JPS584923A - イオンビ−ムを照射してなす選択的積層体の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はイオンビームを照射してなす選択的積層体の形
成方法に関する。更Ｋ、特定の目的を実現するために具
体化した、上記のイオンビームを照射してなす選択的積
層体の形成方法の技術的限定に関する。

半導体装置の製造方法において、シリーン（８ｉ）より
なる層の一部を他の物質に変更し、その組成を変更し、
又＃′ｉ、その不純物含有量を変化させる工程は数多く
使用される。従来技術においては。

これらの工種ケ、フォトリソグラフィー法、ドライ／ウ
ェットエツチング法、選択酸化法、拡散法、選択的エピ
タキシャル成長法、イオン注入法、等各種の方法を組み
合わせて使用して実現していたが、夫々、特有の長所を
もっている反面種々な制限をも伴なっている。すなわち
、実現しうるパターンの大きさ、深さとその精度、置換
又は組成変更しうる物質の種類とその囃成此の範囲の制
限、温度条件、温度条件に起因するパターン精度の限度
等である。

ところが、特定の物質をイオン乃至プラズマ化して質量
分離法尋を使用して特定のイオンのみを選別し、これに
特定の運動エネルギーを与えて物体の表面忙照射して、
翰その特定のイオンをその特定の一体の表面近傍のその
物体内に注入する技術（イオン注入法）、（ロ）その特
定の物体の表面からその特定の物質を除去する技術（イ
オンと−ムエツチング法）、Ｈその特定のイオンをその
特定の物体上に堆積する技術（イオンビーム堆積法）等
が装置技術の進歩とともに長足の進歩を遂げたので、こ
れらの技術を組み合わせるととｋより、平面的及び／又
は立体的に成分・組成・不純物含有量等が今までよりも
広い範囲で任意に選択された積層体を形成する方法の可
能性が認識されるに至りた。

本発明の目的けこの可能性を実現するものであり、その
第１の目的は基本の一部領域を他の物質を置換するか、
又は、その組成を大幅に変更する方法を提供することＫ
ある。

その第２の目的は、第１の目的を達成する方法の改良で
あり、加工精度の向上した方法を提供するととＫある。

その第３の目的は、第１の目的を達成する方法又は第２
の目的を達成する方法を利用して素子の絶縁分離が必要
な半導体装置における素子分離の、方法を提供すること
Ｋある、 その第４の目的は、第１の目的を達成する方法又は第２
の目的を達成する方法を利用してＭＯ８Ｏ８型外電界効
果トランジスタ表とする各種の半導体装置を製造する方
法を提供するととＫある。

第１の目的を達成するための要旨＆：を−まず、げ）任
意の基体例えばシリコン（８ｉ）層に対してエツチング
効果の得やすいイオン種例えば弗素（Ｆ　χ塩素（ＣＩ
　　）Ｋエツチング効果の得やすい速度エネルギー例え
ば５００（ｅＶ）　〜５（ＫｅＶ）を与え、これをビー
ムとして、又は、適当な金属や金属酸化物１例えばアル
ミニュウムやサファイア−などのマスクを通して照射し
、上記任意の基体例えばシリコン（８１）層の所望の一
部領域に開口を形成し、次に、＠所望のイオン種例えば
シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニ、ウム（Ｇｅ）Ｋイオン堆
積に適する速度エネルギー例えば数十（ｅＶ）〜１（Ｋ
ｅＶ）を与え℃これを上記開口断面と全く同一の断面を
有するビームとし又は同様なマスクを通して上記開口に
照射し、上記開口内にこのイオン種なイオン堆積するこ
とＫある。ζこで、堆積される物質すなわちイオン種は
単一の種類のみを連続して堆積させる必要はなく、所望
の数種の物質を特定の短い時間間隔をおいて逐次堆積さ
せれは、化合物又はドープされた物質の堆積が可能であ
る。堆積される主たる物質としては、シリコン（８ｉ）
、ゲルマニュウム（Ｇｅ）、ガリュウム（Ｇａ　）、ア
ルミニュウム（Ａり等についてその可能なことが確認さ
れており、堆積される従たる物質又はドープされる物質
としては、酸素０．窒素（へ）、砒素（Ａ＠）、燐（Ｐ
）。

