層人！配線で絶縁膜４のスルーホール
を通して第１層Ａ！配線に接続し、６は最終保１ＩＩＩ
［（バッシベイシ、ン）となるポリイミド系樹脂膜であ
る。
線の層間絶縁膜としてポリイミド系樹脂等の有機樹脂膜
を用いた構造が知られている。例えば第１図において、
１は８１牛導体基板、２は牛導体酸化物（８ｉ０１）＆
Ｃ下地リンガラス（リン酸化物含有無機ガラス）を被着
した下地絶縁膜、３は基板の一部にオーミック接続する
第１層Ａノ配線、４は眉間絶縁膜としてのポリイミド系
樹脂膜、５は第２層人！配線で絶縁膜４のスルーホール
を通して第１層Ａ！配線に接続し、６は最終保１ＩＩＩ
［（バッシベイシ、ン）となるポリイミド系樹脂膜であ
る。
上記ポリイミド系樹脂は低温で塗布して平坦な表面を形
成でき、しかも比較的高温処理に耐えるため層間及び最
終の絶縁膜として極めて有効であるが樹脂であるために
水分を通過しやすく、この水分によってＡ１配線が腐食
されるおそれがある。
成でき、しかも比較的高温処理に耐えるため層間及び最
終の絶縁膜として極めて有効であるが樹脂であるために
水分を通過しやすく、この水分によってＡ１配線が腐食
されるおそれがある。
このよう７ｊ Ａ Ｊ配線防止手段として、ＡＡ［８ｊ
（シリコン）又はＢ（ボロン）等の不純物を含有させる
ことが有効とされている。しかし前記のよ’５ Ｔｔ多
層配線の場合、２層目（上層）のＡＪ配線に対してＥ工
上記時止手段は有効であるが、１層目（下層）のＡ！配
線の場合ＧＳＡノに不純物を入れても腐食を防止できな
い。その理由はポリイミド系樹脂等の有機樹脂を１水を
３ｓ８！度吸収するが、下地絶縁膜Ｉ／ｃＮａ等の金属
のゲッターとして使用するリンガラス台１それ以上に多
く水を吸収する性質を肩するためＡ４との界面にた１っ
た水がＡＪを腐食するものである。このようｒＬパノ腐
食により生じる人！断線等の不良は例えば５００時間で
全部のＡＪが腐食されることがある。
（シリコン）又はＢ（ボロン）等の不純物を含有させる
ことが有効とされている。しかし前記のよ’５ Ｔｔ多
層配線の場合、２層目（上層）のＡＪ配線に対してＥ工
上記時止手段は有効であるが、１層目（下層）のＡ！配
線の場合ＧＳＡノに不純物を入れても腐食を防止できな
い。その理由はポリイミド系樹脂等の有機樹脂を１水を
３ｓ８！度吸収するが、下地絶縁膜Ｉ／ｃＮａ等の金属
のゲッターとして使用するリンガラス台１それ以上に多
く水を吸収する性質を肩するためＡ４との界面にた１っ
た水がＡＪを腐食するものである。このようｒＬパノ腐
食により生じる人！断線等の不良は例えば５００時間で
全部のＡＪが腐食されることがある。
本発明は王妃した従来技術の欠点を取除くためＫなされ
たものであり、その目的は半導体装置における多層Ａ１
配線のＡ１腐食を完全に防止し、製品の信頼性を向上す
ることにある。
たものであり、その目的は半導体装置における多層Ａ１
配線のＡ１腐食を完全に防止し、製品の信頼性を向上す
ることにある。
第２図は本発明による好ま、しき実施例を示すものであ
る。すなわち第１図で説明した多層配線構造に対して、
下地絶縁膜となるリンガラス・酸化膜２０表面にポリイ
ミド系樹脂膜７を形成し、この上に第１層のＡＪ配線３
を設けたものｔその一部は半導体基板ｌとオーミック接
続する。なお第１層のＡＪ配置１１３の上にはポリイミ
ド系樹脂からなる眉間絶縁Ｉ［４を介して第２層Ａ！配
ｌ１５を形成し、さらにその上をポリイミド系樹脂から
なるバッシベイシ曹ン膜６を形成することは第１図の例
と同じである。
る。すなわち第１図で説明した多層配線構造に対して、
下地絶縁膜となるリンガラス・酸化膜２０表面にポリイ
ミド系樹脂膜７を形成し、この上に第１層のＡＪ配線３
を設けたものｔその一部は半導体基板ｌとオーミック接
続する。なお第１層のＡＪ配置１１３の上にはポリイミ
ド系樹脂からなる眉間絶縁Ｉ［４を介して第２層Ａ！配
ｌ１５を形成し、さらにその上をポリイミド系樹脂から
なるバッシベイシ曹ン膜６を形成することは第１図の例
と同じである。
第３図（ａ）〜（ｅｌＧ丁第２図の２層Ａ！配線構造を
得るためのプロセスの各工程を示す。
得るためのプロセスの各工程を示す。
（ａｌ 半導体素子の形成された８４半導体基板ｌの
表面に下地絶縁膜としてＳｉＱ、膜２を形成し、この表
面にリンガラスを約２０００λの厚さに被着し、コンタ
クトホトエッチを行なって一部を窓開する。
表面に下地絶縁膜としてＳｉＱ、膜２を形成し、この表
面にリンガラスを約２０００λの厚さに被着し、コンタ
クトホトエッチを行なって一部を窓開する。
（ｂ） 全面にポリイミド系樹脂（７）、例えば、ポ
リイミドイソインドロキナゾリンジオンを回転塗布法に
より厚さ１．７５μｍ程度に形成し、この後、２００℃
で第１回のベーク（焼付け）シ１次いで。
リイミドイソインドロキナゾリンジオンを回転塗布法に
より厚さ１．７５μｍ程度に形成し、この後、２００℃
で第１回のベーク（焼付け）シ１次いで。
３５０℃で第２回のベークをして硬化′ｆる。この後、
一部をマスク材で覆い、ヒドラジンの４０〜８〇−水溶
液でエンチし、コンタクト部の半導体な露出する。
一部をマスク材で覆い、ヒドラジンの４０〜８〇−水溶
液でエンチし、コンタクト部の半導体な露出する。
（Ｃ） 第１回のＡＪ無蒸着例えば８ｉ２チ入りのＭ
を約１，７５μｍ厚に蒸着し、ホトエッチにより不ｌ！
部を除去して第１ＭＡＪ配線３を形成する。
を約１，７５μｍ厚に蒸着し、ホトエッチにより不ｌ！
部を除去して第１ＭＡＪ配線３を形成する。
（ｄｉ 全面に層間絶縁膜としてポリイミド系樹脂膜
４を厚さ１．７５μｍｌｉ＆に形成する。このあとスル
ーホールホトエッチを行ない、ｊｌｌｌｉｉＡｎ配４９
に通じるスルーホール８をあける。
４を厚さ１．７５μｍｌｉ＆に形成する。このあとスル
ーホールホトエッチを行ない、ｊｌｌｌｉｉＡｎ配４９
