JPS5831565A - リ−ドフレ−ム - Google Patents

リ−ドフレ−ム

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Publication number
JPS5831565A
JPS5831565A JP12915981A JP12915981A JPS5831565A JP S5831565 A JPS5831565 A JP S5831565A JP 12915981 A JP12915981 A JP 12915981A JP 12915981 A JP12915981 A JP 12915981A JP S5831565 A JPS5831565 A JP S5831565A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
broken line
thickness
package
thick
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12915981A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuharu Kato
光治 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
NipponDenso Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NipponDenso Co Ltd filed Critical NipponDenso Co Ltd
Priority to JP12915981A priority Critical patent/JPS5831565A/ja
Publication of JPS5831565A publication Critical patent/JPS5831565A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548Cross section geometry
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は集積回路用プラスチックパッケージ等に用いる
リードフレームに関する発明であり、リードフレームの
板厚を部分的に厚くして熱伝導率を良くする事によりパ
ッケージの熱抵抗を低下するようにしたものである。
従来からデュアルインライン型プラスチックパッケージ
は、板厚が0.25鶴であり、第1図のようなリードフ
レームlに半導体チップ2を乗せてワイアボンデングし
た後、4の破線領域をプラスチックモールドして、第2
図の構造と”している。
ここで、第1図(a)はリードフレームの平面図、(1
) (b)はA−A断面図であり、第2図は、リードフレー
ムlをグラスチックモールドしたもののA−A断面図で
ある。第1図に於て、3はタイバーと呼ばれる部分であ
り、各々リードを結合している部分であり、グラスチッ
クモールド後に切断して各々リードが電気的に分離され
る。第2図の5はプラスチック部である。なお、リード
フレームの厚さはリードの先端をプリント板に開けられ
た約0.8日直径の穴に入れる関係で0.25mmが一
般的である。
しかしながら、上記のような従来のものは板厚が0.2
5mと薄い為に熱伝導率が低く、第2図の構造のプラス
チックパッケージの熱抵抗は大きな値となっている。
本発明は、パッケージの外部すなわちプリント板の穴に
入れる必要のある部分のリードフレーム板厚は例えば0
.25mとする事により、プラスチックパッケージの使
い昌さを従来品と同様にしつつ、パッケージの内部又は
、プリント板の穴に入れる必要のない部分のリードフレ
ーム板厚を0.2(2) 5fi以上例えば0.41mとする事により、熱伝導率
を良くして、パッケージの熱抵抗を低下させる事を目的
としている。
第3図に本発明の実施例を示す。(a)においてリード
フレーム11は、破線14の外側が板厚0.25mと薄
く、破線14の内側が板厚0.41鶴と厚い、また、破
線16の内側は板厚0.25fiと薄くなっている。半
導体チップ12が、破線16の内側にマウントされワイ
アボンデングによって各々のリードとの電気的接続がさ
れている。第3図(b)は(a)のA−A断面の図であ
りリードフレームの厚さが破線部14の内外で冥ってい
る事、及びチップ12がマウントされている状態を示し
ている。また第4図は第3図(b)と同じA−A断面で
あり、プラスチック15によりチップ12がモールドさ
れている状態を示している。
第4図に於て、半導体チップ12が電気的動作状態で発
熱しているとき、熱はリードフレーム11を通って分散
してプラスチックパッケージを介して外界へ逃げたり、
リードフレーム11を通って(3) リードフレームが#統されているプリント板へ逃げてゆ
く。第4図に於ける構造では、第2図の周知の構造と比
べてリードフレームの板厚が厚い為、熱伝導度を良くす
ることができる。
以上述べたように本発明は、集積回路用パッケージの外
部でプリント板の穴に入れるリードフレームのリード部
の厚さを従来品のリードフレーム板厚の寸法とすること
により、本発明の構造によるパッケージの取り扱いa8
は、従来品と同様のままであり、特にパンケージの内部
でリードフレームの板厚を厚くする事により、半導体チ
ップ上で発生する熱の伝導度を良(することができると
いう優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
111図(a)、(b)は従来のリードフレームの平面
図およびそのA−A断面図、第2図はプラスチックモー
ルドした状態の第1図(a)におけるA−A断面図、第
3図(a)、(b)は本発明の一実施例を示すリードフ
レームの平面図およびそのA−A断面図、第4図はプラ
スチックモール(4) ドした状態の第3図(a)におけるA−A断面図である
。 1.11・・・リードフレーム、2.12・・・半導体
チップ、2.13・・・タイバー、4,14・・・プラ
スチックパッケージの外枠、5.15・・・プラスチ・
ツクパッケージゆ 代理人弁理士 岡 部   隆 (5)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 集積回路用パッケージに用いるリードフレームにおいて
    、プリント板等外部へ取り付けるリード部の板厚より、
    その他の全部分或いは一部分の板厚を厚くした事を特徴
    とするリードフレーム。
JP12915981A 1981-08-18 1981-08-18 リ−ドフレ−ム Pending JPS5831565A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12915981A JPS5831565A (ja) 1981-08-18 1981-08-18 リ−ドフレ−ム

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JP12915981A JPS5831565A (ja) 1981-08-18 1981-08-18 リ−ドフレ−ム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5831565A true JPS5831565A (ja) 1983-02-24

Family

ID=15002597

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12915981A Pending JPS5831565A (ja) 1981-08-18 1981-08-18 リ−ドフレ−ム

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Country Link
JP (1) JPS5831565A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6334503A (ja) * 1985-07-26 1988-02-15 パイアリ・ジエネラル・ピ−エルシ− 丸い複屈折誘電体光導波体
US5518684A (en) * 1994-03-09 1996-05-21 National Semiconductor Corporation Method of making a molded lead frame

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6334503A (ja) * 1985-07-26 1988-02-15 パイアリ・ジエネラル・ピ−エルシ− 丸い複屈折誘電体光導波体
US5518684A (en) * 1994-03-09 1996-05-21 National Semiconductor Corporation Method of making a molded lead frame

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