ボロン（ハ）、アンチモン（ｓｂ）、アルミニュウム（
ＡＩ　）等についてその可能なことが確認されている。

化合物を堆積させる他の方法としては、特定の物質の雰
囲気中で、特定の物質のイオンを照射し、両物質の化合
物を得る。いわゆる、反応性イオンビーム堆積法が既に
知られているので、これを用いても同様の目的を遭成し
得ることは明らかである。なお、基体中に形成される積
層体の表面から見たパターンは単純な矩形等に限らず、
矩形をいくつか組合わせることにより複数な形状になす
ことは可能である。この発明の依拠する自然法則は、ビ
）イオンビームが照射された場合、イオンビームの有す
る運動エネルギーの大幹さを制御することＫよりエツチ
ング、堆積等、異なる効果を電流密度の変化は伴うが、
簡単に選択することかで睡ること、＠イオンビームの断
面形状め制御がなしうろこと、ｅ１短い時間間隔をもっ
て間歇的にイオン堆積がなされた場合、通常の熱力学的
な平衡状態を経由するだけでは得られない所望の組成比
を有する化合物の生成や所望の濃度と不純働程のドーピ
ングが正確になしうろこと等である。

第２の目的を達成するための要旨は、上記の方法を使用
して基体の一部領域に開口を形成し、この開口に他の物
質を堆積させて選択的積層体を形成するＫあたりて、例
えばシリコン（８ｉ）層等の基体にイオンビームエツチ
ング法を適用して開口を形成することを容易にし、かつ
、開口の寸法的精度を向上するために、第１の目的を達
成する方法の実施に先立ち、まず、（イ）シリコン（８
ｉ）等の基体材料とそれとの化合物がシリコン（Ｓｔ　
）等の基体自身よＩｔエツチングしやすい物質例えば酸
素イオン（０）を選択し、（−これに一方向性が強いた
めパターン精度が向上するイオン注入効果の大色な速度
エネルギー例えば１０（ＫｅＶ）〜２００［ＫｅＶ］を
与え、ビームの状態で、又は金ｊｉ郷のマスクを通して
、シリコｙ（８ｉ）等の基体の所望の一部領域にイオン
注入をなしてその領域をこの例においては酸化シリコン
（８ｉ０ｘ）に変換さ吃ｒ−］つづいて、高密度注入誘
起欠陥を有するこの新しい物質、この例においては酸化
シリコン（８ｉ０ｘ）Ｋ対するエツチング効果の大色い
イオン種、この例においては例えば三弗化炭素イオン（
ＣＦｍ　　）を選択し、に）これに反応性エツチング効
果の大きい速度エネルギー例えば３００（ｅＶ）　〜１
（ＫｅＶ）を与えて、これを上記と同一の断面を有する
ビームとして又は上記と同一の金属等のマスクを使用し
て、上記の新しい物質、この例Ｋｍいては酸化シリコン
（８ｉ０ｘ）Ｋ照射して、上記の新しい物質、この例に
おいては酸化シリコン（８ｉ０ｘ）を容易にエツチング
することにある。又、この例においては、三弗化炭素イ
オン（ＣＦｓ　　）は酸化シリコン（８ｉ０ｘ）に比レ
シリコン（８ｉ）に対してはエツチング速度が小である
から、極めて精度よくエツチングすることがで舞ること
、また水素（Ｈ２）雰囲気中で、この特性はより顕著に
なることが認められる。ここで、基体がシリコン（８ｉ
）の場合、この実施態様に有効な物質としては酸素イオ
ン（０”）Ｋ相当するものとして窒素イオン（Ｎ”）１
１の、また三弗化炭素イオン（ＣＦ、”）に相当すｂも
のとして、弗素イオンＣＦ　　）や二弗化炭素イオン（
ＣＦａ　　）等の有効性が確認されている。又、注入深
さは普通数百から数千（ｉ）の範囲内であるので、さら
に深いエツチングを行うためには上記工程を複数回、続
けて行うことが必要である。この実施態様の依拠する自
然法則は、第１の目的を達成すゐ方法において述べたと
ころに加えて、イオンビームに大睡い運動エネルギーを
与えゐことＫよってイオン注入効果が得られるという周
知の事実と、基体たるシリコン（８ｉ）そのものをエッ
チするより高密度欠陥を有する基体たるシリコン（Ｓｔ
）との化合物に変換した後エッチした方がはるかに小さ
な加速エネルギーで、また高い選択比でエッチすること
がで齢る相を有する化合物が存在する事実と、これをエ
ッチするエッチャントが存在するという事実とである。

