JPS5848413A - チップ状コンデンサ−及びその製造方法 - Google Patents
チップ状コンデンサ−及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS5848413A JPS5848413A JP14767681A JP14767681A JPS5848413A JP S5848413 A JPS5848413 A JP S5848413A JP 14767681 A JP14767681 A JP 14767681A JP 14767681 A JP14767681 A JP 14767681A JP S5848413 A JPS5848413 A JP S5848413A
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- JP
- Japan
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- chip
- heat
- aluminum foil
- resistant plastic
- aluminum
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、チップ状コンデンサー及びその製造方法に−
するものである。
するものである。
電気、電子機器の発達はそれらを構成する部品の性能向
上に負うところが大きい。特に、機器の小型化・薄型化
が主流となる現代においては1部品の小型化、高密度実
装化技術の進歩は著じるしいものである。ディスクリー
ト部品のチップ化はこのような流れの中でも極めて重要
なものである。
上に負うところが大きい。特に、機器の小型化・薄型化
が主流となる現代においては1部品の小型化、高密度実
装化技術の進歩は著じるしいものである。ディスクリー
ト部品のチップ化はこのような流れの中でも極めて重要
なものである。
コンデンサー業界に対してもチップ化への要求は強<、
セラミックコンデンサーやタンタルコンデンサー等の分
野においてはチップ化が益々゛進められていくものと思
われる。
セラミックコンデンサーやタンタルコンデンサー等の分
野においてはチップ化が益々゛進められていくものと思
われる。
こうした中にあって、フィルムコンデンサーについては
これまでチップ化への対応は皆無であった。というのは
、現行のフィルムコンデンサーは有機高分子のフィルム
を誘電体とし、これに蒸着もしくは金属箔により対向す
る2つの電極を構成した上でこれを巻取るという構造を
とっていた。
これまでチップ化への対応は皆無であった。というのは
、現行のフィルムコンデンサーは有機高分子のフィルム
を誘電体とし、これに蒸着もしくは金属箔により対向す
る2つの電極を構成した上でこれを巻取るという構造を
とっていた。
このためチップ状コンデレサーに要求される半田耐熱性
試験を行なうと、フィルムが収縮もしくは溶融(極端な
場合は分解)l−てしまう。この結果、電気容量や誘電
正接が大きく変化しだシ、耐電圧が低下したりするなど
、コ、−ンデンサーとして機能しえなくなるという欠点
ヶ、有(ニジていた。
試験を行なうと、フィルムが収縮もしくは溶融(極端な
場合は分解)l−てしまう。この結果、電気容量や誘電
正接が大きく変化しだシ、耐電圧が低下したりするなど
、コ、−ンデンサーとして機能しえなくなるという欠点
ヶ、有(ニジていた。
本発明はこのような問題点を解決したもので、フィルム
コンデンサーの有する優れた電気特性を損なうことなく
半田耐熱性を有するリードレスのコンデンサーを提供す
るものである。
コンデンサーの有する優れた電気特性を損なうことなく
半田耐熱性を有するリードレスのコンデンサーを提供す
るものである。
以下、本発明のチップ状コンデンサー及びその、!造方
竹について、具体的な内容を図面に基づいて説明する。
竹について、具体的な内容を図面に基づいて説明する。
第1図は本発明に係るチップ状コンデンサーの外−を示
す斜視図であり、第、1層図のムー、B面の断面図を第
2図に示しである。
す斜視図であり、第、1層図のムー、B面の断面図を第
2図に示しである。
チップ状コンデンサーの製造に際しては、まず金属箔の
両面へ誘電体層を形成する。この場合の金属箔はできる
