JPS5843532A - プロ−バ装置 - Google Patents
プロ−バ装置Info
- Publication number
- JPS5843532A JPS5843532A JP14033281A JP14033281A JPS5843532A JP S5843532 A JPS5843532 A JP S5843532A JP 14033281 A JP14033281 A JP 14033281A JP 14033281 A JP14033281 A JP 14033281A JP S5843532 A JPS5843532 A JP S5843532A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- probe
- fixed card
- probes
- stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体ウェハ上に形成されたダイシング前の
半導体べレットの真否判別を行なうプローバｆｉｌｌＫ
ｌｌＩする。
半導体べレットの真否判別を行なうプローバｆｉｌｌＫ
ｌｌＩする。
一般に、半導体ベレットの真否判別を行なうプ調−バ装
置には、咳半導体ベレットの電極に対応する探針な有す
る纂１図に示すような固定カード１が装着されている。
置には、咳半導体ベレットの電極に対応する探針な有す
る纂１図に示すような固定カード１が装着されている。
崩シテ、上記プローパ１ｉｋｉｌｌｌでは、半導体ペレ
ット（図示せず）の電極に固定カード１の探針２を轟４
１１させ、４Ｉ性データブ■ダツムを奥行し、七゛れに
よつ上半導体ペレットの良否判別を行な□うが、検査す
る半導体ベレットの電極の配置、又、そ□の個数４ｈ−
一であることから、−針スが半導体ベレットの電極Ｋａ
ｌｌｉ＋接したと趣、＠探針宜に加わるストレスにバラ
ツキを生じて探針２：藺の相対的□位置が変化した。す
する。したがって、電極への探針め□食い沁み量にバラ
ツキを生じた如、１＆、電＠＾歯接されなりｈＩＩ針が
できるなど、半導体ペレットの正確な真否判別が困難と
なる。★た、ストレスの集中によりｉｌＡ針の寿命を著
しく低減させると伝う難点もある。
ット（図示せず）の電極に固定カード１の探針２を轟４
１１させ、４Ｉ性データブ■ダツムを奥行し、七゛れに
よつ上半導体ペレットの良否判別を行な□うが、検査す
る半導体ベレットの電極の配置、又、そ□の個数４ｈ−
一であることから、−針スが半導体ベレットの電極Ｋａ
ｌｌｉ＋接したと趣、＠探針宜に加わるストレスにバラ
ツキを生じて探針２：藺の相対的□位置が変化した。す
する。したがって、電極への探針め□食い沁み量にバラ
ツキを生じた如、１＆、電＠＾歯接されなりｈＩＩ針が
できるなど、半導体ペレットの正確な真否判別が困難と
なる。★た、ストレスの集中によりｉｌＡ針の寿命を著
しく低減させると伝う難点もある。
本発明はかかる一点を解消する九−一された−ので、同
定カードに設けられ庭探針を、１半導体み工・・上に形
成され是半導体ペレットの電極Ｋ１１ｌさせ、該半導体
ペレットの特性を検査するシローバ装置におｉて、前記
固定カードは前記探針の他に前記半導体クエへのダイシ
ングラインＫｉＷ！する支持針を有することを４１黴と
するプローパ装置を提供するものである。
定カードに設けられ庭探針を、１半導体み工・・上に形
成され是半導体ペレットの電極Ｋ１１ｌさせ、該半導体
ペレットの特性を検査するシローバ装置におｉて、前記
固定カードは前記探針の他に前記半導体クエへのダイシ
ングラインＫｉＷ！する支持針を有することを４１黴と
するプローパ装置を提供するものである。
以下、本発明の詳細を図面に示す実施例に基づに２図（
Ａ）は、半導体ウェハ３上に形成されたダイシング前の
半導体ベレット４（纂３図）の要否―別を行なうプμｍ
パ装置における固定カード５およびステージ６を示して
いる。
Ａ）は、半導体ウェハ３上に形成されたダイシング前の
半導体ベレット４（纂３図）の要否―別を行なうプμｍ
パ装置における固定カード５およびステージ６を示して
いる。
第２図（Ｂ）は、固定カード５の底面図でＴｏシ、該一
定カード５は中央に透孔１を有する円形基板８に、検査
する半導体ベレット４の電［ｃ４ｍ（嬉３図）のａ＃／
ｃ対応すｈＩｌ針８を設け、探針Ｓの外方に、該探針−
に接続する配１ｉｔｕをプリントし、さらにこの配線１
０を円形基板ａに恢通するビン１１ （８２図（ム）
）に接続した構造となっている。
定カード５は中央に透孔１を有する円形基板８に、検査
する半導体ベレット４の電［ｃ４ｍ（嬉３図）のａ＃／
ｃ対応すｈＩｌ針８を設け、探針Ｓの外方に、該探針−
に接続する配１ｉｔｕをプリントし、さらにこの配線１
０を円形基板ａに恢通するビン１１ （８２図（ム）
）に接続した構造となっている。
また、この一定カードＳは、探＊Ｓの電極“・接触時に
探針９にかかるストレスを分散させるための支持針１２
を有する（纂２ ｔｌｉＱ （Ｃ） 、）。この支持針
１２は、探針Ｓの電＆接触時に半一１１：：椰りエハ３