第３の目的を達成するための要旨は、特許請求の範囲第
１項又は第２項に記載された発明において、堆積される
物質が絶縁物特に二酸化シリコン（Ｓｉｎｓ）　　であ
る点である。したがって、開口工程において使用される
イオンはアルゴンイオン（人ｒ”）Ｋ代表される不活性
ガスイオンのほかへ基体がシリコン（Ｓｉ）である場合
であるから、シリコン（Ｓｔ）との反応性の大きい弗化
炭素系イオン（ＣＦａ”、ＣＦｓ＋、ＣＦｚ”）や弗素
イオｙ（Ｆ”）が遇ばれる。更に、弗素イオン（Ｆ＋）
と酸素イオン（０）とを交互的又は装置機能が許せば同
時的に照射してもさしつかえない。又、二酸化シリコｙ
（ＳｉＯｚ）層の堆積はシリコンイオン（Ｓｌ　）と酸
素イオン（０）を交互に照射することにより可能である
。このとき、堆積させたシリコン（８ｉ）に過剰ＫＷＲ
素イオン（Ｏｔ）を照射しても、短時間では表面のたか
だか数原子層が酸化されるだけであるので、１周期にお
けるシリコン（８ｉ）堆積時間は数原子層が形成される
時間より短かくなくてはならない。たとえば、０．！ｉ
ｍＡ／ｃａのイオン電流密度のと色、この時間は１０秒
以下と見積られる。一方、酸素イオン（０＋）のみを注
入効果の得られる加速エネルギーで照射してもシリコン
酸化膜（８ｉ０ｘ）を得ることがで色る。シリコン（８
ｉ）も酸素（０）も堆積効果の得られる数百ｅＶ以下の
エネルギーで照射したとき、たとえばｓ　ｏ　ｏ’ｃの
低温ではシリコン酸化膜（８ｉ０ｘ）を得ることはで自
でも、たとえば９００°Ｃ以上の高温では１表面の付着
酸素は５ｔ−Ｏの形で再蒸発するため、シリコン酸化物
（８ｉ０ｘ）の形成は困難となるが、酸素イオン（０＋
）のみを注入効果の得られるエネルギーで深く注入して
やると、上記のような酸素の再蒸発は起らず、高温にて
も安定にシリコン酸化膜（８ｉ０）Ｏを形成で色る。

第４の目的を達成するための要旨は％ＭＯ８型Ｏ８効果
トランジスタ、を代表とするすべての半導体装置を、平
面的には複数の小惟塚に分割し、各々の小領域の上下方
向の立体的形成をなすことにある。すなわち１例えばＭ
Ｏ８型電界効果トランジスタを製造する場合にありては
、（イ活性層。

（ロ）高ドープされたソース領域、ソース領域上の電極
・表面安定化層、（ハ）高ドープされたドレイン領域、
ドレイン領域上の電極・表面安定化層、に）ゲート絶縁
膜、ゲート電極ゲートとソース・ドレイン電極との絶縁
等を、すべて、平面的には小領域に分割し、各領域を上
下方向には逐次的に形成するととＫある。

以下、図面を参照しつつ１本発明の各実施態様に係る、
イオンビームを照射してなす選択的積層体の形成方法を
説明し、本発明の構成と特有の効果とを明らかにする。

第１．２図は本発明の第１の実施態様の各工程を説明す
る基板断面図であム第１図参照 シリコｙ（Ｓｉ）層よりなる基板１の所望の領域２に１
（ＫｅＶ）程度のエネルギーを与えられた弗素イオン（
Ｐ＋）のイオンビームを照射してここに開口３を形成す
る。イオンビームは直接ビームとして照射しても金属あ
るいは金属酸化物のマスクを通して照射しても搭しつか
えない。

第２図参照 モノシラン（Ｓ　ｉＨａ　）をプラズマ化して質量分離
器を用いてシリコンイオン（８ｉ”）を分離し、これを
ビームとして又はエツチングに使用した上記マスクを通
して前工程において形成された開口３に照射する。シリ
コンイオン（ｓｔ”）へ与えるエネルギーは約３００（
ｅＶ）である。ここで、シリコンイオン（ｓｔ”）と交
互に燐イオン（Ｐ＋）に３００（ｅＶ）程度のエネルギ
ーを与えて照射すればＮｍＫドープされたシリコン（Ｓ
ｔ）層４が形成される。ドープの程度は、シリコンイオ
ン（Ｓｉ”）と燐イオン（Ｐ＋）照射時間の割合によっ
て制御しうる。この制御は、イオン引き出し電圧付加が
軽い容量性負荷に対してなされているので数１０（ｍｓ
ｅｃ）のオーダーで切り替えられるため、きわめて高速
に行うことができる。