だけ薄いことが望ましく、シかも熱的に安定なことが必
要であり、アルミニウム箔が適している。また、誘電体
層についても、)・ンダ耐熱性が必要なことから、熱変
形温度(D648:1B、6にμA M(150’C以
上のプラスチックスが適当である。、具体的にはポリス
ルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンオキシ
ド等°がある。
両面へ誘電体層を形成する。この場合の金属箔はできる
だけ薄いことが望ましく、シかも熱的に安定なことが必
要であり、アルミニウム箔が適している。また、誘電体
層についても、)・ンダ耐熱性が必要なことから、熱変
形温度(D648:1B、6にμA M(150’C以
上のプラスチックスが適当である。、具体的にはポリス
ルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンオキシ
ド等°がある。
この誘電体層はコーティンイによって形成するものであ
るが、誘電体1層の厚さは0.7μm以上必要であり、
これ以下では膜にピンホールが多発し、コンデンサーと
しての耐電圧性能が著じる゛しく低下してしまう。次に
、このようにして両面に誘電体層を形成したアルミニウ
ム箔を例えば6朋角に切り出し、第3図に示すように、
側面をそろえだ状態で1 m1llずつ交互にずらしな
がら必要な枚数だけ積層する。積層した後、加熱下にお
いて上下から圧力を加えて箔相互の密着を強める。この
ときの温度は、プラスチックス層の熱変形温度の前後1
0℃ぐらいの領域゛が適当である。また圧力は、1〜2
o 敗外dが好ましい。温度、圧力とも上記範囲を越
えると素子の耐電圧特性及低下し、範囲に達しないと箔
相互の密着が不充分となる。加圧後の素子には、防湿用
の下塗り剤を含浸鹸化させて外装とする。この外装剤に
ついては、ハンダ耐熱性、含浸性、防湿性という性能を
有することが必要であり、高温硬化型の熱硬化性樹脂、
中でもエポキシ樹脂フェス(無溶剤タイプ)が適当であ
る。樹脂金没後のコンデンサー素子断面を第4図に示す
が、図から理解されるように、アルミニウム箔が交互に
積層された部分にも防湿塗膜が紫全に含浸されているこ
とが必要である。この含浸処理は本発明の中でも重要な
部分であり、次の4らの目的を有している。
るが、誘電体1層の厚さは0.7μm以上必要であり、
これ以下では膜にピンホールが多発し、コンデンサーと
しての耐電圧性能が著じる゛しく低下してしまう。次に
、このようにして両面に誘電体層を形成したアルミニウ
ム箔を例えば6朋角に切り出し、第3図に示すように、
側面をそろえだ状態で1 m1llずつ交互にずらしな
がら必要な枚数だけ積層する。積層した後、加熱下にお
いて上下から圧力を加えて箔相互の密着を強める。この
ときの温度は、プラスチックス層の熱変形温度の前後1
0℃ぐらいの領域゛が適当である。また圧力は、1〜2
o 敗外dが好ましい。温度、圧力とも上記範囲を越
えると素子の耐電圧特性及低下し、範囲に達しないと箔
相互の密着が不充分となる。加圧後の素子には、防湿用
の下塗り剤を含浸鹸化させて外装とする。この外装剤に
ついては、ハンダ耐熱性、含浸性、防湿性という性能を
有することが必要であり、高温硬化型の熱硬化性樹脂、
中でもエポキシ樹脂フェス(無溶剤タイプ)が適当であ
る。樹脂金没後のコンデンサー素子断面を第4図に示す
が、図から理解されるように、アルミニウム箔が交互に
積層された部分にも防湿塗膜が紫全に含浸されているこ
とが必要である。この含浸処理は本発明の中でも重要な
部分であり、次の4らの目的を有している。
■ 金属溶射時に隣接するアルミニウム箔が短絡するこ
とを防止、 ■ 接着効果による素子の機械的強度の向上、■ 防湿
効果、 ■ 電気絶縁効果、 以上の効果を十分に発揮させるためには減圧含浸させる
ことが効果的である。
とを防止、 ■ 接着効果による素子の機械的強度の向上、■ 防湿
効果、 ■ 電気絶縁効果、 以上の効果を十分に発揮させるためには減圧含浸させる
ことが効果的である。
この後、外装の樹脂を加熱硬化させ、第4図のC−C’
、D−D’の部分で両端を切断する。切断後、アルミニ
ウム箔が交互に露出しだ上から金属を溶射して対向する
2つの電極を形成する。以上の工程によシ完成された素