のダイシンクラインＩＳＫ当接するようになし【いる。
探針９にかかるストレスを分散させるための支持針１２
を有する（纂２ ｔｌｉＱ （Ｃ） 、）。この支持針
１２は、探針Ｓの電＆接触時に半一１１：：椰りエハ３
のダイシンクラインＩＳＫ当接するようになし【いる。
その理由は、支持針１２による半導体ベレット４の損傷
を防止する丸めである。なお、第２図ＣＢ）Ｋ＞いて、
１４ｍ、１４ｂは、探針ｓｏｍｍａ触時、 Ｋ探針９お
よび支持針１２を支持すゐ樹脂場を示す。
を防止する丸めである。なお、第２図ＣＢ）Ｋ＞いて、
１４ｍ、１４ｂは、探針ｓｏｍｍａ触時、 Ｋ探針９お
よび支持針１２を支持すゐ樹脂場を示す。
また、ステージ６は半導体ウェハ３を保持するもので、
水平移動および上下動が可能となるよう構成されている
。
水平移動および上下動が可能となるよう構成されている
。
続いて、かかるプローパ装置を用−ての半導体ベレット
の良否判別方法について説明する。
の良否判別方法について説明する。
先ず、ステージ６上に半導体つ子ハ３を保持させる。続
いて、図示しない駆動手段によってステージ６を水平移
動させ、半導体ウェハ３上に形成された半導体ペレット
４の電−４ａｔ固定力、−ド５の探針Ｓの下方に位置さ
せる。続いて、今度は。
いて、図示しない駆動手段によってステージ６を水平移
動させ、半導体ウェハ３上に形成された半導体ペレット
４の電−４ａｔ固定力、−ド５の探針Ｓの下方に位置さ
せる。続いて、今度は。
ステージ６を上昇させ、半導・体ペレッ）４（りを極４
ａ ｉｔ妹探針Ｋべ接させる。このとき、固定カード６
の支持針１２４．・、１は半導体ウェハ４９ダイシング
ライン１３に当接４．れる。而して 特性データプログ
ラムに従って検査を実行し、それによって半導体ペレッ
ト４の良否判別を行なう。
ａ ｉｔ妹探針Ｋべ接させる。このとき、固定カード６
の支持針１２４．・、１は半導体ウェハ４９ダイシング
ライン１３に当接４．れる。而して 特性データプログ
ラムに従って検査を実行し、それによって半導体ペレッ
ト４の良否判別を行なう。
上記のように実施例のプローパ装置は構成これて−るが
、本郷明の探針の形状は上１に＠定され。
、本郷明の探針の形状は上１に＠定され。
る−のではなく１．１３ＷＫ示すように幅広の″ｉ待針
１２ｍを用い′Ｃも良い。
１２ｍを用い′Ｃも良い。
以上の一実施例からも明らかなように、本讐明によれば
、−足カードに探針の他にダイシングライン、Ｋ当接す
る支−針を設けて−るので、探針に加わるストレースは
一様とな少、半導体ベレットの正確な良否刊堺が可能と
なると共に探針Ｏ轡曾も長くなるという利点がめるー
。
、−足カードに探針の他にダイシングライン、Ｋ当接す
る支−針を設けて−るので、探針に加わるストレースは
一様とな少、半導体ベレットの正確な良否刊堺が可能と
なると共に探針Ｏ轡曾も長くなるという利点がめるー
。
第１図は、従来ｏＩｉｉ定カードのＷＩＬ−図、ＩＩ！
２１ｍ （Ａ）〜ＣＣ）は本発明の詳細な説明岬、１
１３図は実施例の使用状態の説明図、３・・・・・・半
導体ウェハ。 ４・・・・・・半纏体ペレット ４ａ・・・電極 、５・・・・・・固定カード 、９・・・
・・・探針 １２・・・支持針 １ｓ・・・ダイシンダライ／。 （７３１７）代理人 弁理士 負軸 近 諺 佑１
． −、、、（はか１名） 。 ＪＬ ｌ 図 （βン
（Ｃ）弗３ ＠ Ｊ￥７４ 図
２１ｍ （Ａ）〜ＣＣ）は本発明の詳細な説明岬、１
１３図は実施例の使用状態の説明図、３・・・・・・半
導体ウェハ。 ４・・・・・・半纏体ペレット ４ａ・・・電極 、５・・・・・・固定カード 、９・・・
・・・探針 １２・・・支持針 １ｓ・・・ダイシンダライ／。 （７３１７）代理人 弁理士 負軸 近 諺 佑１
． −、、、（はか１名） 。 ＪＬ ｌ 図 （βン
（Ｃ）弗３ ＠ Ｊ￥７４ 図
Claims (1)
- 固定カードに設けられた探針を、牛導体りエ・・上に形
成さ、れた半導体ぺ、レットの％＠ｗｃ尚接させ、該半
導体ペレットの特性を検査するプローバ装置において、
前記固定カードは前記探針の＠に前記半尋体りエハのダ
イシングラインに！！＆接する支持針を有することを特
徴とするプμｍバ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14033281A JPS5843532A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | プロ−バ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14033281A JPS5843532A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | プロ−バ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5843532A true JPS5843532A (ja) | 1983-03-14 |
Family