に通じるスルーホール８をあける。
（ｅ）Ｉｆ！２回のＡ！蒸着１例えば８ｉ２％入りのり
を約１．７５μｍ厚［蒸着し、ホトエッチして第２層Ａ
１配ｌｓ５を形成し、さらにその上に）（ツシベイシ嘗
ンとしてポリイミド系樹脂膜６を約２，２μｍ厚に形成
することにより所要とする２層配線構造を得る。
を約１．７５μｍ厚［蒸着し、ホトエッチして第２層Ａ
１配ｌｓ５を形成し、さらにその上に）（ツシベイシ嘗
ンとしてポリイミド系樹脂膜６を約２，２μｍ厚に形成
することにより所要とする２層配線構造を得る。
以上実施例で述べた本発明によれば、下地絶縁膜２のリ
ンガラスに吸収された水分等がボＩＪイミド系樹脂によ
り妨げられて第１層ＡＪ配線の界面を腐食することを防
止できる。又、ＡＪ配線自体を８１人りＡＪとすること
によりＡ！配線の腐食防止効果は一層有効である。
ンガラスに吸収された水分等がボＩＪイミド系樹脂によ
り妨げられて第１層ＡＪ配線の界面を腐食することを防
止できる。又、ＡＪ配線自体を８１人りＡＪとすること
によりＡ！配線の腐食防止効果は一層有効である。
本発明は下地絶縁膜のリンガラスのリン濃度な下げるこ
とによる水分吸収防止手段が用℃・られない場合におい
て’［有効である。
とによる水分吸収防止手段が用℃・られない場合におい
て’［有効である。
第１図は従来の２縁起［１１造の例を示す断面図、第２
図は本発明による２層配線構造の例を示す断面図、第３
図（ａ）〜（ｅ）は本発明による２層配線構造を得るた
めのプロセスの例を示す工程断面図である。 ｌ・・・８１半導体基板、２・・・下地絶縁膜（リンガ
ラス・８ｉＱ１膜）、３・・・第１層人！配線、４・・
・ポリイミド系樹脂膜、５・・・第２層人！配線、６・
・・ポリイミド系樹脂膜（パツシベイシ璽ン）、７・・
・ポリイミド系樹脂ａ、ｓ・・・スルーホール。 竺 １− ３ 第 ２ 図 第 ３ 図
図は本発明による２層配線構造の例を示す断面図、第３
図（ａ）〜（ｅ）は本発明による２層配線構造を得るた
めのプロセスの例を示す工程断面図である。 ｌ・・・８１半導体基板、２・・・下地絶縁膜（リンガ
ラス・８ｉＱ１膜）、３・・・第１層人！配線、４・・
・ポリイミド系樹脂膜、５・・・第２層人！配線、６・
・・ポリイミド系樹脂膜（パツシベイシ璽ン）、７・・
・ポリイミド系樹脂ａ、ｓ・・・スルーホール。 竺 １− ３ 第 ２ 図 第 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に下地絶縁膜を介して第１層のアルミニウム
配線を肩し、この上に有機樹脂絶縁膜を介して１１２層
のアルミニウム配線を有した多層配線構造において、上
記下地絶縁膜の表面を有機樹脂絶縁膜で覆ったことを特
徴とする多層配線構造。 ２、上記下地絶縁膜がリン酸化物を含むガラス忙覆われ
たシ１７コン酸化展であるとともに上記有機樹脂絶縁膜
がポリイミド系樹脂膜である特許請求の範囲第１項忙紀
載の多層配線構造。 ３、上記第１層及び第２層のアル１ニウム配線ハシリコ
ン又はボロンを１〜２１８度又はそれ以上含有するアル
ミニウムである特許請求の範囲第１項又は第２１ＪｉＫ
記載の多層配線構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15061481A JPS5852848A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | 多層配線構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15061481A JPS5852848A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | 多層配線構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5852848A true JPS5852848A (ja) | 1983-03-29 |
Family
ID=15500722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15061481A Pending JPS5852848A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | 多層配線構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5852848A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52131484A (en) * | 1976-04-28 | 1977-11-04 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS5612739A (en) * | 1979-07-10 | 1981-02-07 | Nec Corp | Semiconductor device |
-
1981
- 1981-09-25 JP JP15061481A patent/JPS5852848A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52131484A (en) * | 1976-04-28 | 1977-11-04 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS5612739A (en) * | 1979-07-10 | 1981-02-07 | Nec Corp | Semiconductor device |
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