以上説明せるとお°シ、この第１の実施態様によれば、
シリコン（８ｉ）層よりなる基板の一部佃域を他の物質
をもって置換し、又は、その領域の組成を大幅に変更す
る方法を提供することができもそして、この方法によれ
ば、熱拡散工程と異なり表面からの不純物の熱拡散プロ
ファイルで本質的に制約を受ける横方向と深さ方向の寸
法比の範囲に限定されない構造の微細な埋め込み層をセ
ルファラインで平坦に形成することができる。しかも。

高温工程を必要としないので、バックリング変形等の不
利益も免れることができる。したがって、ＰウェルやＮ
ウェルの形成や電界効果トランジスタのソース・ドレイ
ン領域の形成等は勿論、セルファラインメントの要求さ
れるパターン形成に適用することができる。

第３図は本発明の第２の実施態様の主要工程を説明する
基板断面図である。

第３訃参照 シリコン（８ｉ）層よりなる基板ｌの所望の領域２にた
とえば２０（Ｋｅｙ）程度のエネルギーを与えられた酸
素イオン（０＋）のイオンビームな照射してこの領域を
酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層５に変換する。イオンビー
ムは直接ビームとして照射してもアル２ニユウム（ＡＩ
　）等の金属マスクを介して照射してもさしつかえない
。アルミニニウムをマスクの母材として選ぶ仁とは、酸
素イオン（０＋）照射により表面が酸化されて耐エツチ
ング性に優れたアルミナ膜が形成されるので非常に有益
である。次に、たとえば三弗化炭素イオン（ＣＦｓ＋）
Ｋ１（Ｋｅｙ）程度のエネルギーを与えて直接ビームと
して又は前工程で使用した金属マスクを通しテ約工程に
おいて変換させた酸化シリコン（８ｉ０ｘ）＊５に照射
し、この酸化シリコン（８ｉ０ｘ）層５をエッチする。

三弗化炭素イオン（ＣＦｍ＋）はシリコｙ（８１）より
も酸化′シリコン（８１０ｘ）を容易にエツチングする
ので注入イオンビームの一方向性とあいまって前工程に
おいて変−させた領域を正確かつ迅速にエツチングでき
る。所要の開口の深さが大きいと幹はこれらの工程を繰
り返せばよいことはいうまで４ない。また、加速エネル
ギーが小さいので、大きな加速エネルギーで物理的にエ
ツチングするより、マスクの消耗度は小さくなる。

以上説明せるとおり、この第２の実施態様によれば、第
１の実施態様を実施するに当りその第１の工程であるエ
ツチング工程を正確かつ迅速に実行する方法を提供する
ことがで鰺る。

第４図は本発明の第３の実施態様の主要工程を説明する
基板断面図である。

第４図参照 弗素イオン（Ｆ　　）Ｋ１（Ｋｅｙ）程度のエネルギー
を与え、シリコン（Ｓｉ）層よりなる基板１の素子分離
領域６にエツチングを施し、つづいて、シリコンイオン
（Ｓｔ　　）と酸素イオン（０）とを交互に３Ｘ１０　
　ｅＶのエネルギーでイオン照射して素子分離領域６に
二酸化シリコン（Ｓ　ｉ　Ｏｍ　′ｓ７を形成する。こ
の方法によれば、ビ）素子分離−城の面積を小さくなし
うるため、集積度の向上が可能であり、（ロ）高温工程
を必要としないため高温工程に伴なう、バックリング変
形、過剰拡散等の不利益−郷を伴なわず、　Ｇ＝１分離
領域が基板表面より大きくとび出ないので平坦性の良好
な素子分離方法を提供することができる。この例では、
良好な平坦性も得られることを示すために、キャパシタ
ーとゲートの電極を形成させた°ところまで図示した。

