JPS5843014A - 電源装置 - Google Patents
電源装置Info
- Publication number
- JPS5843014A JPS5843014A JP14125281A JP14125281A JPS5843014A JP S5843014 A JPS5843014 A JP S5843014A JP 14125281 A JP14125281 A JP 14125281A JP 14125281 A JP14125281 A JP 14125281A JP S5843014 A JPS5843014 A JP S5843014A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- base
- diode
- current
- power supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
- G05F1/565—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor
- G05F1/569—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for protection
- G05F1/571—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for protection with overvoltage detector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レーザーダイオードやＩｎＳｂホール素子な
ど１、過電圧によって破壊され易い半導体のだめの電源
装置に関し、きわめて簡単な構成で、しかもモノリシッ
クＩＣ化に適した回路構成を提供するものである。
ど１、過電圧によって破壊され易い半導体のだめの電源
装置に関し、きわめて簡単な構成で、しかもモノリシッ
クＩＣ化に適した回路構成を提供するものである。
従来、例えばＩｎＳｂホール素子をロータの回転位置検
出素子として用いるブラシレスモータの駆動回路などに
おいては、前記ホール素子に定電圧を印加して使用した
方が周囲温度の変化に対して好ましい出力特性が得られ
るため、前記駆動回路を構成するモノリシックＩＣの内
部に第１図の破線部で示す様な簡単な電源回路が構成さ
れていた。
出素子として用いるブラシレスモータの駆動回路などに
おいては、前記ホール素子に定電圧を印加して使用した
方が周囲温度の変化に対して好ましい出力特性が得られ
るため、前記駆動回路を構成するモノリシックＩＣの内
部に第１図の破線部で示す様な簡単な電源回路が構成さ
れていた。
第１図において、１はホール素子であり、２は回路全体
のバイアス電流であり、３は前ｄ己ホール素子１に印加
する電圧を決定するための安定化された電源であり、も
ともと前記電源２が安定化されておれば前記電源２と前
記電源３は共用されるが、前記電源２が安定化されてい
ない場合には専用の外部電源が用いられたり、ＩＣ１ｏ
ｏＡの内部で作られたりする。
のバイアス電流であり、３は前ｄ己ホール素子１に印加
する電圧を決定するための安定化された電源であり、も
ともと前記電源２が安定化されておれば前記電源２と前
記電源３は共用されるが、前記電源２が安定化されてい
ない場合には専用の外部電源が用いられたり、ＩＣ１ｏ
ｏＡの内部で作られたりする。
前記電源３の出力電圧は抵抗４と抵抗６によって分割さ
れ、一方、ＩＣ１ｏｏＡの内部のトランジスタ６のベー
ス・エミッタ間電圧とダイオード７の順方向電圧が相殺
し合うので、出力端子すには入力端子Ｃと同じ電圧が現
われる。
れ、一方、ＩＣ１ｏｏＡの内部のトランジスタ６のベー
ス・エミッタ間電圧とダイオード７の順方向電圧が相殺
し合うので、出力端子すには入力端子Ｃと同じ電圧が現
われる。
この種の電源回路に誤差増幅器を備えた帰還型の定電圧
回路が用いられない理由は２つある。
回路が用いられない理由は２つある。
まず第１に、帰還型の定電圧回路は素子数が多くなり、
ＩＣのチップサイズの増大を招くという不都合のためで
あり、第２には、帰還型の定電圧（ロ）路は高周波発振
を起こし易く、それを防止するためのコンデンサが必要
になるためである。
ＩＣのチップサイズの増大を招くという不都合のためで
あり、第２には、帰還型の定電圧（ロ）路は高周波発振
を起こし易く、それを防止するためのコンデンサが必要
になるためである。
ところで第１図の回路において、工場において抵抗４あ
るいは抵抗６として抵抗値の違うものが収り付けられた
り、あるいは抵抗５の挿入洩れなどがあったりすると、
沓、ニル素子１には予期せぬ電圧が印加されること／ヒ
なり、過大電圧が印加されて前記ホール素子が破壊され