ID=15266356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14033281A Pending JPS5843532A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | プロ−バ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5843532A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6040433A (ja) * | 1983-08-15 | 1985-03-02 | Kajima Corp | 地下構造物の地中埋設工法 |
| JPS6175122A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-17 | Kazunari Kitabayashi | 構築物基礎工法に於けるケ−ソン沈下法 |
| JPS61155519A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-15 | Aoki Kensetsu:Kk | ケ−ソンの沈設工法 |
| JPS61221420A (ja) * | 1985-03-25 | 1986-10-01 | Takenaka Komuten Co Ltd | 地下構造の施工方法 |
| JPS62101718A (ja) * | 1985-10-30 | 1987-05-12 | Oomotogumi:Kk | 硬土地盤またはこれに類似の地盤に適するケ−ソン沈設工法 |
| JPS62228530A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-07 | Kajima Corp | 構造物の沈設方法 |
| JPS62288218A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-15 | Daiho Constr Co Ltd | ケ−ソンの沈設方法 |
| JP2006114812A (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体デバイスの特性測定方法および測定装置 |
| JP2008008730A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Micronics Japan Co Ltd | プローブ組立体 |
-
1981
- 1981-09-08 JP JP14033281A patent/JPS5843532A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6040433A (ja) * | 1983-08-15 | 1985-03-02 | Kajima Corp | 地下構造物の地中埋設工法 |
| JPS6175122A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-17 | Kazunari Kitabayashi | 構築物基礎工法に於けるケ−ソン沈下法 |
| JPS61155519A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-15 | Aoki Kensetsu:Kk | ケ−ソンの沈設工法 |
| JPS61221420A (ja) * | 1985-03-25 | 1986-10-01 | Takenaka Komuten Co Ltd | 地下構造の施工方法 |
| JPS62101718A (ja) * | 1985-10-30 | 1987-05-12 | Oomotogumi:Kk | 硬土地盤またはこれに類似の地盤に適するケ−ソン沈設工法 |
| JPS62228530A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-07 | Kajima Corp | 構造物の沈設方法 |
| JPS62288218A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-15 | Daiho Constr Co Ltd | ケ−ソンの沈設方法 |
| JP2006114812A (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体デバイスの特性測定方法および測定装置 |
| JP4615283B2 (ja) * | 2004-10-18 | 2011-01-19 | 三菱電機株式会社 | 半導体デバイスの特性測定方法 |
| JP2008008730A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Micronics Japan Co Ltd | プローブ組立体 |
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