子は第2図に示すような断面構造を有してい乞。
、D−D’の部分で両端を切断する。切断後、アルミニ
ウム箔が交互に露出しだ上から金属を溶射して対向する
2つの電極を形成する。以上の工程によシ完成された素
子は第2図に示すような断面構造を有してい乞。
以下、本発明の実施例について説明する。
(実施例1)
ポリエーテルスルホンの15%−ジメチルボルムアミド
溶液を用いて、9μmのアルミニウム箔上に1μmの膜
を形成した。これを6龍角に切り出し、上述の方法によ
シラ0枚のアルミニウム片度は200℃とした。熱プレ
ス後の裸素子は、アルミニウム片が相互に比較的強く融
着している。
溶液を用いて、9μmのアルミニウム箔上に1μmの膜
を形成した。これを6龍角に切り出し、上述の方法によ
シラ0枚のアルミニウム片度は200℃とした。熱プレ
ス後の裸素子は、アルミニウム片が相互に比較的強く融
着している。
この裸素子をエピコー)−828(シール化学展)10
0grとメチ/l/−CD酸(日本化薬(即製)90g
rおよび、DMP−30(ロームアンドハース社製)2
g「を混合したフェス中に浸漬し、1〜rsmm1(g
rの減圧下において室温雰囲気中でフェスを含浸した。
0grとメチ/l/−CD酸(日本化薬(即製)90g
rおよび、DMP−30(ロームアンドハース社製)2
g「を混合したフェス中に浸漬し、1〜rsmm1(g
rの減圧下において室温雰囲気中でフェスを含浸した。
フェスを十分に含浸後、120℃で1時間前硬化し、さ
らに150℃で1時間後硬化した。
らに150℃で1時間後硬化した。
この時の箔の状態が第4図の断面図に対応する。
この後、第4図に示すG−C’、D−D’の部分まで素
子を切断し、箔を交互論露出させた後、金属溶射により
箔の露出した端面にo、 s mmの厚さにスズ電極を
形成した。このようにして製造した素子は、260℃の
半田槽中に素子全体を10秒間浸漬しても特性上の劣化
は見られなかった。
子を切断し、箔を交互論露出させた後、金属溶射により
箔の露出した端面にo、 s mmの厚さにスズ電極を
形成した。このようにして製造した素子は、260℃の
半田槽中に素子全体を10秒間浸漬しても特性上の劣化
は見られなかった。
(実施例2)
9μmのアルミニウム箔上に、1μmのポリスルホンを
コーティングして実施例1と同様に51111−10
TV′ci、である。絶縁塗料の含浸以降の工程は実施
例1と同様にした。このようにして得た素子についても
上述の半田耐熱試験における特性劣化は認められなかっ
た。
コーティングして実施例1と同様に51111−10
TV′ci、である。絶縁塗料の含浸以降の工程は実施
例1と同様にした。このようにして得た素子についても
上述の半田耐熱試験における特性劣化は認められなかっ
た。
(実施例3)
9μmのアルミニウム箔上に、1μmのポリフェニレン
オキシドをコーティングして、sgi角の切片を同じく
16層積層した。条件は、1了0°C2”t/c4であ
った。絶縁塗料含浸以降は実施例1と同じ工法・材料を
用いた。このようにして得た素子についても半田耐熱試
験での特性劣化は認められなかった。
オキシドをコーティングして、sgi角の切片を同じく
16層積層した。条件は、1了0°C2”t/c4であ
った。絶縁塗料含浸以降は実施例1と同じ工法・材料を
用いた。このようにして得た素子についても半田耐熱試
験での特性劣化は認められなかった。
次表には、以上の各実施例で得られた素子の諸特性を示
す。また次表には、参考として同程度の容量を有する市
販のポリエステルフィルムコンデンサーの特坤を併せ巧
示した!この市販”7デ′サーは半田耐熱試験−で大巾
な容量減少と、誘電正接の増加を示した。
す。また次表には、参考として同程度の容量を有する市
販のポリエステルフィルムコンデンサーの特坤を併せ巧
示した!この市販”7デ′サーは半田耐熱試験−で大巾
な容量減少と、誘電正接の増加を示した。
本発明に係るチップ状コンデンサーは、優れた電気特性
を有し、しかも十分なノ・ンダ耐熱性を有するなど、従
来の市販品に対して大きな優位性を持つものであり、そ
の工業上の価値は多大である。
を有し、しかも十分なノ・ンダ耐熱性を有するなど、従
来の市販品に対して大きな優位性を持つものであり、そ
の工業上の価値は多大である。
第1図は本発明に係るチップ状コンデンサーの外観を示