以上、素子分離のためのかなめとなる作製法を述べ九が
、素子分離について若干の補足説明を加えておく。本来
、第４図に示した構造の素子は、単独では勿論であるが
、集積化された回路においても、素子分離を必要として
いなかった。それは、ＭＯ８構造自身が素子分離された
構造でありたからである。しかしく１）Ｐチャンネル型
ＭＯ８よりもＮチャンネル型−ＭＯ８が多用されるよう
になったこと、（２）単一電源で動作することが要求さ
れ、エンハンスメント型特性が必要となりたこと、（３
）高書度の集積化が進み、フィールド酸化膜厚が薄くな
ったこと、などの理由により、高集積度でエンハンスメ
ント型特性のＮチャンネルＭＯ８構造においては、素子
分離がなされる仁とが一般的となりている。従って、集
積度が高く、動作電圧範囲が大きいなどのさらに厳しい
素子分離が必要な条件では、上記実施態様例における、
二酸化シリ、コツ層７の堆積の＃にボロン（Ｂ）を例え
ば５０（Ｋｅｙ）のエネルギーｌＸｌ０”／ｃ−のドー
ズｔで注入するなどの工程をいれてもよい。第４図の破
線は、必要な場合ボロン（Ｂ）が注入される部位を表わ
している。

第５〜８図は本発明の第４の実施態様における一例とし
てＭＯ８型電界効果トランジスタを製造する方法として
の主要各工程を説明する基板断面図である。

第５図参照 ここでは、相補型ＭＯ８）ランジスタ構造を作製するこ
とも、可能であることを示すため、ｎＩＪＩＩ基体をそ
の１１活性層として利用するＰチャンネルＭＯ８）ラン
ジスタ構造よりも、Ｐ型ウェルを有する分だけ構造が複
雑となるｎチャンネルＭＯＳトランジスタ構造の作製例
を代表としてとりあげ、説明する。

Ｎ型シリコン（ｓｉ）層よりなる基板１の素子分離領域
８を、表面を酸化処理したアルミニュウムを母材とし九
マスクを用いて弗素イオン（Ｆ＋）を電流密度ｏ、ｓ（
ｍＡ／ｃｊ）加速エネルギー１（ＫｅＶ）Ｋて照射して
約０．６〔μｍ〕の深さにエッチしぞ、シリコンイオン
（ＳＲ）とボロンイオン（Ｂ”）とを約３Ｘ１ｏ　　（
ｅＶ）の加速エネルギーで交互にイオン堆積して所望の
程度にたとえば５Ｘ１０”Ｃ１ｎ”程度に不純物のドー
プされたＰ型活性層９を形成する。このとき、堆積させ
た活性層を格子欠陥の少ない単結晶として得るためには
、少なくとも５ｏｏ（’Ｃ）以上の基板加熱が望ましい
。

第６図参照 上記とほぼ同一の条件でソース・ドレイン領域１０をエ
ッチして、シリコンイオン（８ｉ”）と燐イオ／（Ｐ　
）とを交互にイオン照射して所望の程度に％この場合は
ｌＸｌ０Ｉ・ｃｍ　　”の程度に、不純物のドープされ
たＮ型ソース・ドレイ／領域１゜を完成する。ソース・
ドレイン領域の電気的接合面は構造的接合面より４後に
経る加熱工程のため外方に出るので、領域１ｏが単結晶
であることは活性層の場合と異なり必ずしも要求されな
い。

第７図参照 ゲート形成領域１１を３００（ｅＶ）以下のエネルギー
の弗素イオン（Ｆ＋）ビームでエッチして、表面を清浄
化した後、１，０００［’Ｃ）１時間アニールしソース
・ドレイン接合を形成させた後、シリコンイオン（８ｉ
”）と酸素イオン（０＋）とを交互に照射してゲート絶
縁膜１２を約０．１〔μｍ〕の厚さに形成し、その上に
アルミニニウムイオン（ＡＩ”）を照射してゲート１３
を約０．５〔μｍ〕の厚さに形成する。このとき、形成
された絶縁膜の漏洩電流を減少させる為にけ堆積時の温
度は少なくとも５００〔０Ｃ〕以上が望ましい。しかし
、９００（’Ｃ）以上では付着せしめた酸素が８ｉ−０
となって再蒸発する効果が顕著になるので望ましくない
。なお、第７図中の破１ＩＪＦｉ、相対的深さは実際と
は一致させてないが接合面を表わす。

第８図参照 フィールド領域１４を含む全領域に酸素イオン（０＋）
を１（Ｋｅｙ）程度のエネルギーで短時間照射して表面
洗浄化を行りた後、つづいて、シリコンイオン（８ｉ”
）と酸素イオン（０＋）を交互にイオン照射してフィー
ルド絶縁膜１５を形成す−る。