てしまうという問題があった。
るいは抵抗６として抵抗値の違うものが収り付けられた
り、あるいは抵抗５の挿入洩れなどがあったりすると、
沓、ニル素子１には予期せぬ電圧が印加されること／ヒ
なり、過大電圧が印加されて前記ホール素子が破壊され
てしまうという問題があった。
に負荷を過電圧の印加から保護する保護機能をもたせる
ことによシ、上述の様な問題を解消するも内部にはコレ
クタ側から電流制限用抵抗９を介して受電し、エミッタ
側からホール素子１に給電するＮＰＮトランジスタ６０
と、該ＮＰＮ ）ランジスタロｏのベースにバイアス電
流を供給するだめの電流供給回路８ｏと、前記電流供給
回路８ｏから前記ＮＰＮ）ランジスタロ０のベースに至
る線路、具体的には最大出力電圧調節のだめのダイオ−
）”１ ｏ ト前記Ｎ、Ｐ Ｎ ）ランジスタロｏのベ
ースの接続点にエミッタが接続され、コレクタがマイナ
ス側給電線路ｄに接続されたＰＮＰ トランジスタ７０
（前記Ｎｉ、、Ｐ Ｎ ）ランジスタロ０と同様にダー
リントン接続されている。）と、前記電流供給回路８ｏ
−から前ｍ１ＮＰＮ）ランジスタのベースに至る線路、
具体的には前記ダイオード１ｏのアノード側とマイナス
側給電線路ｄの間に接続された定電圧ダイオード１１を
含めて構成されている。
ことによシ、上述の様な問題を解消するも内部にはコレ
クタ側から電流制限用抵抗９を介して受電し、エミッタ
側からホール素子１に給電するＮＰＮトランジスタ６０
と、該ＮＰＮ ）ランジスタロｏのベースにバイアス電
流を供給するだめの電流供給回路８ｏと、前記電流供給
回路８ｏから前記ＮＰＮ）ランジスタロ０のベースに至
る線路、具体的には最大出力電圧調節のだめのダイオ−
）”１ ｏ ト前記Ｎ、Ｐ Ｎ ）ランジスタロｏのベ
ースの接続点にエミッタが接続され、コレクタがマイナ
ス側給電線路ｄに接続されたＰＮＰ トランジスタ７０
（前記Ｎｉ、、Ｐ Ｎ ）ランジスタロ０と同様にダー
リントン接続されている。）と、前記電流供給回路８ｏ
−から前ｍ１ＮＰＮ）ランジスタのベースに至る線路、
具体的には前記ダイオード１ｏのアノード側とマイナス
側給電線路ｄの間に接続された定電圧ダイオード１１を
含めて構成されている。
また、定電圧電源３の出力電圧は抵抗４と抵抗６に−よ
って構成された電圧分割回路９ｏによって分圧され、さ
らに入力端子Ｃを介して前記ＰＮＰトランジスタ７０の
ベースに印加されている。
って構成された電圧分割回路９ｏによって分圧され、さ
らに入力端子Ｃを介して前記ＰＮＰトランジスタ７０の
ベースに印加されている。
第２図の構成において、出力端子すには２．６ｖ程度の
出力電圧が現われる様に抵抗４と抵抗６の抵抗比が決定
され、定電圧ダイオード１１ＦＣは６ｖ前後の降伏電圧
を有するものが用いられる。
出力電圧が現われる様に抵抗４と抵抗６の抵抗比が決定
され、定電圧ダイオード１１ＦＣは６ｖ前後の降伏電圧
を有するものが用いられる。
この状態において、前記抵抗４，６に正規の抵抗値のも
のが用いられたときには、出力電圧はもちろん２．６ｖ
であり、また、トランジスタのベース・エミッタ間電圧
、ダイオードの順方向電圧はいずれも約０．７Ｖである
ので、ダイオード１ｏのアノード側の電位は４．６■に
なり、定電圧ダイオード１１には電流が流れず、したが
って前記定電圧ダイオードを付加したことによる電力損
失は生じない。
のが用いられたときには、出力電圧はもちろん２．６ｖ
であり、また、トランジスタのベース・エミッタ間電圧
、ダイオードの順方向電圧はいずれも約０．７Ｖである
ので、ダイオード１ｏのアノード側の電位は４．６■に
なり、定電圧ダイオード１１には電流が流れず、したが
って前記定電圧ダイオードを付加したことによる電力損
失は生じない。
一方、抵抗５が続線したとすると、前記定電圧ダイオー
ド１１には電流が流れ、ダイオード１゜のアノード側の
電位は前記定電圧ダイオードによって６ｖ前後にクラン
プされる。。
ド１１には電流が流れ、ダイオード１゜のアノード側の
電位は前記定電圧ダイオードによって６ｖ前後にクラン
プされる。。
このとき、出力端子すに現われる電圧は４ｖ前後となり
、定常時の２倍以下の値である。
、定常時の２倍以下の値である。
ＩｎＳｂホール素子では定格の２倍以下の電圧ではよほ
ど長期にわたって使用しない限り破壊することはない。
ど長期にわたって使用しない限り破壊することはない。
したがって第２図の回路は負荷への過電圧印加に対する
保護機能を備えていることになり、しかも、保護機能を
もたせたことによる電流消費の増大は皆無である。
保護機能を備えていることになり、しかも、保護機能を
もたせたことによる電流消費の増大は皆無である。
なお、負荷として接続される半導体素子はＩｎＳｂホー
ル素子に限定される訳ではなく、同様の保護を必要とす
るレーザダイオードや他の半導体素子であっても良い。