す斜視図、第2図は第1図のムーB面の断面図、第3図
および第4図は本発明の製造方法における各製造工程を
説明するだめの断面図である。 1・・・・・・アルミニウム箔、2・・・・・・プラス
チックス層、3・・・・・・熱硬化性樹脂、4・・・・
・・金属電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 4 ゛第2図 第3図 第4図
す斜視図、第2図は第1図のムーB面の断面図、第3図
および第4図は本発明の製造方法における各製造工程を
説明するだめの断面図である。 1・・・・・・アルミニウム箔、2・・・・・・プラス
チックス層、3・・・・・・熱硬化性樹脂、4・・・・
・・金属電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 4 ゛第2図 第3図 第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)両面に耐熱性プラスチック層を形成した多数枚の
アルミニュム箔を、逆方向に交互にずらせて積層し、こ
の積層体の外周面のうち、前記交互にずらせたアルミニ
ュム箔の外部に突出した部分の端面を除いて熱硬化性樹
脂で被覆し、かつ、前記外部に突出したアルミニウム箔
の端面に電極となる溶融金属層を設けたことを特徴とす
るチップ状コンデンサー。 (2、特許請求の範囲第(1)項の記載において、耐熱
性プラスチックスとして熱変形温度が160℃以上の熱
可塑性プラスチックスを用いたことを特徴とするチップ
状コンデンサー。 [31特許請求の範囲第(2)項の記載におい電、耐熱
性プラスチックスとして、ポリスルホン、ポリエーテル
スルホン、4t、<ハホlJフェニレンオキシドを用い
たことを特徴とするチップ状コンデンサー。 (4)両面に耐熱性プラスチックスによる誘電体層が設
けられ、かつ、定寸に裁断された多数枚のアルミニウム
箔を、逆方向に交互にずらせて積層し、これを加熱下に
おいて圧力を加えて積層体となし、この積層体を液状の
熱硬化性樹脂に浸漬して外装を形成し、この後、前記交
互にずらせたアルミニウム箔の外部に突出した部分の端
面の熱硬化性樹脂を除去して前記アルミニウム箔を露出
させ、この露出した部分に金属を溶射して電極を形成す
ることを特徴とするチップ状コンデンサーの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14767681A JPS5848413A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | チップ状コンデンサ−及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14767681A JPS5848413A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | チップ状コンデンサ−及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5848413A true JPS5848413A (ja) | 1983-03-22 |
JPS6356694B2 JPS6356694B2 (ja) | 1988-11-09 |
Family
ID=15435754
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14767681A Granted JPS5848413A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | チップ状コンデンサ−及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5848413A (ja) |
-
1981
- 1981-09-17 JP JP14767681A patent/JPS5848413A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6356694B2 (ja) | 1988-11-09 |
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