つづいて、ソースのドレイン領域１０とゲート１３の上
の絶縁膜１５上に、三弗化炭素イオン（ＣＦｓ”）をマ
スクを通して照射し、電極引き出し用開口を形成し、そ
の開口にアルミニニウムイオン（人１＋）を同一マスク
を通して照射し、ソース・ドレイン・ゲート用アルミニ
、ウム電極１６を形成させｂｏ 以上、第６図から第８図までの工程において、マスク合
せは、ソース・ドレインやゲートなどの所定の形状がそ
れぞれ離れて開口されているアルミニュウム（人ｌ）を
母材とするマスクを基板に対し移動させ、上から透視す
ることＫより行った。

ちなみに、安定に制御できるゲート長は実験技術の制約
のためｌＸｌ０”（μｍ〕程度であった。

なお、前記実施例において、被処理基板例えばシリコン
（Ｓｔ）基板上に化合物例えば酸化シリコン（８ｉ０．
）を堆積する際に、かかる化合物を構成する元素（本例
ではシリコン（Ｓｉ）及び酸素０）のイオンをそれぞれ
異るイオン銃から時分割で照射し、この時イオン電流値
あるいけデユティレシオ（Ｄｕｔｙ　Ｒａｔｉｏ）を制
御することにより、任意の組成の化合物を堆積すること
ができる。

かかる時分割照射によって、鱈記酸化シリコン（８ｉ０
１の他車化シリコン（８ｉｓＮａ）、酸化アルミニュウ
ム（Ａｌｇｏｓ）　　あるいけ化合物半導体においても
任意の組成の被膜を形成することができる。また例えば
シリコン（８ｉ）基板上に単結晶酸化アルミニュウム（
サファイア）層を形成し、更に当該サファイア層上に単
結晶半導体層を形成する際にも適用することができる。

以上説明せるとおり、本実施態様によれば、（（）イオ
ンビームプロセスのみをもって例えばＭＯ８型電界効果
トランジスタ構造の製造が可能となり、（ｏ）平坦性を
向上することができ、ｅ→全工租プログラムをソフト化
して連続した自動制御工程とすることができ、に）多機
能を有する単一の装置をもって、すなわち、極めて簡易
な装置をもりて半導体装置の製造が可能となり、（ホ）
物理的処理であって化学的処理を必要としないので、産
業廃棄物の問題から解決される等、無数の利点を有する
。新規な半導体装置の製造方法を提供することができも
上記の説明は、ＭＯａｌｌ電界効果トランジスタの製造
工程について説明したが、その他の種類の半導体装置の
製造方法に利用しうろことは言うまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１．２図は本発明の第１の実施態様に係る、イオンビ
ームを照射してなす選択的積層体の形成方法の主要工程
を説明する基板断面図であり、第３図は本発明の第２の
実施態様に係る。イオンビームを照射してなす選択的積
層体の形成方法の主要工程な説゛明する基板断面図であ
り、第４図は本発明の第３の実施態様に係る。イオンビ
ームを照射してなす選択的積層体の形成方法の主要工程
を説明する基板断面図であり、第５〜８図は本発明の第
４の実施態様に係る、イオンビームを照射してなす選択
的積層体の形成方法の主要工程を説明する基板断面図で
ある。 １・・・基体、　　３・ｅ＠開口、 ４１」イオンビーム堆積された層（Ｎ型にドープされた
シリコン層）、 ５・・・第３の物質よりなる層（窒化シリコン層）６・
・・素子分離領域、　　７・・・絶縁層（二酸化シリコ
ン層）、　８・・Φ素子形成領域、９０−・活性層、　
　１０・・・ンース・ドレイン領域。 １２・・・ゲート絶縁膜、　　１３・・・ゲート電極、
１４・＠＠フィールド領域、１５・・・フィールド絶縁
膜、　　１６８，１６ｄ＠ｓｅソース・ドレイン電極、
　　１７・・−ゲート引き出し電極。 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 少なくとも１種のイオン種を使用してなすイオンビーム
   エツチング法を使用して、基体の一部領域に開口を形成
   し、ひきつづき、少なくとも１種のイオン種を含み前記
   イオンビームと同一の断面を有するイオンビームを使用
   して、前記開口内にイオンビーム堆積をなす工程を少な
   くとも１回含むことを特徴とする、イオンビームを照射
   してなす選択的積層体の形成方法。