ル素子に限定される訳ではなく、同様の保護を必要とす
るレーザダイオードや他の半導体素子であっても良い。
また、第２図において、電流供給回路８ｏは抵抗などの
他の電流供給手段であっても良いし、ＮＰＮ）ランジス
タロ０ 、ＰＮＰ ）ランジスタフ。
他の電流供給手段であっても良いし、ＮＰＮ）ランジス
タロ０ 、ＰＮＰ ）ランジスタフ。
は必らずしもダーリントン接続される必要はなく、最大
出力電圧がさらに高くても良い場合にはダイオード１０
を省くことも出来る。
出力電圧がさらに高くても良い場合にはダイオード１０
を省くことも出来る。
以上の様に本発明の電源装置は、コレクタ側から受車し
てエミッタ側から負荷に給電するＮＰＮトランジスタ６
０と、該ＮＰＮ ）ランジスタのベースにバイアス電流
を供給する電流供給手段（電流供給回路８０に相当）と
、前記電流供給手段から前記ＮＰＮ）ランジスタのベー
スに至る線路上に工ばツタが接続され、コレクタがマイ
ナス側給電線路に接続されたＰＮＰ ）ランジスタフｏ
と、定電位点の電圧（安定化された電圧）を分圧して前
記ＰＮＰ ）ランジスタのベースに印加する電圧分割手
段（電圧分割回路９０に相当）と、前記電流供給手段か
ら前記ＮＰＮ）ランジスタのベースに至る線路とマイナ
ス側給電線路の間に接続された定電圧ダイオード１１を
備え、前記電圧分割手段の分割比が誤まって設定された
ときには出力電圧が前記定電圧ダイオードでクランプさ
れて負荷に過電圧が供給されない様に構成するとともに
、正常動作時には前記定電圧ダイオードに電流が流れな
１い様に前記分割比を設定したことを特徴とすしかも消
費電流を増大させることなく・過電圧に対する保護機能
をもたせることが出来るなど、大なる効果を奏する。
てエミッタ側から負荷に給電するＮＰＮトランジスタ６
０と、該ＮＰＮ ）ランジスタのベースにバイアス電流
を供給する電流供給手段（電流供給回路８０に相当）と
、前記電流供給手段から前記ＮＰＮ）ランジスタのベー
スに至る線路上に工ばツタが接続され、コレクタがマイ
ナス側給電線路に接続されたＰＮＰ ）ランジスタフｏ
と、定電位点の電圧（安定化された電圧）を分圧して前
記ＰＮＰ ）ランジスタのベースに印加する電圧分割手
段（電圧分割回路９０に相当）と、前記電流供給手段か
ら前記ＮＰＮ）ランジスタのベースに至る線路とマイナ
ス側給電線路の間に接続された定電圧ダイオード１１を
備え、前記電圧分割手段の分割比が誤まって設定された
ときには出力電圧が前記定電圧ダイオードでクランプさ
れて負荷に過電圧が供給されない様に構成するとともに
、正常動作時には前記定電圧ダイオードに電流が流れな
１い様に前記分割比を設定したことを特徴とすしかも消
費電流を増大させることなく・過電圧に対する保護機能
をもたせることが出来るなど、大なる効果を奏する。
第゛１図は従来例を示す回路結線路、第２図は本発明の
一実施例を示す回路結線図である。 １・・・・・・ホール素子（負荷）、２，３・・・・・
・電源、１１・・・・・・定電圧ダイオード、６０・・
・・・・ＮＰＮ）ランジスタ、７０．．．．．．ＰＮＰ
トランジスタ、ｓ ｏ 、、０．、、電流供給回路、
９０ 、、、、、、電圧分割回路、１００Ｂ、−、、、
、ＩＣ８
一実施例を示す回路結線図である。 １・・・・・・ホール素子（負荷）、２，３・・・・・
・電源、１１・・・・・・定電圧ダイオード、６０・・
・・・・ＮＰＮ）ランジスタ、７０．．．．．．ＰＮＰ
トランジスタ、ｓ ｏ 、、０．、、電流供給回路、
９０ 、、、、、、電圧分割回路、１００Ｂ、−、、、
、ＩＣ８
Claims (1)
- コレクタ側から受電してエミッタ側から負荷に給電する
ＮＰＮトラ、ンジスタと、該ＮＰＮ）ランジスタのベー
スにバイアス電流を供給する電流供給手段と、前記電流
供給手段から前記ＮＰＮ ） ７ンジスタのベースに至
る線路にエミッタが接続されたＰＮＰ ）ランジスタと
、定電位点の電圧を分圧して前記ＰＮＰトランジスタの
ベースに印加する電圧分割手段と、前記電流供給手段か
ら前記ＮＰＮ）＞ンジスタのベースに至る線路とマイナ
ス側給電線路の間に接続された定電圧ダイオードを備え
、前記電圧分割手段の分割比が誤まって設定さ九たとき
には出力電圧が前記定電圧ダイオードでクラ°ンブされ
て負荷に過電圧が供給されない様に構成するとともに、
正常動作時には前記定電圧ダイオードに電流が流れない
様に前記電圧分割手段の分割比を設定したことを特徴と
する電源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14125281A JPS5843014A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14125281A JPS5843014A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 電源装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5843014A true JPS5843014A (ja) | 1983-03-12 |
| JPH0150925B2 JPH0150925B2 (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=15287597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14125281A Granted JPS5843014A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 電源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5843014A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6335118U (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-07 | ||
| JPH01177716A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-14 | Nec Corp | 出力回路 |
| JPH0420426U (ja) * | 1990-06-13 | 1992-02-20 |
-
1981
- 1981-09-07 JP JP14125281A patent/JPS5843014A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6335118U (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-07 | ||
| JPH01177716A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-14 | Nec Corp | 出力回路 |
| JPH0420426U (ja) * | 1990-06-13 | 1992-02-20 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0150925B2 (ja) | 1989-11-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3065605B2 (ja) | 直流安定化電源装置 | |
| US4008418A (en) | High voltage transient protection circuit for voltage regulators | |
| US4237414A (en) | High impedance output current source | |
| JPS59108122A (ja) | 定電流発生回路 | |
| US4063147A (en) | Stabilized power supply circuit | |
| US4870533A (en) | Transistor protection circuit | |
| JPS61110218A (ja) | 電圧安定化装置 | |
| JPH0121703B2 (ja) | ||
| JPS5843014A (ja) | 電源装置 | |
| JP2542623B2 (ja) | カレントミラ−回路 | |
| US4381484A (en) | Transistor current source | |
| JPH0158684B2 (ja) | ||
| JP2721100B2 (ja) | 電流制限装置 | |
| JPH0413692Y2 (ja) | ||
| US4010403A (en) | Radiation protected solid state voltage regulating apparatus | |
| JPS5834495Y2 (ja) | 直流安定化電源の過電流保護回路 | |
| JP2647725B2 (ja) | 電圧比較器 | |
| JP2829773B2 (ja) | コンパレータ回路 | |
| JPH0643951A (ja) | 電流制限回路 | |
| JPS6145625Y2 (ja) | ||
| JP2593523Y2 (ja) | 帰還形定電流源回路 | |
| JPH02281309A (ja) | ドロッパ型定電圧回路 | |
| JP3512935B2 (ja) | 直流安定化電源回路 | |
| JPH0571968B2 (ja) | ||
| JP3074036B2 (ja) | 定電圧回路 |